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JPS6138448B2 - - Google Patents
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JPS6138448B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6138448B2
JPS6138448B2 JP11509879A JP11509879A JPS6138448B2 JP S6138448 B2 JPS6138448 B2 JP S6138448B2 JP 11509879 A JP11509879 A JP 11509879A JP 11509879 A JP11509879 A JP 11509879A JP S6138448 B2 JPS6138448 B2 JP S6138448B2
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JP
Japan
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photomask
pattern
reticle
inspection
patterns
Prior art date
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JP11509879A
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JPS5639516A (en
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Takao Furukawa
Kenichi Kobayashi
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6138448B2 publication Critical patent/JPS6138448B2/ja
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフオトマスクの比較検査機構に関し、
特にフオトマスクの製造工程において、フオトマ
スクパターンの数倍から十倍の大きさのパターン
を有したレチクルパターンをマスク基板上に縮写
形成することによつて複数のフオトマスクパター
ンをマスク基板上に形成する場合に上記レチクル
パターンと形成されたフオトマスクパターンとの
間の比較照合検査又は同一レチクルパターンから
縮写形成された倍率の異るパターンを有した二つ
のフオトマスク間における比較照合検査を自動的
に遂行することのできるフオトマスクの比較検査
機構に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a comparative inspection mechanism for photomasks,
In particular, in the photomask manufacturing process, a plurality of photomask patterns are formed on a mask substrate by copying a reticle pattern with a pattern several times to ten times the size of the photomask pattern onto the mask substrate. In this case, a comparison test is automatically performed between the reticle pattern and a formed photomask pattern, or a comparison test is performed between two photomasks having patterns with different magnifications that are copied from the same reticle pattern and have different magnifications. The present invention relates to a comparative inspection mechanism for photomasks that can be used to perform photomask comparison and inspection.

従来からレチクルパターンをガラス材等からな
るマスク基板上に縮写してフオトマスクパターン
を形成するフオトマスクの製造方法は汎く用いら
れているが、この縮写時にレチクルパターン面に
偶然にごみや汚れ等の欠点原因が存在してフオト
マスク上に形成された複数のパターンが不良パタ
ーンとして転写されていることがある。従つてフ
オトマスクパターンの欠陥検査法として製造され
たフオトマスクとレチクルとを自動的に比較照合
検査することのできる検査装置が製造現場に設け
られればフオトマスクパターンの欠陥有無の検査
を正確におこなうことができる。一方、集積回路
等の製造に当り一定寸法のウエハ当りの収率改善
を目的としてレチクルパターンからフオトマスク
パターンへの縮写率を同一レチクルパターンから
にもかかわらず通常の縮写率から更に増減した縮
写率によつてフオトマスク基板上へ縮写形成する
場合があり、かかる場合には相互に縮写率の異る
パターンを有した二枚のフオトマスク間で比較照
合検査をおこなうことが要望される。
A photomask manufacturing method in which a photomask pattern is formed by reducing a reticle pattern onto a mask substrate made of glass or the like has been widely used in the past, but during this reduction process, dust, dirt, etc. may accidentally be deposited on the reticle pattern surface. There are cases where a plurality of patterns formed on a photomask are transferred as defective patterns due to the presence of a defect cause. Therefore, as a defect inspection method for photomask patterns, if an inspection device that can automatically compare and inspect the manufactured photomask and reticle is installed at the manufacturing site, it is possible to accurately inspect the presence or absence of defects in photomask patterns. I can do it. On the other hand, for the purpose of improving the yield per wafer of a certain size in the manufacture of integrated circuits, etc., the reduction rate from a reticle pattern to a photomask pattern is increased or decreased from the normal reduction rate even though the reticle pattern is the same. In some cases, a photomask is formed by reduction on a photomask substrate, and in such a case, it is desired to perform a comparison inspection between two photomasks having patterns with different reduction ratios.

然るに従来からレチクルとそれに基いて縮写形
成されたフオトマスクの比較照合検査又は同一レ
チクルパターンに基きながら縮写率の異るパター
ンを有した二枚のフオトマスクの比較照合検査を
おこなうことが可能な検査機構としては適当なも
のが未だ提供されていない状態にある。
However, conventionally, there has been an inspection mechanism that can perform a comparison inspection of a reticle and a photomask formed by reduction based on the reticle, or a comparison inspection of two photomasks having patterns with different reduction ratios based on the same reticle pattern. There is currently no suitable product available.

依つて本発明の目的はレチクルパターンとこの
レチクルパターンから縮写形成されたフオトマス
クパターン又は同一レチクルパターンから異る縮
写率によつて形成された二枚のフオトマスクにお
いて相互に比較照合して自動的に不良フオトマス
クパターンの有無を検査することのできるフオト
マスクの比較検査機構を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to automatically compare and verify a reticle pattern and a photomask pattern formed by reduction from the reticle pattern, or two photomasks formed from the same reticle pattern at different reduction ratios. It is an object of the present invention to provide a comparison inspection mechanism for photomasks that can inspect the presence or absence of defective photomask patterns.

本発明によれば、レチクルパターンを有するレ
チクル又は該レチクルパターンから縮写形成され
た複数のパターンを有する第一のフオトマスク
と、同一レチクルパターンから縮写形成されると
共に上記第一フオトマスクパターンと異る縮率の
複数パターンを有した第二のフオトマスクとをそ
れぞれ個別に移動可能な第一,第二の検査ステー
ジに載置し、検査光を照射することによつてパタ
ーンの比較照合検査をおこなうフオトマスクの比
較検査機構において、同一光源より導入する上記
検査光を第一、第二の光学系を介して対応の上記
第一、第二の検査ステージ上に載置した両パター
ンに分離照射すると共に上記第一光学系および第
二光学系の一方の光学系を定倍率のレンズ系によ
つて構成しかつ他方の光学系をズームレンズ系に
よつて構成し、大きさの異る両パターンを上記ズ
ームレンズ系で同一倍率に拡大調節して比較照合
できるようにしたことを特徴とするフオトマスク
の比較検査機構が提供されるのである。以下、本
発明を添付図面に基き更に詳細に説明する。
According to the present invention, a reticle having a reticle pattern or a first photomask having a plurality of patterns formed by reduction from the reticle pattern, and a first photomask having a plurality of patterns formed by reduction from the same reticle pattern and different from the first photomask pattern are provided. A second photomask having a plurality of patterns with different ratios is placed on individually movable first and second inspection stages, and a comparison and verification inspection of the patterns is performed by irradiating inspection light. In the comparison inspection mechanism, the inspection light introduced from the same light source is separately irradiated to both patterns placed on the corresponding first and second inspection stages through first and second optical systems, and One optical system of the first optical system and the second optical system is constituted by a lens system with a constant magnification, and the other optical system is constituted by a zoom lens system, and both patterns having different sizes are formed by the zoom lens. A photomask comparison/inspection mechanism is provided, which is characterized in that it is possible to perform comparison and verification by adjusting magnification to the same magnification using a system. Hereinafter, the present invention will be explained in more detail based on the accompanying drawings.

第1図はレチクルと、このレチクルに形成され
たレチクルパターンから縮写形成された複数のパ
ターンを有するフオトマスクとを示す平面図であ
り、同平面図より明らかなようにレチクル8が有
するレチクルパターン10は一般にフオトマスク
基板14が有する各フオトマスクパターン12の
数倍から十倍の大きさを有している。従つてレチ
クルパターン10からフオトマスクパターン12
を形成する場合にはフオトマスク基板14上に光
学レンズ系を介してレチクルパターン10を繰り
返し縮写焼付けすることによつて複数のフオトマ
スクパターン12を得る方法が採られるのであ
る。従つてレチクルパターン10に接して例えば
ごみ10aが付着していると、このごみ10aが
フオトマスク基板14の各フオトマスクパターン
12に接して汚点パターン12aとして転写さ
れ、結果的にはフオトマスク基板14上には不良
パターンが形成されることになる。依つてフオト
マスクの製造工程における検査工程でごみ10a
を除去、清浄化したレチクル8とフオトマスクと
を比較照合すれば不良パターンの検出を簡単にお
こない得るし、また検査に合格したフオトマスク
を同一レチクルパターン10から異る縮率で形成
されたフオトマスクパターンを有する別の第二の
フオトマスクの比較照合検査に所謂検査マスター
として使用すれば、上記第二フオトマスクの不良
パターン検出を簡単におこなうことが可能にな
る。
FIG. 1 is a plan view showing a reticle and a photomask having a plurality of patterns copied from the reticle pattern formed on the reticle, and as is clear from the plan view, the reticle pattern 10 of the reticle 8 is Generally, the size is several to ten times larger than each photomask pattern 12 included in the photomask substrate 14. Therefore, from the reticle pattern 10 to the photomask pattern 12
When forming a photomask pattern, a method is adopted in which a plurality of photomask patterns 12 are obtained by repeatedly copying and printing the reticle pattern 10 onto the photomask substrate 14 through an optical lens system. Therefore, if, for example, dust 10a is attached in contact with the reticle pattern 10, this dust 10a will come into contact with each photomask pattern 12 on the photomask substrate 14 and be transferred as a blemish pattern 12a, and as a result, the dust 10a will be transferred onto the photomask substrate 14. This will result in the formation of a defective pattern. 10a of dust was collected during the inspection process in the photomask manufacturing process.
By comparing and comparing the photomask with the reticle 8 that has been removed and cleaned, defective patterns can be easily detected, and photomask patterns that have passed the inspection can be compared with photomask patterns formed from the same reticle pattern 10 with different reduction ratios. If it is used as a so-called inspection master for comparison and verification inspection of another second photomask having a second photomask, it becomes possible to easily detect a defective pattern of the second photomask.

第2図は本発明によるフオトマスクの比較検査
機構を具備した検査装置の全体構成を示す機構図
である。同装置には第一ステージ22と第二ステ
ージ24とが具備され、これらの第一、第二ステ
ージ22,24の一方にはレチクルパターン10
を有したレチクル8又はマスターフオトマスクが
比較検査の基準として載置され、他方のステージ
には上記レチクル8に基いて複数のフオトマスク
パターン12が形成された被検査フオトマスクが
載置される。これらの両ステージ22,24は共
に同一平面又は平行二平面内で例えば第2図の紙
面に垂直なX軸方向に向けて移動可能に設けられ
ており、このX軸方向移動は例えば直流モータか
らなるそれぞれの駆動源26,28を有した駆動
機構によつて達成される。また同装置には第一ス
テージ22と第二ステージ24の上方にそれぞれ
対物顕微鏡30,32を具備した比較検査光の照
射光学機構が設けられている。これら両対物顕微
鏡30,32において、一方の顕微鏡30は固定
倍率レンズを有し、かつ手操作又は自動焦点機構
の作動によつて第一ステージ22のレチクルパタ
ーン10又はフオトマスクパターン12に焦点合
わせが可能なように送り機構が具備されている。
また他方の顕微鏡32はズーム方式のレンズを有
し、例えば前記顕微鏡30の固定倍率よりも大き
な倍率及び小さな倍率に自在に変化させ得るレン
ズを有し、かつ手操作又は自動焦点機構に作動に
よつて第二ステージ24のレチクルパターン10
又はフオトマスクパターン12に焦点合わせが可
能なように送り機構が具備されている。なお、顕
微鏡32のズームレンズは後述の駆動モータ6
8、例えば直流モータの作動によつてズーム倍率
を変化させ得るように構成されている。これら照
射光学機構の対物顕微鏡30,32を介して光源
Sからは例えばレーザー光等の比較検査光が第
一、第二ステージ22,24上のレチクル又はマ
スターフオトマスクと被検査フオトマスクとに向
けて照射されるようになつている。すなわち、第
2図ではレーザー光源Sから発せられたレーザー
比較検査光が走査用ミラー34を経て反射ミラー
36,38で屈折された後に各対応の顕微鏡3
0,32に導入されている。上記の走査用ミラー
34は比較検査光が両ステージ22,24上のレ
チクルパターン10又はマスターパターン(以
下、基準パターンと記す)とフオトマスクパター
ン12を例えばY軸方向に走査するように旋回が
可能に設けられているのである。両顕微鏡30,
32を通過した比較検査レーザー光はそれぞれ基
準パターンおよびフオトマスクパターン12を透
過した後に集光レンズ40,42を更に通つて周
知の光電素子たるフオトマル素子44,46によ
つて受光される。このときに光電素子44,46
からパターン形状に対応した電気信号がそれぞれ
発せられ、この電気信号は増幅器48,50で増
幅された後に共に信号処理回路52に入力され、
両電気信号の比較照合が行われた後にその比較照
合結果が該信号処理回路52の出力端子から出力
される。即ち、信号処理回路52においては、基
準パターンとフオトマスクパターン12との間に
完全な一致があれば両電気信号の差が零値であ
り、フオトマスクパターン12と共にフオトマス
ク上に不良パターン12aが形成されていると両
電気信号の差値が零値と異る結果となるような信
号処理が実現されているのである。この場合に上
述の比較照合検査過程においては、比較照射用の
レーザー光が走査用ミラー34の旋回作動によつ
てそれぞれ基準パターンとフオトマスクパターン
12とをY軸方向に走査すると同時にレチクル
(又はマスターフオトマスク)および被検査フオ
トマスクが載置された第一、第二両ステージ2
2,24のX軸方向への移動が同時的におこなわ
れることによつてそれぞれパターン全領域が走査
されることになるのである。従つて信号処理回路
52は両ステージ22,24のX軸方向における
移動を制御する制御部54と結合されることによ
つて基準パターンとフオトマスクパターン12と
が同時的にX軸方向へ移動していることを示す出
力信号に応じて増幅器48,50の両電気信号を
おこなうのである。
FIG. 2 is a mechanical diagram showing the overall configuration of an inspection apparatus equipped with a photomask comparison inspection mechanism according to the present invention. The apparatus is equipped with a first stage 22 and a second stage 24, and one of the first and second stages 22 and 24 has a reticle pattern 10.
A reticle 8 or a master photomask having a reticle 8 is placed as a reference for comparison inspection, and a photomask to be inspected on which a plurality of photomask patterns 12 are formed based on the reticle 8 is placed on the other stage. Both stages 22 and 24 are provided so as to be movable in the same plane or in two parallel planes, for example, in the X-axis direction perpendicular to the plane of the paper in FIG. This is achieved by a drive mechanism having respective drive sources 26 and 28. Further, the apparatus is provided with an optical mechanism for emitting comparative inspection light, which is equipped with objective microscopes 30 and 32 above the first stage 22 and the second stage 24, respectively. In both objective microscopes 30 and 32, one microscope 30 has a fixed magnification lens, and can be focused on the reticle pattern 10 or photomask pattern 12 of the first stage 22 by manual operation or by operation of an automatic focusing mechanism. A feeding mechanism is provided to allow this.
The other microscope 32 has a zoom lens, for example, a lens that can freely change the magnification to a larger or smaller magnification than the fixed magnification of the microscope 30, and can be operated manually or by an automatic focusing mechanism. Reticle pattern 10 of second stage 24
Alternatively, a feeding mechanism is provided so that the photomask pattern 12 can be focused. Note that the zoom lens of the microscope 32 is operated by a drive motor 6, which will be described later.
8. The zoom magnification can be changed by operating a DC motor, for example. A comparative inspection light such as a laser beam is emitted from the light source S through the objective microscopes 30 and 32 of these irradiation optical mechanisms toward the reticle or master photomask and photomask to be inspected on the first and second stages 22 and 24. It is becoming irradiated. That is, in FIG. 2, the laser comparison inspection light emitted from the laser light source S passes through the scanning mirror 34 and is refracted by the reflecting mirrors 36 and 38, and then passes through the corresponding microscope 3.
It was introduced in 0.32. The above-mentioned scanning mirror 34 can be rotated so that the comparative inspection light scans the reticle pattern 10 or master pattern (hereinafter referred to as reference pattern) and photomask pattern 12 on both stages 22 and 24, for example, in the Y-axis direction. It is set in . Both microscopes 30,
The comparison test laser beams that have passed through 32 pass through the reference pattern and photomask pattern 12, respectively, and then further pass through condenser lenses 40 and 42, and are received by photomal elements 44 and 46, which are well-known photoelectric elements. At this time, the photoelectric elements 44, 46
Electric signals corresponding to the pattern shapes are respectively emitted from the circuits, and after being amplified by amplifiers 48 and 50, they are both input to a signal processing circuit 52.
After the two electric signals are compared and verified, the comparison result is outputted from the output terminal of the signal processing circuit 52. That is, in the signal processing circuit 52, if there is a perfect match between the reference pattern and the photomask pattern 12, the difference between both electric signals is zero, and a defective pattern 12a is formed on the photomask together with the photomask pattern 12. If so, signal processing is realized in which the difference value between the two electrical signals is different from the zero value. In this case, in the comparison verification inspection process described above, the laser beam for comparison irradiation scans the reference pattern and the photomask pattern 12 in the Y-axis direction by the rotating operation of the scanning mirror 34, and at the same time, the reticle (or master both the first and second stages 2 on which the photomask) and the photomask to be inspected are placed.
By simultaneously moving 2 and 24 in the X-axis direction, the entire pattern area is scanned. Therefore, the signal processing circuit 52 is coupled to a control section 54 that controls the movement of both stages 22 and 24 in the X-axis direction, so that the reference pattern and the photomask pattern 12 are simultaneously moved in the X-axis direction. Both electrical signals of amplifiers 48 and 50 are activated in response to an output signal indicating that the current state is present.

さて、基準パターンと各フオトマスクパターン
12との比較照合検査の実施に当つては顕微鏡3
0,32がそれぞれ焦点合わせされると共に後述
の如く顕微鏡32のズームレンズよつて上記両パ
ターンの倍率一致が採られていなければならな
い。焦点合わせは手操作又は自動焦点機構を用い
て検査過程の初期工程で実施される。また倍率一
致は基準パターンと被検査フオトマスクの各一の
フオトマスクパターン12との間で都度後述のよ
うにして顕微鏡32のズームレンズを作動させて
達成される。いま、焦点合わせと倍率一致のいず
れもが達成されていることを仮定して比較照合検
査過程に付いて以下に記載する。
Now, in carrying out the comparison inspection between the reference pattern and each photomask pattern 12, the microscope 3
0 and 32, respectively, and the zoom lens of the microscope 32 must match the magnifications of the two patterns, as will be described later. Focusing is performed manually or using an automatic focusing mechanism as an early step in the inspection process. Also, magnification matching is achieved by operating the zoom lens of the microscope 32 as described below each time between the reference pattern and each photomask pattern 12 of the photomask to be inspected. Now, assuming that both focusing and magnification matching have been achieved, the comparison verification process will be described below.

基準パターンと被検査フオトマスクの何れか一
つのフオトマスクパターン12との比較照合検査
過程でY軸方向の走査は既述の如く走査ミラー3
4の旋回作動によつておこなわれるが第一ステー
ジ22と第二ステージ24のX軸方向の移動にお
いては、基準パターン、殊にレチクルパターン1
0が各フオトマスクパターン12に対して数倍乃
至十倍の大きさを有していることからこの倍率に
整合した移動量に亘つて両ステージ22,24が
同時的に移動する構成を有していなければならな
い。即ち、例えば第一ステージ22にレチクル8
が載置され、第二ステージ24に被検査フオトマ
スクが載置されているとすれば、第一ステージ2
2がX軸方向に第1図のレチクル寸法T1に亘つ
て移動する間に第二ステージ24がX軸方向に第
1図のフオトマスクの寸法T2に亘つて移動する
構成が採らなければならないのである。このため
に駆動源26,28の作動を制御部54で制御す
るに当つて特殊な構成が設けられている。即ち、
第2図の実施例においては、第一ステージ22に
対して周知の光ポテンシオメータ56が設けら
れ、また第二ステージ24に対して同様の光ポテ
ンシオメータ58が設けられてこれら光ポテンシ
オメータ56,58はそれぞれ制御部54の入力
端子に接続される構成が採られることにより後述
のように各駆動源26,28は同時間に第一ステ
ージ22をX軸方向へ距離T1に亘り移動せし
め、また第二ステージ24を同じくX軸方向へ距
離T2に亘り移動せしめるのである。
As described above, scanning in the Y-axis direction is performed by the scanning mirror 3 during the comparison inspection process between the reference pattern and the photomask pattern 12 of any one of the photomasks to be inspected.
4, the movement of the first stage 22 and the second stage 24 in the X-axis direction is performed by the reference pattern, especially the reticle pattern 1
0 has a size several to ten times larger than each photomask pattern 12, so both stages 22 and 24 are configured to move simultaneously over a movement amount matching this magnification. must be maintained. That is, for example, the reticle 8 is placed on the first stage 22.
is placed on the second stage 24, and the photomask to be inspected is placed on the second stage 24.
A configuration must be adopted in which the second stage 24 moves in the X-axis direction over the photomask dimension T 2 in FIG. 1 while the second stage 24 moves in the X-axis direction over the reticle dimension T 1 in FIG. 1. It is. For this purpose, a special configuration is provided for controlling the operation of the drive sources 26 and 28 by the control section 54. That is,
In the embodiment of FIG. 2, the first stage 22 is provided with a conventional optical potentiometer 56, and the second stage 24 is provided with a similar optical potentiometer 58. 58 are respectively connected to the input terminals of the control unit 54, so that the drive sources 26 and 28 move the first stage 22 in the X-axis direction over a distance T1 at the same time, as will be described later. Further, the second stage 24 is similarly moved in the X-axis direction over a distance T2 .

第3図は両ステージ22,24のX軸方向をレ
チクルパターン10とフオトマスクパターン12
の倍率に整合させるための機構略示図である。第
3図においては光ポテンシオメータ56,58は
第2図の同ポテンシオメータであり、この両ポテ
ンシオメータ56,58はレーザ光源Sから別途
に導入したレーザ光が同一回転ミラー60を介し
て第一ステージ22上のレチクル両端部の間に対
応した幅部分と、第二ステージ上のフオトマスク
における1チツプの両端部の間に対応した幅部分
とにおいて順次に反射された後にそれらレーザ光
を受光する構成が採られている。即ち、第3図に
おいて、レチクル側においては回転ミラー60の
回転に伴つてレチクル両端部に対応した両部分
R1,R2間で反射したレーザー光が光ポテンシオ
メータ56の両端部56a,56b間で受光さ
れ、一方フオトマスク側においては回転ミラー6
0の回転に伴つてフオトマスクの1チツプの両端
部に対応した両部分M1,M2間で反射したレーザ
ー光が光ポテンシオメータ58の部分58a,5
8b間で受光される構成が設けられ、ミラー60
はこの場合に両ステージ22,24のX軸方向定
速移動を発動すべく定速回転するように設けられ
る。なお、上述したR1,R2の距離が前述した寸
法距離T1に対応し、M1,M2間の距離が前述の寸
法距離T2に対応するのである。さて、光ポテン
シオメータ56,58は受光によつて電圧信号を
その出力端に生ずるが、この電圧信号は例えば光
ポテンシオメータ56の場合においては部分R1
で反射したレーザー光の受光によつて直流電圧V
R1を生じ、部分R2で反射したレーザー光の受光に
よつて直流電圧VR2を生ずるので、究極的に出力
端子から直流電圧値VR1−VR2を発生する。同様
に光ポテンシオメータ58の場合においては部分
M1,M2で反射したレーザー光の受光によつて究
極的には出力端子から直流電圧値VM1−VM2を発
生する。そしてこれらの電圧値VR1−VR2,VM1
−VM2はそれぞれ制御部54に入力されてD−A
変換を受け、該制御部58において、レチクルパ
ターン10とフオトマスクパターン12との倍率
比に正確に一致整合するように電圧レベル比を調
整され、再びA−D変換によつて直流電圧信号に
それぞれ変換された後に駆動源26,28の各直
流モータに供給される。従つて直流モータの作動
に応じて駆動源26,28を介して第一ステージ
22と第二ステージ24とはそれぞれ寸法値
T1,T2に対応する移動距離分だけ移動するので
ある。第4図は制御部54においておこなわれる
上述の電圧信号の処理に付いて図解説明する系統
図である。なお、光ポテンシオメータ56,58
は周知の如く受光位置に比例した電圧信号を発生
するので上述した電圧値VR1−VR2とVM1−VM2
との比はほぼレチクルパターン10とフオトマス
クパターン12との比較に一致しているが、制御
部54において極めて精密に倍率整合処理がおこ
なわれるので、ステージ22,24のX軸方向移
動における誤差に原因したフオトマスクの比較照
合検査における誤差発生のおそれは皆無となつて
いるのである。上述においてレチクルパターン1
0とフオトマスクの1チツプのフオトマスクパタ
ーンとの比較照合検査が終了した後には再び同一
レチクルパターン10とフオトマスクにおける隣
接した1チツプのフオトマスクパターンとの比較
照合検査を遂行するが、この場合に、本発明にお
いては、顕微鏡32のズームレンズを作動させて
レチクルパターン10と新たに比較照合検査する
フオトマスクパターンとの倍率一致を採るのであ
る。以下に顕微鏡32のズームレンズ作動機構に
ついて説明する。
FIG. 3 shows the reticle pattern 10 and photomask pattern 12 in the X-axis direction of both stages 22 and 24.
FIG. 2 is a schematic diagram of a mechanism for matching the magnification of the image. In FIG. 3, optical potentiometers 56 and 58 are the same potentiometers as shown in FIG. A configuration in which the laser beams are received after being sequentially reflected at a width portion corresponding to between both ends of the reticle on the stage 22 and a width portion corresponding to between both ends of one chip of the photomask on the second stage. is taken. That is, in FIG. 3, on the reticle side, as the rotating mirror 60 rotates, both portions corresponding to both ends of the reticle
The laser beam reflected between R 1 and R 2 is received between both ends 56a and 56b of the optical potentiometer 56, while on the photomask side, the laser beam is received by the rotating mirror 6.
As the laser beam rotates, the laser beam reflected between the portions M 1 and M 2 corresponding to both ends of one chip of the photomask is transmitted to the portions 58a and 58 of the optical potentiometer 58.
A configuration is provided in which light is received between mirrors 60 and 8b.
In this case, the stages 22 and 24 are provided to rotate at a constant speed in order to cause the stages 22 and 24 to move at a constant speed in the X-axis direction. Note that the distance between R 1 and R 2 described above corresponds to the dimensional distance T 1 described above, and the distance between M 1 and M 2 corresponds to the dimensional distance T 2 described above. Now, upon reception of light, the optical potentiometers 56, 58 produce a voltage signal at their output terminals, which in the case of the optical potentiometer 56, for example, has a portion R 1 .
Upon receiving the laser beam reflected by
R1 and a DC voltage V R2 is generated by receiving the laser light reflected at the portion R2 , so that ultimately a DC voltage value V R1 -V R2 is generated from the output terminal. Similarly, in the case of the optical potentiometer 58, the partial
By receiving the laser beams reflected by M 1 and M 2 , a DC voltage value V M1 -V M2 is ultimately generated from the output terminal. And these voltage values V R1 −V R2 , V M1
-V M2 are each input to the control unit 54 and D-A
After the conversion, the voltage level ratio is adjusted in the control unit 58 so as to accurately match the magnification ratio of the reticle pattern 10 and the photomask pattern 12, and the DC voltage signals are converted into DC voltage signals by A-D conversion again. After being converted, it is supplied to each DC motor of the drive sources 26 and 28. Therefore, in response to the operation of the DC motor, the first stage 22 and the second stage 24 are moved to their respective dimensional values via the drive sources 26 and 28.
It moves by the movement distance corresponding to T 1 and T 2 . FIG. 4 is a system diagram illustrating the above-mentioned voltage signal processing performed in the control section 54. In addition, optical potentiometers 56, 58
As is well known, generates a voltage signal proportional to the light receiving position, so the above voltage values V R1 -V R2 and V M1 - V M2
Although the ratio between the reticle pattern 10 and the photomask pattern 12 is approximately the same as the comparison between the reticle pattern 10 and the photomask pattern 12, since the magnification matching process is performed extremely precisely in the control unit 54, the error in the movement of the stages 22 and 24 in the X-axis direction is There is no possibility of errors occurring in the photomask comparison inspection that caused this. In the above, reticle pattern 1
0 and the photomask pattern of one chip of the photomask is completed, the same reticle pattern 10 is again compared and verified with the photomask pattern of one adjacent chip of the photomask. In this case, In the present invention, the zoom lens of the microscope 32 is operated to match the magnification of the reticle pattern 10 and the photomask pattern to be newly compared and inspected. The zoom lens operating mechanism of the microscope 32 will be explained below.

さて、第2図に示すように顕微鏡32のズーム
レンズ作動機構として光源S′から発せられた例え
ばレーザー光等の光線を第一ステージ22、第二
ステージ24のそれぞれのパターンに振り分ける
反射鏡60′、該反射鏡60′で振り分けられた光
線が第一ステージ22、第二ステージ24のパタ
ーン面で反射された後にこれらの光線を受光する
光ポテンシオメータ62,64、これら両光ポテ
ンシオメータ62,64の電圧信号が入力される
電圧処理部66、この電圧処理部66で処理され
た電圧信号に基いて駆動される直流モータ68が
設けられ、この直流モータ68の作動によつて顕
微鏡32のズームレンズがズーム作用(焦点の連
続変化)をおこなうように構成されている。な
お、光ポテンシオメータ62は顕微鏡30に固着
され、他方の光ポテンシオメータ64は顕微鏡3
2に固着されている。そして反射鏡60′は一定
位置に固定配置されている。上述の光ポテンシオ
メータ62,64は前述した第3図の光ポテンシ
オメータ56,58と同様の機能を有しているの
で、予め第一ステージ22上のパターンの倍率と
第二ステージ24上のパターンの倍率が一致する
場合のそれぞれの光ポテンシオメータ62,64
からの直流電圧値を電圧処理部66において記憶
し、1チツプのフオトマスクパターンの比較照合
検査が終了する都度、次の1チツプのフオトマス
クパターンについて両光ポテンシオメータ62,
64の直流電圧信号を上記電圧処理部66におい
て一定直流電圧値と比較して倍率計算を行い、電
圧差値に基いて直流駆動モータ68を駆動して該
電圧差値が零値となるようにズームレンズを作動
させれば倍率一致を採ることができるのである。
このようにして倍率一致が採られた後に前述の如
き比較照合検査を1チツプのフオトマスクパター
ンについて遂行するのである。
Now, as shown in FIG. 2, a reflecting mirror 60' serves as a zoom lens operating mechanism of the microscope 32 and distributes a light beam, such as a laser beam, emitted from a light source S' into respective patterns of the first stage 22 and the second stage 24. , optical potentiometers 62 and 64 that receive the light beams distributed by the reflecting mirror 60' after being reflected on the pattern surfaces of the first stage 22 and the second stage 24, and both optical potentiometers 62 and 64. A voltage processing unit 66 to which a voltage signal is input, and a DC motor 68 driven based on the voltage signal processed by the voltage processing unit 66 are provided. is configured to perform a zoom action (continuous change in focus). Note that the optical potentiometer 62 is fixed to the microscope 30, and the other optical potentiometer 64 is fixed to the microscope 30.
It is fixed to 2. The reflecting mirror 60' is fixedly arranged at a fixed position. The optical potentiometers 62 and 64 described above have the same function as the optical potentiometers 56 and 58 shown in FIG. the respective optical potentiometers 62, 64 when the magnifications of
The voltage processing unit 66 stores the DC voltage value from the photomask pattern, and each time the comparison inspection of one chip of photomask patterns is completed, the two-optical potentiometer 62,
The voltage processing unit 66 compares the DC voltage signal of 64 with a constant DC voltage value to calculate a magnification, and drives the DC drive motor 68 based on the voltage difference value so that the voltage difference value becomes zero value. By operating the zoom lens, it is possible to match the magnification.
After matching the magnifications in this way, the above-mentioned comparative verification test is performed on one chip of photomask patterns.

以上の説明から明らかなように本発明において
は、レチクル又はマスターフオトマスクの基準パ
ターンと被検査フオトマスクの複数フオトマスク
パターンの各々とを比較照合検査する場合に先ず
対物顕微鏡30,32による倍率一致が採られて
いるかを確認し、倍率一致が採られていない場合
には一方の顕微鏡32のズームレンズの作動によ
つて倍率一致を採るべく調整がおこなわれ、その
後に両パターンの比較照合検査が遂行されるので
ある。一般に同一レチクルパターンが一つのマス
ク基板上に複数のフオトマスクパターンが同一工
程を経て形成される場合にも、それら複数のフオ
トマスクパターンの間では微小な寸法差が生じて
おり、比較検査過程ではこれらの微小寸法差に対
応して比較検査の基準パターンと各被検査フオト
マスクパターンとの間で正確な倍率一致を採つて
から比較走査をすることが高精度の検査結果を得
る上で重要な要件となる。本発明による比較検査
機構に依れば、このような要件が充足されるので
極めて高精度の検査を遂行できることになるので
ある。なお、第5図は本発明によるフオトマスク
比較検査機構による検査工程のフローチヤート図
である。
As is clear from the above description, in the present invention, when comparing and inspecting the reference pattern of a reticle or master photomask with each of a plurality of photomask patterns of a photomask to be inspected, first, the objective microscopes 30 and 32 check that the magnifications match. If the magnifications do not match, adjustments are made to match the magnifications by operating the zoom lens of one of the microscopes 32, and then a comparison inspection of both patterns is performed. It will be done. Generally, even when multiple photomask patterns are formed on one mask substrate through the same process to form the same reticle pattern, small dimensional differences occur between the multiple photomask patterns, and in the comparative inspection process, In order to obtain highly accurate inspection results, it is important to accurately match the magnification between the reference pattern for comparison inspection and each photomask pattern to be inspected in order to deal with these minute dimensional differences before performing comparison scanning. It becomes a requirement. According to the comparison inspection mechanism according to the present invention, these requirements are satisfied, so that inspection can be performed with extremely high accuracy. Note that FIG. 5 is a flowchart of the inspection process by the photomask comparison inspection mechanism according to the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はレチクルとフオトマスクとのパターン
倍率の関係を示す平面図、第2図は本発明による
フオトマスクの比較検査機構を具備した検査装置
の構成を示す機構図、第3図は同機構の比較検査
作用を説明する機構図、第4図は電圧信号の処理
工程を示す系統図、第5図は同機構による検査工
程のフローチヤート図。 8……レチクル、10……レチクルパターン、
12……フオトマスクパターン、12a……不良
パターン、14……フオトマスク基板、22……
第一ステージ、24……第二ステージ、26,2
8……駆動源、30,32……対物顕微鏡、54
……制御部、56,58……光ポテンシオメー
タ、60……回転ミラー、60′……反射鏡、6
2,64……光ポテンシオメータ、66……電圧
処理部、68……直流モータ。
Fig. 1 is a plan view showing the relationship between pattern magnification between a reticle and a photomask, Fig. 2 is a mechanical diagram showing the configuration of an inspection device equipped with a comparative inspection mechanism for photomasks according to the present invention, and Fig. 3 is a comparison of the same mechanism. FIG. 4 is a system diagram showing a voltage signal processing process, and FIG. 5 is a flowchart of an inspection process using the same mechanism. 8... Reticle, 10... Reticle pattern,
12... Photomask pattern, 12a... Defective pattern, 14... Photomask substrate, 22...
First stage, 24...Second stage, 26,2
8... Drive source, 30, 32... Objective microscope, 54
...Control unit, 56, 58...Optical potentiometer, 60...Rotating mirror, 60'...Reflector, 6
2, 64... Optical potentiometer, 66... Voltage processing unit, 68... DC motor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 レチクルパターンを有するレチクル又は該レ
チクルパターンから縮写形成された複数のパター
ンを有する第一のフオトマスクと、同一レチクル
パターンから縮写形成されると共に上記第一フオ
トマスクパターンより小さい複数のパターンを有
した第二のフオトマスクとをそれぞれ個別に移動
可能な第一、第二の検査ステージに載置し、検査
光を照射することによつてパターンの比較照合検
査をおこなうフオトマスクの比較検査機構におい
て、同一光源より導入する上記検査光を第一、第
二の光学系を介して対応の上記第一、第二の検査
ステージ上に載置した両パターンに分離照射する
と共に上記第一又は第二光学系の一方を定倍率レ
ンズ系によつて構成しかつ他方の光学系をズーム
レンズ系によつて構成して上記両パターンを同一
倍率に調節して比較照合できるようにしたことを
特徴とするフオトマスクの比較検査機構。
1 A first photomask having a reticle having a reticle pattern or a plurality of patterns formed by reduction from the reticle pattern, and a second photomask having a plurality of patterns formed by reduction from the same reticle pattern and smaller than the first photomask pattern. In a photomask comparative inspection mechanism, two photomasks are placed on independently movable first and second inspection stages, and patterns are compared and inspected by irradiating them with inspection light. Separately irradiating the introduced inspection light to both patterns placed on the corresponding first and second inspection stages via the first and second optical systems, and one of the first and second optical systems. Comparative inspection of a photomask, characterized in that one optical system is composed of a constant magnification lens system, and the other optical system is composed of a zoom lens system, so that both patterns can be adjusted to the same magnification and compared and verified. mechanism.
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JPH01263435A (en) * 1988-04-13 1989-10-19 Harman Co Ltd Method for installing hot water feeding device for bath
JPH0579353U (en) * 1992-03-23 1993-10-29 日本ユプロ株式会社 Pipe connection structure to the bath adapter

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