JPS6133462B2 - - Google Patents
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- JPS6133462B2 JPS6133462B2 JP55064493A JP6449380A JPS6133462B2 JP S6133462 B2 JPS6133462 B2 JP S6133462B2 JP 55064493 A JP55064493 A JP 55064493A JP 6449380 A JP6449380 A JP 6449380A JP S6133462 B2 JPS6133462 B2 JP S6133462B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/121—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は経時変化により劣化したセラミツク感
湿抵抗体の再生方法に関する。
湿抵抗体の再生方法に関する。
従来、ZnOやMgO―Cr2O3などを主成分とする
セラミツク感湿抵抗体は、高信頼性，長寿命の抵
抗体を得るべく開発が続けられているがまだ十分
に満足すべきものが得られていない。このため最
近たとえば特開昭53―78877号公報や特開昭54―
83499号公報で提案されているように、感湿抵抗
体の周囲に発熱体を配設しこれを用いて前記感湿
抵抗体を加熱再生させる方法が採用されている
が、この方法では外部加熱のため加熱温度が400
〜600℃に達する。
セラミツク感湿抵抗体は、高信頼性，長寿命の抵
抗体を得るべく開発が続けられているがまだ十分
に満足すべきものが得られていない。このため最
近たとえば特開昭53―78877号公報や特開昭54―
83499号公報で提案されているように、感湿抵抗
体の周囲に発熱体を配設しこれを用いて前記感湿
抵抗体を加熱再生させる方法が採用されている
が、この方法では外部加熱のため加熱温度が400
〜600℃に達する。
ZnO―LiZnVO4を主成分とする感湿抵抗体では
融点が500℃程度のため加熱温度が融点以上とな
り感湿抵抗体の組成が変動したり焼結が進行した
り特性が変化する。また感湿抵抗体のほかに発熱
体を必要としこの分だけ部品点数が多くなり、か
つ発熱体の消費電力が比較的大きく５〜10Wを必
要とし価格上昇となるなどの欠点があつた。
融点が500℃程度のため加熱温度が融点以上とな
り感湿抵抗体の組成が変動したり焼結が進行した
り特性が変化する。また感湿抵抗体のほかに発熱
体を必要としこの分だけ部品点数が多くなり、か
つ発熱体の消費電力が比較的大きく５〜10Wを必
要とし価格上昇となるなどの欠点があつた。
本発明は上記のような実情に鑑みてなされたも
ので、セラミツク感湿抵抗体の周囲に発熱体を配
設することなしに再生する方法を提供せんとする
ものである。
ので、セラミツク感湿抵抗体の周囲に発熱体を配
設することなしに再生する方法を提供せんとする
ものである。
以下本発明の詳細につき図面を参照しながら説
明する。すなわち本発明は上記の目的を達成する
ため第１図に示すようにZnO―LiZnVO4，
MgCr2O4，Zn2TiO4またはMg2TiO4などを主成分
とするセラミツク感湿抵抗体１の湿度検知用電極
２に感湿抵抗体１の体積１mm３あたり50〜
300mWとなるような電力を供給し、これによつ
て感湿抵抗体１自身が発熱体となつて少なくとも
100℃以上の温度に発熱し感湿抵抗体１を再生す
るものである。前記電極２はAg，Au，RuO2な
どのペーストを印刷などの方法で塗布焼付けした
もので、該電極２にリード線３を収着する。前記
電極２は第１図のように感湿抵抗体１の両面に設
けたものに限るものではなく、片面に一対の電極
２をたとえば櫛の歯状に形成したものにでも適用
できる。
明する。すなわち本発明は上記の目的を達成する
ため第１図に示すようにZnO―LiZnVO4，
MgCr2O4，Zn2TiO4またはMg2TiO4などを主成分
とするセラミツク感湿抵抗体１の湿度検知用電極
２に感湿抵抗体１の体積１mm３あたり50〜
300mWとなるような電力を供給し、これによつ
て感湿抵抗体１自身が発熱体となつて少なくとも
100℃以上の温度に発熱し感湿抵抗体１を再生す
るものである。前記電極２はAg，Au，RuO2な
どのペーストを印刷などの方法で塗布焼付けした
もので、該電極２にリード線３を収着する。前記
電極２は第１図のように感湿抵抗体１の両面に設
けたものに限るものではなく、片面に一対の電極
２をたとえば櫛の歯状に形成したものにでも適用
できる。
つぎに本発明の実施例について詳述する。
実施例 １
NnOを主成分としこれにLiZnVO4を混合し800
℃で焙焼を行いポリビニルアルコール５％水溶液
をバインダとして造粒したのち円板状に成型し
1300℃で２時間焼結した直径8.5mmφ×厚さ0.3mm
ｔの焼結体に直径7.0mmφの金電極をスクリーン
印刷により設けたZnO―LiZnVO4系セラミツク感
湿抵抗体を用い、第２図に示すように該感湿抵抗
体１と固定抵抗４とが直列に接続され、前記感湿
抵抗体１の他端は切換スイツチ５を介して
AC100V、50Hzの再生用電源６またはAC1V，120
Hzの湿度検知用電源７のどちらかに接続され、該
両電極６，７の他端はいずれも前記固定低抗４の
他端に接続されており、該固定抵抗４の両端の電
圧を湿度検知時の出力電圧とする。通常の湿度検
知時は切換スイツチ５を側に倒しておき感湿抵
抗体の変化に応じた出力電圧の変化を検知して湿
度が検知する。該感湿抵抗体１が劣化し再生する
必要が生じたときは前記切換スイツチ５を側に
倒して感湿抵抗体１に850mWの電力（感湿抵抗
体１体積１mm３あたり50mWの電力）を供給し感
湿抵抗体１を100℃以上に発熱させる。そして５
〜30秒経過したのち切換スイツチ５を側にもど
し再び湿度検知を行う。
℃で焙焼を行いポリビニルアルコール５％水溶液
をバインダとして造粒したのち円板状に成型し
1300℃で２時間焼結した直径8.5mmφ×厚さ0.3mm
ｔの焼結体に直径7.0mmφの金電極をスクリーン
印刷により設けたZnO―LiZnVO4系セラミツク感
湿抵抗体を用い、第２図に示すように該感湿抵抗
体１と固定抵抗４とが直列に接続され、前記感湿
抵抗体１の他端は切換スイツチ５を介して
AC100V、50Hzの再生用電源６またはAC1V，120
Hzの湿度検知用電源７のどちらかに接続され、該
両電極６，７の他端はいずれも前記固定低抗４の
他端に接続されており、該固定抵抗４の両端の電
圧を湿度検知時の出力電圧とする。通常の湿度検
知時は切換スイツチ５を側に倒しておき感湿抵
抗体の変化に応じた出力電圧の変化を検知して湿
度が検知する。該感湿抵抗体１が劣化し再生する
必要が生じたときは前記切換スイツチ５を側に
倒して感湿抵抗体１に850mWの電力（感湿抵抗
体１体積１mm３あたり50mWの電力）を供給し感
湿抵抗体１を100℃以上に発熱させる。そして５
〜30秒経過したのち切換スイツチ５を側にもど
し再び湿度検知を行う。
実施例 ２
実施例１と同じ組成および形状・寸法の感湿抵
抗体１を用い第３図に示すようにAC，50Hzの交
流可変電圧電源８，感湿抵抗体１，固定抵抗４が
それぞれ直列に接続されており、該固定抵抗４の
両端の電圧を湿度検知時の出力電圧とする。通常
の湿度検知時には前記交流可変電圧電源８の出力
電圧を1Vにして湿度を検知する。前記感湿抵抗
体１が劣化し再生する必要が生じたときは前記交
流可変電圧電源８の出力電圧を供給電力として
900mW（感湿抵抗体１の体積１mm３あたり
53mWの電力）の電力を供給して感湿抵抗体１を
100℃以上に発熱させる。そして５〜30秒経過し
たのち交流可変電圧電源８の出力電圧を再び1V
にもどして湿度検知を行う。
抗体１を用い第３図に示すようにAC，50Hzの交
流可変電圧電源８，感湿抵抗体１，固定抵抗４が
それぞれ直列に接続されており、該固定抵抗４の
両端の電圧を湿度検知時の出力電圧とする。通常
の湿度検知時には前記交流可変電圧電源８の出力
電圧を1Vにして湿度を検知する。前記感湿抵抗
体１が劣化し再生する必要が生じたときは前記交
流可変電圧電源８の出力電圧を供給電力として
900mW（感湿抵抗体１の体積１mm３あたり
53mWの電力）の電力を供給して感湿抵抗体１を
100℃以上に発熱させる。そして５〜30秒経過し
たのち交流可変電圧電源８の出力電圧を再び1V
にもどして湿度検知を行う。
つぎに本発明による効果を詳述する。第４図は
それぞれ試験に供したZnO―LiZnVO4系セラミツ
ク感湿抵抗体の初期の相対湿度特性（曲線Ａ），
室内放置10時間後の相対湿度特性（曲線Ｂ），室
内放置10時間後に本発明の再生方法を施したのち
相対湿度特性（曲線Ｃ）を示すものである。曲線
Ｂの室内放置10時間経過後の相対湿度特性は曲線
Ａの初期の相対湿度特性と比較し30％RHで抵抗
値が増加しており、90％RHでの抵抗値はわずか
に減少している。しかし、前述の本発明の再生方
法を採用することによつて曲線Ｃに示すように30
％RHでの抵抗値はほぼ初期値に復帰し、90％RH
での抵抗値も初期値に比べてわずかに小さくなつ
ているにすぎず、全体としてほぼ±１％RH以内
で初期値に回復していることがわかる。このよう
に本発明の再生方法を採用することによつて劣化
した感湿抵抗体はほとんど初期の相対湿度特性と
同じ特性に回復させることが可能であり、感湿抵
抗体の経時変化による湿度検知誤差を小さくする
ことができる。また供給電力をさらに大きくする
と感湿抵抗体の表面汚染物、たとえば油などを焼
却し除去することも可能である。なお感湿抵抗体
の体積１mm３あたり50〜300mWの電力を供給す
るようにしたのは50mW未満では感湿抵抗体の温
度が100℃に達しないため、水分を蒸発させたり
表面汚染物を焼却させたりしてこれらを除去する
ことができず十分な再生効果が得られないためで
ある。また300mWを越えるとZnO―LiNnVO4系
セラミツク感湿抵抗体では加熱温度が600℃を越
えるため組成が変動したり焼結が進行したり特性
が変化する。MgCr2O4系・Zn2TiO4系または
Mg2TiO4系セラミツク感湿抵抗体では加熱温度
が800℃まで上昇させても組成変動は起こらない
が、Ag，AuまたはRuO2などの電極ペーストに
含まれているガラスフリツトが600℃から溶け始
めるため溶けたガラスフリツトが感湿抵抗体のポ
アに入り込み目詰まりし感湿特性が劣化する。こ
れらのことからは感湿抵抗体の体積１mm３あたり
の供給電力は50〜300mWが最適範囲である。感
湿抵抗体の体積１mm３あたりの供給電力と感湿抵
抗体の温度との関係を第５図に示す。
それぞれ試験に供したZnO―LiZnVO4系セラミツ
ク感湿抵抗体の初期の相対湿度特性（曲線Ａ），
室内放置10時間後の相対湿度特性（曲線Ｂ），室
内放置10時間後に本発明の再生方法を施したのち
相対湿度特性（曲線Ｃ）を示すものである。曲線
Ｂの室内放置10時間経過後の相対湿度特性は曲線
Ａの初期の相対湿度特性と比較し30％RHで抵抗
値が増加しており、90％RHでの抵抗値はわずか
に減少している。しかし、前述の本発明の再生方
法を採用することによつて曲線Ｃに示すように30
％RHでの抵抗値はほぼ初期値に復帰し、90％RH
での抵抗値も初期値に比べてわずかに小さくなつ
ているにすぎず、全体としてほぼ±１％RH以内
で初期値に回復していることがわかる。このよう
に本発明の再生方法を採用することによつて劣化
した感湿抵抗体はほとんど初期の相対湿度特性と
同じ特性に回復させることが可能であり、感湿抵
抗体の経時変化による湿度検知誤差を小さくする
ことができる。また供給電力をさらに大きくする
と感湿抵抗体の表面汚染物、たとえば油などを焼
却し除去することも可能である。なお感湿抵抗体
の体積１mm３あたり50〜300mWの電力を供給す
るようにしたのは50mW未満では感湿抵抗体の温
度が100℃に達しないため、水分を蒸発させたり
表面汚染物を焼却させたりしてこれらを除去する
ことができず十分な再生効果が得られないためで
ある。また300mWを越えるとZnO―LiNnVO4系
セラミツク感湿抵抗体では加熱温度が600℃を越
えるため組成が変動したり焼結が進行したり特性
が変化する。MgCr2O4系・Zn2TiO4系または
Mg2TiO4系セラミツク感湿抵抗体では加熱温度
が800℃まで上昇させても組成変動は起こらない
が、Ag，AuまたはRuO2などの電極ペーストに
含まれているガラスフリツトが600℃から溶け始
めるため溶けたガラスフリツトが感湿抵抗体のポ
アに入り込み目詰まりし感湿特性が劣化する。こ
れらのことからは感湿抵抗体の体積１mm３あたり
の供給電力は50〜300mWが最適範囲である。感
湿抵抗体の体積１mm３あたりの供給電力と感湿抵
抗体の温度との関係を第５図に示す。
なお、第２図および第３図において感湿抵抗体
１に直列に固定抵抗４を接続したのは再生時に使
用する電源６，８に何らかの異常が生じて瞬間的
な高電圧が直接感湿抵抗体１に印加され感湿抵抗
体１の微細構造が破壊されるのを固定抵抗４で分
圧し防ぐため、および再生終了後直ちに固定抵抗
４両端の電圧変化を検出することにより湿度変化
に応じた感湿抵抗体１の抵抗変化を検出すること
ができるなどのためである。
１に直列に固定抵抗４を接続したのは再生時に使
用する電源６，８に何らかの異常が生じて瞬間的
な高電圧が直接感湿抵抗体１に印加され感湿抵抗
体１の微細構造が破壊されるのを固定抵抗４で分
圧し防ぐため、および再生終了後直ちに固定抵抗
４両端の電圧変化を検出することにより湿度変化
に応じた感湿抵抗体１の抵抗変化を検出すること
ができるなどのためである。
以上詳述したように本発明によればセラミツク
感湿抵抗体が劣化し再生する必要が生じた場合、
該感湿抵抗体の体積１mm３あたり50〜300mWの
電力を供給して発熱させて水分や表面汚染物を除
去することによつて別個に発熱体を配設すること
なく容易に初期値に回復させることができるなど
実用性の大なるセラミツク感湿抵抗体の再生方法
を提供することができる。
感湿抵抗体が劣化し再生する必要が生じた場合、
該感湿抵抗体の体積１mm３あたり50〜300mWの
電力を供給して発熱させて水分や表面汚染物を除
去することによつて別個に発熱体を配設すること
なく容易に初期値に回復させることができるなど
実用性の大なるセラミツク感湿抵抗体の再生方法
を提供することができる。
第１図はセラミツク感湿抵抗体を示す断面図、
第２図は本発明の一実施例に係る再生方法を示す
回路図、第３図は本発明の他の実施例に係る再生
方法を示す回路図、第４図は感湿抵抗体の相対湿
度特性を示す曲線図、第５図は供給電力と感湿抵
抗体の温度との関係を示す曲線図である。 １…感湿抵抗体、２…電極、４…固定抵抗、５
…切換スイツチ、６…再生用電源、７…湿度検知
用電源、８…交流可変電圧電源。
第２図は本発明の一実施例に係る再生方法を示す
回路図、第３図は本発明の他の実施例に係る再生
方法を示す回路図、第４図は感湿抵抗体の相対湿
度特性を示す曲線図、第５図は供給電力と感湿抵
抗体の温度との関係を示す曲線図である。 １…感湿抵抗体、２…電極、４…固定抵抗、５
…切換スイツチ、６…再生用電源、７…湿度検知
用電源、８…交流可変電圧電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 経時変化により劣化したセラミツク感湿抵抗
体の再生方法において、該感湿抵抗体に体積１mm
３あたり50〜300mWの電力を供給することによ
つて該感湿抵抗体自身を発熱させ再生することを
特徴とするセラミツク感湿抵抗体の再生方法。 ２ 感湿抵抗体に固定抵抗を直列に接続しさらに
切換スイツチを介して再生用電源と接続したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のセラミ
ツク感湿抵抗体の再生方法。 ３ 感湿抵抗体に固定抵抗と交流可変電圧電源と
を直列に接続したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のセラミツク感湿抵抗体の再生方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6449380A JPS56160649A (en) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | Regeneration and regenerative circuit of ceramic moisture sensitive resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6449380A JPS56160649A (en) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | Regeneration and regenerative circuit of ceramic moisture sensitive resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56160649A JPS56160649A (en) | 1981-12-10 |
| JPS6133462B2 true JPS6133462B2 (ja) | 1986-08-02 |
Family
ID=13259778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6449380A Granted JPS56160649A (en) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | Regeneration and regenerative circuit of ceramic moisture sensitive resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56160649A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105784786A (zh) * | 2015-01-09 | 2016-07-20 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于检测气态分析物的方法和传感器设备及其制造方法 |
| CN108689700A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-10-23 | 合肥同佑电子科技有限公司 | 一种高通流容量的压敏陶瓷材料 |
-
1980
- 1980-05-14 JP JP6449380A patent/JPS56160649A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105784786A (zh) * | 2015-01-09 | 2016-07-20 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于检测气态分析物的方法和传感器设备及其制造方法 |
| CN108689700A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-10-23 | 合肥同佑电子科技有限公司 | 一种高通流容量的压敏陶瓷材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56160649A (en) | 1981-12-10 |
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