JPS6138524B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6138524B2 JPS6138524B2 JP7666678A JP7666678A JPS6138524B2 JP S6138524 B2 JPS6138524 B2 JP S6138524B2 JP 7666678 A JP7666678 A JP 7666678A JP 7666678 A JP7666678 A JP 7666678A JP S6138524 B2 JPS6138524 B2 JP S6138524B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- magnetoresistive
- magnetization
- magnetoresistive element
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、磁気抵抗効果型の磁気ヘツドの改
良に関する。
良に関する。
この種磁気ヘツドは、一般に第１図に示す如
く、基板１上に蒸着或いはスパツタリングされた
パーマロイ等の一軸異方性を有する強磁性体薄膜
即ち磁気抵抗素子２の上に絶縁層３及びバイアス
磁界を与える酸化鉄等の永久磁石膜４を積層して
構成されるが、従来は磁気抵抗素子２の磁化容易
軸ＥAの方向に磁気記録媒体５からの信号磁界垂
直成分が加わるよう構成していた為、磁気記録媒
体５への原信号がくり返し周期の長い矩形波信号
であつた場合には、磁気記録媒体５からの信号磁
界ＨSが、磁化遷移領域でのみ大きな値の垂直成
分を有することにより、引出し導体６から得られ
る再生信号の波形は巾の短いパルス状（例えば第
６図イに示す如き）となる。この為、従来の磁気
ヘツドでは、上記再生信号から原信号を再生する
為の電気的処理を必要とするという欠点があつ
た。
く、基板１上に蒸着或いはスパツタリングされた
パーマロイ等の一軸異方性を有する強磁性体薄膜
即ち磁気抵抗素子２の上に絶縁層３及びバイアス
磁界を与える酸化鉄等の永久磁石膜４を積層して
構成されるが、従来は磁気抵抗素子２の磁化容易
軸ＥAの方向に磁気記録媒体５からの信号磁界垂
直成分が加わるよう構成していた為、磁気記録媒
体５への原信号がくり返し周期の長い矩形波信号
であつた場合には、磁気記録媒体５からの信号磁
界ＨSが、磁化遷移領域でのみ大きな値の垂直成
分を有することにより、引出し導体６から得られ
る再生信号の波形は巾の短いパルス状（例えば第
６図イに示す如き）となる。この為、従来の磁気
ヘツドでは、上記再生信号から原信号を再生する
為の電気的処理を必要とするという欠点があつ
た。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去する為になされたもので、磁気抵抗素子が、
その磁化容易軸方向に対して平行する向きに磁気
記録媒体からの信号磁界を受るように構成して、
磁気抵抗素子に記憶効果を持たせることにより、
長いくり返し周期をもつ原信号をも、比較的原波
形に近似した形で直接再生することが出来る磁気
抵抗効果型ヘツドを提供することを目的とする。
除去する為になされたもので、磁気抵抗素子が、
その磁化容易軸方向に対して平行する向きに磁気
記録媒体からの信号磁界を受るように構成して、
磁気抵抗素子に記憶効果を持たせることにより、
長いくり返し周期をもつ原信号をも、比較的原波
形に近似した形で直接再生することが出来る磁気
抵抗効果型ヘツドを提供することを目的とする。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第２図において、一軸異方性を有する磁気抵抗
効果素子２は、その磁化容易軸ＥAの方向が磁気
記録媒体５からの信号磁界ＨSの方向と同一とな
るよう構成されており、磁化容易軸ＥAの方向に
対して直角の向きに、永久磁石膜４によるバイア
ス磁界ＨBが加えられている。他の構成は第１図
に示した従来例のものと同一であるが、磁気抵抗
素子２には、磁気記録媒体５からの信号磁界の垂
直成分に対して所定角度φを有する電流が供給さ
れる。該電流Ｉと磁化容易軸ＥAの方向の上記信
号磁界垂直成分ＨSに対する関係を第３図に示
す。
効果素子２は、その磁化容易軸ＥAの方向が磁気
記録媒体５からの信号磁界ＨSの方向と同一とな
るよう構成されており、磁化容易軸ＥAの方向に
対して直角の向きに、永久磁石膜４によるバイア
ス磁界ＨBが加えられている。他の構成は第１図
に示した従来例のものと同一であるが、磁気抵抗
素子２には、磁気記録媒体５からの信号磁界の垂
直成分に対して所定角度φを有する電流が供給さ
れる。該電流Ｉと磁化容易軸ＥAの方向の上記信
号磁界垂直成分ＨSに対する関係を第３図に示
す。
以上の構成において、磁気抵抗素子２に、その
磁化容易軸ＥAに対して平行する方向に強い交番
磁界が加えられた場合、磁化の方向は印加磁界の
方向に対して（両者のなす角度をθとする）、第
４図に示す如く変化する。同図における点７，
８，９，１０，１１，１２は、第５図に示す磁気
抵抗素子２の磁化特性上の点１０〜１２に夫々対
応している。同図の１３は磁化容易軸ＥAと印加
磁界の方向とのずれ角が90゜以下である場合、１
４はこのずれ角が90゜である場合を示している。
磁化容易軸ＥAに対して平行する方向に強い交番
磁界が加えられた場合、磁化の方向は印加磁界の
方向に対して（両者のなす角度をθとする）、第
４図に示す如く変化する。同図における点７，
８，９，１０，１１，１２は、第５図に示す磁気
抵抗素子２の磁化特性上の点１０〜１２に夫々対
応している。同図の１３は磁化容易軸ＥAと印加
磁界の方向とのずれ角が90゜以下である場合、１
４はこのずれ角が90゜である場合を示している。
従つて、第６図イに示す如き波形のパルス磁界
ＨSが、磁気抵抗素子２の磁化容易軸方向に平行
する方向に加えられた場合には、同図ロに示す如
く、正の第１パルス１５によつて印加磁界ＨSと
同一方向の一つの向き（θ＝０）に磁化され、負
の第２パルス１６が印加されるまでその向きを保
持する。第２パルス１６が加えられると、磁化方
向が180゜回転し、次に正の第３パルス１７が加
えられるまで、その磁化方向（θ＝180゜）が保
持される。即ち、磁気抵抗素子２は次の逆向きの
磁界が印加されるまでは、前の印加磁界により与
えられた一定の磁化状態を保持するという記憶効
果を発揮する。従つて、磁気抵抗素子２の前記磁
化特性が理想的である場合には、発生磁界が第６
図イに示す如きパルス波形である磁気記録媒体か
ら、くり返し周期の長い矩形波原信号を忠実に引
出し導体６から直接取出すことができる。
ＨSが、磁気抵抗素子２の磁化容易軸方向に平行
する方向に加えられた場合には、同図ロに示す如
く、正の第１パルス１５によつて印加磁界ＨSと
同一方向の一つの向き（θ＝０）に磁化され、負
の第２パルス１６が印加されるまでその向きを保
持する。第２パルス１６が加えられると、磁化方
向が180゜回転し、次に正の第３パルス１７が加
えられるまで、その磁化方向（θ＝180゜）が保
持される。即ち、磁気抵抗素子２は次の逆向きの
磁界が印加されるまでは、前の印加磁界により与
えられた一定の磁化状態を保持するという記憶効
果を発揮する。従つて、磁気抵抗素子２の前記磁
化特性が理想的である場合には、発生磁界が第６
図イに示す如きパルス波形である磁気記録媒体か
ら、くり返し周期の長い矩形波原信号を忠実に引
出し導体６から直接取出すことができる。
実用上は、磁気抵抗素子２に対して、適当な大
きさのバイアス磁界ＨBを加えることが好まし
く、これを実施例では永久磁石膜４により与えて
いる。バイアス磁界ＨBが印加されると、磁気抵
抗素子２の磁化方向は、その大きさと磁気抵抗素
子２の特性で定まる角度θ０だけ回転するが、バ
イアス磁界ＨBの方向が磁化容易軸ＥAに対して直
角の方向であるから上記回転は可逆的であり、第
６図ハに示す如く、第１パルス１５及び第２パル
ス１６が加えられても、これらが無くなると、磁
気抵抗素子２は再びθ＝θ０又はθ＝180゜−θ
０の磁化方向を与えられ、バイアス磁界ＨBによ
るバイアス効果は保持される。
きさのバイアス磁界ＨBを加えることが好まし
く、これを実施例では永久磁石膜４により与えて
いる。バイアス磁界ＨBが印加されると、磁気抵
抗素子２の磁化方向は、その大きさと磁気抵抗素
子２の特性で定まる角度θ０だけ回転するが、バ
イアス磁界ＨBの方向が磁化容易軸ＥAに対して直
角の方向であるから上記回転は可逆的であり、第
６図ハに示す如く、第１パルス１５及び第２パル
ス１６が加えられても、これらが無くなると、磁
気抵抗素子２は再びθ＝θ０又はθ＝180゜−θ
０の磁化方向を与えられ、バイアス磁界ＨBによ
るバイアス効果は保持される。
従つて、上記のようにバイアス磁界ＨBを与え
られた磁気抵抗素子２に、信号磁界ＨSに対して
上記バイアス磁界に対応する所定角度（０＜
＜90゜）を有する動作電流Ｉを供給して、第６図
ニに示す如く、レベル調整を行い、同図ロに示す
如き磁気記録媒体５からの信号磁界ＨSを加える
と、引出し導体層６からは、磁気記録媒体５えの
原信号波形にほぼ近似した第６図ホに示す如き波
形の再生電圧が出力される。磁化角度の零レベル
補正を行つてスイツチング特性を与え、同図イに
示す如き、磁気記録媒体５からの信号磁界ＨSを
加えると、引出し導体６からは、磁気記録媒体５
えの原信号波形にほぼ近似した、第６図ホに示す
如き波形の再生電圧が出力される。
られた磁気抵抗素子２に、信号磁界ＨSに対して
上記バイアス磁界に対応する所定角度（０＜
＜90゜）を有する動作電流Ｉを供給して、第６図
ニに示す如く、レベル調整を行い、同図ロに示す
如き磁気記録媒体５からの信号磁界ＨSを加える
と、引出し導体層６からは、磁気記録媒体５えの
原信号波形にほぼ近似した第６図ホに示す如き波
形の再生電圧が出力される。磁化角度の零レベル
補正を行つてスイツチング特性を与え、同図イに
示す如き、磁気記録媒体５からの信号磁界ＨSを
加えると、引出し導体６からは、磁気記録媒体５
えの原信号波形にほぼ近似した、第６図ホに示す
如き波形の再生電圧が出力される。
以上の如く、この発明によれば、磁気抵抗素子
の強磁性体薄膜が、その磁化容易軸方向に信号磁
界を受けるよう構成して、磁気抵抗素子に記憶素
子としての機能を持たせてあるから、磁気記録媒
体からの信号磁界がパルス状磁界である場合に
も、くり返し周期の長いその矩形波原信号を再生
することが可能であり、さらに、磁気抵抗素子
に、その上記磁化容易軸方向と直角の方向にバイ
アス磁界を印加してバイアス効果を与えると共に
動作電流を供給してスイツチング特性をもたせて
あるから、上記原信号波形をほぼ忠実に再生する
ことができる。また、パルス状磁化の一時的な記
憶素子としても用いることができる。
の強磁性体薄膜が、その磁化容易軸方向に信号磁
界を受けるよう構成して、磁気抵抗素子に記憶素
子としての機能を持たせてあるから、磁気記録媒
体からの信号磁界がパルス状磁界である場合に
も、くり返し周期の長いその矩形波原信号を再生
することが可能であり、さらに、磁気抵抗素子
に、その上記磁化容易軸方向と直角の方向にバイ
アス磁界を印加してバイアス効果を与えると共に
動作電流を供給してスイツチング特性をもたせて
あるから、上記原信号波形をほぼ忠実に再生する
ことができる。また、パルス状磁化の一時的な記
憶素子としても用いることができる。
第１図は、磁気抵抗効果型磁気ヘツドの従来例
を示す図、第２図は、この発明による磁気抵抗効
果型磁気ヘツドを示す図、第３図は、上記実施例
における信号磁界、動作電流と磁化容易軸方向の
関係を示す図、第４図は、印加磁界―磁化角度特
性を示す図、第５図は、ヒステリシス特性図及び
第６図は波形図である。 ２は磁気抵抗素子、５は磁気記録媒体、ＥAは
磁化容易軸、ＨSは信号磁界、ＨBはバイアス磁界
である。なお、図中、同一符号は同一又は相当部
分を示す。
を示す図、第２図は、この発明による磁気抵抗効
果型磁気ヘツドを示す図、第３図は、上記実施例
における信号磁界、動作電流と磁化容易軸方向の
関係を示す図、第４図は、印加磁界―磁化角度特
性を示す図、第５図は、ヒステリシス特性図及び
第６図は波形図である。 ２は磁気抵抗素子、５は磁気記録媒体、ＥAは
磁化容易軸、ＨSは信号磁界、ＨBはバイアス磁界
である。なお、図中、同一符号は同一又は相当部
分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一軸異方性を有する磁気抵抗素子が、その磁
化容易軸方向及び磁化困難軸方向に夫々磁気記録
媒体からの信号磁界およびバイアス磁界を印加さ
れるとともに上記両磁界の印加方向と異なる向き
に動作電流を供給され、ヒステリシスもしくは記
憶動作特性を有することを特徴とする磁気抵抗効
果型磁気ヘツド。 ２ バイアス磁界の印加方向が、磁気抵抗素子の
磁化容易軸方向に対して直角であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型
磁気ヘツド。 ３ 磁気抵抗素子が、一軸異方性を有する強磁性
体薄膜と高い抗磁力をもつ永久磁石膜の組合せか
らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁気抵抗効果型磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7666678A JPS554738A (en) | 1978-06-23 | 1978-06-23 | Magnetoresistance effect type magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7666678A JPS554738A (en) | 1978-06-23 | 1978-06-23 | Magnetoresistance effect type magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS554738A JPS554738A (en) | 1980-01-14 |
| JPS6138524B2 true JPS6138524B2 (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=13611728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7666678A Granted JPS554738A (en) | 1978-06-23 | 1978-06-23 | Magnetoresistance effect type magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS554738A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2502375B1 (fr) * | 1981-03-20 | 1989-08-18 | Cii Honeywell Bull | Transducteur magnetoresistant de lecture d'informations a tres haute densite |
| JPS5823318A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-12 | Seiko Epson Corp | 垂直磁化記録再生ヘツド |
| FR2656454B1 (fr) * | 1989-12-22 | 1995-07-21 | Thomson Csf | Tete de lecture multipiste. |
| US6714374B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-03-30 | Nec Corporation | Magnetoresistive sensor, magnetoresistive head, and magnetic recording/reproducing apparatus |
-
1978
- 1978-06-23 JP JP7666678A patent/JPS554738A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS554738A (en) | 1980-01-14 |
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