JPS6134619B2 - - Google Patents
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- JPS6134619B2 JPS6134619B2 JP54105962A JP10596279A JPS6134619B2 JP S6134619 B2 JPS6134619 B2 JP S6134619B2 JP 54105962 A JP54105962 A JP 54105962A JP 10596279 A JP10596279 A JP 10596279A JP S6134619 B2 JPS6134619 B2 JP S6134619B2
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、同一または異なる基板上に形成さ
れ、それぞれ異なる特定物質に選択的に感応する
化学感応部を有する複数の絶縁ゲート形トランジ
スタ構造の化学感応素子を、少く共その化学感応
部を1個の参照電極と共に同一被検物質に接触さ
せて、該被検物質中の種々の特定物質を検出する
絶縁ゲート形トランジスタ構造の化学感応素子を
用いた化学物質の検出方法に関するものである。
れ、それぞれ異なる特定物質に選択的に感応する
化学感応部を有する複数の絶縁ゲート形トランジ
スタ構造の化学感応素子を、少く共その化学感応
部を1個の参照電極と共に同一被検物質に接触さ
せて、該被検物質中の種々の特定物質を検出する
絶縁ゲート形トランジスタ構造の化学感応素子を
用いた化学物質の検出方法に関するものである。
従来、電解効果型トランジスタのゲート部に、
特定の化学物質に感応する化学感応部を形成して
各種のイオン、ガス、酵素、抗原や抗体等を検出
する化学感応素子が種々提案されている。かかる
化学感応素子には、1つの半導体基板に1つの特
定の化学物質に選択的に感応する化学感応部を形
成したものと、それぞれ異なる化学物質に選択的
に感応する複数の化学感応部を形成したものとが
ある。このような化学感応素子、例えばイオンセ
ンサーを用いて血清等の被検液中の特定イオン濃
度や活量を検出する方法も従来種々提案されてい
る。第1図は本願人が先に特願昭53―43862号
(特公昭60―21344号公報)において提案したイオ
ン濃度の測定回路の一例の構成を示す線図で、被
検液中の特定イオン濃度に感応するイオンセンサ
ーのソース・ドレイン間に所定の電流が流れるよ
うに、参照電極に印加するバイアス電圧を制御
し、そのバイアス電圧値に基いて被検液中の特定
イオン濃度や活量を検出するようにしたものであ
る。第1において、容器1に収容された被検液2
中には、イオンセンサー3を少く共その化学感応
部4を参照電極5と共に浸漬して配置されてい
る。イオンセンサー3のドレイン端子6には、電
源7を接続して一定電圧を印加すると共に、ソー
ス端子8およびイオンセンサー3を構成する半導
体基板9は抵抗10を経て接地する。また、参照
電極5にはバイアス電源を含む電位制御回路11
が接続され、この電位制御回路11によりソース
端子8の電位が所定の電位となるように、すなわ
ちソース・ドレイン間に所定の電流が流れるよう
にバイアス電圧が制御され、そのときの電圧値を
出力端子12,13間においてバルボル等で検出
するよう構成されている。かかるイオン濃度測定
回路によれば、イオンセンサー3を定電流で動作
させるものであるから、動作が安定であると共
に、イオン濃度に応じた界面電位の微小な変化を
高精度で検出することができる利点がある。
特定の化学物質に感応する化学感応部を形成して
各種のイオン、ガス、酵素、抗原や抗体等を検出
する化学感応素子が種々提案されている。かかる
化学感応素子には、1つの半導体基板に1つの特
定の化学物質に選択的に感応する化学感応部を形
成したものと、それぞれ異なる化学物質に選択的
に感応する複数の化学感応部を形成したものとが
ある。このような化学感応素子、例えばイオンセ
ンサーを用いて血清等の被検液中の特定イオン濃
度や活量を検出する方法も従来種々提案されてい
る。第1図は本願人が先に特願昭53―43862号
(特公昭60―21344号公報)において提案したイオ
ン濃度の測定回路の一例の構成を示す線図で、被
検液中の特定イオン濃度に感応するイオンセンサ
ーのソース・ドレイン間に所定の電流が流れるよ
うに、参照電極に印加するバイアス電圧を制御
し、そのバイアス電圧値に基いて被検液中の特定
イオン濃度や活量を検出するようにしたものであ
る。第1において、容器1に収容された被検液2
中には、イオンセンサー3を少く共その化学感応
部4を参照電極5と共に浸漬して配置されてい
る。イオンセンサー3のドレイン端子6には、電
源7を接続して一定電圧を印加すると共に、ソー
ス端子8およびイオンセンサー3を構成する半導
体基板9は抵抗10を経て接地する。また、参照
電極5にはバイアス電源を含む電位制御回路11
が接続され、この電位制御回路11によりソース
端子8の電位が所定の電位となるように、すなわ
ちソース・ドレイン間に所定の電流が流れるよう
にバイアス電圧が制御され、そのときの電圧値を
出力端子12,13間においてバルボル等で検出
するよう構成されている。かかるイオン濃度測定
回路によれば、イオンセンサー3を定電流で動作
させるものであるから、動作が安定であると共
に、イオン濃度に応じた界面電位の微小な変化を
高精度で検出することができる利点がある。
一方、生化学分野においては、一般に同一被検
液から多項目のイオン濃度や活量を測定する場合
が多い。この場合の測定法の1つとして、同一被
検液を複数の容器に分注して、それぞれ第1図に
示す測定回路を構成して多チヤンネルで測定する
方法が考えられる。しかし、この方法は各項目の
イオン濃度や活量を独立に測定するため多量の被
検液が必要になると共に、操作が面倒であり、特
に同一半導体基板にそれぞれ異なるイオンに感応
する複数の化学感応部を形成したイオンセンサー
を用いる場合には、その機能を十分発揮すること
ができない欠点がある。このような欠点は、イオ
ンセンサーのみでなく、ガスセンサー、酵素セン
サー、免疫センサー等についても同様である。
液から多項目のイオン濃度や活量を測定する場合
が多い。この場合の測定法の1つとして、同一被
検液を複数の容器に分注して、それぞれ第1図に
示す測定回路を構成して多チヤンネルで測定する
方法が考えられる。しかし、この方法は各項目の
イオン濃度や活量を独立に測定するため多量の被
検液が必要になると共に、操作が面倒であり、特
に同一半導体基板にそれぞれ異なるイオンに感応
する複数の化学感応部を形成したイオンセンサー
を用いる場合には、その機能を十分発揮すること
ができない欠点がある。このような欠点は、イオ
ンセンサーのみでなく、ガスセンサー、酵素セン
サー、免疫センサー等についても同様である。
本発明の目的は、上述した欠点を除去し、同一
セル内で、したがつて少量の被検物質量で多項目
の特定の化学物質を容易に検出できる絶縁ゲート
形トランジスタ構造の化学感応素子を用いた化学
物質の検出方法を提供せんとするにある。
セル内で、したがつて少量の被検物質量で多項目
の特定の化学物質を容易に検出できる絶縁ゲート
形トランジスタ構造の化学感応素子を用いた化学
物質の検出方法を提供せんとするにある。
本発明は同一または異なる基板上に形成され、
それぞれ異なる特定物質に選択的に感応する化学
感応部を有する複数の絶縁ゲート形トランジスタ
構造の化学感応素子を、少く共その化学感応部を
1個の参照電極と共に同一被検物質に接触させ
て、該被検物質中の種々の特定物質を検出するに
あたり、前記各化学感応素子のソース・ドレイン
間に所定の電流が流れるように、前記参照電極に
印加するバイアス電圧を選択的に制御し、そのバ
イアス電圧値に基いて前記被検物質中の種々の特
定物質を選択的に検出することを特徴とするもの
である。
それぞれ異なる特定物質に選択的に感応する化学
感応部を有する複数の絶縁ゲート形トランジスタ
構造の化学感応素子を、少く共その化学感応部を
1個の参照電極と共に同一被検物質に接触させ
て、該被検物質中の種々の特定物質を検出するに
あたり、前記各化学感応素子のソース・ドレイン
間に所定の電流が流れるように、前記参照電極に
印加するバイアス電圧を選択的に制御し、そのバ
イアス電圧値に基いて前記被検物質中の種々の特
定物質を選択的に検出することを特徴とするもの
である。
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第2図は本発明方法を実施する検出装置の一例
の構成を示す線図である。この検出装置は容器2
0内に収容された被検液21中の3項目のイオン
濃度や活量を測定するものである。容器20内に
は、本例では同一半導体基板に形成され、それぞ
れ異なる所望の3種のイオンに選択的に感応する
絶縁ゲート形トランジスタ構造のイオンセンサー
22の各イオン感応部23,24および25を被
検液21に接触させて配置すると共に参照電極2
6を被検液21内に浸漬して配置する。各イオン
感応部を構成するイオンセンサーのドレイン端子
Dには共通の電源27を接続して一定の直流電圧
を印加し、またソース端子Sおよび半導体基板K
は、切換スイツチ28および基準抵抗29を経て
接地する。一方、参照電極26には電位制御回路
30を接続し、この電位制御回路30により参照
電極26に印加するバイアス電圧値を、基準抵抗
29の点の電位が各イオン感応部を構成するイ
オンセンサーに対して予じめ定めた所定の電位と
なるように、すなわち各イオン感応部を構成する
イオンセンサーのソース・ドレイン間にそれぞれ
所定の電流が流れるように制御するよう構成す
る。このため、本例では、点の電圧を差動増幅
器32の一方の入力端子に供給し、他方の入力端
子には切換スイツチ33を経て、各イオン感応部
を構成するイオンセンサーに対応して基準電圧源
34,35および36を接続してそれぞれ所定の
電圧を切り換えて供給するようにし、この差動増
幅器32の出力によつて駆動回路37を介して点
の電位が所定の電位となるようにバイアス電圧
源31を制御するよう構成した。このときのバイ
アス電圧値は、出力端子38,39において図示
しない測定手段、例えば電圧計あるいは増幅器等
を介してレコーダ・デジタルボルトメータ等によ
り測定する。なお、切換スイツチ28および33
は、制御装置40により各イオン感応部を構成す
るイオンセンサーの作動に対応して同期して切り
換えるよう構成する。
の構成を示す線図である。この検出装置は容器2
0内に収容された被検液21中の3項目のイオン
濃度や活量を測定するものである。容器20内に
は、本例では同一半導体基板に形成され、それぞ
れ異なる所望の3種のイオンに選択的に感応する
絶縁ゲート形トランジスタ構造のイオンセンサー
22の各イオン感応部23,24および25を被
検液21に接触させて配置すると共に参照電極2
6を被検液21内に浸漬して配置する。各イオン
感応部を構成するイオンセンサーのドレイン端子
Dには共通の電源27を接続して一定の直流電圧
を印加し、またソース端子Sおよび半導体基板K
は、切換スイツチ28および基準抵抗29を経て
接地する。一方、参照電極26には電位制御回路
30を接続し、この電位制御回路30により参照
電極26に印加するバイアス電圧値を、基準抵抗
29の点の電位が各イオン感応部を構成するイ
オンセンサーに対して予じめ定めた所定の電位と
なるように、すなわち各イオン感応部を構成する
イオンセンサーのソース・ドレイン間にそれぞれ
所定の電流が流れるように制御するよう構成す
る。このため、本例では、点の電圧を差動増幅
器32の一方の入力端子に供給し、他方の入力端
子には切換スイツチ33を経て、各イオン感応部
を構成するイオンセンサーに対応して基準電圧源
34,35および36を接続してそれぞれ所定の
電圧を切り換えて供給するようにし、この差動増
幅器32の出力によつて駆動回路37を介して点
の電位が所定の電位となるようにバイアス電圧
源31を制御するよう構成した。このときのバイ
アス電圧値は、出力端子38,39において図示
しない測定手段、例えば電圧計あるいは増幅器等
を介してレコーダ・デジタルボルトメータ等によ
り測定する。なお、切換スイツチ28および33
は、制御装置40により各イオン感応部を構成す
るイオンセンサーの作動に対応して同期して切り
換えるよう構成する。
第2図に示す検出装置においては、制御装置4
0により切換スイツチ28,33を同期して順次
に切り換えれば、それぞれについて参照電極26
には、点の電位が予じめ定めた所定の電位とな
るバイアス電圧が印加される。したがつて、測定
すべき各オンに対して濃度が既知の異なる2種類
の液について、予じめ第2図と同じ構成の検出装
置において、点の電位が予じめ定めた所定の電
位、すなわちソース・ドレイン間に所定の電流が
流れたときのバイアス電圧値をそれぞれ測定して
おけば、これらバイアス電圧値と、イオン濃度が
未知の被検液21に対して測定したバイアス電圧
値とから、被検液21中の特定イオン濃度や活量
を求めることができる。
0により切換スイツチ28,33を同期して順次
に切り換えれば、それぞれについて参照電極26
には、点の電位が予じめ定めた所定の電位とな
るバイアス電圧が印加される。したがつて、測定
すべき各オンに対して濃度が既知の異なる2種類
の液について、予じめ第2図と同じ構成の検出装
置において、点の電位が予じめ定めた所定の電
位、すなわちソース・ドレイン間に所定の電流が
流れたときのバイアス電圧値をそれぞれ測定して
おけば、これらバイアス電圧値と、イオン濃度が
未知の被検液21に対して測定したバイアス電圧
値とから、被検液21中の特定イオン濃度や活量
を求めることができる。
なお、出力端子38,39におけるバイアス電
圧値の測定は、制御装置40により切換スイツチ
28,33を所望回数繰り返し制御したのち行な
うこともできる。この場合、出力端子38,39
において各イオン感応部を構成するイオンセンサ
ーに対するバイアス電圧値が順次繰り返し測定さ
れることになるから、各イオン感応部の応答速度
に応じて、切換スイツチ28,33を繰り返し制
御した後、各イオン感応部に対するバイアス電圧
値を読み取る。このようにすれば、各イオン感応
部が平衡状態に達する時間を短縮することができ
ると共に、繰り返し制御の所望回数目において各
イオンセンサーに対するバイアス電圧値をほぼぼ
同時に測定することができる。
圧値の測定は、制御装置40により切換スイツチ
28,33を所望回数繰り返し制御したのち行な
うこともできる。この場合、出力端子38,39
において各イオン感応部を構成するイオンセンサ
ーに対するバイアス電圧値が順次繰り返し測定さ
れることになるから、各イオン感応部の応答速度
に応じて、切換スイツチ28,33を繰り返し制
御した後、各イオン感応部に対するバイアス電圧
値を読み取る。このようにすれば、各イオン感応
部が平衡状態に達する時間を短縮することができ
ると共に、繰り返し制御の所望回数目において各
イオンセンサーに対するバイアス電圧値をほぼぼ
同時に測定することができる。
第3図および第4図はそれぞれ本発明方法を実
施する検出装置の他の2つの例の構成を示す線図
であり、第3図に示す検出装置は、切換スイツチ
28を各イオン感応部を構成するイオンセンサー
のドレイン端子Dと電源27との間に設けた点の
みが第2図に示す検出装置と異なるものである。
また第4図に示す検出装置は、各イオン感応部を
構成するイオンセンサーをそのインピーダンスに
応じて所望のソース・ドレイン電流で作動させる
ようにしたものであり、このため各センサーのソ
ース端子Sを切換スイツチ28およびインピーダ
ンスに応じた基準抵抗29A,29B,29Cを
経て接地したものである。この場合には、各基準
抵抗における電圧降下、すなわち点の電位を互
いに等しくすることができ、したがつて電位制御
回路30の差動増幅器32の他方の入力端子には
1つの基準電圧源41を接続すればよい。
施する検出装置の他の2つの例の構成を示す線図
であり、第3図に示す検出装置は、切換スイツチ
28を各イオン感応部を構成するイオンセンサー
のドレイン端子Dと電源27との間に設けた点の
みが第2図に示す検出装置と異なるものである。
また第4図に示す検出装置は、各イオン感応部を
構成するイオンセンサーをそのインピーダンスに
応じて所望のソース・ドレイン電流で作動させる
ようにしたものであり、このため各センサーのソ
ース端子Sを切換スイツチ28およびインピーダ
ンスに応じた基準抵抗29A,29B,29Cを
経て接地したものである。この場合には、各基準
抵抗における電圧降下、すなわち点の電位を互
いに等しくすることができ、したがつて電位制御
回路30の差動増幅器32の他方の入力端子には
1つの基準電圧源41を接続すればよい。
上述したように本発明によれば、同一セル内に
収容した被検液中にそれぞれ異なるイオンに選択
的に感応する複数のイオンセンサーと共通の1つ
の参照電極とを同時に浸漬し、各イオンセンサー
を定電流で作動させるように、参照電極に印加す
るバイアス電圧を選択的に制御するものであるか
ら、簡単な操作により高精度の検出ができると共
に、被検液の量も少量で済む。
収容した被検液中にそれぞれ異なるイオンに選択
的に感応する複数のイオンセンサーと共通の1つ
の参照電極とを同時に浸漬し、各イオンセンサー
を定電流で作動させるように、参照電極に印加す
るバイアス電圧を選択的に制御するものであるか
ら、簡単な操作により高精度の検出ができると共
に、被検液の量も少量で済む。
なお、本発明は上述した例にのみ限定されるも
のではなく、幾多の変更または変形が可能であ
る。例えば、上述した検出装置においては、いず
れも同一半導体基板にそれぞれ異なるイオンに選
択的に感応する複数のイオン感応部を形成したイ
オンセンサーを用いたが、各イオン感応部をそれ
ぞれ独立した半導体基板に形成したイオンセンサ
ーを用いることもできる。また、被検液をフロー
セルに導いて測定する場合でも本発明を有効に適
用することができる。更に、電位制御回路30は
上述した構成にのみ限定されるものではなく、
種々の変形が可能である。更にまた、本発明は上
述した各種イオン濃度や活量の検出の他、化学感
応素子としてガスセンサー、酵素センサー、免疫
センサー等を用いることにより、それぞれ所望の
化学物質を有効に検出することができる。
のではなく、幾多の変更または変形が可能であ
る。例えば、上述した検出装置においては、いず
れも同一半導体基板にそれぞれ異なるイオンに選
択的に感応する複数のイオン感応部を形成したイ
オンセンサーを用いたが、各イオン感応部をそれ
ぞれ独立した半導体基板に形成したイオンセンサ
ーを用いることもできる。また、被検液をフロー
セルに導いて測定する場合でも本発明を有効に適
用することができる。更に、電位制御回路30は
上述した構成にのみ限定されるものではなく、
種々の変形が可能である。更にまた、本発明は上
述した各種イオン濃度や活量の検出の他、化学感
応素子としてガスセンサー、酵素センサー、免疫
センサー等を用いることにより、それぞれ所望の
化学物質を有効に検出することができる。
第1図は本願人が先に提案したイオン濃度測定
回路の一例の構成を示す線図、第2図は本発明方
法を実施する検出装置の一例の構成を示す線図、
第3図は同じく他の例の構成を示す線図、第4図
は同じく更に他の例の構成を示す線図である。 20…容器、21…被検液、22…イオンセン
サー、23,24,25…イオン感応部、26…
参照電極、27…電源、28…切換スイツチ、2
9,29A,29B,29C…基準抵抗、30…
電位制御回路、31…バイアス電圧源、32…差
動増幅器、33…切換スイツチ、34,35,3
6,41…基準電圧源、37…駆動回路、38,
39…出力端子、40…制御装置。
回路の一例の構成を示す線図、第2図は本発明方
法を実施する検出装置の一例の構成を示す線図、
第3図は同じく他の例の構成を示す線図、第4図
は同じく更に他の例の構成を示す線図である。 20…容器、21…被検液、22…イオンセン
サー、23,24,25…イオン感応部、26…
参照電極、27…電源、28…切換スイツチ、2
9,29A,29B,29C…基準抵抗、30…
電位制御回路、31…バイアス電圧源、32…差
動増幅器、33…切換スイツチ、34,35,3
6,41…基準電圧源、37…駆動回路、38,
39…出力端子、40…制御装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 同一または異なる基板上に形成され、それぞ
れ異なる特定物質に選択的に感応する化学感応部
を有する複数の絶縁ゲート形トランジスタ構造の
化学感応素子を、少く共その化学感応部を1個の
参照電極と共に同一被検物質に接触させて、該被
検物質中の種々の特定物質を検出するにあたり、 前記各化学感応素子のソース・ドレイン間に所
定の電流が流れるように、前記参照電極に印加す
るバイアス電圧を選択的に制御し、そのバイアス
電圧値に基いて前記被検物質中の種々の特定物質
を選択的に検出することを特徴とする絶縁ゲート
形トランジスタ構造の化学感応素子を用いた化学
物質の検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10596279A JPS5630640A (en) | 1979-08-22 | 1979-08-22 | Detecting method of chemical substance by chemically sensitive element of insulated-gate transistor structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10596279A JPS5630640A (en) | 1979-08-22 | 1979-08-22 | Detecting method of chemical substance by chemically sensitive element of insulated-gate transistor structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5630640A JPS5630640A (en) | 1981-03-27 |
| JPS6134619B2 true JPS6134619B2 (ja) | 1986-08-08 |
Family
ID=14421415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10596279A Granted JPS5630640A (en) | 1979-08-22 | 1979-08-22 | Detecting method of chemical substance by chemically sensitive element of insulated-gate transistor structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5630640A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039547A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | マルチ酵素センサ |
| JPS60120240A (ja) * | 1983-12-03 | 1985-06-27 | Horiba Ltd | Isfetセンサ |
| US5466616A (en) * | 1994-04-06 | 1995-11-14 | United Microelectronics Corp. | Method of producing an LDMOS transistor having reduced dimensions, reduced leakage, and a reduced propensity to latch-up |
-
1979
- 1979-08-22 JP JP10596279A patent/JPS5630640A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5630640A (en) | 1981-03-27 |
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