JPS6136376B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6136376B2 JPS6136376B2 JP2125577A JP2125577A JPS6136376B2 JP S6136376 B2 JPS6136376 B2 JP S6136376B2 JP 2125577 A JP2125577 A JP 2125577A JP 2125577 A JP2125577 A JP 2125577A JP S6136376 B2 JPS6136376 B2 JP S6136376B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- sample stage
- ion etching
- etching
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、試料台（Substrate―stage）を改良
したイオンエツチング装置の構造に関するもので
ある。
したイオンエツチング装置の構造に関するもので
ある。
近年半導体、集積回路技術等の進歩と相俟つて
パターンの高密度化が急速な進歩で行われてい
る。これらの要求を満たすために従来の化学エツ
チングにかわつて、プラズマエツチング、スパツ
タエツチング、イオンエツチング等のドライブプ
ロセスが高精度のパターンを提供するものとして
注目されている。これらのうちイオンエツチング
は特に(1)．10-4〜10-5torrの真空度で行うことが
できるため、汚染が少ない。(2)．試料のエツチン
グ均一性が良く、エツジ効果等がない。(3)．エツ
チング速度の制御性、再現性が良い。等の特徴を
そなえているため、中でも、バブルメモリー、超
高周波デバイス等の領域で注目されている。
パターンの高密度化が急速な進歩で行われてい
る。これらの要求を満たすために従来の化学エツ
チングにかわつて、プラズマエツチング、スパツ
タエツチング、イオンエツチング等のドライブプ
ロセスが高精度のパターンを提供するものとして
注目されている。これらのうちイオンエツチング
は特に(1)．10-4〜10-5torrの真空度で行うことが
できるため、汚染が少ない。(2)．試料のエツチン
グ均一性が良く、エツジ効果等がない。(3)．エツ
チング速度の制御性、再現性が良い。等の特徴を
そなえているため、中でも、バブルメモリー、超
高周波デバイス等の領域で注目されている。
イオンエツチング装置は、イオン化室、加速
器、中和用フイラメント、ターゲツトテーブル等
より構成されている。通常注入ガスは、不活性ガ
スのアルコン（Ar）等が使われるが、酸素
（O2）等も使用される。カウフマン型
（Kaufman）のイオン銃をもつイオンエツチング
装置を例にとると、第１図に示すようにガス注入
口１より注入されたガスはイオン化室２で、マグ
ネツト３より印加された磁界の助けをかりて、イ
オン化される。三枚のグリツドより成る加速用グ
リツド４で加速されたイオンは、試料台５上に置
かれた試料６をエツチングする。その際、イオン
による試料の荷電を防ぐため、中和用フイラメン
ト７は、熱電子を試料台５に供給する。
器、中和用フイラメント、ターゲツトテーブル等
より構成されている。通常注入ガスは、不活性ガ
スのアルコン（Ar）等が使われるが、酸素
（O2）等も使用される。カウフマン型
（Kaufman）のイオン銃をもつイオンエツチング
装置を例にとると、第１図に示すようにガス注入
口１より注入されたガスはイオン化室２で、マグ
ネツト３より印加された磁界の助けをかりて、イ
オン化される。三枚のグリツドより成る加速用グ
リツド４で加速されたイオンは、試料台５上に置
かれた試料６をエツチングする。その際、イオン
による試料の荷電を防ぐため、中和用フイラメン
ト７は、熱電子を試料台５に供給する。
試料台５はイオン衝撃による発熱を軽減するた
め、水冷機構８がほどこされている。又、エツチ
ングの均一性を増すためには、試料台５に回転機
構を加えることができる。
め、水冷機構８がほどこされている。又、エツチ
ングの均一性を増すためには、試料台５に回転機
構を加えることができる。
これらのエツチングの装置において、微細パタ
ーンを形成する場合には、通常フオトレジストで
マスクパターンを形成し、これをマスクとし、シ
ヤワー状のイオンビームによりイオンエツチング
を行なう。その際良好なパターンを形成するため
の必須条件は、試料のイオン衝撃による温度上昇
を押える事である。イオン衝撃による試料の温度
上昇を実測した結果では温度上昇は、(1)．入射イ
オン電力（入射イオンエネルギーとイオン電流密
度の積）に比例する、(2)．試料と試料台との熱接
触の程度に大きく依存する、(3)．良好な接触状態
が得られればヒートシンク剤の種類によらずその
効果はほぼ同じである。
ーンを形成する場合には、通常フオトレジストで
マスクパターンを形成し、これをマスクとし、シ
ヤワー状のイオンビームによりイオンエツチング
を行なう。その際良好なパターンを形成するため
の必須条件は、試料のイオン衝撃による温度上昇
を押える事である。イオン衝撃による試料の温度
上昇を実測した結果では温度上昇は、(1)．入射イ
オン電力（入射イオンエネルギーとイオン電流密
度の積）に比例する、(2)．試料と試料台との熱接
触の程度に大きく依存する、(3)．良好な接触状態
が得られればヒートシンク剤の種類によらずその
効果はほぼ同じである。
たとえば、イオンエネルギー500eV、イオン電
流密度0.50mA／cm2の場合、試料台に機械的に接
触した0.15mm厚のガラス基板上で130℃、試料台
とガラス基板間にヒートシンク剤として金属ガリ
ウム、真空グリース、拡散ポンプオイル、銀ペー
スト等を使用した場合、いずれも13℃の温度上昇
である。このようにイオンエツチングにおいては
試料と試料台との熱接触の良否は重要な要素であ
る。
流密度0.50mA／cm2の場合、試料台に機械的に接
触した0.15mm厚のガラス基板上で130℃、試料台
とガラス基板間にヒートシンク剤として金属ガリ
ウム、真空グリース、拡散ポンプオイル、銀ペー
スト等を使用した場合、いずれも13℃の温度上昇
である。このようにイオンエツチングにおいては
試料と試料台との熱接触の良否は重要な要素であ
る。
しかしながら、これらのヒートシンク剤を実際
に使用するにあたつては、使いやすさ等が重要で
ある。たとえば拡散ポンプオイル等のように粘度
の低いものでは、真空にした時に、気泡等が飛散
し試料表面を汚染したり、又粘度の高いもので
は、均一に塗布する事が困難であつたりする。
又、これらにイオンビームが照射されると有害な
ガス等が出てパターンの形成に悪影響を及ぼした
りする恐れがある。またこれらのヒートシンク剤
の剥離方法が容易である事も重要である。
に使用するにあたつては、使いやすさ等が重要で
ある。たとえば拡散ポンプオイル等のように粘度
の低いものでは、真空にした時に、気泡等が飛散
し試料表面を汚染したり、又粘度の高いもので
は、均一に塗布する事が困難であつたりする。
又、これらにイオンビームが照射されると有害な
ガス等が出てパターンの形成に悪影響を及ぼした
りする恐れがある。またこれらのヒートシンク剤
の剥離方法が容易である事も重要である。
一方、これらのヒートシンク剤を使用していて
も長時間くり返しイオンエツチングを行なつてい
ると試料が置かれない試料台の表面はイオンエツ
チされ、試料台に段差が生じる。その段差のため
に試料との熱接触が悪くなり、良好なパターンを
得られなくなつてくる。又、スパツタされた試料
台材料の原子は余げん分布等（ポーセン；基板上
のスルーホール内壁をコートするためのスパツタ
法、ジヤーナル オブ バキユーム サイエンス
テクノロジー（Vossen；Ａ sputtering
technique for coating tne inside walls of
through―holes in substrates.J.Vac.Sci.
Technol.）11巻―５ 1974年 875ページ 参
照）であらゆる方向に飛散するので第２図に示す
ように試料基板側壁１０にエツチング時間に比例
して付着する。この付着層の接着性はあまり良く
ないので、次の工程、たとえばレジスト剥離、あ
るいは洗滌のための超音波処理等で、はがれて、
試料面に付着し、欠陥を作る原因となる。
も長時間くり返しイオンエツチングを行なつてい
ると試料が置かれない試料台の表面はイオンエツ
チされ、試料台に段差が生じる。その段差のため
に試料との熱接触が悪くなり、良好なパターンを
得られなくなつてくる。又、スパツタされた試料
台材料の原子は余げん分布等（ポーセン；基板上
のスルーホール内壁をコートするためのスパツタ
法、ジヤーナル オブ バキユーム サイエンス
テクノロジー（Vossen；Ａ sputtering
technique for coating tne inside walls of
through―holes in substrates.J.Vac.Sci.
Technol.）11巻―５ 1974年 875ページ 参
照）であらゆる方向に飛散するので第２図に示す
ように試料基板側壁１０にエツチング時間に比例
して付着する。この付着層の接着性はあまり良く
ないので、次の工程、たとえばレジスト剥離、あ
るいは洗滌のための超音波処理等で、はがれて、
試料面に付着し、欠陥を作る原因となる。
本発明は試料台に簡単な加工をほどこす事によ
り、試料と試料台との熱接触を良くし、試料台の
変形もなく、又試料台材料が試料基板側壁に付着
することを防止できるイオンエツチング装置を提
供することを目的とする。
り、試料と試料台との熱接触を良くし、試料台の
変形もなく、又試料台材料が試料基板側壁に付着
することを防止できるイオンエツチング装置を提
供することを目的とする。
本発明による装置においてその試料台は、熱伝
導係数の大きな材質に位置ぎめのための凸あるい
は凹部の加工をほどこした取りはずし可能な補助
試料台及び凸部あるいは凹部にあわせてくりぬき
のある試料台カバーより成る。カバー材質はイオ
ンエツチング、速度の遅いチタン（Ti）モリブ
デン（Mo）板等が適しておりくりぬきはエツチ
ングされる試料外径寸法より少し小さくする必要
がある。
導係数の大きな材質に位置ぎめのための凸あるい
は凹部の加工をほどこした取りはずし可能な補助
試料台及び凸部あるいは凹部にあわせてくりぬき
のある試料台カバーより成る。カバー材質はイオ
ンエツチング、速度の遅いチタン（Ti）モリブ
デン（Mo）板等が適しておりくりぬきはエツチ
ングされる試料外径寸法より少し小さくする必要
がある。
次に、本発明について図面を用いて詳細に説明
する。
する。
本発明のイオンエツチング装置における試料台
の一実施例を第３図に示す。試料台５上に設置さ
れた取りはずし可能な補助試料台１２が適当なヒ
ートシンク剤１１を介して設置されている。補助
試料台１２は試料６の形状にあわせてその位置が
わずかに凸にしてあげてある。この凸部はエツチ
ング試料の個数のみ作つておき常に同じ位置にマ
ウントするためのものである。試料６は、補助試
料台１２に適当なヒートシンク剤９を介して置か
れてある。この補助試料台１２は熱伝導度の良い
銅（Cu）板等が適している。さらに試料６の外
径より少し小さめにくりぬかれた試料台カバー１
３を補助試料台１２上にかぶせる。この試料台カ
バー１３は補助試料台１２のイオンエツチングに
よる損傷と、試料６の側壁にスパツタされた原子
が付着することを防止するためのものである。補
助試料台１２は必らずしも必要ではなく試料台５
本体に直接加工しても同様の効果が期待できる。
の一実施例を第３図に示す。試料台５上に設置さ
れた取りはずし可能な補助試料台１２が適当なヒ
ートシンク剤１１を介して設置されている。補助
試料台１２は試料６の形状にあわせてその位置が
わずかに凸にしてあげてある。この凸部はエツチ
ング試料の個数のみ作つておき常に同じ位置にマ
ウントするためのものである。試料６は、補助試
料台１２に適当なヒートシンク剤９を介して置か
れてある。この補助試料台１２は熱伝導度の良い
銅（Cu）板等が適している。さらに試料６の外
径より少し小さめにくりぬかれた試料台カバー１
３を補助試料台１２上にかぶせる。この試料台カ
バー１３は補助試料台１２のイオンエツチングに
よる損傷と、試料６の側壁にスパツタされた原子
が付着することを防止するためのものである。補
助試料台１２は必らずしも必要ではなく試料台５
本体に直接加工しても同様の効果が期待できる。
ヒートシンク剤９の粘度が低い場合には、第４
図ａ，ｂの構造をもつ補助試料台１２を使用した
方が良い効果が期待できる。第４図は他の実施例
を示す図でａは断面図で、ｂは上面図である。試
料６の部分は試料６の厚さとヒートシンク剤９の
厚さの和だけ凹にしあげてあり、そのまわりにヒ
ートシンク剤留め溝１４が堀られてある。この溝
１４は、余分なヒートシンク剤９の溜めの役目を
はたしている。１５，１６は試料をマウントした
り、はずしたりするための溝であり、ピンセツト
などで試料をもちやすくしている。このような溝
を堀ることにより、ヒートシンク剤が試料面にま
わり込むのを防ぐ事ができる。１３は第３図と同
様の試料台カバーであり、イオンエツチング速度
の遅い材料で構成されている。
図ａ，ｂの構造をもつ補助試料台１２を使用した
方が良い効果が期待できる。第４図は他の実施例
を示す図でａは断面図で、ｂは上面図である。試
料６の部分は試料６の厚さとヒートシンク剤９の
厚さの和だけ凹にしあげてあり、そのまわりにヒ
ートシンク剤留め溝１４が堀られてある。この溝
１４は、余分なヒートシンク剤９の溜めの役目を
はたしている。１５，１６は試料をマウントした
り、はずしたりするための溝であり、ピンセツト
などで試料をもちやすくしている。このような溝
を堀ることにより、ヒートシンク剤が試料面にま
わり込むのを防ぐ事ができる。１３は第３図と同
様の試料台カバーであり、イオンエツチング速度
の遅い材料で構成されている。
第４図に示す試料台の具体例の一例としては銅
（Cu）板からなる厚さ2.5mmの補助試料台１２を
厚さ0.4mmの２インチウエハーのバブル用GGG基
板（カドリニウム・ガリウム・ガーネツト）にあ
わせ深さ0.5mm、直径50mmの穴をあけ、さらにそ
の周囲に深さ20mm、内径50mm、外径56mmの溝１４
をあけ、深さ20mm、巾３mmで120ずつ３方向に溝
１５を堀る。このように仕あげられた補助試料台
１２の凹部の試料を載せる部分に真空グリースを
塗りホツトプレートにて100℃に加熱し、低粘度
になつた状態で試料６をマウントする。この時余
分な真空グリースは溝１４に溜められる。次に補
助試料台１２を試料台５上に真空グリースを間に
はさんで設置する。補助試料台１２は、帯電を防
止するために、電気的に試料台５に接続してお
く。さらに、この上に48mmφの穴をあけられた厚
さ２mmのチタン板（Ti）を試料台カバー１３と
して補助試料台１２上に設置する。試料台カバー
１３の位置は、補助試料台１２の周囲に設けられ
た凸縁１７によつて決められる。イオンエツチン
グ終了後には、補助試料台１２を、試料台５より
離し、ホツトプレートにて温度100℃に加熱し、
溝１５よりピンセツトを挿入し試料６を取りはず
す。このようにして得られた試料は基板側壁に付
着層が生じる事がないため欠陥の少ない良好なパ
ターンを提供する事ができた。
（Cu）板からなる厚さ2.5mmの補助試料台１２を
厚さ0.4mmの２インチウエハーのバブル用GGG基
板（カドリニウム・ガリウム・ガーネツト）にあ
わせ深さ0.5mm、直径50mmの穴をあけ、さらにそ
の周囲に深さ20mm、内径50mm、外径56mmの溝１４
をあけ、深さ20mm、巾３mmで120ずつ３方向に溝
１５を堀る。このように仕あげられた補助試料台
１２の凹部の試料を載せる部分に真空グリースを
塗りホツトプレートにて100℃に加熱し、低粘度
になつた状態で試料６をマウントする。この時余
分な真空グリースは溝１４に溜められる。次に補
助試料台１２を試料台５上に真空グリースを間に
はさんで設置する。補助試料台１２は、帯電を防
止するために、電気的に試料台５に接続してお
く。さらに、この上に48mmφの穴をあけられた厚
さ２mmのチタン板（Ti）を試料台カバー１３と
して補助試料台１２上に設置する。試料台カバー
１３の位置は、補助試料台１２の周囲に設けられ
た凸縁１７によつて決められる。イオンエツチン
グ終了後には、補助試料台１２を、試料台５より
離し、ホツトプレートにて温度100℃に加熱し、
溝１５よりピンセツトを挿入し試料６を取りはず
す。このようにして得られた試料は基板側壁に付
着層が生じる事がないため欠陥の少ない良好なパ
ターンを提供する事ができた。
尚、このような試料台を持つ装置はイオンエツ
チング装置に限らず、例えば逆スパツタリング装
置としても有効なものとして達成される。
チング装置に限らず、例えば逆スパツタリング装
置としても有効なものとして達成される。
第１図は、イオンエツチング装置の概略図、第
２図は、通常の試料台及び試料のマウントの方法
を示す図であり試料台より放出された原子が試料
基板側壁に付着した様子を示している。第３図
は、本発明による装置における試料台の一実施例
を示す断面図、第４図は本発明による装置におけ
る試料台の他の実施例を示す図で、ａは断面図、
ｂは上面図である。 １……ガス注入口、２……イオン化室、３……
マグネツト、４……加速用グリツド、５……試料
台、６……試料、７……中積用フイラメント、８
……水冷機構、９……ヒートシンク剤、１０……
試料基板側壁、１１……ヒートシンク剤、１２…
…補助試料台、１３……試料台カバー、１４……
ヒートシンク剤溜め溝、１５，１６……試料取り
扱いのための溝、１７……凸縁。
２図は、通常の試料台及び試料のマウントの方法
を示す図であり試料台より放出された原子が試料
基板側壁に付着した様子を示している。第３図
は、本発明による装置における試料台の一実施例
を示す断面図、第４図は本発明による装置におけ
る試料台の他の実施例を示す図で、ａは断面図、
ｂは上面図である。 １……ガス注入口、２……イオン化室、３……
マグネツト、４……加速用グリツド、５……試料
台、６……試料、７……中積用フイラメント、８
……水冷機構、９……ヒートシンク剤、１０……
試料基板側壁、１１……ヒートシンク剤、１２…
…補助試料台、１３……試料台カバー、１４……
ヒートシンク剤溜め溝、１５，１６……試料取り
扱いのための溝、１７……凸縁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ イオンエツチング装置において、被エツチン
グ試料を保持する試料台が、装置本体に固定され
水冷された台座部分、前記固定された台座部分に
マウントされる脱着可能で且つ被エツチング試料
形状に合わせてあらかじめその表面が加工された
補助板部分、該補助板部分及び補助板上に設置さ
れる被エツチング試料の側面を覆うように配置さ
れ且つイオンエツチング速度の遅い材質で構成さ
れたカバー部分とからなることを特徴とするイオ
ンエツチング装置。 ２ イオンエツチング速度の遅い材質はチタンま
たはモリブデンである特許請求の範囲第１項記載
のイオンエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125577A JPS53106576A (en) | 1977-02-28 | 1977-02-28 | Ion etching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125577A JPS53106576A (en) | 1977-02-28 | 1977-02-28 | Ion etching device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53106576A JPS53106576A (en) | 1978-09-16 |
| JPS6136376B2 true JPS6136376B2 (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=12049964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2125577A Granted JPS53106576A (en) | 1977-02-28 | 1977-02-28 | Ion etching device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53106576A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137225A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Anelva Corp | 基板着脱機構 |
| JPS62147340U (ja) * | 1987-02-10 | 1987-09-17 | ||
| JP2555093B2 (ja) * | 1987-09-16 | 1996-11-20 | 株式会社日立製作所 | ウエハの固定装置 |
-
1977
- 1977-02-28 JP JP2125577A patent/JPS53106576A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53106576A (en) | 1978-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4278493A (en) | Method for cleaning surfaces by ion milling | |
| JPS6037130A (ja) | 薄膜のパタ−ニング方法 | |
| JPH06220627A (ja) | 成膜装置 | |
| KR20010089783A (ko) | 개선된 피처 표면 커버리지를 향상시키는 구리 시드층을증착시키는 방법 | |
| US4097636A (en) | Metallized device | |
| US3617463A (en) | Apparatus and method for sputter etching | |
| EP0073312A2 (en) | Method of electron beam evaporating reactive metals onto semiconductors | |
| JPS61170050A (ja) | 低抵抗接点の形成方法 | |
| US4416725A (en) | Copper texturing process | |
| JPH0312921A (ja) | エッチング方法およびこれに用いられるエッチング装置 | |
| JPS6136376B2 (ja) | ||
| JPS62193141A (ja) | ウエハ−保持機構 | |
| JPH0269956A (ja) | 静電チャック方法及び静電チャック装置 | |
| US3903324A (en) | Method of changing the physical properties of a metallic film by ion beam formation | |
| JPS59170270A (ja) | 膜形成装置 | |
| JP5014696B2 (ja) | 薄膜形成方法、銅配線膜形成方法 | |
| JPS62208647A (ja) | ウエハ−保持機構 | |
| JPS6350854B2 (ja) | ||
| JPS58102521A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2017213193A1 (ja) | 銅層をエッチングする方法 | |
| JP2613935B2 (ja) | セラミック回路基板の製造方法 | |
| JPH06295889A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP6745199B2 (ja) | 銅層をエッチングする方法 | |
| JP2913666B2 (ja) | 試料保持装置 | |
| US6709605B2 (en) | Etching method |