JPS6136798B2 - - Google Patents
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- JPS6136798B2 JPS6136798B2 JP13455579A JP13455579A JPS6136798B2 JP S6136798 B2 JPS6136798 B2 JP S6136798B2 JP 13455579 A JP13455579 A JP 13455579A JP 13455579 A JP13455579 A JP 13455579A JP S6136798 B2 JPS6136798 B2 JP S6136798B2
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な螢光体、すなわち、セリウムで
付活したランタニウムチオガレート螢光体に関す
るものである。本発明による螢光体は電子線およ
び紫外線励起で、緑色発光を示す短残光螢光体で
あり、特に、フライングスポツト管、インデツク
ス管への応用に適するものである。
付活したランタニウムチオガレート螢光体に関す
るものである。本発明による螢光体は電子線およ
び紫外線励起で、緑色発光を示す短残光螢光体で
あり、特に、フライングスポツト管、インデツク
ス管への応用に適するものである。
アンヌ・マリー、ロワロー・ロザツチユ等の論
文(Mat.Res.Bull.vol.12、PP881−886、1977)
によれば、La2S3−Ga2S3系にはLa6Ga10/3S14
と、LaGaS3の2つの化合物が存在し、前者はヘ
キサゴナル(格子定数a=10.15Å、c=6.08
Å)、後者は不明の構造を有すると報告されてい
る。一方、これらの化合物を発光中心を形成する
イオンで付活した螢光体に関する報告は全くな
く、これらと似たLa2S3・3Ga2S3をホロミウムで
付活したガラス質螢光体に関する報告があるのみ
である(J.Luminesence、vol 18/19Part
PP253−2561979)。
文(Mat.Res.Bull.vol.12、PP881−886、1977)
によれば、La2S3−Ga2S3系にはLa6Ga10/3S14
と、LaGaS3の2つの化合物が存在し、前者はヘ
キサゴナル(格子定数a=10.15Å、c=6.08
Å)、後者は不明の構造を有すると報告されてい
る。一方、これらの化合物を発光中心を形成する
イオンで付活した螢光体に関する報告は全くな
く、これらと似たLa2S3・3Ga2S3をホロミウムで
付活したガラス質螢光体に関する報告があるのみ
である(J.Luminesence、vol 18/19Part
PP253−2561979)。
本発明者はLa2S3とGa2S3をモル比でほぼ1対
1で混合し、付活剤としてセリウム化合物を加え
た混合系を、800℃乃至950℃でH2S中等の硫化雰
囲気中で焼成して得られた螢光体が電子線および
紫外線励起で効率のよい緑色発光を示し、且つ、
約20ナノ秒の短い発光減衰時間(τ1/e)を示す
ことを見出した。本発明の螢光体の合成に際して
は出発原料として硫化物を用いることは勿論、
La2O3、Ga2O3、CeO2の如き酸化物を用い、800
℃乃至950℃でH2S中等の硫化雰囲気中で行なう
ことも可能である。さらに、実施例でも述べる如
く、La2S3とGa2S3の混合モル比は必ずしも1対
1である必要はなく、これよりGa2S3を若干過剰
に加えることにより、さらに発光特性を向上させ
ることが可能である。
1で混合し、付活剤としてセリウム化合物を加え
た混合系を、800℃乃至950℃でH2S中等の硫化雰
囲気中で焼成して得られた螢光体が電子線および
紫外線励起で効率のよい緑色発光を示し、且つ、
約20ナノ秒の短い発光減衰時間(τ1/e)を示す
ことを見出した。本発明の螢光体の合成に際して
は出発原料として硫化物を用いることは勿論、
La2O3、Ga2O3、CeO2の如き酸化物を用い、800
℃乃至950℃でH2S中等の硫化雰囲気中で行なう
ことも可能である。さらに、実施例でも述べる如
く、La2S3とGa2S3の混合モル比は必ずしも1対
1である必要はなく、これよりGa2S3を若干過剰
に加えることにより、さらに発光特性を向上させ
ることが可能である。
以下、実施例にしたがつて、本発明による螢光
体の詳細を述べる。
体の詳細を述べる。
実施例 1
La2S3対Ga2S3のモル比が、0.8対0.2、0.643対
0.357、0.6対0.4、0.55対0.45、0.5対0.5、0.45対
0.55、0.4対0.6、0.357痴0.643、0.3対0.7、0.2対
0.8で、且つ、Ce濃度がLaに対し1原子%になる
ようにCe2(CO3)3を加えた混合物10種を準備
し、石英ボート上で、850℃4時間H2S中で焼成
し、冷却粉砕後、900℃で4時間同じ条件で再焼
成した。
0.357、0.6対0.4、0.55対0.45、0.5対0.5、0.45対
0.55、0.4対0.6、0.357痴0.643、0.3対0.7、0.2対
0.8で、且つ、Ce濃度がLaに対し1原子%になる
ようにCe2(CO3)3を加えた混合物10種を準備
し、石英ボート上で、850℃4時間H2S中で焼成
し、冷却粉砕後、900℃で4時間同じ条件で再焼
成した。
第1図a〜eに、La2S3対Ga2S3が0.643対
0.357、0.55対0.45、0.5対0.5、0.45対0.55の焼成
物およびGa2S3の粉末X線回折パターンの一部を
示す。La2S3:Ga2S3=0.643:0.357は
La6Ga10/3S14に対する化学量論比であり、得ら
れた回折パターンは上記のアンヌ・マリー ロワ
ロー・ロザツチユ等の論文中の格子定数を用いて
解析した結果とよい一致を示すことから、第1図
aのパターンはLa6Ga10/3S14によるものと同定
される。La2S3:Ga2S3=0.8:0.2では
La6Ga10/3S14に加え、La2S3の回折パターンが観
測され、一方、La2S3:Ga2S3=0.6:0.4、0.55:
0.45では、例えば第1図bの如く、
La6Ga10/3S14に加え、未同定の相による回折パ
ターンが強く観測される。La2S3:Ga2S3=0.5:
0.5ではLa6Ga10/3S14の回折パターンはほぼ完全
に消失したと見做され、上記の未同定の相による
回折パターンのみとなる(第1図c)。Ga2S3の
量がさらに増大し、La2S3:Ga2S3=0.45:0.55に
なると、未同定の相に加えGa2S3による回折パタ
ーンが観測される(第1図d)。以上の結果か
ら、第1図cに示された回折パターンは上記論文
中の構造不明のLaGaS3と同一相によるものと推
定される。
0.357、0.55対0.45、0.5対0.5、0.45対0.55の焼成
物およびGa2S3の粉末X線回折パターンの一部を
示す。La2S3:Ga2S3=0.643:0.357は
La6Ga10/3S14に対する化学量論比であり、得ら
れた回折パターンは上記のアンヌ・マリー ロワ
ロー・ロザツチユ等の論文中の格子定数を用いて
解析した結果とよい一致を示すことから、第1図
aのパターンはLa6Ga10/3S14によるものと同定
される。La2S3:Ga2S3=0.8:0.2では
La6Ga10/3S14に加え、La2S3の回折パターンが観
測され、一方、La2S3:Ga2S3=0.6:0.4、0.55:
0.45では、例えば第1図bの如く、
La6Ga10/3S14に加え、未同定の相による回折パ
ターンが強く観測される。La2S3:Ga2S3=0.5:
0.5ではLa6Ga10/3S14の回折パターンはほぼ完全
に消失したと見做され、上記の未同定の相による
回折パターンのみとなる(第1図c)。Ga2S3の
量がさらに増大し、La2S3:Ga2S3=0.45:0.55に
なると、未同定の相に加えGa2S3による回折パタ
ーンが観測される(第1図d)。以上の結果か
ら、第1図cに示された回折パターンは上記論文
中の構造不明のLaGaS3と同一相によるものと推
定される。
第2図に、これらの螢光体を10KVの電子線で
励起した時の発光強度を示すが、La2S3対Ga2S3
が0.55対0.45乃至0.3対0.7の範囲で実用的な発光
強度を有する螢光体が得られ、0.4対0.6の付近で
発光強度が最大になる。図から明らかな如く、
Ce付活La6Ga10/3S14は螢光体として実用に供し
得ない。
励起した時の発光強度を示すが、La2S3対Ga2S3
が0.55対0.45乃至0.3対0.7の範囲で実用的な発光
強度を有する螢光体が得られ、0.4対0.6の付近で
発光強度が最大になる。図から明らかな如く、
Ce付活La6Ga10/3S14は螢光体として実用に供し
得ない。
第3図に、La2S3:Ga2S3=1:1の試料にお
ける発光スペクトルを示す。発光のピーク波長は
約500mmであり、緑色を呈する。
ける発光スペクトルを示す。発光のピーク波長は
約500mmであり、緑色を呈する。
実施例 2
La2S31モル、Ce2(CO3)3Xモル、Ga2S31モル
の割合の混合物を900℃で4時間H2S中で焼成し
た。ただし、x=0.003、0.005、0.01、0.03、
0.05、0.07および0.15であつた。第4図に発光強
度のCe濃度依存性を示すが、xが0.01乃至0.07
(1乃至7原子%)で最も強い発光が得られる。
の割合の混合物を900℃で4時間H2S中で焼成し
た。ただし、x=0.003、0.005、0.01、0.03、
0.05、0.07および0.15であつた。第4図に発光強
度のCe濃度依存性を示すが、xが0.01乃至0.07
(1乃至7原子%)で最も強い発光が得られる。
実施例 3
実施例2における混合物のうち、x=0.03(3
原子%)の混合物を石英ボートにのせ、800℃で
4時間、950℃で4時間2回焼成をH2S中で行な
つた。10KVの電子線で励起し、シリコンPINダ
イオード(松下電子工業PN303)で光出力を検出
したところ、市販のP16螢光体(化成オプトニク
ス製)に比べ、約2.3倍の出力が得られた。さら
に、パルス幅20ナノ秒の電子線パルスで励起し
1/e減衰時間を測定したところ、τ1/e〜21ナ
ノ秒が得られた。この値はP16螢光体に関して報
告されている値の約1/4であり、螢光体が短残光
螢光体として非常にすぐれた特性を示すことが明
らかになつた。電子線衝撃に対する発光強度低下
(劣化)も、P16螢光体に比べきわめてすぐれて
おり、同条件で測定した場合、P16螢光体の発光
強度が約50%低下する間に本螢光体では約8%し
か発光強度が低下しなかつた。
原子%)の混合物を石英ボートにのせ、800℃で
4時間、950℃で4時間2回焼成をH2S中で行な
つた。10KVの電子線で励起し、シリコンPINダ
イオード(松下電子工業PN303)で光出力を検出
したところ、市販のP16螢光体(化成オプトニク
ス製)に比べ、約2.3倍の出力が得られた。さら
に、パルス幅20ナノ秒の電子線パルスで励起し
1/e減衰時間を測定したところ、τ1/e〜21ナ
ノ秒が得られた。この値はP16螢光体に関して報
告されている値の約1/4であり、螢光体が短残光
螢光体として非常にすぐれた特性を示すことが明
らかになつた。電子線衝撃に対する発光強度低下
(劣化)も、P16螢光体に比べきわめてすぐれて
おり、同条件で測定した場合、P16螢光体の発光
強度が約50%低下する間に本螢光体では約8%し
か発光強度が低下しなかつた。
実施例 4
La2O31モル、Ce2(CO3)30.01モル、Ga2O31モ
ルの割合の混合物を石英ボートにのせ800℃で4
時間、900℃で4時間の2回焼成をH2S中で行な
つた。焼成物のX線回折パターンは第1図cと同
じであり、明かるい緑色発光が観測された。
ルの割合の混合物を石英ボートにのせ800℃で4
時間、900℃で4時間の2回焼成をH2S中で行な
つた。焼成物のX線回折パターンは第1図cと同
じであり、明かるい緑色発光が観測された。
実施例 5
La2S31モル、Ga2S31モル、Ce2(CO3)30.01モ
ル、NH4Cl 0.2モルの割合で混合し、800℃で10
時間H2S中で焼成した。焼成物のX線回折パター
ンは第1図cと同じであり、明かるい緑色発光が
観測された。
ル、NH4Cl 0.2モルの割合で混合し、800℃で10
時間H2S中で焼成した。焼成物のX線回折パター
ンは第1図cと同じであり、明かるい緑色発光が
観測された。
このように本発明はすぐれた発光特性を示す新
規な螢光体を提供するものである。
規な螢光体を提供するものである。
第1図a,b,c,d,eは各々La2S3:
Ga2S3=0.643:0.357、0.55:0.45、0.5:0.5、
0.45:0.55の混合物から得た焼成体およびGa2S3
のX線回折パターンを示す図、第2図はLa2S3対
Ga2S3のモル比と発光強度の関係を示す図、第3
図は本発明の一実施例の螢光体の発光スペクトル
を示す図、第4図はCe濃度と発光強度の関係を
示す図である。
Ga2S3=0.643:0.357、0.55:0.45、0.5:0.5、
0.45:0.55の混合物から得た焼成体およびGa2S3
のX線回折パターンを示す図、第2図はLa2S3対
Ga2S3のモル比と発光強度の関係を示す図、第3
図は本発明の一実施例の螢光体の発光スペクトル
を示す図、第4図はCe濃度と発光強度の関係を
示す図である。
Claims (1)
- 1 出発原料の混合物中のLaとGaの原子の数の
割合が0.55対0.45乃至0.3対0.7の範囲にあり、か
つ発光中心Ceの添加量がLaに対し1乃至7原子
%であるセリウム付活ランタニウムチオガレート
よりなる螢光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13455579A JPS5657877A (en) | 1979-10-17 | 1979-10-17 | Fluorescent material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13455579A JPS5657877A (en) | 1979-10-17 | 1979-10-17 | Fluorescent material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5657877A JPS5657877A (en) | 1981-05-20 |
| JPS6136798B2 true JPS6136798B2 (ja) | 1986-08-20 |
Family
ID=15131053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13455579A Granted JPS5657877A (en) | 1979-10-17 | 1979-10-17 | Fluorescent material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5657877A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104178166A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料、制备方法及其应用 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309070A (en) * | 1991-03-12 | 1994-05-03 | Sun Sey Shing | AC TFEL device having blue light emitting thiogallate phosphor |
| GB9907730D0 (en) * | 1999-04-01 | 1999-05-26 | Innovation Tk Limited | Cathode ray tubes |
| JP3472236B2 (ja) | 2000-04-17 | 2003-12-02 | Tdk株式会社 | 蛍光体薄膜とその製造方法およびelパネル |
-
1979
- 1979-10-17 JP JP13455579A patent/JPS5657877A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104178166A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料、制备方法及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5657877A (en) | 1981-05-20 |
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