JPS6136038B2 - - Google Patents
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- JPS6136038B2 JPS6136038B2 JP52066078A JP6607877A JPS6136038B2 JP S6136038 B2 JPS6136038 B2 JP S6136038B2 JP 52066078 A JP52066078 A JP 52066078A JP 6607877 A JP6607877 A JP 6607877A JP S6136038 B2 JPS6136038 B2 JP S6136038B2
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- mol
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- C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K11/7774—Aluminates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、インデツクス型カラー陰極線管、フ
ライングスポツト管等に用いて好適な螢光体に係
わる。
ライングスポツト管等に用いて好適な螢光体に係
わる。
例えばインデツクス型カラー陰極線管のビーム
インデツクス信号を得るための螢光体はできるだ
け輝度ピークが高く、残光時間が短いことが望ま
れる。ところが一般に螢光体において残光時間が
短いことが望まれる。又逆に輝度が高いものは残
光時間が長い。
インデツクス信号を得るための螢光体はできるだ
け輝度ピークが高く、残光時間が短いことが望ま
れる。ところが一般に螢光体において残光時間が
短いことが望まれる。又逆に輝度が高いものは残
光時間が長い。
本発明は、残光時間が短く、しかも輝度ピーク
の高い、即ち輝度ピーク／残光時間比の高い螢光
体を提供せんとするものである。
の高い、即ち輝度ピーク／残光時間比の高い螢光
体を提供せんとするものである。
例えばセリウム付活のイツトリウム系螢光体、
例えばY3Al5O12：Ceは、その寿命が長く、且つ
比較較的輝度ピークが高いことが知られている
が、更に、上述のY3Al5O12において、そのAlの
一部をGaで置換したY3Al3Ga2O12：Ceは、残光
時間が短縮されているにもかかわらず比較的高い
輝度ピークが得られる。
例えばY3Al5O12：Ceは、その寿命が長く、且つ
比較較的輝度ピークが高いことが知られている
が、更に、上述のY3Al5O12において、そのAlの
一部をGaで置換したY3Al3Ga2O12：Ceは、残光
時間が短縮されているにもかかわらず比較的高い
輝度ピークが得られる。
そして、インデツクス信号の強さに寄与するの
は、ＰH／γ値（ここに、ＰHは螢光体の残光曲線
中に相対ピーク高さを示す相対ピーク強度、γは
減衰時間）であので、上述したセリウム付活のイ
ツトリウムアルミニウムガリウムオキサイドの螢
光体は、インデツクス信号を得るための螢光体と
して有利である。
は、ＰH／γ値（ここに、ＰHは螢光体の残光曲線
中に相対ピーク高さを示す相対ピーク強度、γは
減衰時間）であので、上述したセリウム付活のイ
ツトリウムアルミニウムガリウムオキサイドの螢
光体は、インデツクス信号を得るための螢光体と
して有利である。
本発明は、上述のしたY3Al3Ga2O12：Ceのよう
ないわゆるセリウム付活のイツトリウムアルミニ
ウムガリウムオキサイドの螢光体において、更に
輝度ピークの向上をはかることのできる螢光体を
提供するもである。
ないわゆるセリウム付活のイツトリウムアルミニ
ウムガリウムオキサイドの螢光体において、更に
輝度ピークの向上をはかることのできる螢光体を
提供するもである。
即ち、本発明においては、セリウム付活のイツ
トリウムアルミニウムガリウムオキサイドの螢光
体、例えば、Y3AlxGayO12：Ce（但しｘ＋ｙ＝
５で、ｘ＝１〜４，ｙ＝４〜１）を得るに当つ
て、その原材料粉末に、弗素化合物粉末、例えば
BaF2を、上記原材料粉末に対し、１〜50モル
％，更に好ましくは2.5〜40モル％混合し、これ
を焼成する。
トリウムアルミニウムガリウムオキサイドの螢光
体、例えば、Y3AlxGayO12：Ce（但しｘ＋ｙ＝
５で、ｘ＝１〜４，ｙ＝４〜１）を得るに当つ
て、その原材料粉末に、弗素化合物粉末、例えば
BaF2を、上記原材料粉末に対し、１〜50モル
％，更に好ましくは2.5〜40モル％混合し、これ
を焼成する。
以下、本発明の実施例を説明する。
実施例
下記の組成を有するY3Al3Ga2O12：Ceの螢光体
の原材料 Y2O3 3/2×0.98モル Al2O3 3/2モル Ga2O3 １モル CeO2 3/2×0.02モル にBaF2を0.1モル混入し、エチルアルコールを溶
媒としてボールミルにて混合し、その後、80℃で
乾燥したものを蓋つきアルミるつぼで空気中にお
いて1550℃で２〜４時間焼成した。
の原材料 Y2O3 3/2×0.98モル Al2O3 3/2モル Ga2O3 １モル CeO2 3/2×0.02モル にBaF2を0.1モル混入し、エチルアルコールを溶
媒としてボールミルにて混合し、その後、80℃で
乾燥したものを蓋つきアルミるつぼで空気中にお
いて1550℃で２〜４時間焼成した。
この実施例によつて得た螢光体の輝度ピーク
は、この実施例と同一の組成を有するも、弗素化
合物BaF2を混合しないで焼成して得た螢光体の
輝度ピークを100％とするとき、これとの相対輝
度ピークが200％となり、その輝度ピークは格段
的に向上した。
は、この実施例と同一の組成を有するも、弗素化
合物BaF2を混合しないで焼成して得た螢光体の
輝度ピークを100％とするとき、これとの相対輝
度ピークが200％となり、その輝度ピークは格段
的に向上した。
この本発明の実施例による螢光体は、その輝度
ピークを大きく向上させることができたが、更に
その残光時間、即ちその発光輝度が１／１０に低下する に要する時間γ1/10も弗素化合物を混入しない場
合120nsecであつたものが、上述の本発明実施例
によるそれは110nsecになり、残光時間が長くな
るようなことはなく、むしろ更に短くなつた。焼
成温度において弗素化合物例えば弗化バリウムが
フラツクスとして働き、螢光体結晶の成長促進剤
となり、欠陥（defects）のない螢光体結晶が形
成される。
ピークを大きく向上させることができたが、更に
その残光時間、即ちその発光輝度が１／１０に低下する に要する時間γ1/10も弗素化合物を混入しない場
合120nsecであつたものが、上述の本発明実施例
によるそれは110nsecになり、残光時間が長くな
るようなことはなく、むしろ更に短くなつた。焼
成温度において弗素化合物例えば弗化バリウムが
フラツクスとして働き、螢光体結晶の成長促進剤
となり、欠陥（defects）のない螢光体結晶が形
成される。
この欠陥は熱などの如く輻射量（光）を減少さ
せるもととなつたり、輻射過程を遅らせて残光時
間を長くするもととなる。
せるもととなつたり、輻射過程を遅らせて残光時
間を長くするもととなる。
尚、上述の実施例において、そのBaF2の混合
量を変化させた場合の相対輝度ピークと、残光時
間γを測定したところ、第１図及び第２図に示す
結果が得られた。第１図及び第２図において横軸
は、Y3Al3Ga2O12：Ceの原材料に対するBaF2の
添加量（モル％）をとつたものであ。これら測定
結果から明らかなように、１〜50モル％，好まし
くは2.5〜40モル％にそのBaF2の添加量を選定す
るときは、高い輝度ピークが得られ、その残光時
間γは、BaF2を混合しない場合より短かいか同
程度にとどめ得ることが判る。
量を変化させた場合の相対輝度ピークと、残光時
間γを測定したところ、第１図及び第２図に示す
結果が得られた。第１図及び第２図において横軸
は、Y3Al3Ga2O12：Ceの原材料に対するBaF2の
添加量（モル％）をとつたものであ。これら測定
結果から明らかなように、１〜50モル％，好まし
くは2.5〜40モル％にそのBaF2の添加量を選定す
るときは、高い輝度ピークが得られ、その残光時
間γは、BaF2を混合しない場合より短かいか同
程度にとどめ得ることが判る。
尚、上述の実施例においてはY3A3Ga2O12：
Ce螢光体の原材料にBaF2化合物を混入した場合
であるが、Y3Al2Ga3O12：Ce，或いは
Y3Al4Ga′O12：Ce又は、Y3AlGa4O12：Ceの各原
材料にBaF2化合物を混合して各螢光体を得て
も、輝度ピークの向上をはかり得ることを確め
た。
Ce螢光体の原材料にBaF2化合物を混入した場合
であるが、Y3Al2Ga3O12：Ce，或いは
Y3Al4Ga′O12：Ce又は、Y3AlGa4O12：Ceの各原
材料にBaF2化合物を混合して各螢光体を得て
も、輝度ピークの向上をはかり得ることを確め
た。
又、螢光体原材料としては予焼成したものを用
い、これにBaF2化合物を混合し、前述の焼成を
行うようにすることもできる。
い、これにBaF2化合物を混合し、前述の焼成を
行うようにすることもできる。
第３図〜第６図において、Y3AlxGayO12のAl
とGaのモル比ｘ／ｙを変化させて各螢光体につ
いてBaF2を夫々10モル％混合して焼成した場合
（実線極性）と、BaF2を混合しない場合（破線曲
線）との各特性の測定結果を示す。第３図は各螢
光体についての減衰特性曲線（輝度―時間特性）
の輝度の時間的積分量を相対的に相対輝度として
示したもので、第４図は同様の減衰特性曲線の相
対ピーク値ＰHを示したもので、また、第５図は
各螢光体の初期の輝度の1/10の輝度となるまでの
減衰時間γ1/10の測定結果を示し、第６図は前述
したようにインデツクス信号の強さを決めるＰ
H／γの計算結果を示したものである。
とGaのモル比ｘ／ｙを変化させて各螢光体につ
いてBaF2を夫々10モル％混合して焼成した場合
（実線極性）と、BaF2を混合しない場合（破線曲
線）との各特性の測定結果を示す。第３図は各螢
光体についての減衰特性曲線（輝度―時間特性）
の輝度の時間的積分量を相対的に相対輝度として
示したもので、第４図は同様の減衰特性曲線の相
対ピーク値ＰHを示したもので、また、第５図は
各螢光体の初期の輝度の1/10の輝度となるまでの
減衰時間γ1/10の測定結果を示し、第６図は前述
したようにインデツクス信号の強さを決めるＰ
H／γの計算結果を示したものである。
これら第３図〜第６図によつても明らかなよう
に、Gaを含むイツトリウムアルミニウムガリウ
ムオキサイドのガーネツト構造の螢光体は、Ga
を含まないガーネツト構造の螢光体に比し、ＰH
が高く、γ1/10が小さい値を示し得ると共に、そ
の螢光はBaF2を用いることによつてより顕著と
なる。
に、Gaを含むイツトリウムアルミニウムガリウ
ムオキサイドのガーネツト構造の螢光体は、Ga
を含まないガーネツト構造の螢光体に比し、ＰH
が高く、γ1/10が小さい値を示し得ると共に、そ
の螢光はBaF2を用いることによつてより顕著と
なる。
上述したように、Ga入りのガーネツト構造の
螢光体焼成時にフラツクスとしてBaF2を用いた
本発明によればインデツクス信号の評価の示性数
であるＰH／γの高い螢光体を得ることができ
る。尚、このことは螢光体焼成時にBaF2を混入
することによつて大粒径の単一相のすぐれた結晶
性を有する螢光体が得られていることからも裏付
けされる。第７図〜第１１図は夫々各螢光体の電
子顕微鏡写真で、第７図はY3Al3Ga2O12：Ceにお
いてBaF2を10モル％混入して焼成を行つて得た
本発明による螢光体、第８図は同様の
Y3Al3Ga2O12：CeにBaF2を混入しないで焼結し
た螢光体、第９図はGaを含まないY3Al5O12：Ce
にBaF2を10モル％混入して焼結させて得た螢光
体の夫々3000倍の電子顕微鏡写真図である。ま
た、第１０図はGaを含むY3Al3Ga2O12：Ceに他
のフラツクスKFを添加して焼結処理した螢光
体、第１１図は同様のY3Al3Ga2O12：Ceにフラツ
クスとしてNH4F・HFを添加した焼結した螢光
体の夫々5000倍の電子顕微鏡写真図である。
螢光体焼成時にフラツクスとしてBaF2を用いた
本発明によればインデツクス信号の評価の示性数
であるＰH／γの高い螢光体を得ることができ
る。尚、このことは螢光体焼成時にBaF2を混入
することによつて大粒径の単一相のすぐれた結晶
性を有する螢光体が得られていることからも裏付
けされる。第７図〜第１１図は夫々各螢光体の電
子顕微鏡写真で、第７図はY3Al3Ga2O12：Ceにお
いてBaF2を10モル％混入して焼成を行つて得た
本発明による螢光体、第８図は同様の
Y3Al3Ga2O12：CeにBaF2を混入しないで焼結し
た螢光体、第９図はGaを含まないY3Al5O12：Ce
にBaF2を10モル％混入して焼結させて得た螢光
体の夫々3000倍の電子顕微鏡写真図である。ま
た、第１０図はGaを含むY3Al3Ga2O12：Ceに他
のフラツクスKFを添加して焼結処理した螢光
体、第１１図は同様のY3Al3Ga2O12：Ceにフラツ
クスとしてNH4F・HFを添加した焼結した螢光
体の夫々5000倍の電子顕微鏡写真図である。
第７図の3000倍写真と、他の第８図及び第９図
の3000倍写真及び5000倍の第１０図及び第１１図
を比較して明らかなように第７図で示した本発明
による螢光体はすぐれた良好な結晶性を有してい
る。
の3000倍写真及び5000倍の第１０図及び第１１図
を比較して明らかなように第７図で示した本発明
による螢光体はすぐれた良好な結晶性を有してい
る。
上述したように本発明による螢光体は、残光時
間が短く、しかもその輝度ピークを高めることが
できるのでインデツクス型カラー陰極線管、或い
はフライングスポツト管の螢光体として用いて好
適である。
間が短く、しかもその輝度ピークを高めることが
できるのでインデツクス型カラー陰極線管、或い
はフライングスポツト管の螢光体として用いて好
適である。
第１図はBa添加量―相対輝度ピーク曲線図、
第２図はBa添加量―残光時間曲線図、第３図〜
第６図は夫々BaF2を添加した場合としない場合
のY3AlxGayO12：Ceのｘ／ｙに対する各特性の
測定曲線図、第７図〜第１１図は各種螢光体の電
子顕微鏡写真図である。
第２図はBa添加量―残光時間曲線図、第３図〜
第６図は夫々BaF2を添加した場合としない場合
のY3AlxGayO12：Ceのｘ／ｙに対する各特性の
測定曲線図、第７図〜第１１図は各種螢光体の電
子顕微鏡写真図である。
Claims (1)
- １ Y2O2，Al2O3，Ga2O3，CeO2の混合物に１〜
50モル％の弗化バリウムを添加して焼成した
Y3AlxGayO12：Ce（但し、ｘ＋ｙ＝５，１≦ｘ
≦４，１≦ｙ≦４）より成ることを特徴とする螢
光体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6607877A JPS541287A (en) | 1977-06-03 | 1977-06-03 | Fluorescent substance |
| GB21512/78A GB1597306A (en) | 1977-06-03 | 1978-05-23 | Luminescent materials |
| FR7815963A FR2393047A1 (fr) | 1977-06-03 | 1978-05-29 | Procede de fabrication d'un materiau luminescent et materiau obtenu |
| CA304,420A CA1110054A (en) | 1977-06-03 | 1978-05-30 | Cerium activated phosphor and method of making same |
| NL7805931A NL7805931A (nl) | 1977-06-03 | 1978-05-31 | "luminescerend materiaal voor een kathodestraalbuis". |
| DE19782824255 DE2824255A1 (de) | 1977-06-03 | 1978-06-02 | Verfahren zur herstellung eines leuchtstoffmaterials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6607877A JPS541287A (en) | 1977-06-03 | 1977-06-03 | Fluorescent substance |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS541287A JPS541287A (en) | 1979-01-08 |
| JPS6136038B2 true JPS6136038B2 (ja) | 1986-08-15 |
Family
ID=13305445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6607877A Granted JPS541287A (en) | 1977-06-03 | 1977-06-03 | Fluorescent substance |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS541287A (ja) |
| CA (1) | CA1110054A (ja) |
| DE (1) | DE2824255A1 (ja) |
| FR (1) | FR2393047A1 (ja) |
| GB (1) | GB1597306A (ja) |
| NL (1) | NL7805931A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857491A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-05 | Sony Corp | 緑色螢光体の製造方法 |
| CN101128563B (zh) * | 2005-02-28 | 2012-05-23 | 三菱化学株式会社 | 荧光体、其制造方法及其应用 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3657140A (en) * | 1970-05-26 | 1972-04-18 | Edward F Gibbons | Cerium activated solid solution yttrium gallium oxide phosphor |
| JPS5246190B2 (ja) * | 1973-01-31 | 1977-11-22 | ||
| JPS5918433B2 (ja) * | 1975-06-02 | 1984-04-27 | 松下電器産業株式会社 | 螢光体 |
-
1977
- 1977-06-03 JP JP6607877A patent/JPS541287A/ja active Granted
-
1978
- 1978-05-23 GB GB21512/78A patent/GB1597306A/en not_active Expired
- 1978-05-29 FR FR7815963A patent/FR2393047A1/fr active Granted
- 1978-05-30 CA CA304,420A patent/CA1110054A/en not_active Expired
- 1978-05-31 NL NL7805931A patent/NL7805931A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-06-02 DE DE19782824255 patent/DE2824255A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS541287A (en) | 1979-01-08 |
| DE2824255A1 (de) | 1978-12-14 |
| GB1597306A (en) | 1981-09-03 |
| FR2393047A1 (fr) | 1978-12-29 |
| CA1110054A (en) | 1981-10-06 |
| NL7805931A (nl) | 1978-12-05 |
| FR2393047B1 (ja) | 1980-10-31 |
| DE2824255C2 (ja) | 1991-01-03 |
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