Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6136319B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6136319B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6136319B2
JPS6136319B2 JP15342179A JP15342179A JPS6136319B2 JP S6136319 B2 JPS6136319 B2 JP S6136319B2 JP 15342179 A JP15342179 A JP 15342179A JP 15342179 A JP15342179 A JP 15342179A JP S6136319 B2 JPS6136319 B2 JP S6136319B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bubble
transfer
path
pattern
propagation path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP15342179A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5677974A (en
Inventor
Yoshio Sato
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP15342179A priority Critical patent/JPS5677974A/ja
Publication of JPS5677974A publication Critical patent/JPS5677974A/ja
Publication of JPS6136319B2 publication Critical patent/JPS6136319B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル装置に関し、さらに詳しく
は複数の伝播路相互間においてバブルを選択的に
転送制御する転送制御ゲート(以下レプリケー
ト/トランスフアゲートと称する)の改良に関す
るものである。
半導体集積回路技術をはじめとするエレクトロ
ニクスの諸技術の著しい発展に支えられて、電子
計算機は急速に小型化し高速化している。またそ
の信頼度も回路素子のソリツドステート化によつ
て著しく向上し、オンラインで電子計算機を使用
するシステムが次々と実現されている。
しかしながら人間の頭脳に比べていまだ極めて
大きく、かつ振動に対して弱く、ロケツトあるい
は航空機等の飛行するものに塔載するためには抜
本的な技術革新を必要とする。
また電子計算機の利用が進むにつれて、要求さ
れる記憶容量も増加の一途をたどり、記憶に要す
る単価の低減と、所定の情報アクセスに要する時
間の短縮が強く要望されている。
従来より知られている磁気バブル装置用レプリ
ケート/トランスフアゲートは2d(dはバブル
の径)以下の微細構造を有するゲートパターンが
大勢を占めている。このことは今後増々バブル径
が小さくなりパターンが微細化するによれてクロ
ーズアツプされる問題であり、製造が増々困難に
なるといつた問題をかゝえている。
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであつ
て、その目的とするところは、従来の複雑なレプ
リケート/トランスフアゲートパターンを単純な
形状のゲートパターンとすることによつて微小バ
ブルに対して有効なゲートパターンを与えるとと
もにメジヤー・マイナーループ構成に適合しやす
く、かつ両方向のレプリケート/トランスフア動
作を可能とする磁気バブル装置用レプリケート/
トランフアゲートを提供することにある。
本発明の目的は、第1のバルブ伝播路と、第2
のバブル伝播路を、該第1,第2のバブル伝播路
相互間においてバブルを選択的に転送制御する転
送制御手段とを有してなる磁気バブル装置におい
て、上記転送制御手段は上記第1のバブル伝播路
と第2のバブル伝播路の双方にまたがる垂直導体
路と、上記第1のバブル伝播路と第2のバブル伝
播路間に配置され該垂直導体路と交叉する水平導
体路とより構成され、該垂直導体路への通電によ
り該垂直導体路に沿つて伸張するバブルに対して
該水平導体路への通電を位相制御するこにより分
割若しくは両伝播路間でのバブルの転送を行なつ
てレプリケート/トランスフア機能を行うことを
特徴とする磁気バブル装置とすることにより達成
することができる。
以下本発明に係る一実施例につき、図面を参照
して説明する。
第1図AおよびBは本発明の磁気バブル用レプ
リケート/トランスフアゲートのパターン形状を
示す平面図および側面図である。
A図およびB図の関連において、バブルストレ
ツチのためのパターン1と、バブルカツトまたは
バブルトランスフアのためのパターン2とによつ
て構成され、上記パターン1および2はバブル結
晶の厚さ方向に対し、互に2層構造とする。
上記パターン1はバブル3をストレツチさせる
ことによつてメジヤーループ4とマイナーループ
5の各対応する位置にバブル3を渡るごとくする
機能を有するものである。
上記バブル3を渡るごとくする機能は電流の向
きがバブル3をストレツチさせるごとき磁界を発
生する方向に上記パターンの辺をメジヤー4、マ
イナー5間に位置合せすることによつて選択され
る。またパターン2はパターン1によつてバブル
3がストレツチする方向と、垂直方向、すなわち
パターン1と直交する位置に配置され、上記スト
レツチしたバブル3をカツトしあるいは磁場勾配
により前記バブル3をトランスフアする機能を有
するものである。
上記バブル3をカツトする場合、レフリケータ
として動作し、また緩い磁場勾配を設ける場合に
はトランスフアとして動作する。
上記双方の動作の選択は後述するようにパター
ン2に流す電流の位相および振巾によつて行なわ
れる。
本発明で適用される導電パターンの最小線巾
(WA,WB)はそれぞれ2d以上とする。但し、
こゝでdはバブルの直径である。
6はストレツチしたバブル、7はインブラ部、
8はバブル結晶である。
上記構成において、そのレプリケータ動作につ
き第2図A〜Cによつて説明する。
第2図Aにおいて、マイナーループ5のバブル
をメジヤーループ4ヘリプリケートする場合にま
ずt=taによつて電流Istをパターン1に流すと
上記マイナーループ5のバブル3は丁度メジヤー
ループ4と接する位置11に到達し、上記Istに
よつてバブル3はメジヤーループ4の接する位置
12までストレツチされる。
上記のごとくストレツチされた状態において
Istを流す。次に第2図Bにおいてt=tbの場合
に電流Istは流したままでt=tbにてIcutをパター
ン2に流し、ストレツチしたバブル6を切断す
る。
Icutのパルス巾は50nsec程度の狭い巾の方がよ
い。上記Icutが流れたのち、直ちにIstを流すこ
とを停止する。
次に第2図Cにおいてt=tcの場合、2つに分
割されたバブル3は、それぞれメジヤーループ4
およびマイナーループ5に分れて転送されること
によつてレプリケート動作を完了する。
次に第3図A,B,Cによつてトランスフア動
作について説明する。トランスフア動作は前記パ
ターン2に流す電流Itrの極性によつてメジヤー
ループ4からマイナーループ5へ移すイン動作
と、逆にマイナーループ5からメジヤーループ4
へ移すアウト動作とを区別することができる。
上記双方の原理については、前記レプリケータ
の動作と全く同一である。よつて上記のイン動作
について順を追つて説明する。
第3図Aにおけるt=taにおいて、レプリケー
タ動作と同様メジヤーのバブル位置12へきた時
点において、前記パターン1にIstを流しはじめ
る。上記Istによつてバブル3は11の位置まで
ストレツチする。
次に第3図Bにおけるt=tbにおいて、パター
ン1にIstは流したままの状態でパターン2にト
ランスフア電流Istを流す。該Istの方向は、イン
動作の場合、メジヤーループ4側(位置12の方
向)がコラブス磁界でマイナーループ側5(位置
1の方)がストライブ磁界となる方向に流す。上
記のごとくしてバブル3が充分移動するまでItr
を流しつづける。そしてIstはIsが流れている途
中において止める。
次に第3図Cにおいてt=tcでトランスフアイ
ン動作が完了する。
トランスフアアウトは同じタイミングによりパ
ターン2に流す電流Itransの極性を反対に切り換
えることによつて実現する。
以上説明したように本発明に係る磁気バブル用
レプリケート/トランスフアゲートであれば、前
記のごとくコンダクタを2層構造化し、それぞれ
に別々に電流を流すごとくしたことにより複雑な
レプリケート/トランスフア動作を単純な形状の
パターンを用いて実施することが可能となり、
M/m化が容易であつて、両方向に対するレプリ
ケータ/トランスフア動作が可能となり、その効
果は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
第1図AおよびBは本発明の磁気バブル用レプ
リケート/トランスフアゲートのパターン形状を
示す平面図および側断面図、第2図A〜Cはレプ
リケータ動作を説明するための一部断面を示す
図、第3図A〜Cはトランスフア動作を説明する
ための一部断面図である。 図において、1は…第1のパターン、2は…第
2のパターン、3は…バブル、4は…メジヤール
ープ、5は…マイナーループ、6は…ストレツチ
したバブル、7は…インプラ部、8は…バブル結
晶、11は…バブルとメジヤーループとの接する
位置、12は…バブルとメジヤーループの接する
位置、WAは…パターン1の最小線巾、WBは…パ
ターン2の最小線巾を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1のバブル伝播路と、第2のバブル伝播路
    と、該第1,第2のバブル伝播路相互間において
    バブルを選択的に転送制御する転送制御手段とを
    有してなる磁気バブル装置において、上記転送制
    御手段は上記第1のバブル伝播路と第2のバブル
    伝播路の双方にまたがる垂直導体路と、上記第1
    のバブル伝播路と第2のバブル伝播路間に配置さ
    れ、該垂直導体路と交叉する水平導体路とより構
    成され、該垂直導体路への通電により該垂直導体
    路に沿つて伸張するバブルに対して該水平導体路
    への通電を位相制御することにより分割若しくは
    両伝播路間でのバブルの転送を行なつてレプリケ
    ート/トランスフア機能を行うことを特徴とする
    磁気バブル装置。
JP15342179A 1979-11-27 1979-11-27 Magnetic bubble device Granted JPS5677974A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15342179A JPS5677974A (en) 1979-11-27 1979-11-27 Magnetic bubble device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15342179A JPS5677974A (en) 1979-11-27 1979-11-27 Magnetic bubble device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5677974A JPS5677974A (en) 1981-06-26
JPS6136319B2 true JPS6136319B2 (ja) 1986-08-18

Family

ID=15562129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15342179A Granted JPS5677974A (en) 1979-11-27 1979-11-27 Magnetic bubble device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5677974A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4253159A (en) * 1979-12-03 1981-02-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Ion-implanted bubble memory with replicate port
FR2529369A1 (fr) * 1982-06-29 1983-12-30 Commissariat Energie Atomique Memoire a bulles magnetiques a motifs non implantes, son utilisation pour la duplication de bulles et son application a la duplication par element binaire et par bloc d'elements binaires

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5677974A (en) 1981-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3713116A (en) Single-wall domain arrangement
JPS6136319B2 (ja)
US4094005A (en) Magnetic bubble data transfer switch
US3825885A (en) Magnetic bubble domain system having improved operating margins
CA1091805A (en) Fault tolerant magnetic bubble memory
EP0006481A2 (en) Bubble domain storage chip
US4079359A (en) Compact transfer replicate switch for magnetic single wall domain propagation circuits and method of making same
US4156937A (en) Noncirculating register for bubble memory systems
US4355373A (en) Magnetic bubble memory
US4187555A (en) Conductor access magnetic bubble memory arrangement
US4494216A (en) Magnetic bubble memory device
US4394746A (en) Swap gate for ion-implanted contiguous-disk bubble devices
US4246649A (en) Phase controlled gating
US4128896A (en) One-level switch for magnetic bubble domain devices
US4100608A (en) Exchange stack buffer memory
US4027297A (en) Gapless magnetic bubble propagation path structure
CA1104253A (en) Bubble domain storage using improved transfer switch
US4561069A (en) Magnetic bubble memory device gates
JPS5916192A (ja) 磁気バブル素子
US4423489A (en) Replicator for ion-implanted bubble domain devices using stretching action of charged wall
US4246648A (en) Phase controlled replicate/swap gate for bubble memories
US4301517A (en) Replicate/transfer bubble domain switch
US4152776A (en) Magnetic bubble memory circuit with input swap and output replicate gates
US4357682A (en) Conductorless transfer for magnetic bubble memories
US4424577A (en) Conductorless bubble domain switch