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JPS6133357B2 - - Google Patents
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JPS6133357B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6133357B2
JPS6133357B2 JP52026550A JP2655077A JPS6133357B2 JP S6133357 B2 JPS6133357 B2 JP S6133357B2 JP 52026550 A JP52026550 A JP 52026550A JP 2655077 A JP2655077 A JP 2655077A JP S6133357 B2 JPS6133357 B2 JP S6133357B2
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JP
Japan
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plate
voltage regulator
power transistor
semiconductor
transistor
Prior art date
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Application number
JP52026550A
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Ganzeruto Uirii
Berukufuriito Deiitoritsuhi
Hainritsuhi Geruto
Shunepufu Deiitomaaru
Suransukii Harii
Pufuryuugaa Eeberuharuto
Dorukeru Jan
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Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
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Publication date
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    • H02JELECTRIC POWER NETWORKS; CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00Circuit arrangements for charging or discharging batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/70Circuit arrangements for charging or discharging batteries or for supplying loads from batteries characterised by the mechanical construction
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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    • HELECTRICITY
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Eletrric Generators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、分路―界磁コイルと並列に接続され
ているフライホイールダイオードと、エミツタ―
コレクタ間が界磁コイルと直列に接続されている
npn―パワトランジスタおよび該トランジスタに
作用する制御部を有する電圧調整装置とを備えて
おり、上記制御部がパワトランジスタと逆相に作
動するnpn―制御トランジスタを有し、該トラン
ジスタのベースが電圧目標値発生器として用いら
れるツエナーダイオードを介して発電機の出力電
圧点またはこの電圧に比例する電圧点と接続さ
れ、その際2つの独立したモノリシツクに集積さ
れた半導体プレートを設け、該プレートのうち第
1のプレートがパワトランジスタを有し、第2の
プレートが制御部を有しかつ第3の半導体プレー
トに設けられているフライホイールダイオード
と、パワトランジスタおよび制御部を有する電圧
調整装置とを1つのケーシングに収納し、該ケー
シングが、金属のソケツトプレートと、該プレー
ト上に設けられ、該ケーシングを気密に閉鎖する
被覆キヤツプとから成り、その際ソケツトプレー
トは、パワトランジスタのコレクタとフライホイ
ールダイオードのアノードと発電機の界磁コイル
の一方の端部との共通の接続点を形成しかつ2つ
の、両側で突出して該プレート中に絶縁固定され
ている棒状のリード導体を有し、該導体のうち一
方K1をパワトランジスタのエミツタ端子として
用い、他方K2をフライホイールダイオードのカ
ソードと界磁コイルの他方の端部を接続するため
に設け、かつ第1の半導体プレートおよび第3の
半導体プレートの各々片側を、ソケツトプレート
に直接導電および熱伝導的に接触固定し、かつ第
2の半導体プレートを絶縁プレートの表面に取付
け、該絶縁プレートの底面を同様にソケツトプレ
ート上に固定した、分路で励磁される発電機に関
する。
このようなフライホイールダイオードおよび電
圧調整器を有する発電機は、特公昭50―22397号
公報から公知であるが、電圧調整部Aと電圧検出
部Bが上下に重ね合わされているので熱搬出の点
に難点がある。
本発明の課題は上記問題点を取り除いたフライ
ホイールおよび電圧調整器を有する発電機を提供
することである。
この課題は本発明によれば、次のようにして解
決される。すなわちパワトランジスタを含んでい
る第1半導体プレートおよび前記フライホイール
ダイオードを含んでいる第3の半導体プレート
が、前記絶縁プレートの境界の外部に配置されて
おりかつ絶縁プレートをセラミツクプレートとす
る。
本発明によれ熱を妨げられずに搬出することが
できかつ絶縁材被覆によつて障害を受けることが
ないという利点が生じる。更に、発明では絶縁プ
レートにセラミツクプレートを使用しているので
技術的に容易に実現される。
次に本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図示の電圧調整装置は10で略式に示されてい
る3相交流発電機の作動に用いられる。この発電
機は3つの固定された3相交流コイル11,12
および13と発電機の電機子に設けられている回
転する界磁コイル14を有し、図示されていない
自動車のモータにより通例のように同様に図示さ
れていないベルト車を介して駆動される。各々の
3相交流コイルは発電機の負荷電流を導くプラス
ダイオードを介して自動車のモータの始動および
駆動に用いられる12個の6V電池16に接続されて
いる。この電池にスイツチ17を介して18で示
されていて自動車を駆動するために設けられてい
る点火装置、車道照明装置等の負荷を接続でき
る。電池16のマイナス極に接続されている共通
のマイナス線20に発電機の3相交流コイルが発
電機の全体の負荷電流を同様に決定する3つのマ
イナスダイオード21の各々1を介して接続され
ている。電圧調整装置Rを介して界磁コイル14
に供給され、電圧調整装置により駆動回転数およ
び発電機の負荷に適応した時間的な平均値に調節
される励磁電流に対して3つの同様に3相交流コ
イルに接続されている励磁ダイオード22が設け
られている。このダイオードは調整装置に接続さ
れているプラス線23に対して次のように作動す
る。即ちこのプラス線とマイナス線20の間に負
荷電流整流器15および21を介して電池16に
供給される充電電圧に比例する電圧が生じる。充
電電圧は調整装置Rによつて駆動回転数および発
電機の負荷に実際には無関係である約14Vの目標
値に保持されなければならない。
調整装置Rは発電機10の界磁コイル14に対
して調整装置のダーリントントランジスタLTの
エミツタ―コレクタ間と直列に接続されてかつエ
ミツタがマイナス線20に接続されている。この
トランジスタはパワトランジスタとして用いられ
る。また上記調整装置Rはダーリントントランジ
スタLTに作用する制御部STを有している。この
トランジスタLTと制御部STは各々モノリシツク
に集積されたスイツチ回路として構成されてい
る。
その際ダーリントントランジスタLTはnpn―
出力トランジスタ25、npn―前置トランジスタ
26および出力トランジスタ25のエミツタ―ベ
ース間に並列に接続されている抵抗27から成つ
ている。前記の2つのトランジスタはダーリント
ン回路に相互に接続されている。これらの個別構
成素子から成るダーリントントランジスタLTは
モノリシツクに集積された回路として第1の半導
体プレート28に構成されている。このプレート
の底面全体は金属化されている。この金属部はダ
ーリントントランジスタLTのコレクタ端子29
を形成している。またプレートの表面はダーリン
トントランジスタLTのエミツタに対する金属接
点30およびダーリントントランジスタLTのベ
ースに対する金属接点31を有している。
制御部STはnpn―制御トランジスタ32、こ
のトランジスタのエミツタ―ベース間と並列に接
続されている抵抗33、電圧目標値発生器として
用いられるツエナーダイオード34および分圧器
35から成つている。その際制御トランジスタ3
2のエミツタはマイナス線20およびこのトラン
ジスタのコレクタはダーリントントランジスタ
LTのベース31に接続されている。ツエナーダ
イオード34のアノードは制御トランジスタ32
のベースにまたこのダイオードのカソードは分圧
器35のタツプに接続されている。この分圧器の
第1の自由端部はプラス線23に接続され、第2
の自由端部はマイナス線20に接続されている。
制御部STはダーリントントランジスタLTと同様
にモノリシツクに集積された回路として構成され
かつ第2の半導体プレート36に形成されてい
る。ダーリントントランジスタLTとは異なり制
御部STの場合第1図の回路図にすべて示されて
いる外側の端子A,BおよびDが半導体プレート
36の表面に取付けられている(第2図および第
3図)。
発電機10を静止状態から励磁できるようにす
るためにこの始動位相においてダーリントントラ
ンジスタLTが導通し制御トランジスタ32は実
際に遮断されなければならない。制御トランジス
タ32のエミツタ―ベース間に並列に600Ωの抵
抗33が接続されている。出力トランジスタ25
のエミツタ―ベース間と並列に約150Ωの抵抗2
7が接続されている。この抵抗は、線20と23
の間の電圧が目標値に達し、制御トランジスタ3
2がこの結果ツエナーダイオード34により導通
状態になつたときダーリントントランジスタLT
を完全に遮断する。
発電機10の界磁コイル14と並列に接続され
ているフライホイールダイオード19は第3の半
導体プレート50に形成されている。このプレー
トの底面全体は金属化されていて、フライホイー
ルダイオード19のアノード端子を形成する。
フライホイールダイオード19および、ターリ
ントントランジスタLTと制御部STとを有する調
整装置R全体は一つのケーシングGに収納されて
いる。このケーシングは金属ソケツト板51およ
びその上に溶接付けされている被覆キヤツプ52
から成つている。ダーリントントランジスタを有
する第1の半導体プレート28およびフライホイ
ールダイオード19を有する第3の半導体プレー
ト50はその際例えば第3図に示すように導電お
よび熱伝導の良好な接触でソケツト板51にろう
付けされている。従つてソケツト板51はダーリ
ントントランジスタLTのコレクタ29と、フラ
イホイールダイオード19のアノードとの接続点
53を形成する。制御部STを有する第2の半導
体プレート36はセラミツク板40に接着されて
おり、このセラミツク板はまたソケツト板51に
接着されている。
ソケツト板51を通してガラス溶着材F1,F2
を介して2つの棒状の金属リード導体K1,K2
絶縁されて引出されている。
前述のように第1の半導体プレート28の表面
は2つの金属接点30および31を有している、
その際接点30はエミツタ端子を接点31はダー
リントントランジスタLTのベース端子を形成し
ている。
第2の半導体プレート36の表面は3つの接続
接点A,BおよびDを支持している。その際第1
の金属接点Aは分圧器35の第1の自由端部の端
子として用いられる。第2の金属接点Bは分圧器
35の第2の自由端部並びに制御トランジスタ3
2のエミツタとの共通の端子として用いられる。
第3の金属接点Dは制御トランジスタ32のコレ
クタ端子を形成する。
第3の半導体プレート50の表面は一つの金属
接点54を支持する。この接点はフライホイール
ダイオード19のカソード端子を形成している。
セラミツクプレート40の表面は2つの導体路
55と56を支持している。この導体路は薄膜フ
イルム技術または厚膜フイルム技術で製作でき
る。第3図はこの導体路を平面拡大図で示し一方
第2図ではこの導体路を接続点として示してい
る。
半導体プレート28,36および50の表面に
存在している金属接点30,31,A,B,D,
54、棒状接続導体K1,K2およびセラミツク板
40上に設けられた導体路55,56の間の電気
接続はボンド線W1,W2,W3,W4,W5,W6
W7を介して形成される。
その際第1のボンド線W1は第1の接続導体K1
の被覆面からダーリントントランジスタLTを形
成する半導体プレート28のエミツタ接点30に
接続されている。第2のボンド線W2は第2の接
続導体K2の被覆面から第3の半導体プレート5
0の表面に存在するフライホイールダイオード1
9のカソード接点54まで接続されている。ボン
ド線W1およびW2は通常のボンド線に比べてこの
導線が比較的高い電流が流れられるようにしなけ
ればならないので厚めに形成されている。第3の
ボンド線W3は第1の接続導体K1の被覆面から第
2の半導体プレート36の接点Bまで接続され、
第4のボンド線W4は第2の接続体K2の被覆面か
ら第2の導体路56に接続されている。第5のボ
ンド線W5は第1の半導体プレート28のベース
接点31から第1の導体路55に接続され一方第
6のボンド線W6は第1の導体路55から第2の
半導体プレート36の接点Dに接続されている。
第7のボンド線W7は第2の導体路56から第2
の半導体プレート36の接点Aに接続されてい
る。
本発明は図示の実施例に限定されるものではな
い。電圧制御装置Rは出力トランジスタLTとモ
ノリシツクに集積された制御部STの他に、別の
受動のおよび/または能動の回路素子を有する。
これらの素子はケーシングGに収納でき、例えば
セラミツク板40に取付けることができる。更に
第2の半導体プレート36に形成されている制御
部STにおいて回路素子32,33,34および
35のほかに、本発明の基本思想を逸脱すること
なしに複数の別の受動および/または能動回路素
子をモノリシツクに集積できる。この回路素子は
付加的な機能を有し例えば周波数特性補償または
残留電流を補償するために用いられる。制御部
STにモノリシツクに集積されていない別の回路
素子を用いる場合半導体プレート36の端子の表
面は端子A,BおよびDの他に別の金属接点を有
する。半導体プレート28,36,50の表面に
存在する金属接点の棒状のリード導体K1,K2
の電気接続はボンド線のかわりに他の接続部材を
設けることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はフライホイールダイオードおよび電圧
調整装置を有する自動車のための分路で励磁され
る発電機の電気回路図、第2図は第1図の電圧調
整装置およびフライホイールダイオードから成る
部分の拡大図でその際制御部はセラミツク板に取
付けられていて表面に3つの電気接点を有する半
導体プレートとして表わす。第3図は第2図の回
路部分を有するケーシングの平面図でその際被覆
キヤツプの上部分が切欠してケーシング中の回路
部分およびその接続ならびに個別回路素子の空間
配置がわかるようにしたものである。第4図は第
3図の線―に沿つて切断した断面図である。 R……電圧調整装置、LT……ダーリントント
ランジスタ、ST……制御部、10……発電機、
14……界磁コイル、19……フライホイールダ
イオード、28,36,50……半導体プレー
ト、32……制御トランジスタ、40……セラミ
ツク板、51……ソケツト板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 分路―界磁コイル14と並列に接続されてい
    るフライホイールダイオード19と、エミツタ―
    コレクタ間が界磁コイル14と直列に接続されて
    いるnpn―パワトランジスタLTおよび該トラン
    ジスタに作用する制御部STを有する電圧調整装
    置Rとを備えており、上記制御部がパワトランジ
    スタLTと逆相に作動するnpn―制御トランジス
    タ32を有し、該トランジスタのベースが電圧目
    標値発生器として用いられるツエナーダイオード
    34を介して発電機10の出力電圧点またはこの
    電圧に比例する電圧点と接続され、その際2つの
    独立したモノリシツクに集積された半導体プレー
    ト28,36を設け、該プレートのうち第1のプ
    レートがパワトランジスタLTを有し、第2のプ
    レートが制御部STを有しかつ第3の半導体プレ
    ート50に設けられているフライホイールダイオ
    ード19と、パワトランジスタLTおよび制御部
    STを有する電圧調整装置Rとを1つのケーシン
    グに収納し、該ケーシングが、金属のソケツトプ
    レート51と、該プレート上に設けられ、該ケー
    シングを気密に閉鎖する被覆キヤツプ52とから
    成り、その際ソケツトプレート51は、パワトラ
    ンジスタLTのコレクタ29とフライホイールダ
    イオード19のアノードと発電機10の界磁コイ
    ル14の一方の端部との共通の接続点53を形成
    しかつ2つの、両側で突出して該プレート中に絶
    縁固定されている棒状のリード導体K1,K2を有
    し、該導体のうち一方K1をパワトランジスタLT
    のエミツタ端子として用い、他方K2をフライホ
    イールダイオード19のカソードと界磁コイル1
    4の他方の端部を接続するために設け、かつ第1
    の半導体プレート28および第3の半導体プレー
    ト50の各々片側を、ソケツトプレート51に直
    接導電および熱伝導的に接触固定し、かつ第2の
    半導体プレート36を絶縁プレート40の表面に
    取付け、該絶縁プレートの底面を同様にソケツト
    プレート51上に固定した、分路で励磁される発
    電機において、前記パワトランジスタLTを含ん
    でいる第1半導体プレート28および前記フライ
    ホイールダイオード19を含んでいる第3の半導
    体プレートが前記絶縁プレートの境界の外部に配
    置されておりかつ絶縁プレートがセラミツクプレ
    ートであることを特徴とするフライホイールダイ
    オードおよび電圧調整器を有する発電機。 2 半導体プレート28,36,50の表面に存
    在する金属接点30,31,A,B,D,54お
    よび棒状のリード導体K1,K2の間の電気接続を
    ボンド線により行つた特許請求の範囲第1項に記
    載の発電機。 3 半導体プレート28,36,50の表面に存
    在する金属接点30,31,A,B,D,54と
    棒状のリード導体K1,K2間の導電接続線がボン
    ド線W1,W2,W3,W4,W5,W6,W7の他に中
    間接続部材として用いられる導体路55,56を
    有し、該導体路をセラミツクプレート40の表面
    上に取付けかつ各々導体路55,56で終端して
    いる2つのボンド導線W5,W6;W4,W7と共に
    完全な導電接続を形成する特許請求の範囲第2項
    に記載の発電機。 4 導体路55,56を薄膜技術または厚膜技術
    によりセラミツクプレート40に取付けた特許請
    求の範囲第3項に記載の発電機。 5 パワトランジスタLTをダーリントントラン
    ジスタとして形成した特許請求の範囲第1項から
    第4項までのいずれか1項に記載の発電機。
JP2655077A 1976-03-11 1977-03-10 Generator having flywheel diode and voltage regulator Granted JPS52110426A (en)

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DE19762610137 DE2610137A1 (de) 1976-03-11 1976-03-11 Generator mit freilaufdiode und spannungsregler

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS52110426A JPS52110426A (en) 1977-09-16
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JP2655077A Granted JPS52110426A (en) 1976-03-11 1977-03-10 Generator having flywheel diode and voltage regulator

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JP (1) JPS52110426A (ja)
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ES (1) ES456733A1 (ja)
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IT (1) IT1115621B (ja)
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