JPS6134632B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、外部磁場の影響を受けにくい電子腕
時計に関するもので、さらに詳しくは、特別の磁
場検出素子を用いずに、電子腕時計に用いられて
いるモータの駆動電流を制御して、外部磁場の影
響を受けにくい電子腕時計を提供することを目的
としている。 電子腕時計に用いられているモータは、外部磁
界の影響を受け易く、一例を挙げると直流磁界に
対して30エルステツド、交流磁界に対して５エル
ステツドで、モータが誤作動を起していた。この
電子腕時計は、外部磁界の影響を少なくするため
にシールド板を用いているが、直流磁界に比較し
て、交流磁界に特に弱かつた。交流磁界を発生さ
せるものとしては、電気カミソリ、交流モータト
ランス等があり、腕時計の日常の使用状態でも
時々、モータが影響を、受けることがあるのでそ
の対策が急がれていた。 しかし、従来上記の問題に対して、外部磁場を
検出するために、例えば、磁気抵抗素子、ホール
素子リード―スイツチ等を用いた電子腕時計が発
案されているが、これらの素子は、その素子の磁
場検出感度が小さい、検出のための電力損失が大
きい、またこれらの素子のための新たなスペース
が必要になるといつた問題があつた。このため限
られたエネルギー源と、限られたスペースしか与
えられない電子腕時計で、数エルステツドの磁界
を検出することは不可能であり、これまで、磁場
検出素子付の電子腕時計は実用化されなかつた。 本発明は、これらの欠点を除去したものであり
特別の検出素子を用いることなく、ほとんど無視
できる電力消費で、外部磁場、特に交流磁場を検
出して、モータの駆動電流を制御して交流磁場の
影響を受けにくい電子腕時計を提供するものであ
る。 次に本発明の電子腕時計に用いられている交流
磁場検出方法の原理について説明するが、その前
に本発明の検出原理を適用するのに最適なモータ
の構成を説明する。 １は高透磁率材でできた磁心に巻かれたコイ
ル、２は高透磁率材でできたステータ、３は径方
向に２極に着磁された永久磁石材からなるロータ
である。このモータには、第２図のように、１回
毎にコイル１に加わる電流の向きが反転するパル
スを印加し、それによつて、ロータ３は一定方向
に回転する。 本発明の特徴は、特別の磁場検出素子を用いず
に、モータのコイル１を交流磁場の検出素子とし
て用いることに特徴がある。 以下に交流磁場に、モータがさらされた場合、
コイル１に誘起される電圧について説明する。 第３図は、モータのコイルと磁心４を模式的に
描いたものである。モータに用いられているコイ
ルは普通細長い形状をしているので、外部の磁界
がコイルの磁心４に集中しやすく、形状によつ
て、いちがいには言えないが、10倍位の磁束密度
になるのが普通である。この時のコイル１に誘起
される電圧υは、コイルの巻き数をｎ、磁心４の
磁束をΦとすれば、υ＝−ｎ・ｄΦ／dt……で
与えられる。

【表】 磁心として表１の形状のものを用いた場合には、
磁心内の磁束密度が外部のそれの10倍になるとす
ると、磁心４の磁束Φは、次式で与えられる。Φ
＝10×Ｓ×Ｂ×sinwt…… ここで、Ｓは磁心
４の断面積、Ｂ（ガウス）は、交流磁場の磁束密
度のピーク値である。，式より、υ＝−10×
ｎ×Ｓ×Ｂ×Ｗ×coswt＝−10×１×10⁴（ター
ン）×0.6×10^-4（m²）×Ｂ×10^-4（Wb／m²）×２
π×50（Hz）×coswt＝−6.4π×10^-2×Ｂ×
coswt〔Ｖ〕＝−0.20×Bcoswt〔Ｖ〕、したがつ
て、もし外部磁場の磁束密度のＢが２ガウスな
ら、υ＝−0.4coswt〔Ｖ〕となる。もし、モータ
が腕時計のようにエネルギー源のスペースが限ら
れているものに用いられるとすれば、0.4〔Ｖ〕
位の検出電圧では、制御回路を作動させることが
きないので、Ｃ―MOSインバータを制御させる
だけの電圧増幅をする必要がある。しかし、現在
の状況は安定して動作するＣ―MOS増幅器を作
るのが難しい状態にあり、本発明の電子腕時計に
用いられている交流磁場検出装置の最大の特徴
は、このような増幅器を用いずに１エルステツド
程度の交流磁場を検出することにある。また、こ
こでは、磁心４が単独で磁場中に存在する時の状
態について考察したが、実際はモータの部品の一
部として磁心４が配置されているので、ステータ
によるバイパス効果によつて、磁心４に集まる磁
束は、単独の場合より減少する。それだけ、コイ
ル１の誘起電圧が小さくなるので、１エルステツ
ドのオーダの磁場を検出するには、本発明の電子
腕時計で用いている方法がより有効になる。 本発明の電子腕時計の交流磁場検出装置の特徴
は、モータのコイルの両端を低インピーダンス素
子と高インピーダンス素子例えば低抵抗の高抵抗
を交互に接続することにより、外部磁界によりコ
イルに誘起した電圧を、特別な増幅器を用いるこ
となく増幅し、外部磁界の存在の検出を容易にし
たことである。 第４図はモータの駆動回路２００ならびに増幅
部２０１と検出部２０２とから成る外部磁場検出
回路であり、一般に、モータコイル２０を除いて
全ての素子はCMOSIC内に内蔵されている。 ここでは、増幅の原理について詳述し、回路の
構成ならびに動作については後で説明する。 第４図に於いて２１，２２はＰ型MOSFETゲ
ート（以後Ｐゲートと略す）、２３，２４，２
５，２６はＮ型MOSFETゲート（以後Ｎゲート
と略す）、検出抵抗２８，２９、モータコイル２
０で駆動回路及び増幅部は構成されている。 検出信号の増幅方法は、モータの非駆動時に、
モータコイル２０、Ｎゲート２３，２４の閉ルー
プと、モータコイル２０、検出抵抗２９、Ｎゲー
ト２６、２３の閉ループとを交互にスイツチング
することである。 外部磁場によりコイルに誘起した電圧は、ま
ず、Ｎゲート２３，２４の閉ループで、短絡して
いる。このＮゲート２３，２４はモータ駆動用の
トランジスタでありそのON抵抗は一般には数10
Ω程度でありコイルに発生した電圧はこのON抵
抗で短絡されるため、比較的大きな電流が流れ
る。次に、モータコイル２０、Ｎゲート２６，２
３、検出抵抗２９の閉ループにスイツチングを行
なうと、モータコイル２０はインダクタンス成分
をもつているため、スイツチング前に流れていた
比較的大きな電流を流し続けようという作用が働
き、検出抵抗２９には一瞬大きな電圧を発生し、
その後、検出抵抗２９、外部磁界による誘起電
圧、コイル抵抗等で決まる定常状態の電圧になり
安定する。この定常状態に於いて、検出抵抗を無
限大に大きくしたときの電圧が、前記のスイツチ
ングを行なわない場合の電圧となる。 次のこの方法に於いて、外部磁界による誘起電
圧を増幅する倍率を求める。 第５図のＡは、Ｎゲートであり第５図のＢはそ
の等価回路である。スイツチ４０はゲート信号に
よりON，OFFを行なう。３９は、駆動時のON
抵抗、ダイオード４１は、サブストレートとドレ
イン間のPN接合によるダイオード、コンデンサ
ー４２は、サブストレートとドレイン間のPN接
合容量及び、ドレインゲート間の容量ならびに、
パツド容量、浮遊容量等の総和である。 この等価回路を第４図のＰゲート、Ｎゲートに
置換え、電池は、大容量のコンデンサーならびに
理想の電源とすると、この検出方法の等価回路は
第６図の様になる。 ４３は外部磁界により発生した電圧V₀、４４
はモータを構成するコイルでインダクタンスＬヘ
ンリー、４５は、コイルの内部抵抗でｒΩ、４７
は、ループ切換スイツチ、４６はＮゲートのON
抵抗rNΩ、ただしここでは、コイル抵抗の値よ
り十分小さいのでこのrNΩは無視する。４８
は、Ｎゲート、Ｐゲートに寄生する容量で、Ｎゲ
ート２４とＰゲート２２の寄生容量の和となりＣ
フアラドである。 ４９は検出抵抗であり、RsΩ、５０，５２は
Ｎゲート、Ｐゲートのサブストレートとドレイン
間の寄生ダイオードであり、５１は駆動用の電池
で一般に知られている時計用の銀電池で、 Ｖ_D＝1.57Vである。 端子５３の出力電圧が検出電圧Ｖ_RSとなり、電
圧検出素子に入力される。 第６図の等価回路に基づき切換スイツチ４７を
切り換えた時の応答を理論的に求めることができ
る。 ａ＝１／２（ｒ／Ｌ＋１／ＣＲｓ），ｂ＝ｒ＋Ｒｓ／
ＬＣＲｓ Ｅ＝Ｒｓ／Ｒｓ＋ｒV₀，ｗ＝√｜²−｜ とおくと、 ） a²＞ｂのとき VRs＝Ｅ〔１−｛１／ｗ（ａ−ＤＬ／ｒｂ）sinhwt＋ coshwt｝e^-at〕 ） a²＝ｂのとき VRs＝Ｅ｛１−（１＋at−ＤＬ／ｒbt）e^-at｝ ） a²＜ｂのとき VRs＝Ｅ〔１１／ｗ（ａ−ＤＬ／ｒｂ）sinwt＋coswt
｝ e^-at〕 ただし、t₀は低抵抗ループの接続時間、ｔは時
間である。 前記式のVRs波形は第７図Ａの様になる。次に
このVRsを実際に一実施例に基づき計算してみる
と、Ｌ＝11ヘンリー、Ｃ＝75PF、Rs＝150KΩ、
ｒ＝2.8KΩ、V₀＝0.1V、t₀＝∞という条件に於い
て、VRsのピーク電圧に達する時間は、約30μ
sec、このときのピーク電圧は4.2Vとなり、倍率
は約42倍という値になり、アナログ信号の増幅器
を用いなくとも、検出信号の増幅が容易に行なえ
ることがわかる。 しかしながら、この論理値は、コイルに発生す
る電圧は一定と仮定しているが、実際には、高抵
抗の閉ループのときはその閉ループの時定数は小
さく、定常電圧となる時間は比較的早いが低抵抗
の閉ループにスイツチングした場合時定数が大き
く、定常電圧になる時間が長く必要である。 前述の例にもとずき説明すると、高抵抗による
閉ループの場合には約0.2ｍsecでVRsはほぼ定常
の電圧となるが、低抵抗ループの場合には、その
時定数はτ＝Ｌ／ｒで求められ、τ＝3.9ｍsecと
なり、低抵抗ループを3.9ｍsec続けても定常の電
圧の63％にしかならない。 しかし、一般に最も遭遇しやすい交流磁場の周
波数は商用電源周波数である50Hzもしくは60Hzで
ありその周期は20ｍsec又は16.7ｍsecでありこの
最大強度の磁界を検出するためには、3.9ｍsecの
パルス幅は長すぎる。 第７図のＢは、50Hzの交流磁場に対し、前述の
条件をもとに、高抵抗ループ時0.5ｍsec低抵抗ル
ープ時間1.5ｍsecとした場合の検出電圧の図であ
る。この場合の検出信号増幅率は約15倍となる。 第７図のＣは、この様子を示した図であり、５
５の直線は、スイツチングなしの場合のコイルに
発生する電圧、５６は低抵抗ループ0.5ｍsec高抵
抗ループ0.5ｍsecをスイツチングした場合で増幅
率は約５倍である。また、５７の直線は、高抵抗
ループ0.5ｍsec低抵抗ループ1.5ｍsecでスイツチ
ングした場合を示すものである。 この様に、商用周波数の交流磁界検出のために
は高抵抗ループと低抵抗ループスイツチング時間
はあまり長くとれず、その範囲内で検出電圧の増
幅度を上げようとした場合は、高抵抗ループの時
間より低抵抗ループの時間を長くとればよいこと
がわかる。 以上の説明の通り、コイルを含む回路のスイツ
チングだけで検出信号の増幅がなされることとな
り、時計用のＣ―MOSIC内には作りにくいアナ
ログ増幅器等を用いることなく基準電圧に対する
電圧の高低を判断することにより交流磁界の検出
ができる。又、その増幅率が、10倍以上とれるた
め、Ｃ―MOSインバータの閾値電圧での判定が
できる様になり、回路全体の消費電力、回路構
成、IC面積の点からも有利になる。 本実施例では検出用のインピーダンス素子とし
て抵抗で説明を行なつたが、キヤパシタンス成
分、インダクタンス成分でも同様の検出が可能で
ある。又、本実施例では、検出素子は全てＣ―
MOSIC内に内蔵されているため、低抵抗素子と
しては、バツフアトランジスタという能動素子の
非飽和部の特性を利用している。この様に能動素
子を使用しても何らさしつかえはない。 ただ、実際に本発明を構成する場合には、本発
明で用いて実施例の様に、低抵抗ループはバツフ
アトランジスタのON抵抗、高抵抗ループは、IC
内の拡散抵抗、電圧検出素子は、Ｃ―MOSイン
バータ又は、コンパレータというのが一般的であ
ると思われる。 又、本発明の説明に高抵抗ループのときに高抵
抗を接続しているが、この高抵抗は無限に大きい
値、つまりオープンループとしても良い。この場
合でもバツフアトランジスタに寄生容量があり、
このキヤパシテイ成分のために、無限に大きな増
幅とはならず、この説明と同様な検出が可能であ
る。この場合には、回路のタイミング構成が簡単
になるという利点を生ずる。 次の本発明の電子腕時計が交流磁場内に入つた
場合、時計が止まりにくくするための方法につい
て述べる。 第８図は、モータの駆動パルス幅と、交流耐磁
性の関係について示したグラフである。通常はモ
ータの高能率化のため、５８で示される領域で駆
動される。 ところが、パルス幅を大きくしていくとロータ
の回路位置と駆動パルスの切れるタイミングが干
渉し合い、誤動作をしだすために、交流耐磁性は
悪くなつていく。更に駆動パルス幅を伸ばしてい
くと第８図の５９の領域に入る。５９の領域で
は、コイルの磁束によりロータを十分引きつけて
から駆動パルスを切るため、外部磁界による影響
に対しても強くなる。 つまり、前述の方法により、交流磁界に検出し
交流磁場内に時計がさらされていると検出された
なら、モータの駆動パルスは、効率とは関係なく
５８の領域の最も交流耐磁性の良いパルス幅もし
くは、十分パルス幅を長くした５９の領域に強制
駆動パルスを設定することにより、外部磁界に強
いモータとして使うことができる。 従来、磁場検出回路のないモータは、最高効率
をねらうために、駆動パルス設定のときには、多
少耐磁性は犠牲にし、耐磁板、耐磁中枠等の入力
部品を追加することにより耐磁性を上げていた
が、本発明の方式では、モータの最高効率になる
パルス幅で、耐磁性も本来そのモータがもつてい
る最高の性能で使いうるという特徴がある。 次に本発明の一実施例を図面に従つて詳細に説
明する。 第４図はステツプモータの駆動回路と本発明の
電子腕時計に用いられている外部磁場検出回路で
ある。 なお、以下本発明の実施例の外部磁場検出は、
交流磁場回路として説明する。 Ｐゲート２１，２２とＮゲート２３，２４は２
組のCMOSインバータを構成して、互いの出力端
子ａ，ｂはステツプモータのコイル２０の両端に
接続されると同時に検出抵抗２８，２９の一端に
接続されている。検出抵抗２８，２９の他端はＮ
ゲート２５，２６のソース入力に接続される。電
圧比較器３０，３１の正入力端子は検出抵抗２
８，２９の一端に接続され、負入力端子は基準電
圧抵抗３４の分圧点に、出力端子は共にオアゲー
ト３２に接続される。基準電圧抵抗３４の一端は
Ｎゲート２７を介して接地する。アンドゲート３
３の２つの入力端子はオアゲート３２の出力とＮ
ゲート２７のゲート端子に接続される。Ｐ及びＮ
ゲート２１，２２，２３，２４，２５，２６，２
７のゲート端子１０１，１０２，１０３，１０
４，１０５，１０６，１０７及びアンドゲート３
３の出力端子１１０は制御回路６５に接続され
る。 第９図の回路ブロツク図に示すように、制御回
路６５は、水晶発振器等を原振として基準信号を
発生する基準信号発生手段６６から得られる分周
信号を適宜合成して前記駆動回路、検出回路の動
作に必要な信号を出力する。制御回路の構成は
種々考えられるが、その一例を第１０図のＡ，Ｂ
に示す。第１０図のＡは回路図、Ｂは入力される
信号のタイミングチヤートである。これらの信号
は１秒を周期としていて発振分周回路の出力より
容易に合成が可能なのでその部分の回路図は省略
した。 SRフリツプフロツプ（以後SRFFと略記す
る）７０のリセツト入力Ｒは入力端子１１０に、
セツト入力Ｓは信号１２１に、出力Ｑ，はアン
ドゲート７１，７２の入力端子に、アンドゲート
７１，７２の他の入力端子は信号１２３，１２２
に、出力端子は共にオアゲート７３の入力端子に
接続される。Ｄ形フリツプフロツプ（以下DFF
と略記する）７４のクロツク入力CLはオアゲー
ト７３の出力端子に、正出力Ｑはアンドゲート７
５，７６の入力端子に、否定出力はアンドゲー
ト７７，７８の入力端子と自身のデータ入力端子
Ｄに接続される。アンドゲート７５，７７の他の
入力端子はオアゲート７３の出力に、アンドゲー
ト７６，７８の他の入力端子は信号１２４に接続
される。アンドゲート７５の出力はインバータ７
９を介して出力端子１０１へ、７６の出力は出力
端子１０５へ、７７の出力はインバータ８０を介
して出力端子１０２へ、７８の出力は出力端子１
０６へ接続されている。 またオアゲート８１，８２はそれぞれ、入力端
子がアンドゲート７５と７６，７７と７８の出力
と接続され出力はインバータ８３，８４を介して
出力端子１０３，１０４に接続される。 では第１１図のＡ，Ｂのタイミングチヤート
と、第４図、第１０図のＡ，Ｂを使つて本実施例
の動作を詳細に説明する。 第１０図のＡにおいて、SRFF７０は信号１２
４によつて毎秒セツトされるので、後に説明する
様な、信号１１０に検出信号が現われる状態にな
らない限り出力Ｑ＝“Ｈ”，＝“Ｌ”の状態であ
る。従つてオアゲート７３の出力には信号１２３
が現われる。DFF７４はクロツク入力CLにパル
スが１つ入力する度に出力状態が反転し、その結
果信号端子１０１と１０２，１０３と１０４，１
０５と１０６には１秒毎に交互に入れ代つた波形
が出力される。この波形を第１１図のＡの１０
１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６に
示す。信号１２３は通常時のステツプモータの駆
動パルスであり、そのパルス幅はステツプモータ
の負荷や、与えられる体積等から決定される。本
実施例では5.8ｍsecとする。信号１２２は本発明
による交流磁場検出回路の働きによりステツプモ
ータが磁場内に入つた事を検出した時に通常時の
駆動パルスに代つて発生する強制駆動パルスであ
る。パルス幅はステツプモータの特性によつて最
も交流耐磁性の良くなるパルス幅とすべきであ
る。一般に強制駆動パルスのパルス幅は、通常の
パルス幅より長くなるが、本実施例では7.8ｍsec
である。 信号１２４は、本発明による交流磁場検出を行
うための検出パルスである。全体の検出区間は、
日常生活で最も遭遇する機会が多いと思われる商
用周波数50Hz、60Hzの中で波長の長い50Hzの１波
長20ｍsec以上あれば充分である。また断続の
Duty比周波数は、柔軟性を持つて選べるが、本
実施例では周波数512Hz、Duty比１：３とした。
（但し図では誇張してある。） また、第１１図のＡの信号１０７は、検出回路
の中の基準電圧抵抗３４によつて消費される電流
を極力少なくするためと、不用な時に検出信号が
出ない様にマスクするための信号であり、周波数
は検出パルス１２４と同じで、Duty比は検出パ
ルス１２４より小さい事が望ましく、本実施例で
は１：７である。 第１１図のＡの検出を行うタイミング以前の期
間では、第４図に於いてＰゲート２１，２２は
OFF、Ｎゲート２５，２６，２７、はOFF、コ
イル２０の両端は接地され、アンドゲート３３は
マスクされ検出信号１１０は“Ｌ”である。 次に検出パルスが立ち上がつたタイミングで
は、Ｎゲート２４，２５，２６，２７がONとな
り、原理の説明で行つたコイル２０を含む閉ルー
プの断続的切り換えを行う事ができる。 この時にステツプモータが交流磁場内になかつ
た場合には、コイルの両端ａ，ｂは常に0Vで検
出閾値レベルＶ_THまで達せず検出信号１１０は
“Ｌ”のままである。従つて次の駆動のタイミン
グには、5.8ｍsecの通常の駆動パルス６８が印加
される。このタイミングではＰゲート２２とＮゲ
ート２３だけがONでありコイル２０にはｂから
ａの方向に電流が流れる。 約１秒後の次ステツプでは位相を変えて全く同
様の動作を行う。 次に、ステツプモータが交流磁場内に入つた場
合を第１１図のＢに示す。この時には検出のタイ
ミングでは原理の説明で行なつた様にコイルの両
端ａ，ｂに第１１図のＢに示す様な信号が現われ
る。この信号は電圧比較器３０，３１に入力され
基準電圧Ｖ_THと比較され、Ｖ_THを超えた場合検出
信号６９が発生する。この検出信号６９は第１０
図のＡのSRFF７０のリセツト端子に入力しその
出力状態を反転させる。そしてその直後の駆動パ
ルスが出力されるタイミングで強制駆動パルス７
０がステツプモータに印加され、交流磁場内で
も、安定に駆動する事ができる。 以上で実施例の動作説明を終る。 この様に本発明の交流磁場検出装置の出力を利
用することによつて、モータ駆動パルス幅の制
御、モータ駆動電圧の制御、あるいは、前記出力
によつて、交流磁場の存在を知らせるための警報
ブザー駆動回路を制御することが容易に行なえる
ようになつた。 第１２図は本発明の磁場検出装置を用いた電子
腕時計の一実施例の組立平面図である。この電子
腕時計は、前述した様に磁場を検出すると、モー
タの駆動パルスを広くするように構成されてい
る。１５０はモータのコイル、１５１は水晶振動
子ユニツト、１５２は電池収容部、１５３は発振
回路、分周回路、制御回路、検出回路、モータ駆
動回路を１チツプICにおさめた回路ブロツク、
１５４は腕時計の精度調整用のトリマーコンデン
サ、１５５は外付コンデンサ、１５６はロータを
含む輪列の受である。このように本発明の磁場検
出装置を用いた電子腕時計は、高感度の交流磁場
検出機能を有しているにもかかわらず、従来の電
子腕時計と全く同じ構成要素でできているところ
に最大の特徴がある。 本発明の外部磁場検出装置は、電子腕時計に用
いた場合に最適で、従来の腕時計構成要素の他に
新しい要素を、全く必要とせずに、高感度の外部
磁場検出装置を提供することが可能となつたばか
りでなく、モータのコイルに誘起される電圧を、
検出するために、検出用の電力が必要でなく、さ
らに検出回路も、ほとんど電力を消費しない。そ
のため従来の腕時計と比較して、消費電力、スペ
ースコストの点で全く劣らない外部磁場検出装置
付の電子腕時計を提供することが可能となり、そ
の工業的効果は、絶大なるものがある。 また、本発明の実施例では、第１図の構造のモ
ータを用いているが、モータがコイルを有して、
外部磁界によつて、コイルが電圧を誘起するよう
な構造のモータでは、本発明を適用できることは
いうまでもないことである。 本発明の磁場検出装置を用いた電子腕時計は、
外部磁界を検出した時だけモータの駆動パルス幅
を広くするので、第８図に示されている良好な耐
磁特性のパルス幅を選択できる。そのために、非
常に低電力で、交流耐磁性のすぐれた電子腕時計
を提供できる。さらに本発明の磁場検出装置を用
いた電子腕時計は、外部磁界を検出するための新
しい素子を全く用いずに回路的に工夫しているだ
けなので、コストアツプの要因がほとんどないと
いつた特徴がある。また検出回路の回路構成も現
在一般に用いられているＣ―MOSICで容易に実
現可能なので、小型、薄型、低電力、ローコスト
で、交流耐磁性のすぐれた電子腕時計を実現でき
るので、その工業的効果は、絶大なるものがあ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は時計用モータを示す図、第２図は反転
パルスを示す波形図、第３図は磁場内におけるコ
イルと磁束の状態を示す図、第４図は駆動回路及
び検出回路の回路図、第５図ＡはＮチヤンネル
FETゲートを示す図、第５図ＢはＮチヤンネル
FETゲートの等価回路図、第６図は検出回路の
等価回路図、第７図Ａは検出電圧波形を示す波形
図、第７図Ｂは交流磁場内の検出電圧波形を示す
波形図、第７図Ｃは磁界強度と検出電圧の関係を
示す図、第８図は駆動パルス幅と交流耐磁性の関
係を示す図、第９図は本発明の制御回路のブロツ
ク図、第１０図Ａは制御回路構成例を示す回路
図、第１０図Ｂは入力信号を示す波形図、第１１
図Ａ及び第１１図Ｂはタイムチヤート、第１２図
は本発明の磁場検出装置を用いた電子腕時計の組
立平面図である。 １…コイル、２…ステータ、３…ロータ、２０
…モータ、２１，２２…Ｄゲート、２３，２４，
２５，２６…Ｎゲート、２８，２９…インピーダ
ンス素子、３０，３１…コンパレータ、６５…制
御回路、６８…通常駆動パルス、７０…強制駆動
パルス、１２４…検出パルス、２００…駆動回
路、２０１…増幅部、２０２…検出部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基準信号を発生する基準信号発生手段と、前
   記基準信号発生手段からの出力信号によりステツ
   プモータ駆動信号を含む複数の信号を出力する制
   御回路と、少なくともステータとロータとコイル
   を備えて成るステツプモータと、前記制御回路か
   らステツプモータ駆動信号を入力して前記ステツ
   プモータを駆動する駆動回路とを備えた電子時計
   において、前記ステツプモータのコイルに低イン
   ピーダンス素子と高インピーダンス素子とを交互
   に接続する増幅部と、外部磁界により前記コイル
   に誘起される電圧に基づいて前記増幅部のインピ
   ーダンス素子に生じる電圧値により外部磁界の有
   無を判別する検出部とから成る外部磁場検出回路
   を設けたことを特徴とする電子時計用磁場検出装
   置。 ２ 前記増幅部は前記インピーダンス素子の交互
   の接続を少なくとも20ｍ秒間行う特許請求の範囲
   第１項の記載の電子時計用磁場検出装置。