JPS6140100B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 従来、半導体素子製造に使われているフオトマ
スクは、ガラス基板の面と面の角縁を砥石等を使
つていわゆる面取り加工を行なうことと基板面
に、クローム及び酸化クロームの薄膜から成るフ
オトマスクを形成することとから成る基板の加工
が行なわれているが、近年フオトマスクに対して
は、益々、高精度微細なパターンを高能率、確実
に得られるものが要求され、このためには、フオ
トマスクのピンホール数は極力減らさねばならな
い。しかし乍ら、従来のガラス基板の上記加工法
では、検査基準以上のピンホールができ不合格品
が多く発生する傾向があり、上記要求を満足する
フオトフイルムを備えた基板を得ることは極めて
困難である。

本発明は、かゝる基板加工に於いて生ずるピン
ホールの発生原因を究明し、これに基き、ピンホ
ールの発生が著しく減少することを目的としたフ
オトマスク基板の加工法を提供するもので、フオ
トマスク基板に面取り加工を行なう工程と該基板
面にフオトマスクを形成する工程とから成るフオ
トマスク基板の加工法に於て、該フオトフイルム
形成工程に先立ち、マイクロクラツクを構成する
多数の微細な突起を有する面取り加工面を被覆材
で被覆することを特徴とする。次に、本発明につ
き詳細に説明する。

従来、カラス基板の四側面と上下面との角に面
取り加工を行ない、次で洗浄してフオトマスクを
形成すべき面を浄化後、フオトマスクを該面に形
成する基板加工が行なわれているが、フオトマス
クに基準以上のピンホールの数や大きさをもつも
のがしばしば発生した。本発明者は、この原因を
追究していたが、次の事実を知見した。即ち、該
ガラス基板に従来の方法で砥石を使用して面取り
加工すると該加工面には、砥石研摩により無数の
せん細なガラス突起によるマイクロクラツクが生
成していることが顕微鏡により観察されると共に
このマイクロクラツクを構成している微細なガラ
ス突起は、基板のフオトマスクを施す面を浄化す
るべく、充分な洗浄処理工程を経てさえ、残存す
るばかりか、その後の乾燥、運搬その他の取り扱
いの過程や被覆工程等においてこれら微細なガラ
ス突起は折損してその砕粉微片が基板の被覆処理
すべき面に転移存在する状態がつくり出される事
実が分り、これがピンホールを構成する１つの大
きい原因であることが判明した。本発明者はかゝ
る知見に基き、特にそのフオトマスク形成処理に
先立ち、かゝる破壊し易い微細なガラス突起の塗
膜による被覆処理を行なうときは、極めて著しく
ピンホールの生成を減少し得られ、従来に比し不
良品の発生の減少、従て、製品の歩溜りの著しい
向上をもたらすことを見出した。而してその塗膜
の被覆形成処理としては、面取り加工面に対し、
(i)ペースト、合成樹脂液等の塗布処理、(ii)金属又
は金属酸化物の蒸着による蒸着膜の形成処理、(iii)
別個に作成した被覆材による被覆処理等である。

(i)の塗布処理は、ペーストや合成樹脂液の例え
ばシリコーンレジン、エポキシ系樹脂等の被覆塗
材を使用し、これを該面取り加工面全面に塗布、
乾燥し、該微細な無数のガラス突起面を被覆結着
する。(ii)の蒸着膜の形成は、クロム等の金属、金
属酸化物を適宜の真空蒸着装置により蒸着し、微
細なガラス突起を被覆する。

(iii)の別個に作成した被覆材による被覆処理は、
別個に作成した板状、溝枠状等の成形被覆材を基
板の面取り加工面に不動に貼着し、或は着脱自在
に嵌合被覆することである。

上記の被覆処理を行なつた後は、もはや微細な
突起は該被覆材によりその破壊による逸散移動は
防止されるので、その基板の表面にクローム及び
酸化クローム等の薄膜によるフオトマスクを形成
したとき、従来に比しピンホールの発生の全く或
は殆んどない良質の製品が歩溜まり良く得られ
る。

従来の処理基板のピンホール数を100とすれば
本法処理基板を用いることによつてその数を20〜
30に減少させることが可能である。

尚、上記消失処理後は、基板の洗浄処理を行な
うようにしてもよい。

図面で第１図は、本法の実施の１例により得ら
れた加工基板を示し、１はガラス基板、２はガラ
ス基板に従来のように砥石研摩による面取り加工
を施した後、塗膜形成処理してマイクロクラツク
を被覆保護する塗膜３を施された面取り加工面、
４はその表面に常法により施したクローム及び酸
化クロームから成る被膜のフオトマスクを示す。

第２図は、他の実施例を示し、基板１の周縁
に、第２図ａに示す如き断面コ字状の嵌合溝５ａ
を有する長手の溝枠被覆材５を第２図ｂのように
嵌合する方法である。その材料としては、可撓性
の肉薄軟材料からなり、金、銅、純アルミニウ
ム、鉛、テフロン等の合成樹脂等であり、その可
撓弾性で密嵌し且つ取りはづれ可能とし、繰り返
し使用できるようにすることが好ましい。該溝枠
の幅は例えば基板厚さより0.1mm程度小さく形成
し着脱自在に密嵌し得るようにする。このように
着脱自在の被覆材型とすれば、繰り返し使用出
来、又取り扱い時の衝撃を緩和し、基板の縁破損
等を良好に保護し得られ、有利である。

このようにして得られた薄板基板には、高精度
微細パターンを高能率、確実になし得られ、シリ
コンウエハとの集積密度の拡大をもたらした。こ
のように本発明によるときは、基板の面取り加工
面にマイクロクラツク面に対し被覆処理を施した
後、その表面にフオトマスク加工を施すようにし
たので、そのフオトマスクに生ずるピンホールは
著しく減少し、製品の歩溜りを著しく向上し得ら
れ、高精度パターン、高集積半導体素子の製造に
適用し得る加工基板をもたらす効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明加工法の１例により得られたフ
オトフイルム基板の１部を截除した斜面図、第２
図ａは他例に使用する被覆材の斜面図、第２図ｂ
は他例の截断側面図を示す。 １……ガラス基板、２……面取り加工面、３…
…保護塗膜、４……フオトマスク、５……溝枠被
覆材。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ フオトマスク基板に面取り加工を行なう工程
   と、該基板面にフオトマスクを形成する工程とか
   ら成るフオトマスク基板の加工法に於て、該フオ
   トフイルム形成工程に先立ち、マイクロクラツク
   を構成する多数の微細な突起を有する面取り加工
   面を被覆材で被覆することを特徴とするフオトマ
   スク基板の加工法。