JPS6142848B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6142848B2 JPS6142848B2 JP4950278A JP4950278A JPS6142848B2 JP S6142848 B2 JPS6142848 B2 JP S6142848B2 JP 4950278 A JP4950278 A JP 4950278A JP 4950278 A JP4950278 A JP 4950278A JP S6142848 B2 JPS6142848 B2 JP S6142848B2
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- JP
- Japan
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- base material
- metal
- spraying
- sprayed
- sintering
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- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関す
る。 一般にタンタル，アルミニウム，ニオブなどの
弁作用を有する金属粉末を焼結してなる素子を用
いて製造される電解コンデンサは、小型大容量の
コンデンサとして広く使用されている。また、さ
らに小型大容量化を図るため、弁作用金属からな
る箔、板または線等の基材に基材と同一材料の弁
作用金属粉末を溶射させて電解コンデンサを製造
することが試みられている。しかしながら、上述
の溶射により被着された金属層は基材との密着強
度が弱くまた高温雰囲気中にて溶射を行なつてい
るため酸素及び電極金属（銅等）の不純物が溶射
金属と反応あるいは混入した状態で基材上に被着
金属層が形成される。 さらにこの被着金属層内部に歪を生じているこ
とがある。このため次工程で行なう誘電体層形成
の陽極酸化に悪影響を及ぼし良好な特性を得られ
ない等の欠点がある。 これらの欠点を除去するため、従来次のような
方法を施していた、(イ)被着金属層と基材との密着
強度を強めるため基材にあらかじめ拡面処理を施
しておく。(ロ)被着金属層と反応した多量の不純物
を除去するため酸、アルカリ洗浄を行なう。(ハ)被
着金属層と基材との内部にある歪を除去するため
焼鈍処理を行なう。等がとられていた。しかしこ
れらの従来方法では欠点を除去するには十分では
なく、また後処理に余分な工数が掛かりすぎるの
で量産化には不向きであつた。 本発明の目的は、これら従来方法による欠点を
除去しとくに陽極化特性の向上した固体電解コン
デンサの製造方法を提供することにある。 すなわち、本発明によれば弁作用金属基材に弁
作用金属粉末を溶射してのち高温真空焼結させて
コンデンサ素子を得ることを特徴とする固体電解
コンデンサの製造方法が得られる。とくに本発明
による固体電解コンデンサの製造方法はタンタル
アルミ，ニブ等の弁作用金属からなる箔，板また
は線等の基材の表面に基材と同一材料の弁作用金
属粉末を溶射させ、しかるのち、その金属溶射を
施した基材を高温真空中にて焼結し被着金属層表
面に陽極酸化皮膜を形成する工程を含んだことを
も特徴とする。 次に本発明を詳細に説明する。 まずタンタル，アルミニウム，ニオブ等の弁作
用金属からなる箔，板，または線等の基材に基材
と同一材料の陽極リード線を溶接あるいはかしめ
の如き方法で接続する。次にこの基材をアルコー
ルあるいはトリクロールエチレン等の洗浄液を用
いて脱脂洗浄を行なつた後、基材と同一材料の弁
作用金属粉末を基材の表面に溶射する。 溶射する方法はプラズマ溶射，アセチレン溶射
あるいはプロパン溶射等によるため、弁作用金属
粉末を、溶融または半溶融の状態で基材表面に衝
突させ瞬間的に基材に被着固化させて、空孔度の
高い金属層を形成させる。次に溶射して得られた
基材を真空熱処理炉にて焼結を行ない、この溶射
によつて生じた被着金属層の歪、粉末粒子の結合
不良、金属層と基材との密着不良および不純物増
大等の欠陥個所を除去させる。 弁作用金属がタンタルの場合には真空度
10-6Torr台の高真空熱処理炉中にて1500℃〜
1800℃の焼結温度で数分間乃至30分程度の焼結時
間で焼結を行なう。 この様に溶射された弁作用金属のもつ焼結特性
に合わせた焼結条件で行なうのがよい。 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。 まず第１図に示すように巾３mm×長さ90mm×厚
さ0.2mmのタンタルの基板１に直径0.17mmφ×長
さ８mmのタンタルの陽極リード線２を３mmピツチ
で抵抗溶接により接続する。次にこの基板１をト
リクロールエチレン洗浄液にて脱脂洗浄を行なつ
た後、第２図に示すようにプラズマ溶射によりタ
ンタル粉末を基板１の両面に溶射する。この時の
溶射条件は溶射ガンの内部温度は約20000℃で、
溶射ノズルの先端付近で5000℃〜10000℃の温度
であり、基板１の溶射ノズルとの距離は約10cmと
しタンタル粉末の供給量は約30ｇ／分、又基板１
への溶射時間は約１秒とすると基板１の表面に厚
さ200μ程度の被着金属層３を形成する。次に被
着金属層３を形成させた基板１を真空熱処理炉に
て真空度10-6Torr台、焼結温度1500℃で焼結時
間30分焼結する。 この後、第３図に示すように基板１を所要寸法
に切断しコンデンサ素子４を得る。次に周知の固
体電解コンデンサの製造方法に従い化成電圧70V
で陽極酸化して表面に誘電体層を形成し、さらに
半導体層焼付とグラフアイト焼付、銀ペースト焼
付によつて陰極層を順次形成した。 このようにして製造された本発明の方法による
固体電解コンデンサを従来方法による固体電解コ
ンデンサと比較した電気的特性を第１表に示す。
る。 一般にタンタル，アルミニウム，ニオブなどの
弁作用を有する金属粉末を焼結してなる素子を用
いて製造される電解コンデンサは、小型大容量の
コンデンサとして広く使用されている。また、さ
らに小型大容量化を図るため、弁作用金属からな
る箔、板または線等の基材に基材と同一材料の弁
作用金属粉末を溶射させて電解コンデンサを製造
することが試みられている。しかしながら、上述
の溶射により被着された金属層は基材との密着強
度が弱くまた高温雰囲気中にて溶射を行なつてい
るため酸素及び電極金属（銅等）の不純物が溶射
金属と反応あるいは混入した状態で基材上に被着
金属層が形成される。 さらにこの被着金属層内部に歪を生じているこ
とがある。このため次工程で行なう誘電体層形成
の陽極酸化に悪影響を及ぼし良好な特性を得られ
ない等の欠点がある。 これらの欠点を除去するため、従来次のような
方法を施していた、(イ)被着金属層と基材との密着
強度を強めるため基材にあらかじめ拡面処理を施
しておく。(ロ)被着金属層と反応した多量の不純物
を除去するため酸、アルカリ洗浄を行なう。(ハ)被
着金属層と基材との内部にある歪を除去するため
焼鈍処理を行なう。等がとられていた。しかしこ
れらの従来方法では欠点を除去するには十分では
なく、また後処理に余分な工数が掛かりすぎるの
で量産化には不向きであつた。 本発明の目的は、これら従来方法による欠点を
除去しとくに陽極化特性の向上した固体電解コン
デンサの製造方法を提供することにある。 すなわち、本発明によれば弁作用金属基材に弁
作用金属粉末を溶射してのち高温真空焼結させて
コンデンサ素子を得ることを特徴とする固体電解
コンデンサの製造方法が得られる。とくに本発明
による固体電解コンデンサの製造方法はタンタル
アルミ，ニブ等の弁作用金属からなる箔，板また
は線等の基材の表面に基材と同一材料の弁作用金
属粉末を溶射させ、しかるのち、その金属溶射を
施した基材を高温真空中にて焼結し被着金属層表
面に陽極酸化皮膜を形成する工程を含んだことを
も特徴とする。 次に本発明を詳細に説明する。 まずタンタル，アルミニウム，ニオブ等の弁作
用金属からなる箔，板，または線等の基材に基材
と同一材料の陽極リード線を溶接あるいはかしめ
の如き方法で接続する。次にこの基材をアルコー
ルあるいはトリクロールエチレン等の洗浄液を用
いて脱脂洗浄を行なつた後、基材と同一材料の弁
作用金属粉末を基材の表面に溶射する。 溶射する方法はプラズマ溶射，アセチレン溶射
あるいはプロパン溶射等によるため、弁作用金属
粉末を、溶融または半溶融の状態で基材表面に衝
突させ瞬間的に基材に被着固化させて、空孔度の
高い金属層を形成させる。次に溶射して得られた
基材を真空熱処理炉にて焼結を行ない、この溶射
によつて生じた被着金属層の歪、粉末粒子の結合
不良、金属層と基材との密着不良および不純物増
大等の欠陥個所を除去させる。 弁作用金属がタンタルの場合には真空度
10-6Torr台の高真空熱処理炉中にて1500℃〜
1800℃の焼結温度で数分間乃至30分程度の焼結時
間で焼結を行なう。 この様に溶射された弁作用金属のもつ焼結特性
に合わせた焼結条件で行なうのがよい。 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。 まず第１図に示すように巾３mm×長さ90mm×厚
さ0.2mmのタンタルの基板１に直径0.17mmφ×長
さ８mmのタンタルの陽極リード線２を３mmピツチ
で抵抗溶接により接続する。次にこの基板１をト
リクロールエチレン洗浄液にて脱脂洗浄を行なつ
た後、第２図に示すようにプラズマ溶射によりタ
ンタル粉末を基板１の両面に溶射する。この時の
溶射条件は溶射ガンの内部温度は約20000℃で、
溶射ノズルの先端付近で5000℃〜10000℃の温度
であり、基板１の溶射ノズルとの距離は約10cmと
しタンタル粉末の供給量は約30ｇ／分、又基板１
への溶射時間は約１秒とすると基板１の表面に厚
さ200μ程度の被着金属層３を形成する。次に被
着金属層３を形成させた基板１を真空熱処理炉に
て真空度10-6Torr台、焼結温度1500℃で焼結時
間30分焼結する。 この後、第３図に示すように基板１を所要寸法
に切断しコンデンサ素子４を得る。次に周知の固
体電解コンデンサの製造方法に従い化成電圧70V
で陽極酸化して表面に誘電体層を形成し、さらに
半導体層焼付とグラフアイト焼付、銀ペースト焼
付によつて陰極層を順次形成した。 このようにして製造された本発明の方法による
固体電解コンデンサを従来方法による固体電解コ
ンデンサと比較した電気的特性を第１表に示す。
【表】
なお本実施例では第１図の様なタンタル板で述
べたが第４図ａの如き箔あるいは第４図ｂの様な
線などの外形形状でも良い。 以上本発明により漏れ電流値が少なくかつ耐圧
の高い性能を有する固体電解コンデンサを得られ
る効果がある。さらに小型大容量コンデンサが従
来工法に比較し一層量産化が図れる。
べたが第４図ａの如き箔あるいは第４図ｂの様な
線などの外形形状でも良い。 以上本発明により漏れ電流値が少なくかつ耐圧
の高い性能を有する固体電解コンデンサを得られ
る効果がある。さらに小型大容量コンデンサが従
来工法に比較し一層量産化が図れる。
第１図は本発明の一実施例による基板を示す斜
視図、第２図は本発明による金属粉末溶射後の基
板の側断面図、第３図は本発明によるコンデンサ
素子の斜視図、第４図ａ，ｂは本発明による他の
実施例基板の斜視図。 １……基板、２……陽極リード線、３……被着
金属層、４……コンデンサ素子。
視図、第２図は本発明による金属粉末溶射後の基
板の側断面図、第３図は本発明によるコンデンサ
素子の斜視図、第４図ａ，ｂは本発明による他の
実施例基板の斜視図。 １……基板、２……陽極リード線、３……被着
金属層、４……コンデンサ素子。
Claims (1)
- １ 弁作用金属からなる基材の表面に該基材と同
一材料の弁作用金属粉末を溶射する工程と、しか
るのち該金属溶射を施した基材を真空熱処理炉中
にて焼結して前記基材と溶射金属との密着不良お
よび不純物増大等の欠陥個所を除去したのち該溶
射金属の表面に陽極酸化皮膜を形成させる工程と
を含むことを特徴とする電解コンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4950278A JPS54140962A (en) | 1978-04-25 | 1978-04-25 | Method of producing solidstate electrolytic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4950278A JPS54140962A (en) | 1978-04-25 | 1978-04-25 | Method of producing solidstate electrolytic capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54140962A JPS54140962A (en) | 1979-11-01 |
| JPS6142848B2 true JPS6142848B2 (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=12832907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4950278A Granted JPS54140962A (en) | 1978-04-25 | 1978-04-25 | Method of producing solidstate electrolytic capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54140962A (ja) |
-
1978
- 1978-04-25 JP JP4950278A patent/JPS54140962A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54140962A (en) | 1979-11-01 |
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