JPS6136452B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6136452B2 JPS6136452B2 JP57093855A JP9385582A JPS6136452B2 JP S6136452 B2 JPS6136452 B2 JP S6136452B2 JP 57093855 A JP57093855 A JP 57093855A JP 9385582 A JP9385582 A JP 9385582A JP S6136452 B2 JPS6136452 B2 JP S6136452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- moving magnetic
- working
- processing container
- moving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F33/00—Other mixers; Mixing plants; Combinations of mixers
- B01F33/45—Magnetic mixers; Mixers with magnetically driven stirrers
- B01F33/451—Magnetic mixers; Mixers with magnetically driven stirrers wherein the mixture is directly exposed to an electromagnetic field without use of a stirrer, e.g. for material comprising ferromagnetic particles or for molten metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Disintegrating Or Milling (AREA)
- Mixers With Rotating Receptacles And Mixers With Vibration Mechanisms (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は固体、粉体、液体等の被処理物と一
諸に強磁性あるいは非磁性導電材で作られたワー
キングビースを処理容器内に収容し、これに外部
より移動磁界を作用させることによつてワーキン
グビースに激しいランダム運動を生起させて、被
処理物の粉砕、混合、撹拌等の処理を行う電磁式
処理装置の改良に関する。
諸に強磁性あるいは非磁性導電材で作られたワー
キングビースを処理容器内に収容し、これに外部
より移動磁界を作用させることによつてワーキン
グビースに激しいランダム運動を生起させて、被
処理物の粉砕、混合、撹拌等の処理を行う電磁式
処理装置の改良に関する。
頭記処理装置では、被処理物の処理がワーキン
グビースの容器内における運動ないしはワーキン
グビースの衝突等によつて行われるものであり、
かかる処理を効率的に行わせるには、ワーキング
ビースが処理容器内にあらゆる位置で万遍なく移
動磁界の作用を受けて激しくランダムな運動を行
うようにすることが望まれる。
グビースの容器内における運動ないしはワーキン
グビースの衝突等によつて行われるものであり、
かかる処理を効率的に行わせるには、ワーキング
ビースが処理容器内にあらゆる位置で万遍なく移
動磁界の作用を受けて激しくランダムな運動を行
うようにすることが望まれる。
この種の処理装置として第１図に示すような装
置がすでに提案されている。すなわち第１図にお
いて、１は被処理物２とともに強磁性あるいは非
磁性導電材で作られた例えばスピンドル形状の多
数のワーキングビース３を収容した処理容器であ
り、この容器１を中央に挟んで、その上下には移
動磁界発生装置４，５が対向配置されており、そ
の発生磁界の移動方向は矢印φ１，φ２で示すよ
うに互に逆方向に定められている。この移動磁界
発生装置４，５はいわゆるリニアモータとしてよ
く知られており、例えば３相交流巻線を鉄心に沿
つて多極を形成するように巻装して構成され、多
相交流電源より給電を受けて移動磁界φ１とφ２
を生成する。
置がすでに提案されている。すなわち第１図にお
いて、１は被処理物２とともに強磁性あるいは非
磁性導電材で作られた例えばスピンドル形状の多
数のワーキングビース３を収容した処理容器であ
り、この容器１を中央に挟んで、その上下には移
動磁界発生装置４，５が対向配置されており、そ
の発生磁界の移動方向は矢印φ１，φ２で示すよ
うに互に逆方向に定められている。この移動磁界
発生装置４，５はいわゆるリニアモータとしてよ
く知られており、例えば３相交流巻線を鉄心に沿
つて多極を形成するように巻装して構成され、多
相交流電源より給電を受けて移動磁界φ１とφ２
を生成する。
第１図の構成により、移動磁界φ１とφ２の中
に置かれたワーキングビース３は磁化および渦電
流の作用による電磁力が働き、ワーキングビース
３はそれ自身の重心のまわりで回転運動を行うと
ともに、移動磁界φ１，φ２によるその移動磁界
方向に向けての推進力および浮上力に加えて、ワ
ーキングビース同士の衝突、および容器壁面との
間の衝突も加わつて容器１の中で激しくランダム
な運動を生起する。そしてこのランダム運動によ
り、被処理物２はワーキングビース３との衝突等
により粉砕あるいは混合、撹拌が進行する。
に置かれたワーキングビース３は磁化および渦電
流の作用による電磁力が働き、ワーキングビース
３はそれ自身の重心のまわりで回転運動を行うと
ともに、移動磁界φ１，φ２によるその移動磁界
方向に向けての推進力および浮上力に加えて、ワ
ーキングビース同士の衝突、および容器壁面との
間の衝突も加わつて容器１の中で激しくランダム
な運動を生起する。そしてこのランダム運動によ
り、被処理物２はワーキングビース３との衝突等
により粉砕あるいは混合、撹拌が進行する。
ここで第１図に示す装置の容器１が置かれるべ
き移動磁界発生装置４，５の間の作用空間内の磁
界分布を概念的に示せば第３図のごとくなる。す
なわち第３図において、移動磁界発生装置４，５
は矢印φ１，φ２で示す方向の移動磁界を発生す
るために、第２図に示すように、鉄心６のコイル
スロツト７にＵ―Ｘ，Ｖ―Ｙ，Ｗ―Ｚで示す三相
交流巻線８が例えば波巻式に巻装されており、そ
の相順は装置４においては右方向へＵ―V1―Ｗ
―U1―Ｖ―W1―Ｕ（ＵとU1，ＶとV1，ＷとW1
はそれぞれ同相で逆向きのコイル導体を示す）。
の順に、一方装置５においては、右方向にＵ―
W1―Ｖ―U1―Ｗ―V1―Ｕの様に配列されてい
る。なお巻線の極ピツチＰ（Ｕ―U1間の距離）
は双方とも等しい。第３図においては、装置４の
Ｕ相巻線装置５の同じくＵ相巻線と対向位置して
書かれているが、実際の処理装置としては、どの
相の巻線が対向しているかは、その特性等に影響
をおよぼさない。また第３図において、移動磁界
発生装置４，５は共に同じ周波数の電源から給電
を受けており、矢印ＨはＵ相巻線の電流が最大
（巻線電流は正弦波としている。）となつた時点で
の各地点における磁界ベクトルを示している。更
に楕円Ａは巻線電流が１サイクル分の変化をした
時の、この地点における磁界ベクトルＨの軌跡を
表わしている。すなわち、空間内のほとんどの地
点で磁界は反時計方向に向きを変える楕円形回転
磁界と見なすことが出来る。
き移動磁界発生装置４，５の間の作用空間内の磁
界分布を概念的に示せば第３図のごとくなる。す
なわち第３図において、移動磁界発生装置４，５
は矢印φ１，φ２で示す方向の移動磁界を発生す
るために、第２図に示すように、鉄心６のコイル
スロツト７にＵ―Ｘ，Ｖ―Ｙ，Ｗ―Ｚで示す三相
交流巻線８が例えば波巻式に巻装されており、そ
の相順は装置４においては右方向へＵ―V1―Ｗ
―U1―Ｖ―W1―Ｕ（ＵとU1，ＶとV1，ＷとW1
はそれぞれ同相で逆向きのコイル導体を示す）。
の順に、一方装置５においては、右方向にＵ―
W1―Ｖ―U1―Ｗ―V1―Ｕの様に配列されてい
る。なお巻線の極ピツチＰ（Ｕ―U1間の距離）
は双方とも等しい。第３図においては、装置４の
Ｕ相巻線装置５の同じくＵ相巻線と対向位置して
書かれているが、実際の処理装置としては、どの
相の巻線が対向しているかは、その特性等に影響
をおよぼさない。また第３図において、移動磁界
発生装置４，５は共に同じ周波数の電源から給電
を受けており、矢印ＨはＵ相巻線の電流が最大
（巻線電流は正弦波としている。）となつた時点で
の各地点における磁界ベクトルを示している。更
に楕円Ａは巻線電流が１サイクル分の変化をした
時の、この地点における磁界ベクトルＨの軌跡を
表わしている。すなわち、空間内のほとんどの地
点で磁界は反時計方向に向きを変える楕円形回転
磁界と見なすことが出来る。
ここで第３図において、装置４と５のそれぞれ
Ｕ相巻線を結ぶ直線上の各地点の磁界について考
察してみると、この線上での磁界は２つのＵ相巻
線へ流れる同相の電流による磁界が常に互に打消
す様に働き、１サイクルを通じて全体的に磁界強
さの絶対値は小さな値を示す。特にこの直線上の
中央地点においては、２つのＵ相巻線による磁界
が完全に打消し合い、経時的に常に磁界は零とな
つている。この様子は巻線Ｕ―Ｕの対向する線上
から横方向へ極ピツチＰ分だけ移動した巻線U1
―U1の対向する線上でも全く同様であり、多極
巻線を施した移動磁界発生装置４，５においては
同相巻線Ｕ―ＵおよびU1―U1の対向するすべて
の線上地点では同じ現象が現われる。一方、第３
図において巻線Ｕ―Ｕの対向する線上より極ピツ
チＰの1/2だけ横方向に移動した線上地点での磁
界は、前記とは逆に磁界が互に加算れるように働
き、磁界強さの絶対値は他の線上地点と較べて大
きくなる。この様に移動磁界発生装置４，５の極
ピツチＰ、電源周波数が互に等しい場合には、作
用空間内における磁界は、その絶対値が移動磁界
方向に沿つて極ピツチＰの1/2の間隔で強弱をく
り返すような分布となる。なお第３図において、
特に装置４，５のＵ相巻線同士が対向している場
合について説明したが、この傾向は装置４，５の
Ｖ相巻線同士、あるいはＷ相巻線同士が対向して
いても必ず生ずることが、巻線電流と磁界の関係
を時間の進行に従つて逐時追跡することで確認す
ることができる。
Ｕ相巻線を結ぶ直線上の各地点の磁界について考
察してみると、この線上での磁界は２つのＵ相巻
線へ流れる同相の電流による磁界が常に互に打消
す様に働き、１サイクルを通じて全体的に磁界強
さの絶対値は小さな値を示す。特にこの直線上の
中央地点においては、２つのＵ相巻線による磁界
が完全に打消し合い、経時的に常に磁界は零とな
つている。この様子は巻線Ｕ―Ｕの対向する線上
から横方向へ極ピツチＰ分だけ移動した巻線U1
―U1の対向する線上でも全く同様であり、多極
巻線を施した移動磁界発生装置４，５においては
同相巻線Ｕ―ＵおよびU1―U1の対向するすべて
の線上地点では同じ現象が現われる。一方、第３
図において巻線Ｕ―Ｕの対向する線上より極ピツ
チＰの1/2だけ横方向に移動した線上地点での磁
界は、前記とは逆に磁界が互に加算れるように働
き、磁界強さの絶対値は他の線上地点と較べて大
きくなる。この様に移動磁界発生装置４，５の極
ピツチＰ、電源周波数が互に等しい場合には、作
用空間内における磁界は、その絶対値が移動磁界
方向に沿つて極ピツチＰの1/2の間隔で強弱をく
り返すような分布となる。なお第３図において、
特に装置４，５のＵ相巻線同士が対向している場
合について説明したが、この傾向は装置４，５の
Ｖ相巻線同士、あるいはＷ相巻線同士が対向して
いても必ず生ずることが、巻線電流と磁界の関係
を時間の進行に従つて逐時追跡することで確認す
ることができる。
一方、先に述べた磁界分布の中でワーキングビ
ースがどの様な運動を行うかを観察するために、
第１図に示す様に容器１の中ワーキングビース３
を納め、その運動を高速カメラで撮影した結果次
の様な傾向が認められた。すなわちスピンドル形
状の個々のワーキングビース３は作用空間内の回
転磁界により、その重心の周りで回転運動を行う
と共に、全体としては移動磁界φ１，φ２の移動
方向に沿つて移動していく。しかしながらこの移
動磁界方向への移動の範囲はほとんどが１極ピツ
チの範囲に限られ、全体の運動経路としては、第
３図の矢印Ｂに示す経路をたどるようになる。こ
れは先に述べた様に第３図において、巻線Ｕ―Ｕ
およびU1―U1の対向する線上では磁界の絶対値
が小さく、ワーキングビース３がこの領域を越え
て隣りの強磁界領域まで横方向に駆動する電磁力
が不足するためであり、結局ワーキングビース３
の運動は磁界の強い部分を中心として極ピツチＰ
の範囲内の周回運動に限定され、処理容器内にお
ける前記強磁界領域の相互間には磁界が弱く、し
たがつてワーキングビース運動の弱い死角空間が
生成されることになる。しかも電磁式処理装置と
しては、前記の現象により第３図における巻線Ｕ
―Ｕおよび１―U1の対向線地点では粉砕等の処
理作用が十分に行われず、このことが処理性能の
向上を防げる大きな要因となつている。
ースがどの様な運動を行うかを観察するために、
第１図に示す様に容器１の中ワーキングビース３
を納め、その運動を高速カメラで撮影した結果次
の様な傾向が認められた。すなわちスピンドル形
状の個々のワーキングビース３は作用空間内の回
転磁界により、その重心の周りで回転運動を行う
と共に、全体としては移動磁界φ１，φ２の移動
方向に沿つて移動していく。しかしながらこの移
動磁界方向への移動の範囲はほとんどが１極ピツ
チの範囲に限られ、全体の運動経路としては、第
３図の矢印Ｂに示す経路をたどるようになる。こ
れは先に述べた様に第３図において、巻線Ｕ―Ｕ
およびU1―U1の対向する線上では磁界の絶対値
が小さく、ワーキングビース３がこの領域を越え
て隣りの強磁界領域まで横方向に駆動する電磁力
が不足するためであり、結局ワーキングビース３
の運動は磁界の強い部分を中心として極ピツチＰ
の範囲内の周回運動に限定され、処理容器内にお
ける前記強磁界領域の相互間には磁界が弱く、し
たがつてワーキングビース運動の弱い死角空間が
生成されることになる。しかも電磁式処理装置と
しては、前記の現象により第３図における巻線Ｕ
―Ｕおよび１―U1の対向線地点では粉砕等の処
理作用が十分に行われず、このことが処理性能の
向上を防げる大きな要因となつている。
この発明は上記の点にかんがみなされたもので
あり、その目的は上記従来装置の欠点を除去し、
処理容器内空間の全域にわたつて磁界の死角空間
を形成させることなくワーキングビースを一様に
ランダム運動させるようにして被処理物の処理性
能の向上を図ることがある。
あり、その目的は上記従来装置の欠点を除去し、
処理容器内空間の全域にわたつて磁界の死角空間
を形成させることなくワーキングビースを一様に
ランダム運動させるようにして被処理物の処理性
能の向上を図ることがある。
かかる目的はこの発明により、処理容器を挟ん
で対向配置された一対の移動磁界発生装置への給
電周波数を互に異なる周波数に定めたことにより
達成される。
で対向配置された一対の移動磁界発生装置への給
電周波数を互に異なる周波数に定めたことにより
達成される。
以下この発明を図示実施例に基づいて説明す
る。
る。
第４図において、移動磁界発生装置４と５はそ
れぞれ３相電源９より給電を受けて移動磁界φ
１，φ２を生成するわけであるが、この場合に一
方の装置４の給電回路路には、例えばサイクロコ
ンバータのような周波数変換器１０が介挿されて
おり、装置５が直接給電を受ける電源９の周波数
に対して装置４への給電周波数を変えるようにさ
れている。
れぞれ３相電源９より給電を受けて移動磁界φ
１，φ２を生成するわけであるが、この場合に一
方の装置４の給電回路路には、例えばサイクロコ
ンバータのような周波数変換器１０が介挿されて
おり、装置５が直接給電を受ける電源９の周波数
に対して装置４への給電周波数を変えるようにさ
れている。
今、装置４への給電周波数を装置５への給電周
波数の２倍に設定した場合実施例として、次に処
理容器内部の作用空間における磁界分布を第５図
について述べる。第５図は給電周波数が同一であ
る従来の磁界分布を示した第３図と対応させて描
いたものであり、その巻線配列は第２図と同様で
ある。また図示状態は、装置４と５におけるそれ
ぞれＵ相の巻線を流れる電流がともに正あるいは
負の方向でかつ電流の瞬時値が等しい時点の状態
を示しており、図示の矢印Ｈはこの時点における
各地点での磁界ベクトルを表わしている。また図
中における円は、それぞれ第３図で述べたように
正弦波電流の１サイクル分のベクトルの軌跡を表
わしたものであるが、このうち特に二重円として
描かれたベクトル軌跡のうちの小円A′は、装置
４と５における同相同士の巻線に流れる電流方向
がともに正あるいは負である期間のベクトル軌跡
を表わしており、この期間には装置４と５の磁界
が互に打ち消し合うように干渉する。これに対し
大円A″は電流方向が互に正、負で逆である期間
のベクトル軌跡を表わしており、この場合には磁
界が互に強め合うように作用する。また装置５に
最も近い部分の各地点でのベクトル軌跡が一重円
Ａとして描かれているのは、この地点が装置４か
ら遠く離れていて２倍の周波数で変化する装置４
の磁界のおよぼす影響が小さく、ベクトルＨの軌
跡円が多少変形するのみで二重円になるまで至ら
ないことを示めしている。
波数の２倍に設定した場合実施例として、次に処
理容器内部の作用空間における磁界分布を第５図
について述べる。第５図は給電周波数が同一であ
る従来の磁界分布を示した第３図と対応させて描
いたものであり、その巻線配列は第２図と同様で
ある。また図示状態は、装置４と５におけるそれ
ぞれＵ相の巻線を流れる電流がともに正あるいは
負の方向でかつ電流の瞬時値が等しい時点の状態
を示しており、図示の矢印Ｈはこの時点における
各地点での磁界ベクトルを表わしている。また図
中における円は、それぞれ第３図で述べたように
正弦波電流の１サイクル分のベクトルの軌跡を表
わしたものであるが、このうち特に二重円として
描かれたベクトル軌跡のうちの小円A′は、装置
４と５における同相同士の巻線に流れる電流方向
がともに正あるいは負である期間のベクトル軌跡
を表わしており、この期間には装置４と５の磁界
が互に打ち消し合うように干渉する。これに対し
大円A″は電流方向が互に正、負で逆である期間
のベクトル軌跡を表わしており、この場合には磁
界が互に強め合うように作用する。また装置５に
最も近い部分の各地点でのベクトル軌跡が一重円
Ａとして描かれているのは、この地点が装置４か
ら遠く離れていて２倍の周波数で変化する装置４
の磁界のおよぼす影響が小さく、ベクトルＨの軌
跡円が多少変形するのみで二重円になるまで至ら
ないことを示めしている。
上記第５図の磁界分布を第３図を示した従来方
式の磁界分布とを比較すると、同一周波数で給電
した場合に常に磁界が零となつた巻線Ｕ―Ｕおよ
びU1―U1が対向する線上地点の中点では、第５
図によれば二つのＵ相巻線の周波数が互に異なる
ために磁界零の状態は回転磁界の１サイクルのう
ち双方の電流波形が交叉し合うほんの一瞬であ
り、常時は大きさの変化する回転磁界が形成され
る様になる。またこの線上から極ピツチの1/2だ
け横方向に移動した線上でも、磁界の位相は異な
るものの、ベクトル軌跡の形状および磁界の絶対
値とも前記した巻線Ｕ―Ｕ対向線上と同程度とな
り従来方式の場合に形成された処理容器内におけ
る局部的な磁界の強弱がなくなり、、ワーキング
ビースの運動を妨げる磁気的な死角空間がなくな
る。この結果ワーキングピースは処理容器の空間
内すべての部分で十分なランダム運動が可能とな
り、粉砕、混合等の処理性能の向上を図ることが
できる。なお、装置４と５への給電周波数比は例
示した２：１に限らず、任意の比率にしても同様
の効果を得ることができる。また上記の給電周波
数の設定に加えて、対向する移動磁界発生装置４
と５の極ピツチを互に異なるように設定すれば、
より一層の効果が期待できる。
式の磁界分布とを比較すると、同一周波数で給電
した場合に常に磁界が零となつた巻線Ｕ―Ｕおよ
びU1―U1が対向する線上地点の中点では、第５
図によれば二つのＵ相巻線の周波数が互に異なる
ために磁界零の状態は回転磁界の１サイクルのう
ち双方の電流波形が交叉し合うほんの一瞬であ
り、常時は大きさの変化する回転磁界が形成され
る様になる。またこの線上から極ピツチの1/2だ
け横方向に移動した線上でも、磁界の位相は異な
るものの、ベクトル軌跡の形状および磁界の絶対
値とも前記した巻線Ｕ―Ｕ対向線上と同程度とな
り従来方式の場合に形成された処理容器内におけ
る局部的な磁界の強弱がなくなり、、ワーキング
ビースの運動を妨げる磁気的な死角空間がなくな
る。この結果ワーキングピースは処理容器の空間
内すべての部分で十分なランダム運動が可能とな
り、粉砕、混合等の処理性能の向上を図ることが
できる。なお、装置４と５への給電周波数比は例
示した２：１に限らず、任意の比率にしても同様
の効果を得ることができる。また上記の給電周波
数の設定に加えて、対向する移動磁界発生装置４
と５の極ピツチを互に異なるように設定すれば、
より一層の効果が期待できる。
以上述べたようにこの発明によれば、対向する
移動磁界発生装置への給電周波数をそれぞれ異な
る周波数に定めたものであり、したがつて同一周
波数で給電を行つた場合に、処理容器内に磁界の
強弱が極ピツチ1/2の間隔で交互に生じるという
磁界分布が容器内のほぼ全空間で平等に改善さ
れ、ワーキングビースの運動を妨げる磁気的な死
角空間が取り除かれる。かくして処理容器内の全
空間で十分な粉砕、混合等の処理作用が行われ、
電磁式処理装置の性能向上を図ることができる。
移動磁界発生装置への給電周波数をそれぞれ異な
る周波数に定めたものであり、したがつて同一周
波数で給電を行つた場合に、処理容器内に磁界の
強弱が極ピツチ1/2の間隔で交互に生じるという
磁界分布が容器内のほぼ全空間で平等に改善さ
れ、ワーキングビースの運動を妨げる磁気的な死
角空間が取り除かれる。かくして処理容器内の全
空間で十分な粉砕、混合等の処理作用が行われ、
電磁式処理装置の性能向上を図ることができる。
第１図はこの発明の対象である電磁式処理装置
の原理図、第２図は第１図における移動磁界発生
装置の巻線図、第３図は従来における作用空間の
磁界分布図、第４図はこの発明の実施例の給電回
路図、第５図は第３図に対応するこの発明の実施
例による磁界分布図である。 １…処理容器、２…被処理物、３…ワーキング
ビース、４，５…移動磁界発生装置、８…巻線、
９…電源、１０…周波数変換器、φ１，φ２…移
動磁界、Ｈ…磁界ベクトル。
の原理図、第２図は第１図における移動磁界発生
装置の巻線図、第３図は従来における作用空間の
磁界分布図、第４図はこの発明の実施例の給電回
路図、第５図は第３図に対応するこの発明の実施
例による磁界分布図である。 １…処理容器、２…被処理物、３…ワーキング
ビース、４，５…移動磁界発生装置、８…巻線、
９…電源、１０…周波数変換器、φ１，φ２…移
動磁界、Ｈ…磁界ベクトル。
Claims (1)
- １ 強磁性あるいは非磁性導電材のワーキングビ
ースが収容された処理容器と、それぞれが多相交
流電源から給電される巻線を備えかつ互にその移
動磁界方向を逆に定めて前記処理容器の両側に対
向配置された一対の移動磁界発生装置とを備えて
構成され、前記移動磁界発生装置への給電により
生じた移動磁界の作用に基づく電磁力でワーキン
グビースにランダム運動を生起させて処理容器へ
収容された被処理物の粉砕、混合、撹拌等を行う
処理装置において、前記一対の移動磁界発生装置
への給電周波数を互に異なる周波数に定めたこと
を特徴とする電磁式粉砕、混合、撹拌等処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093855A JPS58210837A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 電磁式粉砕，混合，撹拌等処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093855A JPS58210837A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 電磁式粉砕，混合，撹拌等処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210837A JPS58210837A (ja) | 1983-12-08 |
| JPS6136452B2 true JPS6136452B2 (ja) | 1986-08-19 |
Family
ID=14094029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57093855A Granted JPS58210837A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 電磁式粉砕，混合，撹拌等処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210837A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182830A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-26 | Mita Ind Co Ltd | 粉体混合方法 |
| JPS61125343U (ja) * | 1985-01-21 | 1986-08-06 |
-
1982
- 1982-06-01 JP JP57093855A patent/JPS58210837A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58210837A (ja) | 1983-12-08 |
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