JPS6138810B2 - - Google Patents
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- JPS6138810B2 JPS6138810B2 JP54149464A JP14946479A JPS6138810B2 JP S6138810 B2 JPS6138810 B2 JP S6138810B2 JP 54149464 A JP54149464 A JP 54149464A JP 14946479 A JP14946479 A JP 14946479A JP S6138810 B2 JPS6138810 B2 JP S6138810B2
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- plating
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- etching
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10N10/80—Constructional details
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- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/854—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising only metals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、熱流量計に使用される熱電堆の製造
法に関し、さらに詳しくは熱電堆を構成する金属
要素が一枚の基板に担持されている品質の安定し
た熱電堆をメツキ技法およびフオトエツチング技
法により効率良く製造する方法に関する。
法に関し、さらに詳しくは熱電堆を構成する金属
要素が一枚の基板に担持されている品質の安定し
た熱電堆をメツキ技法およびフオトエツチング技
法により効率良く製造する方法に関する。
一般に熱起電力を利用した温度計は、熱電温度
計と称され広い分野で使用されている。この温度
計は熱電対から構成されており、例えば銅とコン
スタンタンといつた異なる金属線を用いてこれを
閉回路とし、一方の接合点を０℃あるいは室温に
保ち、他方の接続点を被測定物に固定し、両接合
点における温度差をこれによつて生ずる起電力に
よつて測定して検知しようとするものである。こ
のような熱電対には、各種の金属の組合せのもの
が使用されているが、それによつて生ずる起電力
は極く僅かであり、両接合点間の温度差が大きい
場合はよいものの温度差が小さいと測定しえない
難点がある。
計と称され広い分野で使用されている。この温度
計は熱電対から構成されており、例えば銅とコン
スタンタンといつた異なる金属線を用いてこれを
閉回路とし、一方の接合点を０℃あるいは室温に
保ち、他方の接続点を被測定物に固定し、両接合
点における温度差をこれによつて生ずる起電力に
よつて測定して検知しようとするものである。こ
のような熱電対には、各種の金属の組合せのもの
が使用されているが、それによつて生ずる起電力
は極く僅かであり、両接合点間の温度差が大きい
場合はよいものの温度差が小さいと測定しえない
難点がある。
そのため上述した熱電対を多数直列に接続した
熱電対列すなわち熱電堆が開発されており、これ
によつて僅かな温度差でかなりの起電力を測定で
きるようになつている。しかしながら、従来の熱
電堆は、熱抵抗基体に金属線や金属箔を捲付けた
り、埋め込んだりして製作しているため、工程が
煩雑で極めて生産性が低く、得られた製品の性能
も安定性に欠ける等の憾みがあつた。
熱電対列すなわち熱電堆が開発されており、これ
によつて僅かな温度差でかなりの起電力を測定で
きるようになつている。しかしながら、従来の熱
電堆は、熱抵抗基体に金属線や金属箔を捲付けた
り、埋め込んだりして製作しているため、工程が
煩雑で極めて生産性が低く、得られた製品の性能
も安定性に欠ける等の憾みがあつた。
このような従来の熱電堆の改良品として、絶縁
材料からなる基台に多数のオリフイスを設け、こ
のオリフイスを介して両面の温接点と冷接点を金
属破覆によつて直列的に接続して構成した熱流束
計が、特開昭54−95282号公報に提案されてい
る。この熱流束計は、両面銅貼り基板に第１の組
のオリフイスを（仕上製品のオリフイスの網状組
織の間隔の２倍の間隔で）穿設し、オリフイスを
含めて全体を銅メツキし、次に第２の組のオリフ
イスを穿設し、穿設したオリフイスとその周囲を
残して遮蔽した上で化学的なニツケルメツキを施
し、しかるのち絶縁部に相当する溝を形成するた
めの金属除去処理を施す方法によつて製造されて
いる。しかしながら、この方法においては、２回
にわけてオリフイスの穿孔作業を行なうため工程
が煩雑となり、しかも第２回目に施されるニツケ
ルメツキが所謂化学ニツケルメツキであるため、
化学銅メツキや電気メツキに比べて生産性に劣
り、触媒化処理等の前処理に特別な配慮を要する
という難点があつた。
材料からなる基台に多数のオリフイスを設け、こ
のオリフイスを介して両面の温接点と冷接点を金
属破覆によつて直列的に接続して構成した熱流束
計が、特開昭54−95282号公報に提案されてい
る。この熱流束計は、両面銅貼り基板に第１の組
のオリフイスを（仕上製品のオリフイスの網状組
織の間隔の２倍の間隔で）穿設し、オリフイスを
含めて全体を銅メツキし、次に第２の組のオリフ
イスを穿設し、穿設したオリフイスとその周囲を
残して遮蔽した上で化学的なニツケルメツキを施
し、しかるのち絶縁部に相当する溝を形成するた
めの金属除去処理を施す方法によつて製造されて
いる。しかしながら、この方法においては、２回
にわけてオリフイスの穿孔作業を行なうため工程
が煩雑となり、しかも第２回目に施されるニツケ
ルメツキが所謂化学ニツケルメツキであるため、
化学銅メツキや電気メツキに比べて生産性に劣
り、触媒化処理等の前処理に特別な配慮を要する
という難点があつた。
したがつて本発明の目的は、メツキ技法および
フオトエツチング技法を駆使して、測定感度およ
び精度が高く、性能が安定した熱電堆を高生産性
を以つて製造できる信頼性の高い方法を提供する
にある。
フオトエツチング技法を駆使して、測定感度およ
び精度が高く、性能が安定した熱電堆を高生産性
を以つて製造できる信頼性の高い方法を提供する
にある。
本発明の方法によつて得られる熱電堆は、熱電
対を構成する一方の金属のセグメントと他方の金
属のセグメントとを多数交互に連結してなり、そ
して、前記各セグメントは熱抵抗性非導電性基板
の一方の面の側にメツキされた部分と前記基板の
他方の面の側にメツキされた部分と前記両部分を
連通する前記基板に形成された貫通孔の内壁に沿
つてメツキされた部分とから構成されている。
対を構成する一方の金属のセグメントと他方の金
属のセグメントとを多数交互に連結してなり、そ
して、前記各セグメントは熱抵抗性非導電性基板
の一方の面の側にメツキされた部分と前記基板の
他方の面の側にメツキされた部分と前記両部分を
連通する前記基板に形成された貫通孔の内壁に沿
つてメツキされた部分とから構成されている。
付図を参照するに、第１図は本発明方法によつ
て得られた熱電堆の一例を示す表面図であり、そ
して第２図はその裏面図である。第３図は第１図
の線−に沿つた断面の拡大端面図であり、そ
して第４図は第１図の線−に沿つた断面の拡
大端面図である。本発明によつて得られた熱電堆
は、熱電対２を構成する一方の金属のセグメント
２３と他方の金属のセグメント２４とが、基板１
に担持されながら、多数交互に連結されてなる。
第３図からわかる如く、一方の金属のセグメント
２３は、基板１の一方の面の側にメツキされた部
分２３′と、基板１の他方の面の側にメツキされ
た部分２３″と、これらの部分２３′および２３″
を連通する基板に形成された貫通孔１１の内壁に
沿つてメツキされた部分２３とからなる。他方
の金属のセグメント２４も、基板の一方の面の側
にメツキされた部分２４′と、基板の他方の面の
側にメツキされた部分２４″と、これらの部分２
４′および２４″を連通する基板に形成された貫通
孔１１の内壁に沿つてメツキされた部分２４と
からなる。第１図および第２図に示す如く、多数
の貫通孔１１は、基板面内にゴバン目状に配列
し、かつセグメント２３と２４とは交互に、基板
面内をジグザグ状に延長するように連結するのが
好ましい。すなわち、図示した好ましい態様で
は、図の一番左一番上に配置したセグメント２４
は直ぐ下のセグメント２３と連結されている。両
セグメント間の外部から見える接合線２５は基板
の裏面（第２図）に現われる。このセグメント２
３は、その直ぐ下のセグメント２４と連結されて
いるのであるが、この場合両セグメント間の外部
から見える接合線２５は基板の表側（第１図）に
現われる。このような連結を繰返えし、基板の一
番左一番下に配置したセグメント２３に到る。こ
のセグメント２３はその直ぐ右のセグメント２４
に連結されている。次いでセグメントの連結線は
基板面内をＹ方向に上昇する。このようにして多
数のセグメント２３および２４は、基板面内をＹ
方向に上下しながらＸ方向にジグザグ状に延長す
る如く、交互に連結され、基板の一番右一番上に
配置したセグメント２３に到る。このように配列
すると、適宜の位置でＹ方向たとえば第１図のＺ
−Ｚ線に沿つて截断して使用できる利点がある。
なお、一番端のセグメントは、導線５により電圧
計（図示しない）の端子に接線される。
て得られた熱電堆の一例を示す表面図であり、そ
して第２図はその裏面図である。第３図は第１図
の線−に沿つた断面の拡大端面図であり、そ
して第４図は第１図の線−に沿つた断面の拡
大端面図である。本発明によつて得られた熱電堆
は、熱電対２を構成する一方の金属のセグメント
２３と他方の金属のセグメント２４とが、基板１
に担持されながら、多数交互に連結されてなる。
第３図からわかる如く、一方の金属のセグメント
２３は、基板１の一方の面の側にメツキされた部
分２３′と、基板１の他方の面の側にメツキされ
た部分２３″と、これらの部分２３′および２３″
を連通する基板に形成された貫通孔１１の内壁に
沿つてメツキされた部分２３とからなる。他方
の金属のセグメント２４も、基板の一方の面の側
にメツキされた部分２４′と、基板の他方の面の
側にメツキされた部分２４″と、これらの部分２
４′および２４″を連通する基板に形成された貫通
孔１１の内壁に沿つてメツキされた部分２４と
からなる。第１図および第２図に示す如く、多数
の貫通孔１１は、基板面内にゴバン目状に配列
し、かつセグメント２３と２４とは交互に、基板
面内をジグザグ状に延長するように連結するのが
好ましい。すなわち、図示した好ましい態様で
は、図の一番左一番上に配置したセグメント２４
は直ぐ下のセグメント２３と連結されている。両
セグメント間の外部から見える接合線２５は基板
の裏面（第２図）に現われる。このセグメント２
３は、その直ぐ下のセグメント２４と連結されて
いるのであるが、この場合両セグメント間の外部
から見える接合線２５は基板の表側（第１図）に
現われる。このような連結を繰返えし、基板の一
番左一番下に配置したセグメント２３に到る。こ
のセグメント２３はその直ぐ右のセグメント２４
に連結されている。次いでセグメントの連結線は
基板面内をＹ方向に上昇する。このようにして多
数のセグメント２３および２４は、基板面内をＹ
方向に上下しながらＸ方向にジグザグ状に延長す
る如く、交互に連結され、基板の一番右一番上に
配置したセグメント２３に到る。このように配列
すると、適宜の位置でＹ方向たとえば第１図のＺ
−Ｚ線に沿つて截断して使用できる利点がある。
なお、一番端のセグメントは、導線５により電圧
計（図示しない）の端子に接線される。
基板１は、熱抵抗性非導電性でなければならな
い。また、熱電堆の応力担持部材として機能でき
るに十分な機械強度をもたなければならない。こ
の目的のためには、繊維質シートに耐熱性非導電
性の熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグを、場合
によつては積層して、硬化したもの、たとえばガ
ラス繊維強化エポキシ樹脂板、同積層板、ガラス
繊維強化不飽和ポリエステル樹脂板、同積層板、
紙−フエノール樹脂積層板その他これに類するも
のが適切である。両面に銅箔がクラツドされた銅
張積層板も使用できる。なお、この基板１は１な
いし数mmの上述の如き板が一般的に用いられる
が、これより薄いシート状のものあるいはフイル
ム状のものでも差支えない。
い。また、熱電堆の応力担持部材として機能でき
るに十分な機械強度をもたなければならない。こ
の目的のためには、繊維質シートに耐熱性非導電
性の熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグを、場合
によつては積層して、硬化したもの、たとえばガ
ラス繊維強化エポキシ樹脂板、同積層板、ガラス
繊維強化不飽和ポリエステル樹脂板、同積層板、
紙−フエノール樹脂積層板その他これに類するも
のが適切である。両面に銅箔がクラツドされた銅
張積層板も使用できる。なお、この基板１は１な
いし数mmの上述の如き板が一般的に用いられる
が、これより薄いシート状のものあるいはフイル
ム状のものでも差支えない。
熱電対ユニツト２を構成する金属の組合せとし
ては、一方をニツケル、他方を銅とするのが最も
好ましいが、これ以外の組合せとしても、たとえ
ば銀とニツケル、銅とコンスタンタン、鉄とコン
スタンタンおよび鉄とニツケルを挙げることがで
きる。これらの金属のメツキ層は、単一層として
形成されることが好ましいが、メツキの手順から
下地にこれと異なる金属が形成されていても構わ
ない。しかしながら、この下地の異種金属の影響
を極力小さくするために、下地の金属の厚さをで
きるだけ薄くするかあるいは表層のメツキ層を相
対的に厚くする方策をとることが望ましい。
ては、一方をニツケル、他方を銅とするのが最も
好ましいが、これ以外の組合せとしても、たとえ
ば銀とニツケル、銅とコンスタンタン、鉄とコン
スタンタンおよび鉄とニツケルを挙げることがで
きる。これらの金属のメツキ層は、単一層として
形成されることが好ましいが、メツキの手順から
下地にこれと異なる金属が形成されていても構わ
ない。しかしながら、この下地の異種金属の影響
を極力小さくするために、下地の金属の厚さをで
きるだけ薄くするかあるいは表層のメツキ層を相
対的に厚くする方策をとることが望ましい。
本発明の方法においては、メツキ技法およびフ
オトエツチング技法を駆使して、前記の熱電堆を
高生産性で製造できる信頼できる方法を提供す
る。
オトエツチング技法を駆使して、前記の熱電堆を
高生産性で製造できる信頼できる方法を提供す
る。
本発明による一つの方法では、熱電対を構成す
る一方の金属のセグメントと他方の金属のセグメ
ントとを多数交互に連結してなる熱電堆であつ
て、前記各セグメントは熱抵抗性非導電性基板の
一方の面の側にメツキされた部分と前記基板の他
方の面の側にメツキされた部分と前記両部分を連
通する前記基板に形成された貫通孔の内壁に沿つ
てメツキされた部分とからなる熱電堆を製造する
にあたり、 熱抵抗性非導電性基板に多数の貫通孔を所定
の位置に形成し、 それらの貫通孔の内壁上および当該基板の両
面上に無電解メツキを施し、 当該無電解メツキ層の全面に前記一方の金属
のメツキを施し、 当該一方の金属のメツキ層上に、前記他方の
金属のセグメントの基板の面に形成されるべき
部分および当該部分に開口するメツキの形成さ
れた貫通孔の開孔に相当する区域以外を被覆す
るメツキレジストを形成し、 当該メツキレジストをマスクとして前記他方
の金属のメツキを施し、 当該メツキレジストを除去し、 当該両金属の複合メツキ層上に、前記両金属
のセグメントの基板の面に形成されるべき部分
および当該部分に開口するメツキの形成された
貫通孔の開孔のみを被覆するエツチングレジス
トを形成し、 当該エツチングレジストをマスクとしてエツ
チングを施し、そして 当該エツチングレジストを除去する。
る一方の金属のセグメントと他方の金属のセグメ
ントとを多数交互に連結してなる熱電堆であつ
て、前記各セグメントは熱抵抗性非導電性基板の
一方の面の側にメツキされた部分と前記基板の他
方の面の側にメツキされた部分と前記両部分を連
通する前記基板に形成された貫通孔の内壁に沿つ
てメツキされた部分とからなる熱電堆を製造する
にあたり、 熱抵抗性非導電性基板に多数の貫通孔を所定
の位置に形成し、 それらの貫通孔の内壁上および当該基板の両
面上に無電解メツキを施し、 当該無電解メツキ層の全面に前記一方の金属
のメツキを施し、 当該一方の金属のメツキ層上に、前記他方の
金属のセグメントの基板の面に形成されるべき
部分および当該部分に開口するメツキの形成さ
れた貫通孔の開孔に相当する区域以外を被覆す
るメツキレジストを形成し、 当該メツキレジストをマスクとして前記他方
の金属のメツキを施し、 当該メツキレジストを除去し、 当該両金属の複合メツキ層上に、前記両金属
のセグメントの基板の面に形成されるべき部分
および当該部分に開口するメツキの形成された
貫通孔の開孔のみを被覆するエツチングレジス
トを形成し、 当該エツチングレジストをマスクとしてエツ
チングを施し、そして 当該エツチングレジストを除去する。
第５図ＡないしＩは、前記方法の工程を説明す
るための拡大端面図である。第５図Ａは、両面に
銅箔２１が形成された厚さ1.6mmのガラス繊維強
化エポキシ樹脂基板１に0.7mmφの貫通孔１１を
形成した状態を示している。次にこの基板１に無
電解銅メツキを施し、貫通孔１１の内壁を含めて
基板１の全面に無電解銅２２を析出させる。（第
５図Ｂ）この無電解銅メツキは、既知の方法例え
ば脱脂工程や触媒化工程の前処理工程を経て行な
われる。なお、この工程におけるメツキは無電解
銅メツキが一般的である。引続きこの無電解銅メ
ツキ層２２の上に、一方の金属としてニツケルメ
ツキ層２３を形成させる（第５図ｃ）が、この場
合前処理として硫酸処理を施したのち、たとえば
スルフアミン酸ニツケルを主体とするメツキ浴に
浸漬しニツケルメツキを行なう。次に、他方の金
属すなわち銅メツキを所要部分にだけ形成させる
ためのメツキレジスト３を形成する。メツキレジ
ストとしては、たとえばデユポン社の感光樹脂
「リストン」を使用できる。このメツキレジス
ト３は、第５図Ｄに示すように銅メツキを施した
くない部分だけを覆うように形成するが、これに
はまず第５図Ｃの状態にある基板の両表面に、感
光樹脂フイルム層あるいはゼラチン膜を形成し、
この上に所望のパターンを表わした写真フイルム
を載せて露光し、未感光部分を有機溶剤たとえば
トリクロルエタンで溶出する。したがつて、第５
図Ｄのメツキレジスト３はパターンに合致するよ
うに感光されて硬化した膜からなつている。この
ような状態になつた基板を、脱脂工程、加硫安処
理工程および硫酸処理工程の前処理を施したの
ち、ピロリン酸銅系のメツキ浴あるいは硫酸銅系
のメツキ浴に浸漬し、電気銅メツキを施す。この
銅メツキを施すと、第５図Ｅの如くニツケルメツ
キ層２３が露出している部分にのみ銅メツキ層２
４が形成されることとなる。次に、第５図Ｄの工
程で形成したメツキレジスト３を、しかるべき有
機溶剤、たとえば二塩化メチレン系のもので溶解
して除去する（第５図Ｆ）。次に一方および他方
の金属の不要部分を除去する。これにはまず第５
図Ｇの如く、上述したメツキレジスト３と同様な
エツチングレジスト４を形成する。このエツチン
グレジスト４は、エツチングによつて除去したく
ない部分を覆うようにし、次いでしかるべきエツ
チング液たとえば塩化第二鉄溶液によつてエツチ
ングすると、エツチングレジストの無い部分の金
属が全て溶出され、第５図Ｈの如く基板の不連続
部分１０が形成される。最後に上記のエツチング
レジスト４を除去し、第５図Ｉの如き熱電堆を製
作する。この第５図Ｉは第３図と同じ状態の図で
あり、これらは第１図−部分の拡大断面図で
ある。なお、この熱電堆は、必要に応じて両表面
に保護層が形成され、さらに外形加工等が施され
る。
るための拡大端面図である。第５図Ａは、両面に
銅箔２１が形成された厚さ1.6mmのガラス繊維強
化エポキシ樹脂基板１に0.7mmφの貫通孔１１を
形成した状態を示している。次にこの基板１に無
電解銅メツキを施し、貫通孔１１の内壁を含めて
基板１の全面に無電解銅２２を析出させる。（第
５図Ｂ）この無電解銅メツキは、既知の方法例え
ば脱脂工程や触媒化工程の前処理工程を経て行な
われる。なお、この工程におけるメツキは無電解
銅メツキが一般的である。引続きこの無電解銅メ
ツキ層２２の上に、一方の金属としてニツケルメ
ツキ層２３を形成させる（第５図ｃ）が、この場
合前処理として硫酸処理を施したのち、たとえば
スルフアミン酸ニツケルを主体とするメツキ浴に
浸漬しニツケルメツキを行なう。次に、他方の金
属すなわち銅メツキを所要部分にだけ形成させる
ためのメツキレジスト３を形成する。メツキレジ
ストとしては、たとえばデユポン社の感光樹脂
「リストン」を使用できる。このメツキレジス
ト３は、第５図Ｄに示すように銅メツキを施した
くない部分だけを覆うように形成するが、これに
はまず第５図Ｃの状態にある基板の両表面に、感
光樹脂フイルム層あるいはゼラチン膜を形成し、
この上に所望のパターンを表わした写真フイルム
を載せて露光し、未感光部分を有機溶剤たとえば
トリクロルエタンで溶出する。したがつて、第５
図Ｄのメツキレジスト３はパターンに合致するよ
うに感光されて硬化した膜からなつている。この
ような状態になつた基板を、脱脂工程、加硫安処
理工程および硫酸処理工程の前処理を施したの
ち、ピロリン酸銅系のメツキ浴あるいは硫酸銅系
のメツキ浴に浸漬し、電気銅メツキを施す。この
銅メツキを施すと、第５図Ｅの如くニツケルメツ
キ層２３が露出している部分にのみ銅メツキ層２
４が形成されることとなる。次に、第５図Ｄの工
程で形成したメツキレジスト３を、しかるべき有
機溶剤、たとえば二塩化メチレン系のもので溶解
して除去する（第５図Ｆ）。次に一方および他方
の金属の不要部分を除去する。これにはまず第５
図Ｇの如く、上述したメツキレジスト３と同様な
エツチングレジスト４を形成する。このエツチン
グレジスト４は、エツチングによつて除去したく
ない部分を覆うようにし、次いでしかるべきエツ
チング液たとえば塩化第二鉄溶液によつてエツチ
ングすると、エツチングレジストの無い部分の金
属が全て溶出され、第５図Ｈの如く基板の不連続
部分１０が形成される。最後に上記のエツチング
レジスト４を除去し、第５図Ｉの如き熱電堆を製
作する。この第５図Ｉは第３図と同じ状態の図で
あり、これらは第１図−部分の拡大断面図で
ある。なお、この熱電堆は、必要に応じて両表面
に保護層が形成され、さらに外形加工等が施され
る。
本発明による他の一つの方法では熱電対を構成
する一方の金属のセグメントと他方の金属のセグ
メントとを多数交互に連結してなる熱電堆であつ
て、前記各セグメントは熱抵抗性非導電性基板の
一方の面の側にメツキされた部分と前記基板の他
方の面の側にメツキされた部分と前記両部分を連
通する前記基板に形成された貫通孔の内壁に沿つ
てメツキされた部分とからなる熱電堆を製造する
にあたり、 熱抵抗性非導電性基板に多数の貫通孔を所定
の位置に形成し、 それらの貫通孔の内壁上および当該基板の両
面上に無電解メツキを施し、 当該無電解メツキ層の全面に前記一方の金属
のメツキを施し、 当該一方の金属のメツキ層の全面に前記他方
の金属のメツキを施し、 当該両金属の複合メツキ層上に、前記両金属
のセグメントの基板の面に形成されるべき部分
および当該部分に開口するメツキの形成された
貫通孔の開孔のみを被覆する第一のエツチング
レジストを形成し、 当該、第一のエツチングレジストをマスクと
してエツチングを施し、 当該第一のエツチングレジストを除去し、 残つた複合メツキ層上に、前記他方の金属の
セグメントの基板の面に形成されるべき部分お
よび当該部分に開口するメツキの形成された貫
通孔の開孔に相当する区域を被覆する第二のエ
ツチングレジストを形成し、 当該第二のエツチングレジストをマスクとし
てエツチングを施しこれにより前記一方の金属
を所定のところで露出させて、そして 当該第二のエツチングレジストを除去する。
する一方の金属のセグメントと他方の金属のセグ
メントとを多数交互に連結してなる熱電堆であつ
て、前記各セグメントは熱抵抗性非導電性基板の
一方の面の側にメツキされた部分と前記基板の他
方の面の側にメツキされた部分と前記両部分を連
通する前記基板に形成された貫通孔の内壁に沿つ
てメツキされた部分とからなる熱電堆を製造する
にあたり、 熱抵抗性非導電性基板に多数の貫通孔を所定
の位置に形成し、 それらの貫通孔の内壁上および当該基板の両
面上に無電解メツキを施し、 当該無電解メツキ層の全面に前記一方の金属
のメツキを施し、 当該一方の金属のメツキ層の全面に前記他方
の金属のメツキを施し、 当該両金属の複合メツキ層上に、前記両金属
のセグメントの基板の面に形成されるべき部分
および当該部分に開口するメツキの形成された
貫通孔の開孔のみを被覆する第一のエツチング
レジストを形成し、 当該、第一のエツチングレジストをマスクと
してエツチングを施し、 当該第一のエツチングレジストを除去し、 残つた複合メツキ層上に、前記他方の金属の
セグメントの基板の面に形成されるべき部分お
よび当該部分に開口するメツキの形成された貫
通孔の開孔に相当する区域を被覆する第二のエ
ツチングレジストを形成し、 当該第二のエツチングレジストをマスクとし
てエツチングを施しこれにより前記一方の金属
を所定のところで露出させて、そして 当該第二のエツチングレジストを除去する。
第６図ＡないしＪは、この方法の工程を説明す
るための拡大端面図である。第６図Ａないし第６
図Ｃは第５図ＡないしＣと同じ工程、すなわち第
６図Ａが銅箔２１を接合してある基板１に貫通孔
１１を形成する工程、第６図Ｂが無電箇銅メツキ
２２を形成する工程、第６図Ｃがさらに一方の金
属であるニツケル２３を電気メツキによつて形成
する工程をそれぞれ示している。次いで、この方
法ではニツケルメツキ層２３の全面に、他方の金
属である銅２４を電気銅メツキ法によつて形成す
る（第６図Ｄ）。次にこれらの金属の不要部分を
除去するためのエツチングレジストを形成し（第
６図Ｅ）、引続きエツチングを行ない不連続部分
１０を形成（第６図Ｆ）し、さらにこのエツチン
グレジスト４を除去する（第６図Ｃ）。続いて他
方の金属である銅メツキ層２４のうち不要な部分
を除去するために、これに相当するパターンにエ
ツチングレジスト４を形成し（第６図Ｈ）、しか
るべきエツチング液たとえばアンモニア系アルカ
リエツチヤントまたは過硫酸アンモン系エツチヤ
ントで銅の所定部分だけを除去する。この状態で
は第６図Ｉの如く銅を除去した部分に一方の金属
であるニツケルメツキ層２３が露出し、第６図Ｊ
の如くエツチングレジスト４を除去することによ
つて、第４図と同様の熱電堆が得られる。なお、
第６図Ｊは第１図−線部分の拡大端面図を示
している。この方法の場合も、最後に必要に応じ
て保護層の形成、外形加工が施される。
るための拡大端面図である。第６図Ａないし第６
図Ｃは第５図ＡないしＣと同じ工程、すなわち第
６図Ａが銅箔２１を接合してある基板１に貫通孔
１１を形成する工程、第６図Ｂが無電箇銅メツキ
２２を形成する工程、第６図Ｃがさらに一方の金
属であるニツケル２３を電気メツキによつて形成
する工程をそれぞれ示している。次いで、この方
法ではニツケルメツキ層２３の全面に、他方の金
属である銅２４を電気銅メツキ法によつて形成す
る（第６図Ｄ）。次にこれらの金属の不要部分を
除去するためのエツチングレジストを形成し（第
６図Ｅ）、引続きエツチングを行ない不連続部分
１０を形成（第６図Ｆ）し、さらにこのエツチン
グレジスト４を除去する（第６図Ｃ）。続いて他
方の金属である銅メツキ層２４のうち不要な部分
を除去するために、これに相当するパターンにエ
ツチングレジスト４を形成し（第６図Ｈ）、しか
るべきエツチング液たとえばアンモニア系アルカ
リエツチヤントまたは過硫酸アンモン系エツチヤ
ントで銅の所定部分だけを除去する。この状態で
は第６図Ｉの如く銅を除去した部分に一方の金属
であるニツケルメツキ層２３が露出し、第６図Ｊ
の如くエツチングレジスト４を除去することによ
つて、第４図と同様の熱電堆が得られる。なお、
第６図Ｊは第１図−線部分の拡大端面図を示
している。この方法の場合も、最後に必要に応じ
て保護層の形成、外形加工が施される。
いずれの製造方法を採用するかは目的に応じて
決められる。
決められる。
本発明は以上詳述した如き構成からなるもので
あるから、得られた熱電堆は基板に対し金属のメ
ツキ層が形成されてなるため強度的に安定してい
ると共に、メツキ厚も比較的均質で精度の良い熱
電堆が得られ、その熱電対ユニツトのパターンの
配列、粗密の程度も任意に変えることができ、し
かもメツキ処法によつて性能の安定した製品を効
率よく製造できる利点がある。
あるから、得られた熱電堆は基板に対し金属のメ
ツキ層が形成されてなるため強度的に安定してい
ると共に、メツキ厚も比較的均質で精度の良い熱
電堆が得られ、その熱電対ユニツトのパターンの
配列、粗密の程度も任意に変えることができ、し
かもメツキ処法によつて性能の安定した製品を効
率よく製造できる利点がある。
第１図は本発明の方法によつて得られた熱電堆
の表面図、第２図はその裏面図、第３図は第１図
−線断面の拡大端面図、第４図は第１図−
線断面の拡大端面図、第５図Ａ〜Ｉは本発明の
一つの製造方法の工程を説明する拡大図で、Ａ
銅箔を接着した基板へ貫通孔を形成した状態を示
す端面図、Ｂ 貫通孔も含めて無電解銅メツキを
施した状態を示す端面図、Ｃ Niメツキを施し
た状態を示す端面図、Ｄ メツキレジストを形成
した状態を示す端面図、Ｅ Cuメツキを施した
状態を示す端面図、Ｆ メツキレジストを除去し
た状態を示す端面図、Ｇ エツチングレジストを
形成した状態を示す端面図、Ｈ エツチングを施
した状態を示す端面図、Ｉ エツチングレジスト
を除去した状態を示す端面図、第６図Ａ〜Ｊは本
発明のいま一つの製造方法の工程を説明する断面
図で、Ａ 銅箔を接着した基板へ貫通孔を施した
状態を示す端面図、Ｂ 貫通孔も含めて無電解銅
メツキを施した状態を示す端面図、Ｃ Niメツ
キを施した状態を示す端面図、Ｄ Cuメツキを
施した状態を示す端面図、Ｅ エツチングレジス
トを形成した状態を示す端面図、Ｆ エツチング
を施した状態を示す端面図、Ｇ エツチングレジ
ストを除去した状態を示す端面図、Ｈ （Cu除
去用の）エツチングレジストを形成した状態を示
す端面図、Ｉ エツチングを施した状態を示す端
面図、Ｊ エツチングレジストを除去した状態を
示す端面図である。 １……基板、２……熱電対ユニツト、３……メ
ツキレジスト、４……エツチングレジスト、１１
……貫通孔、２１……銅箔、２２……無電解銅メ
ツキ層、２３……一方の金属のメツキ層、２４…
…他方の金属のメツキ層。
の表面図、第２図はその裏面図、第３図は第１図
−線断面の拡大端面図、第４図は第１図−
線断面の拡大端面図、第５図Ａ〜Ｉは本発明の
一つの製造方法の工程を説明する拡大図で、Ａ
銅箔を接着した基板へ貫通孔を形成した状態を示
す端面図、Ｂ 貫通孔も含めて無電解銅メツキを
施した状態を示す端面図、Ｃ Niメツキを施し
た状態を示す端面図、Ｄ メツキレジストを形成
した状態を示す端面図、Ｅ Cuメツキを施した
状態を示す端面図、Ｆ メツキレジストを除去し
た状態を示す端面図、Ｇ エツチングレジストを
形成した状態を示す端面図、Ｈ エツチングを施
した状態を示す端面図、Ｉ エツチングレジスト
を除去した状態を示す端面図、第６図Ａ〜Ｊは本
発明のいま一つの製造方法の工程を説明する断面
図で、Ａ 銅箔を接着した基板へ貫通孔を施した
状態を示す端面図、Ｂ 貫通孔も含めて無電解銅
メツキを施した状態を示す端面図、Ｃ Niメツ
キを施した状態を示す端面図、Ｄ Cuメツキを
施した状態を示す端面図、Ｅ エツチングレジス
トを形成した状態を示す端面図、Ｆ エツチング
を施した状態を示す端面図、Ｇ エツチングレジ
ストを除去した状態を示す端面図、Ｈ （Cu除
去用の）エツチングレジストを形成した状態を示
す端面図、Ｉ エツチングを施した状態を示す端
面図、Ｊ エツチングレジストを除去した状態を
示す端面図である。 １……基板、２……熱電対ユニツト、３……メ
ツキレジスト、４……エツチングレジスト、１１
……貫通孔、２１……銅箔、２２……無電解銅メ
ツキ層、２３……一方の金属のメツキ層、２４…
…他方の金属のメツキ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 熱電対を構成する一方の金属のセグメントと
他方の金属のセグメントとを多数交互に連結して
なる熱電堆であつて、前記各セグメントは熱抵抗
性非導電性基板の一方の面の側にメツキされた部
分と前記基板の他方の面の側にメツキされた部分
と前記両部分を連通する前記基板に形成された貫
通孔の内壁に沿つてメツキされた部分とからなる
熱電堆を製造するにあたり、 熱抵抗性非導電性基板に多数の貫通孔を所定
の位置に形成し、 それらの貫通孔の内壁上および当該基板の両
面上に無電解メツキを施し、 当該無電解メツキ層の全面に前記一方の金属
のメツキを施し、 当該一方の金属のメツキ層上に、前記他方の
金属のセグメントの基板の面に形成されるべき
部分および当該部分に開口するメツキの形成さ
れた貫通孔の開孔に相当する区域以外を被覆す
るメツキレジストを形成し、 当該メツキレジストをマスクとして前記他方
の金属のメツキを施し、 当該メツキレジストを除去し、 当該両金属の複合メツキ層上に、前記両金属
のセグメントの基板の面に形成されるべき部分
および当該部分に開口するメツキの形成された
貫通孔の開孔のみを被覆するエツチングレジス
トを形成し、 当該エツチングレジストをマスクとしてエツ
チングを施し、そして 当該エツチングレジストを除去することを特
徴とする熱電堆の製造法。 ２ 前記一方の金属がニツケルで他方の金属が銅
である特許請求の範囲第１項記載の熱電堆の製造
法。 ３ 熱電対を構成する一方の金属のセグメントと
他方の金属のセグメントとを多数交互に連結して
なる熱電堆であつて、前記各セグメントは熱抵抗
性非導電性基板の一方の面の側にメツキされた部
分と前記基板の他方の面の側にメツキされた部分
と前記両部分を連通する前記基板に形成された貫
通孔の内壁に沿つてメツキされた部分とからなる
熱電堆を製造するにあたり、 熱抵抗性非導電性基板に多数の貫通孔を所定
の位置に形成し、 それらの貫通孔の内壁上および当該基板の両
面上に無電解メツキを施し、 当該無電解メツキ層の全面に前記一方の金属
のメツキを施し、 当該一方の金属のメツキ層の全面に前記他方
の金属のメツキを施し、 当該両金属の複合メツキ層上に、前記両金属
のセグメントの基板の面に形成されるべき部分
および当該部分に開口するメツキの形成された
貫通孔の開孔のみを被覆する第一のエツチング
レジストを形成し、 当該第一のエツチングレジストをマスクとし
てエツチングを施し、 当該第一のエツチングレジストを除去し、 残つた複合メツキ層上に、前記他方の金属の
セグメントの基板の面に形成されるべき部分お
よび当該部分に開口するメツキの形成された貫
通孔の開孔に相当する区域を被覆する第二のエ
ツチングレジストを形成し、 当該第二のエツチングレジストをマスクとし
てエツチングを施しこれにより前記一方の金属
を所定のところで露出させ、そして 当該第二のエツチングレジストを除去するこ
とを特徴とする熱電堆の製造法。 ４ 前記一方の金属がニツケルで他方の金属が銅
である特許請求の範囲第３項記載の熱電堆の製造
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14946479A JPS5672321A (en) | 1979-11-20 | 1979-11-20 | Radiation thermocouple and its manufacture |
| US06/206,257 US4343960A (en) | 1979-11-20 | 1980-11-12 | Thermopile and process for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14946479A JPS5672321A (en) | 1979-11-20 | 1979-11-20 | Radiation thermocouple and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5672321A JPS5672321A (en) | 1981-06-16 |
| JPS6138810B2 true JPS6138810B2 (ja) | 1986-09-01 |
Family
ID=15475695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14946479A Granted JPS5672321A (en) | 1979-11-20 | 1979-11-20 | Radiation thermocouple and its manufacture |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4343960A (ja) |
| JP (1) | JPS5672321A (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58118924A (ja) * | 1982-01-09 | 1983-07-15 | Kensetsusho Kenchiku Kenkyu Shocho | 熱流放射計パネル |
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