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JPS6144372B2 - - Google Patents
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JPS6144372B2 - - Google Patents

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JPS6144372B2
JPS6144372B2 JP14988878A JP14988878A JPS6144372B2 JP S6144372 B2 JPS6144372 B2 JP S6144372B2 JP 14988878 A JP14988878 A JP 14988878A JP 14988878 A JP14988878 A JP 14988878A JP S6144372 B2 JPS6144372 B2 JP S6144372B2
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bending
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curved
pair
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Defuiritsupisu Giangurajiio
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  • Thermally Actuated Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は数点の温度に応答するバイメタルサー
モスタツト・スイツチの改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention This invention relates to improvements in bimetallic thermostatic switches that are responsive to several temperatures.

(従来の技術) 数点の温度に応答するバイメタルサーモスタツ
トは公知である。しかしこの従来の設計は普通応
答温度は2点に限られ、同軸に配置された一組の
キヤロツト(Calotte)形すなわち皿型円板素子
を有しており、この感温素子の曲りが反転する予
め定められた動作温度で電気接触を機械的に作動
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION Bimetallic thermostats that respond to several temperatures are known. However, this conventional design typically has a temperature response limited to two points and includes a pair of coaxially arranged calotte-shaped or dish-shaped disk elements whose curvature is reversed. Mechanically actuating the electrical contacts at a predetermined operating temperature.

これら公知の装置はスイツチのハウジングの一
端に設けられた皿型円板の感温素子が動作温度で
反転すると、その反転動作は機械的伝達部材を介
して、ハウジングの他端に設けられた可動接点に
伝達されて、接点の開放を行う。このため装置全
体のサイズが大きくなるのみならず、中間部材が
存在するため精度の低下は免れない。精度を上げ
るためには精度の高い機械的構造を必要とし、比
較的高価であり嵩も大きい。
In these known devices, when a plate-shaped temperature sensing element provided at one end of the switch housing is reversed at operating temperature, the reversal action is transmitted via a mechanical transmission member to a movable plate provided at the other end of the housing. The signal is transmitted to the contact and opens the contact. For this reason, not only does the size of the entire device increase, but also the presence of intermediate members inevitably reduces accuracy. Increasing accuracy requires a highly precise mechanical structure, which is relatively expensive and bulky.

(発明の目的) 本発明の目的は簡単で小型で経済的な構造であ
つて、一つのユニツトに2点以上の温度に応答す
る検出装置を組み込んだ数点の温度に応答するサ
ーモスタツトを得ることである。
(Object of the Invention) The object of the present invention is to obtain a thermostat that responds to temperatures at several points, which has a simple, compact, and economical structure and incorporates detection devices that respond to temperatures at two or more points in one unit. That's true.

本発明は2つの型即ち「通常開」接触および
「通常閉」接触を実現する温度検出装置またはサ
ーモスタツト・スイツチについて説明する。例と
してこの2型式を3点温度に応する装置について
説明するが、本発明の記載から明らかなように、
このシステムは改造して選択された応答温度につ
いて何点でも温度感知を行えるようにできる。
The present invention describes temperature sensing devices or thermostatic switches that implement two types of contacts: a "normally open" contact and a "normally closed" contact. As an example, these two types will be explained as devices that respond to three points of temperature, but as is clear from the description of the present invention,
This system can be modified to provide temperature sensing at any number of points for selected response temperatures.

さて本発明を好ましい2型式の実施例を参照し
て説明する。これらは単に説明の目的で示すもの
である。
The invention will now be described with reference to two preferred embodiments. These are shown for illustrative purposes only.

実施例 第1図を参照すると本発明の第1実施例である
「通常開」の基本的検出およびスイツチ装置形状
が示してある。この装置は円形シート12の実質
的中央にある突起上に公知の方法で第1金属トラ
ツク11が形成された基板10を有し、第2金属
トラツク13も同様にこの基板10の上に公知の
方法で形成されている。この金属トラツク11お
よび13は公知の設計によるキヤロツト形すなわ
ち皿形バイメタリツク素子14の作動によつて閉
じる回路の2つの分岐の一部を形成する。このキ
ヤロツト形バイメタリツク素子14は、熱または
超音波でリベツトされたピン16および17で基
板10に止めてあるカバー素子15でその位置に
保持されている。素子10と15の間には、電導
性エラストマの層18が配置されていて、トラツ
ク13とキヤロツト形素子14の周囲または上面
の間に伸縮性かつ可撓性連続接触を形成する。キ
ヤロツト形素子が予め定められたスナツプオーバ
ー温度で従来のようにその曲りが反転すると、ト
ラツク13とトラツク11間の回路は閉じる。こ
の装置にある別の円板の応答温度は使用するその
キヤロツト形素子14によつて選択される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIG. 1, there is shown a basic "normally open" detection and switch configuration according to a first embodiment of the present invention. This device has a substrate 10 on which a first metal track 11 is formed in a known manner on a protrusion substantially in the center of a circular sheet 12, and a second metal track 13 is likewise formed on this substrate 10 in a known manner. It is formed by a method. The metal tracks 11 and 13 form part of two branches of a circuit which are closed by actuation of a carrot-shaped or dish-shaped bimetallic element 14 of known design. The carrot-shaped bimetallic element 14 is held in position by a cover element 15 which is fastened to the substrate 10 by thermally or ultrasonically riveted pins 16 and 17. A layer 18 of electrically conductive elastomer is disposed between elements 10 and 15 to form a stretchable, flexible, continuous contact between track 13 and the circumference or top surface of carrot-shaped element 14. When the carrot element conventionally reverses its bending at a predetermined snapover temperature, the circuit between track 13 and track 11 is closed. The response temperature of the other discs in the device is selected by the carrot element 14 used.

本発明の別の実施例で「通常閉接触」形状を有
する感知およびスイツチ装置の型を第2図に示
す。基板20の上には2つの電導トラツク21お
よび22が作成されキヤロツト形バイメタリツク
円板23によつて通常閉じた回路の2つの部分を
形成している。このキヤロツト形バイメタリツク
円板23は前記電導トラツクに対して、上記絶縁
基板26のシート25に設けたスプリング24に
よつて保持されている。第2図に示した状況のも
とでは回路はトラツク21と22の間で閉じてい
る。応答温度ではキヤロツト形バイメタリツク円
板23はその曲りを反転しロツドまたは突起27
に当り、こうしてトラツク21と22の間の回路
を遮断する。
Another embodiment of the present invention, a type of sensing and switching device having a "normally closed contact" configuration, is shown in FIG. Two conductive tracks 21 and 22 are made on the substrate 20 and form two parts of a normally closed circuit by means of a carrot-shaped bimetallic disk 23. This carrot-shaped bimetallic disk 23 is held against the conductive track by a spring 24 provided in the sheet 25 of the insulating substrate 26. Under the situation shown in FIG. 2, the circuit is closed between tracks 21 and 22. At the response temperature, the carrot-shaped bimetallic disk 23 reverses its bending and forms a rod or protrusion 27.
In this way, the circuit between tracks 21 and 22 is broken.

各々3点の応答温度を有する本発明のサーモス
タツトスイツチ装置2型式を第3図から第9図ま
でと、第10図から第15図までについて説明す
る。
Two types of thermostat switch devices of the present invention each having three response temperatures will be described with reference to FIGS. 3 to 9 and FIGS. 10 to 15.

第3図から第9図までの組において、第3図は
3点の応答温度を有し、第1図に示した感知およ
びスイツチ装置を使用した感知ユニツトを全体と
して100で示した。このユニツト100は下部
基板101を有していて、その上には1個が「共
通」3個が「能動」である4個の端子102が配
置されている。上部基板またはふた103は下部
基板101にしつかりと締められている。上部基
板はキヤロツト型バイメタリツク円板99を受け
るくぼみまたはハウジング104,105および
106(第8図および第9図でよくわかる)を有
している。第3図には示してないが第4図に示し
てある円板99はそれぞれ応答温度を有していて
その温度でその曲り方向が反転を受けるように設
置されている。装置101に使用した3枚の円板
99は、理解されるように異る温度でその曲りが
反転するように設置されている。第3図には示し
てないが第4図に示した電導ゴム層は上部基板1
03と形状で一致し、基板101と103の間に
配置されて上部基板103の平面部およびハウジ
ングまたはくぼみ104,105,106の凹面
に接していて、くぼみ104,105,106に
設置されたバイメタリツク円板99の通常凸側に
かみ合つている。
In the set of FIGS. 3 through 9, FIG. 3 has three point response temperatures, and the sensing unit using the sensing and switching apparatus shown in FIG. 1 is designated as a whole at 100. The unit 100 has a lower substrate 101 on which are arranged four terminals 102, one "common" and three "active". The upper substrate or lid 103 is tightly secured to the lower substrate 101. The upper substrate has recesses or housings 104, 105 and 106 (best seen in FIGS. 8 and 9) that receive carrot-shaped bimetallic disks 99. The disks 99 not shown in FIG. 3 but shown in FIG. 4 each have a response temperature and are arranged so that their bending direction is reversed at that temperature. As will be understood, the three disks 99 used in the device 101 are installed so that their curvature reverses at different temperatures. Although not shown in Fig. 3, the conductive rubber layer shown in Fig. 4 is the upper substrate 1.
03 in shape, and is disposed between the substrates 101 and 103 and is in contact with the flat surface of the upper substrate 103 and the housing or the concave surfaces of the recesses 104, 105, and 106, and is installed in the recesses 104, 105, and 106. It engages with the normally convex side of the metallic disc 99.

第5,6および7図を参照して下部基板101
について説明する。この基板101はバイメタリ
ツク円板99の直径よりも僅かに小さいくぼみ1
04a,105a,106aを有していて、これ
らくぼみはその中央に突起109,110,11
1を有している。この突起109,110,11
1はそれぞれ電導トラツク112,113または
114と電気的に接続されている。前記電導トラ
ツクは基板101にある溝115,116または
117を通つて、それぞれ端子102に接続され
ている。
Referring to FIGS. 5, 6 and 7, the lower substrate 101
I will explain about it. This substrate 101 has a recess 1 slightly smaller than the diameter of the bimetallic disk 99.
04a, 105a, 106a, and these depressions have protrusions 109, 110, 11 at their centers.
1. These protrusions 109, 110, 11
1 are electrically connected to conductive tracks 112, 113 or 114, respectively. The conductive tracks are connected to terminals 102 through grooves 115, 116 or 117 in substrate 101, respectively.

端子102の1個は基板101にある電導板ま
たは層118に接続されて2枚の基板101と1
03の間に設けた電導ゴム層98との接触を作
る。こうして板118は円板99への「共通」接
続を構成する。
One of the terminals 102 is connected to a conductive plate or layer 118 on the substrate 101 to connect the two substrates 101 and 1.
Contact is made with the electrically conductive rubber layer 98 provided between 03 and 03. Plate 118 thus constitutes a "common" connection to disc 99.

運転しているとき、もしユニツト101が円板
99のどの応答温度よりも低いユニツト101の
すべての接触またはスイツチは開いている。しか
しユニツト101が加熱されて各バイメタリツク
円板99のスナツプオーバー温度に順次達する
と、バイメタリツク円板は電導ゴム98と各突起
109,110,111の間に接触を形成し、そ
れによつて板118に接続された「共通」端子1
02と各「能動」端子102の1個の間の各回路
を閉じる。
When operating, if unit 101 is lower than any response temperature of disk 99, all contacts or switches of unit 101 are open. However, when the unit 101 is heated to reach the snap-over temperature of each bimetallic disc 99 in turn, the bimetallic discs form contact between the conductive rubber 98 and each protrusion 109, 110, 111, thereby “Common” terminal 1 connected to plate 118
02 and one of each "active" terminal 102.

第3図から第9図には3点の温度に応答するユ
ニツトを示した。しかしながら当業者にとつてこ
のユニツトを異る何点の温度にでも応答するよう
に変更することは容易であることは容易に理解さ
れよう。
Figures 3 to 9 show units that respond to temperatures at three points. However, it will be readily appreciated by those skilled in the art that this unit could easily be modified to respond to any number of different temperatures.

第10図から第15図は本発明による装置の好
ましい第2の実施例であつて3点の応答温度を有
し、第2図に示した装置に一致する感知およびス
イツチ装置を使用している。
10 to 15 show a second preferred embodiment of the device according to the invention having a three point response temperature and using sensing and switching devices consistent with the device shown in FIG. .

第10図から第15図を参照すると、本発明に
よる別の好ましい実施例が第10図にユニツトと
して全体として200で示されている。このユニ
ツトはこの後さらに説明するように接触領域20
2,203,204,205,206および20
7を有する下部基板201および上部基板208
を有している。第14図および第15図に示した
ように上部基板208には、ハウジングまたはく
ぼみ209,210および211があつてその中
にバイメタリツク円板212が設けられ、くぼみ
209,210および211の内側にあるウエル
(Well)14に設けたスプリング213の手段に
よつて下部基板201に押し付けられている。
10-15, another preferred embodiment according to the present invention is shown generally as a unit at 200 in FIG. This unit has a contact area 20, as will be explained further below.
2,203,204,205,206 and 20
A lower substrate 201 and an upper substrate 208 having 7
have. As shown in FIGS. 14 and 15, upper substrate 208 has housings or recesses 209, 210 and 211 in which bimetallic discs 212 are disposed, and inside recesses 209, 210 and 211. It is pressed against the lower substrate 201 by means of a spring 213 provided in a certain well 14.

第12図および第13図でよくわかるように絶
縁材料の下部基板201上には電気的に区分され
た電導領域215,216,217および218
が公知の方法で配置され、第12図に示したよう
にこれらは端子202,203,204,205
および207に接続されている。装置200にあ
る円板212が活性化されないときは、バイメタ
リツク円板の端はかみ合つていてトラツク215
から216、トラツク216から217およびト
ラツク217から218への内側周縁領域は短絡
されている。しかし円板212の曲りが反転して
基板201上のくぼみ219,220,221の
中央にある突起に対してスプリング213(第1
1図)の圧力で押し付けられると、トラツク21
8と217、トラツク215と216およびトラ
ツク216と217の間がそれぞれ開放される。
As can be clearly seen in FIGS. 12 and 13, on the lower substrate 201 of insulating material are electrically separated conductive regions 215, 216, 217 and 218.
are arranged in a known manner, and as shown in FIG.
and 207. When disc 212 in device 200 is not activated, the ends of the bimetallic discs are interlocked and engage track 215.
The inner peripheral areas from 216 to 216, from 216 to 217, and from 217 to 218 are shorted. However, the bending of the disk 212 is reversed and the spring 213 (the first
When pressed with the pressure shown in Figure 1), the track 21
8 and 217, tracks 215 and 216, and tracks 216 and 217, respectively.

本発明のさまざまな実施例を記載した第3図か
ら第15図に見られるように、ユニツト100お
よび200の下部基板は穴96を有していて上部
基板に配置したピン97の結合に役立ち、バイメ
タリツク円板素子の中心合せを行うことおよび下
部基板にある穴から突きだしたピンの端が熱また
は超音波でリベツトされていると装置の組立ての
間互に2枚の基板を接続することの2重の目的を
果す。
As seen in FIGS. 3 through 15, which describe various embodiments of the invention, the lower substrates of units 100 and 200 have holes 96 to facilitate coupling of pins 97 located on the upper substrate. Centering the bimetallic disk elements and connecting the two substrates together during assembly of the device can be achieved by thermally or ultrasonically riveting the ends of pins protruding from holes in the lower substrate. Serves a dual purpose.

(発明の効果) 本発明によれば、皿型彎曲素子が直接に導電ト
ラツク間を電気的に接続又は開放する構成となつ
ている。従つて、従来装置の如く彎曲素子の反転
動作を伝達する機械的伝達部材を省略することが
できるので動作精度が高くなるのみならず構造が
簡単になり、安価で小型軽量のサーモスタツトス
イツチ装置を提供する事が出来る。特に、種々の
異なる温度で反応する複数の彎曲素子を組合わし
て一つの装置とする場合、従来装置では極めて構
造が複雑となるが本発明では簡単に実現すること
が可能である。
(Effects of the Invention) According to the present invention, the dish-shaped bending element is configured to directly electrically connect or disconnect conductive tracks. Therefore, it is possible to omit the mechanical transmission member that transmits the reversal motion of the bending element as in the conventional device, which not only improves the precision of the operation but also simplifies the structure, making it possible to create an inexpensive, small and lightweight thermostat switch device. can be provided. In particular, when a plurality of bending elements that react at various different temperatures are combined into one device, the structure of the conventional device would be extremely complicated, but it can be easily realized with the present invention.

好ましい2型式の実施例を参照しながら本発明
を説明したが、これらは例としてのみ示したもの
であつて、いかなる意味でも本発明の範囲を限定
するものではない。前記型式の変更は本発明の範
囲からはずれることなしに当業者によつてなし得
ることは容易に理解されよう。
Although the invention has been described with reference to two preferred embodiments, these are given by way of example only and are not intended to limit the scope of the invention in any way. It will be readily understood that modifications of the type described above may be made by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の好ましい実施例におけるスイ
ツチ装置の主軸に沿つて拡大した部分断面図であ
る。第2図は本発明の別の好ましい実施例におけ
るスイツチ装置を示す第1図と同様の部分断面図
である。第3図は第1図に示したスイツチ装置を
含む本発明の好ましい実施例の平面図である。第
4図は第3図の線4―4に沿つた断面図である。
第5図は第3図に示した本発明の実施例の平面図
であつて、上部の素子を取り除いて第3図の装置
を示してある。第6図は第5図の線6―6に沿つ
た断面図である。第7図は第5図の線7―7に沿
つた断面図である。第8図は第5図では取り除い
た第3図の装置の素子の底面図である。第9図は
第8図の線9―9に沿つた断面図である。第10
図は第2図のスイツチ装置を含む本発明の別の好
ましい実施例の平面図である。第11図は第10
図の線11―11に沿つた断面図である。第12
図は第10図に示した本発明の実施例の平面図で
あつて、上部の素子を取り除いて第10図の装置
を示してある。第13図は第12図の線13―1
3に沿つた断面図である。第14図は第12図で
は取除いた第3図の装置の素子の底面図である。
第15図は第14図の線15―15に沿つた断面
図である。 10,101,103,201,208…基
板、11,13,21,22,112〜114,
215〜218…電導トラツク、14,23,9
9,212…バイメタリツク素子、16,17,
97…ピン、24,213…スプリング、10
2,202〜205,207…端子。
FIG. 1 is an enlarged partial cross-sectional view taken along the main axis of a switch device according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partial cross-sectional view similar to FIG. 1 showing a switch device in another preferred embodiment of the invention. FIG. 3 is a plan view of a preferred embodiment of the invention including the switch device shown in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4--4 of FIG.
FIG. 5 is a plan view of the embodiment of the invention shown in FIG. 3, with the upper elements removed to show the device of FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line 6--6 of FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line 7--7 of FIG. 8 is a bottom view of the elements of the device of FIG. 3 which have been removed from FIG. 5; FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line 9--9 of FIG. 10th
2 is a plan view of another preferred embodiment of the invention including the switch device of FIG. 2. Figure 11 is the 10th
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line 11-11 of the figure. 12th
The figure is a plan view of the embodiment of the invention shown in FIG. 10, with the upper elements removed to show the device of FIG. Figure 13 is line 13-1 in Figure 12.
FIG. 3 is a cross-sectional view along line 3; 14 is a bottom view of the elements of the device of FIG. 3 which have been removed from FIG. 12; FIG.
FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line 15--15 of FIG. 14. 10, 101, 103, 201, 208...Substrate, 11, 13, 21, 22, 112-114,
215-218...Conductive track, 14, 23, 9
9,212...bimetallic element, 16,17,
97... Pin, 24, 213... Spring, 10
2,202 to 205,207...terminals.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 共通平面上に固定された複数個の接続装置の
対を有する、誘電体の第一ベース部材と、 複数個の皿型彎曲素子であつて、該彎曲素子が
彎曲部のうちの一つに配置される時、前記彎曲素
子は各前記接続装置の対を係合し、橋絡させ、前
記接続装置の対を電気的に接続し、前記彎曲素子
が他の前記彎曲部に配置される時、前記彎曲素子
は各前記接続装置の対を非係合状態とし開放する
ために、前記彎曲素子は前記共通平面上の前記第
一ベース部材上にて逆方向へ彎曲するよう形成さ
れた前記彎曲素子と、 前記各接続装置に接続された端子手段と、 前記第一ベース部材に固定され、前記第一ベー
ス上の平面に位置する、誘導体の比較的薄い第二
シート状ベース部材と、を具備するスイツチ装置
において、 前記第一ベース部材は薄くシート状の部材であ
り、前記皿型彎曲素子はサーモスタツト用金属か
ら形成され、監視する温度範囲内における選択さ
れた種々の温度変化の発生に応答して、一つの前
記彎曲部から他の前記彎曲部へ前記彎曲素子のう
ちの選択された一つが、スナツプ動作をともな
い、移動可能なように前記彎曲素子が形成されて
いることを特徴とするスイツチ装置。 2 特許請求の範囲第1項において、前記第一ベ
ース部材と前記彎曲素子との間に弾力性部材が配
設され、前記彎曲素子を前記彎曲部の一つへ偏奇
することを特徴とするスイツチ装置。 3 特許請求の範囲第2項において、前記第一ベ
ース部材は共通付加接続手段として形成された第
一と第二の接続プレートの対を有し、前記弾力性
部材は前記彎曲素子と前記第二接続プレートとに
重なつて係合するように配設された有機物質の可
撓性導電部材を具備し、前記第二ベース部材は前
記可撓性導電部材が前記彎曲素子と電気的に接続
するよう、前記可撓性導電部材を保持することを
特徴とするスイツチ装置。 4 特許請求の範囲第2項において、前記彎曲素
子は前記第一ベース部材上に配設され、前記彎曲
素子が一つの前記彎曲部に位置する時は前記彎曲
素子が、前記第一および第二の接続プレートの対
を相接続し、前記彎曲素子が他の前記彎曲部に位
置する時は、前記彎曲素子は前記第一ベース部材
に対して動作し前記第一および第二の接続プレー
トの対の接続を開放することを特徴とするスイツ
チ装置。
[Scope of Claims] 1. A dielectric first base member having a plurality of pairs of connecting devices fixed on a common plane; and a plurality of dish-shaped bending elements, the bending elements having a curved portion. when placed in one of the curved elements, said curved element engages and bridges each pair of said connecting devices, electrically connecting said pair of said connecting devices, said curved element When placed on the first base member in the common plane, the bending element bends in opposite directions on the first base member in the common plane to disengage and release each pair of connecting devices. a second relatively thin sheet of dielectric material fixed to the first base member and located in a plane on the first base; A switch device comprising a base member, wherein the first base member is a thin sheet-like member, and the dish-shaped bending element is formed from a thermostat metal, and is configured to operate at various temperatures selected within a temperature range to be monitored. The curved elements are configured to be movable with a snapping action of a selected one of the curved elements from one of the curved portions to another of the curved portions in response to the occurrence of a temperature change. A switch device characterized by: 2. The switch according to claim 1, wherein an elastic member is disposed between the first base member and the bending element, and biases the bending element toward one of the bending parts. Device. 3. According to claim 2, the first base member has a pair of first and second connecting plates formed as a common additional connecting means, and the resilient member connects the bending element and the second connecting plate. a flexible conductive member made of an organic material disposed to overlap and engage with the connecting plate, the second base member having the flexible conductive member electrically connected to the bending element; A switch device characterized in that it holds the flexible conductive member. 4. In claim 2, the bending element is disposed on the first base member, and when the bending element is located in one of the bending parts, the bending element is arranged on the first and second base members. When the pair of connecting plates are connected to each other, and the bending element is located in the other bending part, the bending element moves with respect to the first base member and connects the pair of the first and second connecting plates. A switch device characterized by opening the connection of.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6346286U (en) * 1986-09-15 1988-03-29

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