JPS6146419B2 - - Google Patents
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- JPS6146419B2 JPS6146419B2 JP57119662A JP11966282A JPS6146419B2 JP S6146419 B2 JPS6146419 B2 JP S6146419B2 JP 57119662 A JP57119662 A JP 57119662A JP 11966282 A JP11966282 A JP 11966282A JP S6146419 B2 JPS6146419 B2 JP S6146419B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
- C03C3/074—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明はガラス材及びその半導体素子への適用
に係る。 ガラスをベースとする材としては、1970年10月
９日公告の仏国特許出願公告第2028127号明細書
中に記載されたものが既知である。該材は電子産
業用の２個のガラス部材のシール（封着）に使用
され得、シールガラスとチタン酸アルミニウムと
の混合物から成り、該シールガラスは例えば酸化
亜鉛、酸化鉛、酸化ホウ素及び二酸化ケイ素（シ
リカ）によつて構成される。 しかし乍ら、前記特許出願明細書中に記載され
たシール組成物は低温で結晶し、従つて場合によ
つては適用できないこともあり得る。 本発明の目的は、半導体素子の製造に使用され
るシリコン部品の被覆に適用できるように、良好
な耐失透性と低い熱膨脹率と比較的低い展延温度
（temperature de nappage）とを同時に有する
透明ガラス材を提供することである。 即ち本発明の目的は、酸化亜鉛ZnO、酸化鉛
PbO、酸化ホウ素B2O3、二酸化ケイ素（シリ
カ）SiO2、チタン酸アルミニウムAl2TiO5及び酸
化ビスマスBi2O3から成るガラス材を提供するこ
とであり、該材は、 ZnO 30乃至40重量％ PbO 15乃至30重量％ B2O3 20乃至40重量％ SiO2 ５乃至20重量％ Al2TiO5 ２乃至10重量％ Bi2O3 ０乃至５重量％ を含むことを特徴とする。 また本発明の目的は、シリコン部品を含む半導
体素子を提供することであり、該素子は該部品の
外側表面に付着したガラス材層を更に含み、該ガ
ラス材は、 ZnO 30乃至40重量％ PbO 15乃至30重量％ B2O3 20乃至40重量％ SiO2 ５乃至20重量％ Al2TiO5 ２乃至10重量％ Bi2O3 ０乃至５重量％ から成ることを特徴とする。 本発明の目的を達成するための特定実施態様を
以下の具体例によつて説明する。 本発明に従うガラス材は６種の酸化物、即ち酸
化亜鉛ZnO、酸化鉛PbO酸化ホウ素B2O3、二酸化
ケイ素SiO2、チタン酸アルミニウムAl2TiO5及び
酸化ビスマスBi2O3から成る混合物である。しか
し乍ら、不可避的に混入する他の成分を微量で含
んでいてもよい。 混合物中の各酸化物の重量比は最小値から最大
値まで変化可能であり、この値は以下の第１表に
示される。
に係る。 ガラスをベースとする材としては、1970年10月
９日公告の仏国特許出願公告第2028127号明細書
中に記載されたものが既知である。該材は電子産
業用の２個のガラス部材のシール（封着）に使用
され得、シールガラスとチタン酸アルミニウムと
の混合物から成り、該シールガラスは例えば酸化
亜鉛、酸化鉛、酸化ホウ素及び二酸化ケイ素（シ
リカ）によつて構成される。 しかし乍ら、前記特許出願明細書中に記載され
たシール組成物は低温で結晶し、従つて場合によ
つては適用できないこともあり得る。 本発明の目的は、半導体素子の製造に使用され
るシリコン部品の被覆に適用できるように、良好
な耐失透性と低い熱膨脹率と比較的低い展延温度
（temperature de nappage）とを同時に有する
透明ガラス材を提供することである。 即ち本発明の目的は、酸化亜鉛ZnO、酸化鉛
PbO、酸化ホウ素B2O3、二酸化ケイ素（シリ
カ）SiO2、チタン酸アルミニウムAl2TiO5及び酸
化ビスマスBi2O3から成るガラス材を提供するこ
とであり、該材は、 ZnO 30乃至40重量％ PbO 15乃至30重量％ B2O3 20乃至40重量％ SiO2 ５乃至20重量％ Al2TiO5 ２乃至10重量％ Bi2O3 ０乃至５重量％ を含むことを特徴とする。 また本発明の目的は、シリコン部品を含む半導
体素子を提供することであり、該素子は該部品の
外側表面に付着したガラス材層を更に含み、該ガ
ラス材は、 ZnO 30乃至40重量％ PbO 15乃至30重量％ B2O3 20乃至40重量％ SiO2 ５乃至20重量％ Al2TiO5 ２乃至10重量％ Bi2O3 ０乃至５重量％ から成ることを特徴とする。 本発明の目的を達成するための特定実施態様を
以下の具体例によつて説明する。 本発明に従うガラス材は６種の酸化物、即ち酸
化亜鉛ZnO、酸化鉛PbO酸化ホウ素B2O3、二酸化
ケイ素SiO2、チタン酸アルミニウムAl2TiO5及び
酸化ビスマスBi2O3から成る混合物である。しか
し乍ら、不可避的に混入する他の成分を微量で含
んでいてもよい。 混合物中の各酸化物の重量比は最小値から最大
値まで変化可能であり、この値は以下の第１表に
示される。
【表】
ZnOが上記範囲で存在すると展延温度が低下す
る。しかし、ZnOが多くなり過ぎると耐失透性が
低下する。またBi2O3が５重量％までで存在する
と展延温度の上昇を伴なうことなく耐失透性が高
められる。その他の各成分は本発明の目的を達成
するように上記範囲内で添加される。 白金製るつぼ中で上記酸化物を粉状に混合し、
該るつぼを1100℃で約３時間加熱して混合物を溶
融する。溶融の間中混合物を機械的に撹拌して気
泡の除去と非溶融部分の液化とを促進する。こう
して得られた均質液体浴をグラフアイト製鋳型中
に鋳込む。固化した材を焼きなまし、次にサンプ
ルを切り出して得られたガラス材の特性を測定す
る。 このサンプルは、良好な耐失透性と約５×
10-6／℃の線膨脹率と650℃以下の展延温度とを
示す。前記展延温度は基板上に置かれたガラスサ
ンプルが基板上で展延を開始する温度である。 該ガラス材は、光電太陽電池のような半導体素
子の製造用のシリコン部品の外側表面に保護コー
テイング（皮膜）を形成するために使用すること
ができる。部品上に載せたガラス材のサンプルを
溶融すると、部品の外側表面に付着した透明層が
形成される。 該材は低い展延温度を有するから、該層を形成
させる際にシリコン部品のＰ−ｎ接合を損う危険
がない。さらに、本発明に従うガラス材は低い膨
脹率を有するから、シリコン基板と付着したガラ
スとの間の機械的応力はかなり低い。従つて、先
行技術によるガラス材を使用する場合に認められ
る層の亀裂が、本発明の場合には完全に回避でき
る。 ガラス層は紫外線に対して安定であり、従つて
太陽電池の場合、有機化合物をベースとする或る
種のコーテイングに比較して著しく有利である。 更に、形成された層は大気汚染と機械的衝撃と
に対してシリコンを良好に保護する皮膜となる。 参考として、ガラスサンプルの１例の組成を第
２表に示す。 第２表 酸化物 重量％ ZnO 35 PbO 25 B2O3 25 SiO2 10 Al2TiO5 ５ 上記サンプルに対する測定の結果、以下の数値
が得られた。 − 20℃乃至300℃に於ける平均膨脹率： 5.2×10-6／℃ − 展延温度：650℃ − 転移温度：510℃ − 耐失透性：良好；650℃まで昇温し15分間650
℃に維持した後室温まで降温するという熱サイ
クルを連続４回経た後でもガラスはなお透明で
あつた。 − 紫外線及び湿潤抵抗：良好。 − 可視光線領域中の光透過率：極めて良好。
る。しかし、ZnOが多くなり過ぎると耐失透性が
低下する。またBi2O3が５重量％までで存在する
と展延温度の上昇を伴なうことなく耐失透性が高
められる。その他の各成分は本発明の目的を達成
するように上記範囲内で添加される。 白金製るつぼ中で上記酸化物を粉状に混合し、
該るつぼを1100℃で約３時間加熱して混合物を溶
融する。溶融の間中混合物を機械的に撹拌して気
泡の除去と非溶融部分の液化とを促進する。こう
して得られた均質液体浴をグラフアイト製鋳型中
に鋳込む。固化した材を焼きなまし、次にサンプ
ルを切り出して得られたガラス材の特性を測定す
る。 このサンプルは、良好な耐失透性と約５×
10-6／℃の線膨脹率と650℃以下の展延温度とを
示す。前記展延温度は基板上に置かれたガラスサ
ンプルが基板上で展延を開始する温度である。 該ガラス材は、光電太陽電池のような半導体素
子の製造用のシリコン部品の外側表面に保護コー
テイング（皮膜）を形成するために使用すること
ができる。部品上に載せたガラス材のサンプルを
溶融すると、部品の外側表面に付着した透明層が
形成される。 該材は低い展延温度を有するから、該層を形成
させる際にシリコン部品のＰ−ｎ接合を損う危険
がない。さらに、本発明に従うガラス材は低い膨
脹率を有するから、シリコン基板と付着したガラ
スとの間の機械的応力はかなり低い。従つて、先
行技術によるガラス材を使用する場合に認められ
る層の亀裂が、本発明の場合には完全に回避でき
る。 ガラス層は紫外線に対して安定であり、従つて
太陽電池の場合、有機化合物をベースとする或る
種のコーテイングに比較して著しく有利である。 更に、形成された層は大気汚染と機械的衝撃と
に対してシリコンを良好に保護する皮膜となる。 参考として、ガラスサンプルの１例の組成を第
２表に示す。 第２表 酸化物 重量％ ZnO 35 PbO 25 B2O3 25 SiO2 10 Al2TiO5 ５ 上記サンプルに対する測定の結果、以下の数値
が得られた。 − 20℃乃至300℃に於ける平均膨脹率： 5.2×10-6／℃ − 展延温度：650℃ − 転移温度：510℃ − 耐失透性：良好；650℃まで昇温し15分間650
℃に維持した後室温まで降温するという熱サイ
クルを連続４回経た後でもガラスはなお透明で
あつた。 − 紫外線及び湿潤抵抗：良好。 − 可視光線領域中の光透過率：極めて良好。
Claims (1)
- １ 酸化亜鉛ZnO30乃至40重量％、酸化鉛PbO15
乃至30重量％、酸化ホウ素B2O320乃至40重量
％、二酸化ケイ素SiO25乃至20重量％、チタン酸
アルミニウムAl2TiO52乃至10重量％及び酸化ビ
スマスBi2O30乃至５重量％を含有するガラス材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8113497 | 1981-07-09 | ||
| FR8113497A FR2509285A1 (fr) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | Materiau vitreux et application a un composant a semi-conducteur |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820752A JPS5820752A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS6146419B2 true JPS6146419B2 (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=9260378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119662A Granted JPS5820752A (ja) | 1981-07-09 | 1982-07-09 | 半導体材料被覆用ガラス材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4409292A (ja) |
| EP (1) | EP0069963B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5820752A (ja) |
| DE (1) | DE3261460D1 (ja) |
| FR (1) | FR2509285A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861169A (en) * | 1994-04-22 | 1999-01-19 | Dibona Holding Ag | Hard candy with tooth plaque-neutralizing effect comprising an ammonium salt |
| US5629247A (en) * | 1996-05-08 | 1997-05-13 | The O'hommel Company | High bismuth oxide based flux and paint compositions for glass substrates |
| US6184163B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | Dielectric composition for plasma display panel |
| KR100682931B1 (ko) * | 2005-02-15 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 비정질 유전막 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1258070A (fr) * | 1959-05-28 | 1961-04-07 | Westinghouse Electric Corp | Composition de verre |
| NL251694A (ja) * | 1959-05-28 | |||
| FR1370296A (fr) * | 1962-09-20 | 1964-08-21 | Du Pont | Résistance électrique |
| NL298179A (ja) * | 1962-09-20 | |||
| US3645839A (en) * | 1969-01-10 | 1972-02-29 | Owens Illinois Inc | Glass sealing compositions containing aluminum titanate |
| US3734702A (en) * | 1969-01-10 | 1973-05-22 | Owens Illinois Inc | Glass sealing method |
| US3684536A (en) * | 1970-11-04 | 1972-08-15 | Du Pont | Bismuthate glass-ceramic precursor compositions |
| JPS5110844B2 (ja) * | 1973-04-24 | 1976-04-07 | ||
| DE2517743C3 (de) * | 1975-04-22 | 1980-03-06 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz | Passivierender Schutzüberzug für Siliziumhalbleiterbauelemente |
-
1981
- 1981-07-09 FR FR8113497A patent/FR2509285A1/fr active Granted
-
1982
- 1982-07-06 EP EP82105998A patent/EP0069963B1/fr not_active Expired
- 1982-07-06 DE DE8282105998T patent/DE3261460D1/de not_active Expired
- 1982-07-09 US US06/396,950 patent/US4409292A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-07-09 JP JP57119662A patent/JPS5820752A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2509285A1 (fr) | 1983-01-14 |
| US4409292A (en) | 1983-10-11 |
| FR2509285B1 (ja) | 1984-08-10 |
| EP0069963B1 (fr) | 1984-12-05 |
| JPS5820752A (ja) | 1983-02-07 |
| DE3261460D1 (en) | 1985-01-17 |
| EP0069963A1 (fr) | 1983-01-19 |
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