JPS6142882B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6142882B2 JPS6142882B2 JP52072418A JP7241877A JPS6142882B2 JP S6142882 B2 JPS6142882 B2 JP S6142882B2 JP 52072418 A JP52072418 A JP 52072418A JP 7241877 A JP7241877 A JP 7241877A JP S6142882 B2 JPS6142882 B2 JP S6142882B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- substrate
- casing
- dielectric
- resonant circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/08—Strip line resonators
- H01P7/082—Microstripline resonators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波帯で使用する共振器に関する
ものである。
ものである。
誘電体基板上に共振回路を構成する平面化共振
器としては、マイクロストリツプ線路、サスペン
デツト線路，スロツト線路，共平面線路などがあ
る。
器としては、マイクロストリツプ線路、サスペン
デツト線路，スロツト線路，共平面線路などがあ
る。
第１図は、サスペンデツト線路構造での共振回
路の構成例である。第１図は直線形の両端開放共
振器を示すもので、１は結合部、２は共振回路で
この長さは共振波長の半分又は４分の１等に設計
される。３は誘電体基板である。
路の構成例である。第１図は直線形の両端開放共
振器を示すもので、１は結合部、２は共振回路で
この長さは共振波長の半分又は４分の１等に設計
される。３は誘電体基板である。
第２図はこの誘電体基板を筐体の中に保持した
状態を示す図である。誘電体基板２１の上に共振
回路パターン２４が形成されている。これを金属
筐体２２の中に支持台２３の上に保持して固定す
る。即ちサスペンデツト線路の構造をとる。
状態を示す図である。誘電体基板２１の上に共振
回路パターン２４が形成されている。これを金属
筐体２２の中に支持台２３の上に保持して固定す
る。即ちサスペンデツト線路の構造をとる。
さて、高周波帯における共振器の温度に対する
安定化を行うためには、たとえば同軸形又は導波
管の共振器において線膨張係数の異なる金属を用
いる方法が多くとられているが、高周波平面回路
化共振器例えばサスペンデツト線路の共振器等に
ついては、この方法は適用困難であつた。
安定化を行うためには、たとえば同軸形又は導波
管の共振器において線膨張係数の異なる金属を用
いる方法が多くとられているが、高周波平面回路
化共振器例えばサスペンデツト線路の共振器等に
ついては、この方法は適用困難であつた。
本発明は、上記従来技術の欠点に鑑み、サスペ
ンデツト線路構造を有する1/2波長両端開放型の
共振器に対し、基板の厚さ、前記基板と接地筐体
との間隔、及び筐体の高さの間に特定の関係をも
たらせた上で、前記基板として誘電率の温度係数
が負であるポリフツ化エチレン系部材を用いるこ
とにより、特に線膨張係数の異なる金属や、誘電
率の温度係数の異なる誘電体等を組み合わせるこ
となく、温度特性の良い共振器を提供しようとす
るものである。
ンデツト線路構造を有する1/2波長両端開放型の
共振器に対し、基板の厚さ、前記基板と接地筐体
との間隔、及び筐体の高さの間に特定の関係をも
たらせた上で、前記基板として誘電率の温度係数
が負であるポリフツ化エチレン系部材を用いるこ
とにより、特に線膨張係数の異なる金属や、誘電
率の温度係数の異なる誘電体等を組み合わせるこ
となく、温度特性の良い共振器を提供しようとす
るものである。
以下、図面を用いてその一実施例を説明する。
まず本発明の基本的概念から説明すると、第２
図において、基板の支持高さΔｈ＝０（これはシ
ールドしたマイクロストリツプ線路に該当する）
から、次第に高くしてゆくと、共振器としては、
はじめ誘電体の誘電率の寄与が大きく、次第にそ
の寄与が小さくなる。即ち、Δｈを大きくすれば
等価誘電率は小さくなる。
図において、基板の支持高さΔｈ＝０（これはシ
ールドしたマイクロストリツプ線路に該当する）
から、次第に高くしてゆくと、共振器としては、
はじめ誘電体の誘電率の寄与が大きく、次第にそ
の寄与が小さくなる。即ち、Δｈを大きくすれば
等価誘電率は小さくなる。
これを共振器の温度変化という点でみれば、Δ
ｈが小さい場合には、誘電率の温度変化の依存度
が大きく、Δｈを大きくすれば金属導体の線膨張
係数が大きく効いてくる。即ち、共振器の共振周
波数は、実効誘電率εr，共振回路長をｌとす
れば、 で与えられる。この温度変化を零とするためには
Ｋを定数として、 ｄｆ／ｄＴ＝Ｋ（ｄｆ／ｄεｒ・ｄεｒ／ｄＴ＋ｄｆ
／ｄｌ・ｄｌ／ｄＴ）＝０……(2) にする必要がある。
ｈが小さい場合には、誘電率の温度変化の依存度
が大きく、Δｈを大きくすれば金属導体の線膨張
係数が大きく効いてくる。即ち、共振器の共振周
波数は、実効誘電率εr，共振回路長をｌとす
れば、 で与えられる。この温度変化を零とするためには
Ｋを定数として、 ｄｆ／ｄＴ＝Ｋ（ｄｆ／ｄεｒ・ｄεｒ／ｄＴ＋ｄｆ
／ｄｌ・ｄｌ／ｄＴ）＝０……(2) にする必要がある。
今、金属導体の線膨張係数をα，実効誘電率の
温度係数をβとすれば(2)式より近似的に β≒２α ……(3) で、温度補償が可能である。
温度係数をβとすれば(2)式より近似的に β≒２α ……(3) で、温度補償が可能である。
即ち、誘電率の負の温度係数を有する誘電体材
料においては、第２図に示す基板支持方式におい
て、特に何らの他の材料を附属せしめることな
く、共振器の温度補償が可能である。
料においては、第２図に示す基板支持方式におい
て、特に何らの他の材料を附属せしめることな
く、共振器の温度補償が可能である。
さらに本発明の場合、誘電体基板としてはポリ
フツ化エチレン系部材が使用される。このポリフ
ツ化エチレン系フアイバグラスを使用した時、第
２図に示す様に、誘電体基板の厚さ：h0，基板と
筐体低面（接地面）との間隔：Δｈ，筐体の高さ
（接地導体の間隔）：Ｈとの間を h0：Δｈ：Ｈ＝0.5〜1.2：1.7：10の範囲に選ぶ
と共振器の温度補償が十分有効に行われる。この
場合共振回路の導体幅Ｗは、ほとんど影響がなく
無視しうる。
フツ化エチレン系部材が使用される。このポリフ
ツ化エチレン系フアイバグラスを使用した時、第
２図に示す様に、誘電体基板の厚さ：h0，基板と
筐体低面（接地面）との間隔：Δｈ，筐体の高さ
（接地導体の間隔）：Ｈとの間を h0：Δｈ：Ｈ＝0.5〜1.2：1.7：10の範囲に選ぶ
と共振器の温度補償が十分有効に行われる。この
場合共振回路の導体幅Ｗは、ほとんど影響がなく
無視しうる。
以下にその実施例を示す。第３図は、誘電体基
板として厚さ0.8mmのポリフツ化エチレン系ガラ
ス樹脂基板を用い、共振回路長170mm，幅４mmの
回路を構成し、筐体内の高さ10mmの中に支持した
時の共振周波数の温度係数を基板の高さΔｈを変
数として示したものである。
板として厚さ0.8mmのポリフツ化エチレン系ガラ
ス樹脂基板を用い、共振回路長170mm，幅４mmの
回路を構成し、筐体内の高さ10mmの中に支持した
時の共振周波数の温度係数を基板の高さΔｈを変
数として示したものである。
本実施例では、Δｈ＝1.7mmとすれば安定度の
良い発振器が得られることがわかる。
良い発振器が得られることがわかる。
これよりΔｈの小さいところでは、第(1)式か
ら、共振周波数の変化はεrの効果が大きく、正
の係数を有する。
ら、共振周波数の変化はεrの効果が大きく、正
の係数を有する。
実際にはΔｈ＝1.7mmで＋10ppm／℃以下の安
定度を得ることができた。誘電体基板としては他
に、ポリフツ化エチレン系板が使用できる。また
共振回路の導体幅Ｗの変化は長さの変化に比して
非常に小さく、問題は少ない。
定度を得ることができた。誘電体基板としては他
に、ポリフツ化エチレン系板が使用できる。また
共振回路の導体幅Ｗの変化は長さの変化に比して
非常に小さく、問題は少ない。
この様に本発明は、平面回路化の共振器におい
て、特に新たな温度補償用のコンデンサ、誘電体
等の材料部品を附加することなく、回路が構成さ
れている誘電体基板の筐体における保持の方法及
びその誘電体基板の材質のみによつて、極めて簡
単な構造の周波数安定度の良い共振器を得ること
ができる。
て、特に新たな温度補償用のコンデンサ、誘電体
等の材料部品を附加することなく、回路が構成さ
れている誘電体基板の筐体における保持の方法及
びその誘電体基板の材質のみによつて、極めて簡
単な構造の周波数安定度の良い共振器を得ること
ができる。
このような共振器の構造を用い、同体発振素子
（ガンダイオードやインパツトダイオード）やト
ランジスタを接続して発振器を構成すれば、共振
回路系の安定度は極めて向上する。
（ガンダイオードやインパツトダイオード）やト
ランジスタを接続して発振器を構成すれば、共振
回路系の安定度は極めて向上する。
第１図はサスペンデツト線路構造での共振回路
の構成例を示す平面図、第２図は本発明の一実施
例における共振器の断面図、第３図は基板保持の
高さ（Δｈ）による温度係数の変化を示す図であ
る。 ２１……誘電体基板、２２……金属筐体、２３
……支持台。
の構成例を示す平面図、第２図は本発明の一実施
例における共振器の断面図、第３図は基板保持の
高さ（Δｈ）による温度係数の変化を示す図であ
る。 ２１……誘電体基板、２２……金属筐体、２３
……支持台。
Claims (1)
- １ サスペンテツド線路構造を有する1/2波長両
端開放型の共振器において、前記基板厚さh0，前
記基板と接地筐体との間隔Δｈ，筐体の高さＨの
間にh0：Δｈ：Ｈ＝0.5〜1.2：1.7：10の関係が成
り立つように構成するとともに、前記基板として
誘電率の温度係数が負であるポリフツ化エチレン
系部材を用いたことを特徴とする共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7241877A JPS546745A (en) | 1977-06-17 | 1977-06-17 | Resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7241877A JPS546745A (en) | 1977-06-17 | 1977-06-17 | Resonator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS546745A JPS546745A (en) | 1979-01-19 |
| JPS6142882B2 true JPS6142882B2 (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=13488704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7241877A Granted JPS546745A (en) | 1977-06-17 | 1977-06-17 | Resonator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS546745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3869776A1 (en) | 2020-02-20 | 2021-08-25 | Ricoh Company, Ltd. | Image reading device and image forming apparatus incorporating same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795705A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High frequency oscillating circuit |
| JP2683432B2 (ja) * | 1989-11-13 | 1997-11-26 | 三菱電機株式会社 | Ｍｉｃ形周波数変換器 |
| JP4990488B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2012-08-01 | 矢崎総業株式会社 | 計器用指針照明構造 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5256761Y2 (ja) * | 1972-08-08 | 1977-12-22 |
-
1977
- 1977-06-17 JP JP7241877A patent/JPS546745A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3869776A1 (en) | 2020-02-20 | 2021-08-25 | Ricoh Company, Ltd. | Image reading device and image forming apparatus incorporating same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS546745A (en) | 1979-01-19 |
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