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JPS6142977B2 - - Google Patents
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JPS6142977B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6142977B2
JPS6142977B2 JP56092460A JP9246081A JPS6142977B2 JP S6142977 B2 JPS6142977 B2 JP S6142977B2 JP 56092460 A JP56092460 A JP 56092460A JP 9246081 A JP9246081 A JP 9246081A JP S6142977 B2 JPS6142977 B2 JP S6142977B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
apd
optical signal
avalanche photodiode
detection means
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56092460A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57207446A (en
Inventor
Hiroshi Matsumura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP56092460A priority Critical patent/JPS57207446A/ja
Publication of JPS57207446A publication Critical patent/JPS57207446A/ja
Publication of JPS6142977B2 publication Critical patent/JPS6142977B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60Receivers
    • H04B10/66Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/691Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
    • H04B10/6911Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Noise Elimination (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、受光素子にアバランシエホトダイオ
ード(以下、APDと云う)を用いて光信号直流
が一定となるように制御するAGCループをもつ
たAPDバイアス制御の光受信回路、さらに詳し
く云えば光信号に対してスケルチ機能をもたせて
不要なシヨツト雑音をカツトオフできるようにし
た光受信スケルチ回路に関する。
第1図はこれ迄におけるこの種の光受信回路の
構成を示す回路図である。
第1図において、APD1はその一端aにDC―
DCコンバータ2の出力側が接続されており、バ
イアス電圧が供給される。一方、APD1の他端
bには光信号の負荷抵抗3と基準直流電圧源4の
一定電圧と比較して検出する反転増幅器5の入力
部とが接続されており、反転増幅器5の出力部は
DC―DCコンバータ2の入力側へ接続されてい
る。基準直流電圧源4と反転増幅器5等により構
成される直流形AGC回路はAPDのバイアス電圧
を制御し、光信号直流電圧を一定に保つように働
く。光信号の負荷抵抗3には信号出力を取り出す
手段としてのコンデンサ7が接続されている。
APD1に入射する光信号の直流入力レベルが
低くなつた場合、AGC回路6の反転増幅器5の
出力部電圧が上昇し、この出力部電圧で駆動され
るCD―CDコンバータ2の出力側電圧も上昇して
APD1には高い電圧が印加されるように動作す
る。そのため光伝送線路系での遮断あるいは光伝
送線路系の切替等により、APD1への光信号の
直流入力レベルがなくなり、APDバイアス電圧
が極端に高くなつて、APDの降服電圧VBを越え
た場合、APD1を破損してしまう危険性があつ
た。またこの時APD1の破損をのがれたにして
もAPDバイアス電圧が高いために、ミラー
(Miller)の実験式(1)式で示されるように、 ただし V:APDバイアス電圧 VB:APD降服電圧 n:APD固有の定数(n=3〜6) APDの増倍率Mが増大することにより、背景光
雑音および暗電流雑音等によるシヨツト雑音、
NSは式(2)で示されるようにアバランシエ増倍さ
れて急激に増大し雑音レベルが、かなり高くなる
という欠点があつた。
Ns=2qB(Ip+Ib+Id)M2F ……(12) ただしq;電子の電荷 B;周波数帯域幅 Ip;M=1における光電流 Ib;背景光雑音 Id;暗電流雑音 F;過剰雑音指数 この雑音レベルは例えばS/N比で−10dB程度
にも達する。
本発明の目的は、これら従来の欠点を除去する
ことができる光受信スケルチ回路を提供すること
にある。
前記目的を達成するために本発明による光受信
スケルチ回路は光信号を検出するAPDと、前記
APDの一端に接続された負荷抵抗と、前記負荷
抵抗両端部にかかる電圧と基準電圧を比較し、そ
の比較値に対応した直流電圧を出力するAGC回
路と、前記AGC回路の直流電圧を昇圧し、その
昇圧した直流電圧を前記APDに加えるDC―DCコ
ンバータと、前記APDのバイアス電圧が一定電
圧以上になつたことを検出する検出手段と、前記
検出手段が一定電圧以上の電圧を検出したとき前
記負荷抵抗に直流電圧を供給する供給手段とから
なり、前記APDに一定範囲の光信号が入射して
いるときは前記APDの光信号直流電圧が一定に
なるようバイアス制御を行ない、前記光信号が一
定範囲から外れ一定範囲以下の光信号になつて前
記検出手段が一定電圧以上の電圧を検出したとき
は前記APDのバイアス電圧を一定電圧以下に保
持するように構成してある。
前記構成によれば光伝送線路系の遮断あるいは
切替え等が原因でAPDへの光信号の直流入力レ
ベルがなくなつた場合、APDの破損あるいは
S/N比の低下等を防止でき、本発明の目的を完
全に達成することができる。
以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく説
明する。
第2図は本発明による光受信スケルチ回路の構
成を示す回路図である。図において第1図と同一
構成要素部分については同一符号を付してある。
10はAPD1の一端aすなわちDC―DCコンバー
タ2の出力側に接続されたAPDバイアス電圧検
出手段、11はAPDバイアス電圧検出手段の出
力に接続された外部直流電圧供給手段である。外
部直流電圧供給手段の出力はAPD1の他端b、
すなわち光信号の負荷抵抗3に接続されている。
APD1に光信号が一定レベルの範囲内で入射
している場合には、従来技術のところで説明した
ように、APD1の光信号直流電圧が一定となる
ように制御するAGCループが働いてる。すなわ
ち、この場合APD1の一端aにはDC―DCコンバ
ータ2の出力側よりバイアス電圧が供給され、
APDの他端bには光信号の電流が流れて負荷抵
抗3の両端に負荷の直流電圧が生じる。この直流
電圧がAGC回路6の基準直流電圧源4の一定電
圧と反転増幅器5により比較検出され、反転増幅
された出力電圧がDC―DCコンバータ2を介して
APD1のバイアス電圧を制御している。
一方、APD1に光信号が入射しない場合は
APD1のバイアス電圧がかなり高くなる。この
バイアス電圧はAGCの動作範囲よりやゝ高い一
定電圧Ec以上になつたときにAPDバイアス電圧
検出手段10によつて検出される。検出手段10
はこのEc電圧検出により一定の出力電圧を出力
し、外部直流電圧供給手段11をオン状態にして
負荷抵抗3に直流電圧を供給させるようにして動
作する。この動作によりAPD1に光信号電流が
実際に流れていなくてもAGC回路6に対してあ
たかも光信号電流が流れているかのように動作
し、APD1のバイアス電圧が一定電圧Ec以上に
は上昇しないように制御する。なお、負荷抵抗3
には信号出力を取り出す手段としてのコンデンサ
7が接続されている。
第3図は上記APDバイアス電圧検出手段10
の実施例を示す回路図である。
図において、12は入力端子、13は抵抗、1
4は可変抵抗、15は基準直流電圧源、16は増
幅器、17は帰還抵抗、18は出力端子であり、
前述のバイアス電圧と基準直流電圧源15は比較
される。今、入力端子12に一定電圧Ec以上が
印加されると抵抗13および可変抵抗14とで抵
抗分割された分電圧と基準電圧源15の基準電圧
とが増幅器16に入力されて比較され、分電圧の
方が大きく判定されて帰還抵抗17を介して出力
電圧が出力端子17に生じる。
第4図は外部電圧供給手段の一実施例である。
図において19は入力端子、20はダイオード、
21は出力端子であり、入力端子19にAPDバ
イアス電圧検出手段10からの出力電圧が加わる
とダイオード20はオン状態となつて出力端子2
1に出力電圧が生じる。
第5図は外部電圧供給手段の他の実施例を示す
回路構成図である。本例は前の実施例とは異なり
トランジスタ22、リレー23、直流電圧源24
で構成されるリレー回路であり、入力端子19に
APDバイアス電圧検出手段10からの出力電圧
が加わるとトランジスタ22のベース電位が上昇
しトランジスタ22のコレクタはリレー23およ
び直流電圧源24で直列駆動され、オン状態とな
りリレー23の接点がオンとなつて出力端子21
に出力電圧が生じる。
以上、DC―DCコンバータ2の出力電圧が全て
正電圧の場合の実施例について説明してきたが、
負電圧出力の場合でもAPD、トランジスタ、直
流電源の極性を反転させるだけで同様に構成でき
る。
以上、詳しく説明したように本発明による光受
信スケルチ回路は、APDにある一定範囲の光信
号が入射している場合は通常の直流電圧検出形の
AGC機能を活かし、APDに光信号が入射しない
場合は光伝送線路系での遮断あるいは光伝送路系
の切替え等によりAPDバイアス電圧を検出して
光信号の負荷抵抗に外部から直流電圧を供給する
ことにより、APDバイアス電圧を下げることが
できる。したがつて背景光雑音および暗電流雑音
によるシヨツト雑音のアバランシエ増倍を防止
し、不要な雑音を約30dB以上もカツトオフし、
信号伝送系のSN比の信頼性を改善することがで
きる。
また、APDの高バイアス電圧印加による破損
も防止できる等の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の光受信回路の構成図、第2図は
本発明による光受信スケルチ回路の構成図、第3
図は第2図のAPDバイアス電圧検出手段の一実
施例を示す回路構成図、第4図は第2図の外部直
流電圧供給手段の実施例を示す回路構成図、第5
図は第2図の外部直流電圧供給手段の他の実施例
を示す回路構成図である。 1…アバランシエホトダイオード(APD)、2
…DC―DCコンバータ、3…負荷抵抗、4…基準
直流電圧源、5…反転増幅器、6…AGC回路、
7…コンデンサ、10…APDバイアス電圧検出
手段、11…外部直流電圧供給手段、12,19
…入力端子、13…抵抗、14…可変抵抗、15
…基準直流電圧源、16…増幅器、17…帰還抵
抗、18,21…出力端子、20…ダイオード、
22…トランジスタ、23…リレー、24…直流
電圧源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 光信号を検出するアバランシエホトダイオー
    ドと、前記アバランシエホトダイオードの一端に
    接続された負荷抵抗と、前記負荷抵抗両端部にか
    かる電圧と基準電圧を比較し、その比較値に対応
    した直流電圧を出力するAGC回路と、前記AGC
    回路の直流電圧を昇圧し、その昇圧した直流電圧
    を前記アバランシエホトダイオードに加えるDC
    ―DCコンバータと、前記アバランシエホトダイ
    オードのバイアス電圧が一定電圧以上になつたこ
    とを検出する検出手段と、前記検出手段が一定電
    圧以上の電圧を検出したとき前記負荷抵抗に直流
    電圧を供給する供給手段とからなり、前記アバラ
    ンシエホトダイオードに一定範囲の光信号が入射
    しているときは前記アバランシエホトダイオード
    の光信号直流電圧が一定になるようバイアス制御
    を行ない、前記光信号が一定範囲から外れ一定範
    囲以下の光信号になつて前記検出手段が一定電圧
    以上の電圧を検出したときに前記アバランシエホ
    トダイオードのバイアス電圧を一定電圧以下に保
    持するように構成した光受信スケルチ回路。
JP56092460A 1981-06-16 1981-06-16 Optical reception squeltch circuit Granted JPS57207446A (en)

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JPS57207446A JPS57207446A (en) 1982-12-20
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JPS6057242U (ja) * 1983-09-26 1985-04-22 カシオ計算機株式会社 デ−タ受信回路
US5420711A (en) * 1993-01-19 1995-05-30 Snyder; Dan E. Fiber optic link amplitude stabilization circuit

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