JPS6133466B2 - - Google Patents
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- JPS6133466B2 JPS6133466B2 JP55177820A JP17782080A JPS6133466B2 JP S6133466 B2 JPS6133466 B2 JP S6133466B2 JP 55177820 A JP55177820 A JP 55177820A JP 17782080 A JP17782080 A JP 17782080A JP S6133466 B2 JPS6133466 B2 JP S6133466B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sensitivity
- temperature
- indium oxide
- gas sensor
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、産業活動または家庭における可燃性
ガスのガス漏れによる爆発，火災事故，公害等の
未然防止への利用を目的として、酸化インジウム
（In2O3）、塩化パラジウム（PdCl2）および磁器用
粘土の原料から焼成法によつて、絶縁基板上にパ
ラジウム（Pd）添加の焼結型酸化インジウム系
半導体厚膜を生成させる方法に関するものであ
る。
ガスのガス漏れによる爆発，火災事故，公害等の
未然防止への利用を目的として、酸化インジウム
（In2O3）、塩化パラジウム（PdCl2）および磁器用
粘土の原料から焼成法によつて、絶縁基板上にパ
ラジウム（Pd）添加の焼結型酸化インジウム系
半導体厚膜を生成させる方法に関するものであ
る。
従来、ガスの検出方法には、光の屈折率の変化
を利用した光干渉法，赤外スペクトル法，ガスク
ロマトグラフ法，電池の起電力を利用する電気化
学的方法，化学反応を利用した検知管法，接触燃
焼法，半導体センサ法などがある。これらのう
ち、接触燃焼法および半導体センサ法は、ガス濃
度を電気信号としてとり出すことができ、使いや
すいため可撓性ガスの漏洩検知用として用いられ
てきた。
を利用した光干渉法，赤外スペクトル法，ガスク
ロマトグラフ法，電池の起電力を利用する電気化
学的方法，化学反応を利用した検知管法，接触燃
焼法，半導体センサ法などがある。これらのう
ち、接触燃焼法および半導体センサ法は、ガス濃
度を電気信号としてとり出すことができ、使いや
すいため可撓性ガスの漏洩検知用として用いられ
てきた。
接触燃焼法は、加熱した白金線にガスを接触燃
焼させ、加熱線の電気抵抗の変化を検出するもの
で、古くから炭鉱などでメタンガスの検出に用い
られているが、素子の劣化や被毒によつて感度が
低下しやすく、得られる電気信号の変化が小さい
ため、これを増幅する必要があつて、高価格にな
る欠点がある。一方、半導体センサは応答速度が
早く、感度が高いので、低濃度のガス検出がで
き、かつ簡単な回路で安価に必要なアラーム処置
を作ることができる。この種のものには、SnO2
系がガスセンサをはじめ、ZnO，V2Os，NiO，
CoO系のものおよび稀土類遷移金属系ペロブスカ
イト型複合酸化物を用いたものなどが提案されて
いるが、SnO2系以外のものは末だ問題点が多
い。SnO2系ガスセンサは家庭用ガス漏れ検出に
広く使われているが、水蒸気の影響を受けやすい
から、劣化が比較的早く、ガスによる電気抵抗の
変化がガス濃度に比例しないなどの難点がある。
また、検出原理には不明な点が多く、実験的事実
が先行して、技術的に未完成のまま用いられたた
め、信頼性の少ない素子という印象が免れない。
焼させ、加熱線の電気抵抗の変化を検出するもの
で、古くから炭鉱などでメタンガスの検出に用い
られているが、素子の劣化や被毒によつて感度が
低下しやすく、得られる電気信号の変化が小さい
ため、これを増幅する必要があつて、高価格にな
る欠点がある。一方、半導体センサは応答速度が
早く、感度が高いので、低濃度のガス検出がで
き、かつ簡単な回路で安価に必要なアラーム処置
を作ることができる。この種のものには、SnO2
系がガスセンサをはじめ、ZnO，V2Os，NiO，
CoO系のものおよび稀土類遷移金属系ペロブスカ
イト型複合酸化物を用いたものなどが提案されて
いるが、SnO2系以外のものは末だ問題点が多
い。SnO2系ガスセンサは家庭用ガス漏れ検出に
広く使われているが、水蒸気の影響を受けやすい
から、劣化が比較的早く、ガスによる電気抵抗の
変化がガス濃度に比例しないなどの難点がある。
また、検出原理には不明な点が多く、実験的事実
が先行して、技術的に未完成のまま用いられたた
め、信頼性の少ない素子という印象が免れない。
このような事情に鑑み、本発明は、In2O3を母
体材料とし、磁器用粘土を添加して、PdCl2で活
性化した焼結型半導体厚膜を絶縁基板上に生成す
ることにより、前記SnO2系半導体ガスセンサの
欠点をほぼ満足しうる状態に除去するとともに、
ガスの選択的能力を付与した酸化インジウム系ガ
スセンサの製造方法を提供することを目的とす
る。
体材料とし、磁器用粘土を添加して、PdCl2で活
性化した焼結型半導体厚膜を絶縁基板上に生成す
ることにより、前記SnO2系半導体ガスセンサの
欠点をほぼ満足しうる状態に除去するとともに、
ガスの選択的能力を付与した酸化インジウム系ガ
スセンサの製造方法を提供することを目的とす
る。
このため本発明の方法は、酸化インジウムを母
体材料とし、塩化パラジウムおよび磁器用粘土を
添加材料として、空気中または制御された酸素雰
囲気中で、約700℃での高温仮焼成と約600℃での
低温本焼成とを行なうことにより、酸化インジウ
ムを主成分としてパラジウム，シリコン，アルミ
ニウム，亜鉛の酸化物を含有する厚膜を絶縁基板
上に焼結させることを特徴としている。
体材料とし、塩化パラジウムおよび磁器用粘土を
添加材料として、空気中または制御された酸素雰
囲気中で、約700℃での高温仮焼成と約600℃での
低温本焼成とを行なうことにより、酸化インジウ
ムを主成分としてパラジウム，シリコン，アルミ
ニウム，亜鉛の酸化物を含有する厚膜を絶縁基板
上に焼結させることを特徴としている。
以下図面とともに本発明の製造方法について詳
述する。
述する。
第１図は、本発明によるIn2O3系ガスセンサの
製造工程図を示したものである。まず市販の高純
度In2O3（99.9％）を１時間にわたり約700℃で仮
焼成して、湿気および不必要な不純物を除去す
る。これをメノウ乳鉢で充分に粉砕し篩にかけ
て、200メツシユ以下の粒度に揃える。粒度の揃
つたIn2O3粉末に活性化原料としてPdC2（5wt％
以下）、抑圧原料磁器用粘土（10wt％以下）を添
加混合し、蒸留水とともに撹拌し、コロイド状の
懸濁液をつくる。この懸濁液の一定量（約10mg）
を計量してこれをステアタイト基板上に塗布し、
乾燥炉内（約100℃）にて約30分保持したのち、
大気雰囲気中で１時間にわたり約600℃で本焼成
する。さらに厚膜の機械的ストレスの解消および
電気的経時変化を安定化するため、空気中におい
て本焼成の終えた厚膜素子を200℃で約１時間焼
鈍処理を行なう。これに銀ペーストを用いて厚膜
素子と被測定ガスの接触面積が１×10（mm）にな
るように電極を構成すると、In2O3（Pd）系半導
体ガスセンサが得られる。なお、素子には感度を
向上させるため、絶縁基板にヒーター処理を施し
てある。第２図は酸化インジウム系ガスセンサの
完成図を示したものであり、第２図中の符号１は
センサ、２はリード線、３は電極、４は絶縁基
板、５は加熱用ヒーターを示している。
製造工程図を示したものである。まず市販の高純
度In2O3（99.9％）を１時間にわたり約700℃で仮
焼成して、湿気および不必要な不純物を除去す
る。これをメノウ乳鉢で充分に粉砕し篩にかけ
て、200メツシユ以下の粒度に揃える。粒度の揃
つたIn2O3粉末に活性化原料としてPdC2（5wt％
以下）、抑圧原料磁器用粘土（10wt％以下）を添
加混合し、蒸留水とともに撹拌し、コロイド状の
懸濁液をつくる。この懸濁液の一定量（約10mg）
を計量してこれをステアタイト基板上に塗布し、
乾燥炉内（約100℃）にて約30分保持したのち、
大気雰囲気中で１時間にわたり約600℃で本焼成
する。さらに厚膜の機械的ストレスの解消および
電気的経時変化を安定化するため、空気中におい
て本焼成の終えた厚膜素子を200℃で約１時間焼
鈍処理を行なう。これに銀ペーストを用いて厚膜
素子と被測定ガスの接触面積が１×10（mm）にな
るように電極を構成すると、In2O3（Pd）系半導
体ガスセンサが得られる。なお、素子には感度を
向上させるため、絶縁基板にヒーター処理を施し
てある。第２図は酸化インジウム系ガスセンサの
完成図を示したものであり、第２図中の符号１は
センサ、２はリード線、３は電極、４は絶縁基
板、５は加熱用ヒーターを示している。
上述の方法によつて得られたIn2O3（Pd）系半
導体ガスセンサの電気的特性の測定には、実用的
な電流検出法を用いることができる。すなわち、
ガスセンサ、標準抵抗Ｒおよび電池の直列回路に
おいて、ガスセンサには予じめ１（mA）の直流
電流を流しておき、これに一定濃度のガスを接触
させると、ガスセンサの素子抵抗ｒが減少するこ
とから、素子を流れる電流が増加し、標準抵抗の
端子電圧が増加する。これをXYレコーダーで観
測すれば、レスポンス・カーブが得られる。
導体ガスセンサの電気的特性の測定には、実用的
な電流検出法を用いることができる。すなわち、
ガスセンサ、標準抵抗Ｒおよび電池の直列回路に
おいて、ガスセンサには予じめ１（mA）の直流
電流を流しておき、これに一定濃度のガスを接触
させると、ガスセンサの素子抵抗ｒが減少するこ
とから、素子を流れる電流が増加し、標準抵抗の
端子電圧が増加する。これをXYレコーダーで観
測すれば、レスポンス・カーブが得られる。
第３図は代表的なレスポンス・カーブである。
同図Ａ点はガス注入時を示し、Ｂ点はガス注入停
止時を示している。Ａ，Ｂ間の時間つまり標準抵
抗の端子電圧が飽和値に達する時間は約９
（sec）で、Ａ点より約１（sec）間に端子電圧は
10（ｖ）に達しており、従来のSnO2系ガスセン
サのそれと同様に、本発明によるIn2O3系ガスセ
ンサの応答速度はきわめて速い。このことは本焼
成時の原料組成を変化して作成した素子について
も、感度の差こそあれ、ほぼ同様な結果が得られ
ている。
同図Ａ点はガス注入時を示し、Ｂ点はガス注入停
止時を示している。Ａ，Ｂ間の時間つまり標準抵
抗の端子電圧が飽和値に達する時間は約９
（sec）で、Ａ点より約１（sec）間に端子電圧は
10（ｖ）に達しており、従来のSnO2系ガスセン
サのそれと同様に、本発明によるIn2O3系ガスセ
ンサの応答速度はきわめて速い。このことは本焼
成時の原料組成を変化して作成した素子について
も、感度の差こそあれ、ほぼ同様な結果が得られ
ている。
第６図は、仮焼成温度を０℃，600℃，700℃，
800℃および900℃にした５つの場合のそれぞれに
ついて、本焼成温度と電圧感度との関係を示すグ
ラフを実験的に求めたものである。この実験結果
が明らかなように、本発明の方法のごとく、仮焼
成温度を約700℃とし本焼成温度を約600℃とした
場合に、最も電圧感度が高くなる効果がある。
800℃および900℃にした５つの場合のそれぞれに
ついて、本焼成温度と電圧感度との関係を示すグ
ラフを実験的に求めたものである。この実験結果
が明らかなように、本発明の方法のごとく、仮焼
成温度を約700℃とし本焼成温度を約600℃とした
場合に、最も電圧感度が高くなる効果がある。
また第７図は、PdCl2の添加量を0Wt％，3Wt
％，5W％および10W％にした４つの場合のそれ
ぞれについて、本焼成温度と電圧感度との関係を
示すグラフを実験的に求めたものであり、PdCl2
の添加量を約5Wt％とし本焼成温度を600℃とし
た場合に、最も電圧感度が高くなつている。
％，5W％および10W％にした４つの場合のそれ
ぞれについて、本焼成温度と電圧感度との関係を
示すグラフを実験的に求めたものであり、PdCl2
の添加量を約5Wt％とし本焼成温度を600℃とし
た場合に、最も電圧感度が高くなつている。
以下、本発明によるIn2O3系ガスセンサの製造
方法とその電圧感度に関する実験例について説明
する。
方法とその電圧感度に関する実験例について説明
する。
実験例 １
大気雰囲気中、温度700℃で仮焼成したIn2O3粉
末を主成分として、PdCl2および磁器用粘土を無
添加のまま蒸留水で懸濁液とした原料を、温度
500℃，600℃，700℃および800℃で本焼成して得
られた素子では、いずれもガスに対する電圧感度
はほとんど見られない。
末を主成分として、PdCl2および磁器用粘土を無
添加のまま蒸留水で懸濁液とした原料を、温度
500℃，600℃，700℃および800℃で本焼成して得
られた素子では、いずれもガスに対する電圧感度
はほとんど見られない。
実験例 ２
大気雰囲気中において、温度700℃で１時間仮
焼成した粉末In2O3に、PdCl2 5Wt％および磁器
用粘土1Wt％を添加し、蒸留水でコロイド状に懸
濁した原料を、温度600℃で１時間本焼成する
と、塩素（Cl2）および酸化パラジウム（PdO）の
ほか、微量の金属酸化物を含有するIn2O3系ガス
センサが得られる。
焼成した粉末In2O3に、PdCl2 5Wt％および磁器
用粘土1Wt％を添加し、蒸留水でコロイド状に懸
濁した原料を、温度600℃で１時間本焼成する
と、塩素（Cl2）および酸化パラジウム（PdO）の
ほか、微量の金属酸化物を含有するIn2O3系ガス
センサが得られる。
この素子のプロパン（C3H8）および一酸化炭素
（CO）に対するガス濃度対電圧感度特性（素子加
熱温度：150℃）を第４図に示す。
（CO）に対するガス濃度対電圧感度特性（素子加
熱温度：150℃）を第４図に示す。
実験例 ３
実験例２の場合と同一条件で仮焼成した粉末
In2O3に、PdCl3 3Wt％および磁器用粘土10Wt％
を添加して、本焼成して得られた素子のC3H8お
よびCOに対するガス濃度対電圧感度特性（素子
加熱温度150℃）を第５図に示す。
In2O3に、PdCl3 3Wt％および磁器用粘土10Wt％
を添加して、本焼成して得られた素子のC3H8お
よびCOに対するガス濃度対電圧感度特性（素子
加熱温度150℃）を第５図に示す。
第４図によれば、明らかにC3H8およびCOの検
出が可能である。図に示していないが、この素子
はブタン（C4H10），エタン（C2H6），メタン
（CH4）などの炭化水素にもほぼ同様に感度を持つ
ことを確認した。しかし、磁器用粘土の添加量を
１〜3Wt％の範囲の一定量に固定し、PdCl2を１
〜10Ww％の範囲の一定量を添加して得られた素
子では、磁器用粘土の添加量には無関係に、
PdCl2の添加量が2Wt％または7Wt％以上のとき
感度は低く、5Wt％のとき最高感度であることが
判明した。
出が可能である。図に示していないが、この素子
はブタン（C4H10），エタン（C2H6），メタン
（CH4）などの炭化水素にもほぼ同様に感度を持つ
ことを確認した。しかし、磁器用粘土の添加量を
１〜3Wt％の範囲の一定量に固定し、PdCl2を１
〜10Ww％の範囲の一定量を添加して得られた素
子では、磁器用粘土の添加量には無関係に、
PdCl2の添加量が2Wt％または7Wt％以上のとき
感度は低く、5Wt％のとき最高感度であることが
判明した。
このように適量のPdCl2の添加によつて、著し
く増感作用があるのは、PdCl2の熱分解によつて
発生する塩素がIn2O3・nH2O中のOH基またはＨ
基の作用を活発にして、接触ガスとの間に電子的
なエネルギ交換が行なわれるとともに、一方では
In2O3中にPdまたはPdOの新しい不純物準位が形
成されて、この準位からの電子遷移によつて、伝
導帯におけるキヤリア密度が増加し、In2O3系厚
膜の電気抵抗を低下させることに基因するもので
ある。
く増感作用があるのは、PdCl2の熱分解によつて
発生する塩素がIn2O3・nH2O中のOH基またはＨ
基の作用を活発にして、接触ガスとの間に電子的
なエネルギ交換が行なわれるとともに、一方では
In2O3中にPdまたはPdOの新しい不純物準位が形
成されて、この準位からの電子遷移によつて、伝
導帯におけるキヤリア密度が増加し、In2O3系厚
膜の電気抵抗を低下させることに基因するもので
ある。
第５図によれば、COに対する感度は多少低下
するに留まるが、C3H8に対する感度の低下が顕
著であつて、結果的にCOに対して高感度を持つ
から、明らかに両者のガス検出にあたつて選択的
能力がある。
するに留まるが、C3H8に対する感度の低下が顕
著であつて、結果的にCOに対して高感度を持つ
から、明らかに両者のガス検出にあたつて選択的
能力がある。
実験例３の素子の添加量は実験例２の素子のそ
れに比して、PdCl2が減少しているとともに磁器
用粘土が増加しているが、磁器用粘土にはSiO，
Al2O3，SrOなどの金属酸化物が含有されている
（例えば益子産粘土）ことから、これらが何らか
の形で、前述の塩素およびPdOの活性化作用を抑
圧する働きをすることに基因して、素子と接触ガ
スとの間の電子移動を不活発にし、C3H8のガス
感度を低下させることができる。このことは
C3H8を初めとする他の炭水化物にも共通であ
る。
れに比して、PdCl2が減少しているとともに磁器
用粘土が増加しているが、磁器用粘土にはSiO，
Al2O3，SrOなどの金属酸化物が含有されている
（例えば益子産粘土）ことから、これらが何らか
の形で、前述の塩素およびPdOの活性化作用を抑
圧する働きをすることに基因して、素子と接触ガ
スとの間の電子移動を不活発にし、C3H8のガス
感度を低下させることができる。このことは
C3H8を初めとする他の炭水化物にも共通であ
る。
しかし、磁器用粘土の添加量を余りに増加する
と、抑圧作用が増大して、すべてのガスに対して
感度を失うことになる。
と、抑圧作用が増大して、すべてのガスに対して
感度を失うことになる。
以上詳述したように、本発明の酸化インジウム
系ガスセンサの製造方法によれば、母体材料とし
ての粉末In2O3、活性化原料としてのPdCl2およ
び抑圧材料としての磁器用粘土の３原料から、焼
成法によつて焼結型In2O3系ガスセンサを作成す
ることができる。
系ガスセンサの製造方法によれば、母体材料とし
ての粉末In2O3、活性化原料としてのPdCl2およ
び抑圧材料としての磁器用粘土の３原料から、焼
成法によつて焼結型In2O3系ガスセンサを作成す
ることができる。
そして、実験例２および実験例３から明らかな
ように、主成分In2O3に活性化材料および抑圧材
料磁器用粘土の適量を添加することにより、
C3H8およびCOに高感度を有する素子と、COに
対して敏感な検出能力を有するが、C3H8に対し
ては感度が低く、ガスの種類に対して選択能力を
有する素子とが得られるのである。
ように、主成分In2O3に活性化材料および抑圧材
料磁器用粘土の適量を添加することにより、
C3H8およびCOに高感度を有する素子と、COに
対して敏感な検出能力を有するが、C3H8に対し
ては感度が低く、ガスの種類に対して選択能力を
有する素子とが得られるのである。
また、本発明の方法によれば、高温仮焼成温度
を約700℃とし低温本焼成温度を約600℃とすると
いう簡単な工程で、電圧感度の高い、酸化インジ
ウム系ガスセンサの製造を安価に行なえる利点が
ある。
を約700℃とし低温本焼成温度を約600℃とすると
いう簡単な工程で、電圧感度の高い、酸化インジ
ウム系ガスセンサの製造を安価に行なえる利点が
ある。
図面は本発明の実施概要と本発明の方法により
得られた素子の特性の一例とを示すもので、第１
図はIn2O3（Pd）系半導体ガスセンサの製造工程
図、第２図は完成した素子の平面および断面図、
第３図は可燃性ガスに対する応答曲線の一例を示
すグラフ，第４図はIn2O3を主成分としPdCl2
5Wt％、磁器用粘土1Wt％を添加して温度600℃
で焼結した素子のガス濃度対電圧感度特性図、第
５図はIn2O3を主成分としPdCl2 3Wt％、磁器用
粘土10Wt％を添加して600℃で焼結した素子のガ
ス濃度対電圧感度特性図、第６図は高温仮焼成温
度および低温本焼成温度と感度との関係を示すグ
ラフ、第７図はPdCl2添加濃度と感度との関係を
示すグラフである。 １…センサ、２…リード線、３…電極、４…絶
縁基板、５…加熱用ヒーター。
得られた素子の特性の一例とを示すもので、第１
図はIn2O3（Pd）系半導体ガスセンサの製造工程
図、第２図は完成した素子の平面および断面図、
第３図は可燃性ガスに対する応答曲線の一例を示
すグラフ，第４図はIn2O3を主成分としPdCl2
5Wt％、磁器用粘土1Wt％を添加して温度600℃
で焼結した素子のガス濃度対電圧感度特性図、第
５図はIn2O3を主成分としPdCl2 3Wt％、磁器用
粘土10Wt％を添加して600℃で焼結した素子のガ
ス濃度対電圧感度特性図、第６図は高温仮焼成温
度および低温本焼成温度と感度との関係を示すグ
ラフ、第７図はPdCl2添加濃度と感度との関係を
示すグラフである。 １…センサ、２…リード線、３…電極、４…絶
縁基板、５…加熱用ヒーター。
Claims (1)
- １ 酸化インジウムを母体材料とし、塩化パラジ
ウムおよび磁器用粘土を添加材料として、空気中
または制御された酸素雰囲気中で、約700℃での
高温仮焼成と約600℃での低温本焼成とを行なう
ことにより、酸化インジウムを主成分としてパラ
ジウム、シリコン、アルミニユウム、亜鉛の酸化
物を含有する厚膜を絶縁基板上に焼結させるとを
特徴とする。酸化インジウム系ガスセンサの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17782080A JPS57101751A (en) | 1980-12-16 | 1980-12-16 | Manufacture of indium oxide series gas sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17782080A JPS57101751A (en) | 1980-12-16 | 1980-12-16 | Manufacture of indium oxide series gas sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57101751A JPS57101751A (en) | 1982-06-24 |
| JPS6133466B2 true JPS6133466B2 (ja) | 1986-08-02 |
Family
ID=16037665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17782080A Granted JPS57101751A (en) | 1980-12-16 | 1980-12-16 | Manufacture of indium oxide series gas sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57101751A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3604594A1 (de) * | 1986-02-14 | 1987-08-20 | Schott Glaswerke | Duennfilmgassensoren mit hoher messempfindlichkeit als mehrschichtsysteme auf der basis von indiumoxid-tauchschichten zum nachweis von gasspuren in traegergasen |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51137494A (en) * | 1975-05-23 | 1976-11-27 | Res Inst For Prod Dev | Gas detector element |
-
1980
- 1980-12-16 JP JP17782080A patent/JPS57101751A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57101751A (en) | 1982-06-24 |
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