JPS6142409B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6142409B2 JPS6142409B2 JP54161024A JP16102479A JPS6142409B2 JP S6142409 B2 JPS6142409 B2 JP S6142409B2 JP 54161024 A JP54161024 A JP 54161024A JP 16102479 A JP16102479 A JP 16102479A JP S6142409 B2 JPS6142409 B2 JP S6142409B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis direction
- amount
- mark
- scanning
- alignment mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は可変形状電子ビーム露光方法における
マーク位置検出方法に関する。
マーク位置検出方法に関する。
LSI、超LSIのごとく高密度に配置された微細
パターンを描画するには、半導体基板に電子ビー
ムで直接描画する直接露光法が特に高精度にパタ
ーンを形成できるので多く利用されている。
パターンを描画するには、半導体基板に電子ビー
ムで直接描画する直接露光法が特に高精度にパタ
ーンを形成できるので多く利用されている。
上記直接露光法では半導体基板上のチツプに形
成されている位置合せマークにより位置を検出し
た後に、所要パターンの露光処理を行う。紫外線
露光方法においても、注意深く位置合せマークに
よるマスク合せが行われているが、電子ビームに
よる直接露光法は遥かに高精度の位置合せを必要
とするので、電子ビームにより位置合せマークの
存在する領域を走査して反射電子信号を検知する
ことによりマーク位置を検出している。
成されている位置合せマークにより位置を検出し
た後に、所要パターンの露光処理を行う。紫外線
露光方法においても、注意深く位置合せマークに
よるマスク合せが行われているが、電子ビームに
よる直接露光法は遥かに高精度の位置合せを必要
とするので、電子ビームにより位置合せマークの
存在する領域を走査して反射電子信号を検知する
ことによりマーク位置を検出している。
それには第１図に示すようにアルミニウム
（Al）等を被着した円形位置合せマーク１を含む
正方形領域２を、微小正方形またはスポツト状の
電子ビーム３で走査し各走査点ごとの反射電子信
号量を検知し、これを電子計算機にマトリツクス
状に記憶せしめ、更に各行、各列ごとに前記反射
電子信号量の和を計算し、その和が最大になる位
置をＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれについて求
めることにより、前記円形位置合せマークの重心
位置の座標を検出する。
（Al）等を被着した円形位置合せマーク１を含む
正方形領域２を、微小正方形またはスポツト状の
電子ビーム３で走査し各走査点ごとの反射電子信
号量を検知し、これを電子計算機にマトリツクス
状に記憶せしめ、更に各行、各列ごとに前記反射
電子信号量の和を計算し、その和が最大になる位
置をＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれについて求
めることにより、前記円形位置合せマークの重心
位置の座標を検出する。
なお位置合せマークが被処理基板にエツチング
により形成した凹部である場合には、反射信号量
の和が最小になる位置を求める。
により形成した凹部である場合には、反射信号量
の和が最小になる位置を求める。
ところがこのようなマーク位置検出法では、Ｘ
軸方向及びＹ軸方向の走査点の数をｎとすると電
子計算機の扱う情報量はn2となり、ｎは通常200
以上を必要とするので情報量は膨大なものとな
り、計算機処理時間も非常に大となる。
軸方向及びＹ軸方向の走査点の数をｎとすると電
子計算機の扱う情報量はn2となり、ｎは通常200
以上を必要とするので情報量は膨大なものとな
り、計算機処理時間も非常に大となる。
本発明は上記問題点を解消することを目的と
し、そのため本発明のマーク位置検出方法は、位
置合せマークを含む領域をスリツト状矩形ビーム
でＸ軸方向及びＹ軸方向に走査して各走査位置に
おける反射電子信号量を検知し、該反射電子信号
量が最大または最小になる位置の座標をＸ軸方向
及びＹ軸方向のそれぞれについて求めることによ
り前記位置合せマークの重心位置を検出すること
を特徴とする。
し、そのため本発明のマーク位置検出方法は、位
置合せマークを含む領域をスリツト状矩形ビーム
でＸ軸方向及びＹ軸方向に走査して各走査位置に
おける反射電子信号量を検知し、該反射電子信号
量が最大または最小になる位置の座標をＸ軸方向
及びＹ軸方向のそれぞれについて求めることによ
り前記位置合せマークの重心位置を検出すること
を特徴とする。
以下本発明を実施例により説明する。
第２図及び第３図は本発明のマーク位置検出方
法の実施例を示す要部上面図である。
法の実施例を示す要部上面図である。
第１図において、１はアルミニウム（Al）等
を被露光体表面に被着して形成した円形位置合せ
マーク、２は電子ビームで走査しようとする位置
合せマークを含む領域、１３はスリツト状の細長
い矩形形状の電子ビームを示す。このスリツト状
矩形はＹ軸方向の一辺の長さはできるだけ短かく
Ｘ軸方向の一辺の長さは前記円形位置合せマーク
１の直径より大きくする。また、X1，X2，…
…，Ｘo及びY1，Y2，……，ＹoはそれぞれＸ軸方
向及びＹ軸方向の走査位置の座標を示す。
を被露光体表面に被着して形成した円形位置合せ
マーク、２は電子ビームで走査しようとする位置
合せマークを含む領域、１３はスリツト状の細長
い矩形形状の電子ビームを示す。このスリツト状
矩形はＹ軸方向の一辺の長さはできるだけ短かく
Ｘ軸方向の一辺の長さは前記円形位置合せマーク
１の直径より大きくする。また、X1，X2，…
…，Ｘo及びY1，Y2，……，ＹoはそれぞれＸ軸方
向及びＹ軸方向の走査位置の座標を示す。
次に位置合せマークの位置を検出する方法につ
いて説明する。
いて説明する。
前述のマトリツクス状に配置された走査点
XiYj（ｉ，ｊ＝１，２，……，ｎ）を従来は微
小面積の電子ビームで一点づつ照射し、その各々
について反射電子信号量を検知した。
XiYj（ｉ，ｊ＝１，２，……，ｎ）を従来は微
小面積の電子ビームで一点づつ照射し、その各々
について反射電子信号量を検知した。
それに対し本実施例ではまずスリツト状矩形ビ
ーム１３でY1の行全体を照射し、その時の反射
電子信号量を検知し、記憶させる。この反射電子
信号量を検知記憶する方法は従来と何ら変る所は
ない。
ーム１３でY1の行全体を照射し、その時の反射
電子信号量を検知し、記憶させる。この反射電子
信号量を検知記憶する方法は従来と何ら変る所は
ない。
次いでY2の行全体にスリツト状矩形ビーム１
３を照射し反射電子信号量を検知，記憶する。以
下同様の操作をＹoの行まで行なう。
３を照射し反射電子信号量を検知，記憶する。以
下同様の操作をＹoの行まで行なう。
このようにスリツト状矩形ビーム１３で領域２
をＹ軸方向に走査し、Ｙ軸方向の各走査位置即ち
前記各行ごとの反射電子信号量を検知、記憶した
のち、第３図に示すようにＸ軸方向の巾が狭くＹ
軸方向に長いスリツト状矩形ビーム１３′で領域
２をＸ軸方向にX1からＸoまで順次走査し、前と
同様にＸ軸方向の各走査位置ごとの反射電子信号
量を検知、記憶する。
をＹ軸方向に走査し、Ｙ軸方向の各走査位置即ち
前記各行ごとの反射電子信号量を検知、記憶した
のち、第３図に示すようにＸ軸方向の巾が狭くＹ
軸方向に長いスリツト状矩形ビーム１３′で領域
２をＸ軸方向にX1からＸoまで順次走査し、前と
同様にＸ軸方向の各走査位置ごとの反射電子信号
量を検知、記憶する。
このようにして得られた各走行位置ごとの反射
電子信号量をＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに
ついて比較し、その最大になる位置の座標Xi、
及びYjを求めれば、座標（Xi，Yj）は前記位置
合せマーク１の重心の座標となる。
電子信号量をＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに
ついて比較し、その最大になる位置の座標Xi、
及びYjを求めれば、座標（Xi，Yj）は前記位置
合せマーク１の重心の座標となる。
本実施例では上述のごとく領域２をＸ軸方向及
びＹ軸方向に各ｎ回走査することによりマーク位
置を検出することができるので、処理する情報量
は2nとなり従来の２／ｎに減少し、それに比例
して計算機処理時間も著しく短縮される。
びＹ軸方向に各ｎ回走査することによりマーク位
置を検出することができるので、処理する情報量
は2nとなり従来の２／ｎに減少し、それに比例
して計算機処理時間も著しく短縮される。
上記実施例では位置合せマーク１をシリコン基
板のような被処理体表面にアルミニウム（Al）
等を被着して、被処理体表面より、位置合せマー
ク表面の方が反射電子信号量が大きくなるように
形成することにより反射電子信号量が最大になる
位置の座標を検出したが、これに代えて位置合せ
マークをエツチング法により被処理体表面を選択
的に除去して形成した円形の凹部としてもよく、
この場合には反射電子信号量が最小になる位置の
座標を検出する。
板のような被処理体表面にアルミニウム（Al）
等を被着して、被処理体表面より、位置合せマー
ク表面の方が反射電子信号量が大きくなるように
形成することにより反射電子信号量が最大になる
位置の座標を検出したが、これに代えて位置合せ
マークをエツチング法により被処理体表面を選択
的に除去して形成した円形の凹部としてもよく、
この場合には反射電子信号量が最小になる位置の
座標を検出する。
以上説明したごとく本発明によれば位置合せマ
ークを電子ビームで走査することによりマーク位
置を検出するに当り、電子ビームをスリツト状矩
形ビームとすることにより走査数、情報量及び計
算機処理時間を大巾に減少させることができる。
ークを電子ビームで走査することによりマーク位
置を検出するに当り、電子ビームをスリツト状矩
形ビームとすることにより走査数、情報量及び計
算機処理時間を大巾に減少させることができる。
第１図は従来の電子ビーム走査によるマーク位
置検出方法を示す要部上面図、第２図及び第３図
は本発明に係るスリツト状矩形電子ビームによる
マーク位置検出方法を示す要部上面図である。 １……位置合せマーク、２……走査領域、１
３，１３′……スリツト状矩形電子ビーム、X1，
X2，……，Ｘo……Ｘ軸方向の走査位置座標、
Y1，Y2，……，Ｙo……Ｙ軸方向の走査位置座
標、Xi，Yj，……反射電子信号量が最大になる
走査位置のＸ軸方向及びＹ軸方向の座標。
置検出方法を示す要部上面図、第２図及び第３図
は本発明に係るスリツト状矩形電子ビームによる
マーク位置検出方法を示す要部上面図である。 １……位置合せマーク、２……走査領域、１
３，１３′……スリツト状矩形電子ビーム、X1，
X2，……，Ｘo……Ｘ軸方向の走査位置座標、
Y1，Y2，……，Ｙo……Ｙ軸方向の走査位置座
標、Xi，Yj，……反射電子信号量が最大になる
走査位置のＸ軸方向及びＹ軸方向の座標。
Claims (1)
- １ 被露光体に設けられた位置合せマークを電子
ビームで走査することにより該位置合せマークの
位置検出を行うマーク位置検出方法において前記
位置合せマークを含む領域をスリツト状矩形ビー
ムでＸ軸方向及びＹ軸方向に走査して各走査位置
における反射電子信号量を検知し、該反射電子信
号量が最大または最小になる位置の座標をＸ軸方
向及びＹ軸方向のそれぞれについて求めることに
より前記位置合せマークの重心位置を検出するこ
とを特徴とするマーク位置検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16102479A JPS5683031A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Detecting method of mark position |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16102479A JPS5683031A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Detecting method of mark position |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5683031A JPS5683031A (en) | 1981-07-07 |
| JPS6142409B2 true JPS6142409B2 (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=15727129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16102479A Granted JPS5683031A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Detecting method of mark position |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5683031A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4942093A (en) * | 1988-09-09 | 1990-07-17 | Bridgestone/Firestone, Inc. | Adhesive system for bonding uncured rubber to cured polyurethane |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118778A (en) * | 1978-03-08 | 1979-09-14 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of detecting pattern |
| JPS562628A (en) * | 1979-06-20 | 1981-01-12 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of aligning position through charged beam |
-
1979
- 1979-12-12 JP JP16102479A patent/JPS5683031A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5683031A (en) | 1981-07-07 |
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