JPS6146975B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6146975B2 JPS6146975B2 JP54003250A JP325079A JPS6146975B2 JP S6146975 B2 JPS6146975 B2 JP S6146975B2 JP 54003250 A JP54003250 A JP 54003250A JP 325079 A JP325079 A JP 325079A JP S6146975 B2 JPS6146975 B2 JP S6146975B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- semiconductor
- wall member
- integrated circuit
- external leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子を収納する半導体容器の構
造に関するものである。
造に関するものである。
各種の半導体素子を収納し、それら半導体素子
の電極と外部回路とを接続するための外部リード
を有する半導体容器には、各種の形状のものが開
発され、実用化されているが、マイクロ波帯、特
に数GHz以上の周波数帯域で使用されるものに
ついては、外部リードに特性インピーダンスをも
たせた所謂ストリツプライン形の半導体容器が圧
倒的に多い。
の電極と外部回路とを接続するための外部リード
を有する半導体容器には、各種の形状のものが開
発され、実用化されているが、マイクロ波帯、特
に数GHz以上の周波数帯域で使用されるものに
ついては、外部リードに特性インピーダンスをも
たせた所謂ストリツプライン形の半導体容器が圧
倒的に多い。
すなわち、セラミツク基板上の壁部材に外部リ
ードに特性インピーダンスを持たせるためにガラ
ス等の絶縁材を接着剤として外部リードを埋め込
み、この外部リードとセラミツク基板上にロウ着
された半導体素子の電極とを金属細線で電気的に
接続してその後金属の蓋部材で気密封止を行なつ
ていた。セラミツク基板の裏面には接地電位を印
加する金属層が形成されている。
ードに特性インピーダンスを持たせるためにガラ
ス等の絶縁材を接着剤として外部リードを埋め込
み、この外部リードとセラミツク基板上にロウ着
された半導体素子の電極とを金属細線で電気的に
接続してその後金属の蓋部材で気密封止を行なつ
ていた。セラミツク基板の裏面には接地電位を印
加する金属層が形成されている。
しかしながら、このような半導体容器ではセラ
ミツク基板の裏面の金属層を接地面として使用す
るとしても、外部リード間には壁部材と絶縁材の
容量が接続された構造になるため数十GHz以上
の超高周波帯域での使用は困難なものであつた。
ミツク基板の裏面の金属層を接地面として使用す
るとしても、外部リード間には壁部材と絶縁材の
容量が接続された構造になるため数十GHz以上
の超高周波帯域での使用は困難なものであつた。
こうした問題点を解決するため第１図に示すよ
うな半導体容器が提案されている。すなわち、金
属基板１３上にこれと同じ金属ブロツク１１を取
りつけ、信号入出力部分のみ特性インピーダンス
となる大きさに絶縁体２０と外部リード１４，１
４′を備えている。金属ブロツク１１の上端には
蓋部材１８がロウ材９によつて接着されている。
このような半導体容器は一般に混成集積回路装置
用に使用されている。すなわち、金属基板１３上
には集積回路が形成されている集積回路基板１２
および半導体素子１７の放熱のための放熱板４０
が接着されている。半導体素子１７は放熱板４０
の上に固着され、集積回路基板１２上の集積回路
の所定の部分に金属細線１５と電気的に接続され
ている。外部リード４，４′もまた集積回路の所
定の部分と金属細線１５′と電気的に接続されて
いる。
うな半導体容器が提案されている。すなわち、金
属基板１３上にこれと同じ金属ブロツク１１を取
りつけ、信号入出力部分のみ特性インピーダンス
となる大きさに絶縁体２０と外部リード１４，１
４′を備えている。金属ブロツク１１の上端には
蓋部材１８がロウ材９によつて接着されている。
このような半導体容器は一般に混成集積回路装置
用に使用されている。すなわち、金属基板１３上
には集積回路が形成されている集積回路基板１２
および半導体素子１７の放熱のための放熱板４０
が接着されている。半導体素子１７は放熱板４０
の上に固着され、集積回路基板１２上の集積回路
の所定の部分に金属細線１５と電気的に接続され
ている。外部リード４，４′もまた集積回路の所
定の部分と金属細線１５′と電気的に接続されて
いる。
第１図の半導体容器では金属基板１３を接地し
て使用した場合、金属ブロツク１１も接地状態に
あるため外部リード１４，１４′間に存在する容
量は極めて小さくなり超高周波帯域でも使用でき
るようになる。しかし、特に特性インピーダンス
を構成する絶縁体２０と金属ブロツク１１の熱膨
腸係数の違いにより、絶縁体１０に亀裂が発生し
て気密性に劣るという新たな欠点が生じていた。
て使用した場合、金属ブロツク１１も接地状態に
あるため外部リード１４，１４′間に存在する容
量は極めて小さくなり超高周波帯域でも使用でき
るようになる。しかし、特に特性インピーダンス
を構成する絶縁体２０と金属ブロツク１１の熱膨
腸係数の違いにより、絶縁体１０に亀裂が発生し
て気密性に劣るという新たな欠点が生じていた。
本発明の目的は数十GHz以上の超高周波帯域
に於いてでも使用でき、また気密性に優れた半導
体容器を提供することにある。
に於いてでも使用でき、また気密性に優れた半導
体容器を提供することにある。
本発明によれば金属基板上に絶縁物で形成され
た壁部材を有しかつその壁部材を貫通して設けら
れた外部リードを有する半導体容器で、外部リー
ド部分の領域を除く半導体容器の内部表面が金属
で覆われていることを特徴とする半導体容器を提
供する。
た壁部材を有しかつその壁部材を貫通して設けら
れた外部リードを有する半導体容器で、外部リー
ド部分の領域を除く半導体容器の内部表面が金属
で覆われていることを特徴とする半導体容器を提
供する。
次に本発明の実施例を図面を用いてより詳細に
説明する。
説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体容器の
断面図である。即ち、金属基板２３上にロー付等
の方法でセラミツクの壁部材２６を固定する。外
部リード２４，２４′に特性インピーダンスを持
たせるためガラス等の絶縁材５０を壁部材２６の
中に形成し、その時外部リード２４，２４′を同
時にうめ込んで固定する。このようにして形成さ
れた壁部材２６の内部の外部リード２４，２４′
を除く部分全面に金等の金属を付着して金属層３
０を形成する。壁部材２６の上端にも金等の金属
を付着させて金属層３５を形成する。次に、上に
集積回路が形成されているセラミツク等の集積回
路基板２２と半導体素子２７の放熱のために銅の
ような熱伝導性のよい放熱板４１を接着する。半
導体素子２７は放熱板４１に固着され、半導体素
子２７の各々の電極は金属細線２５によつて集積
回路基板２２上の集積回路の所定の部分と電気的
に接続される。外部リード２４，２４′も集積回
路の所定の部分と金属細線２５によつて電気的に
接続されている。
断面図である。即ち、金属基板２３上にロー付等
の方法でセラミツクの壁部材２６を固定する。外
部リード２４，２４′に特性インピーダンスを持
たせるためガラス等の絶縁材５０を壁部材２６の
中に形成し、その時外部リード２４，２４′を同
時にうめ込んで固定する。このようにして形成さ
れた壁部材２６の内部の外部リード２４，２４′
を除く部分全面に金等の金属を付着して金属層３
０を形成する。壁部材２６の上端にも金等の金属
を付着させて金属層３５を形成する。次に、上に
集積回路が形成されているセラミツク等の集積回
路基板２２と半導体素子２７の放熱のために銅の
ような熱伝導性のよい放熱板４１を接着する。半
導体素子２７は放熱板４１に固着され、半導体素
子２７の各々の電極は金属細線２５によつて集積
回路基板２２上の集積回路の所定の部分と電気的
に接続される。外部リード２４，２４′も集積回
路の所定の部分と金属細線２５によつて電気的に
接続されている。
かかる本発明の一実施例の半導体容器では、壁
部材２６と絶縁材５０の熱膨脹率をほぼ等しくで
きるため第２図の従来の半導体容器で生じていた
金属ブロツク１１と絶縁材１０との熱膨脹率の差
異による亀裂がなくなり、気密性に優れた半導体
容器を得ることができる。また金属基板２３を接
地面として使用すれば、金属基板２３と金属層３
０とは電気的に連続しているため壁部も接地状態
にあり、従つて外部リード２４，２４′間の容量
を極めて小さくすることができ数十GHz以上の
超高周波帯域での使用も可能となる。
部材２６と絶縁材５０の熱膨脹率をほぼ等しくで
きるため第２図の従来の半導体容器で生じていた
金属ブロツク１１と絶縁材１０との熱膨脹率の差
異による亀裂がなくなり、気密性に優れた半導体
容器を得ることができる。また金属基板２３を接
地面として使用すれば、金属基板２３と金属層３
０とは電気的に連続しているため壁部も接地状態
にあり、従つて外部リード２４，２４′間の容量
を極めて小さくすることができ数十GHz以上の
超高周波帯域での使用も可能となる。
以上のように本発明によれば超高周波帯域でも
使用可能であり、さらに気密性に優れた半導体容
器を提供しうる。
使用可能であり、さらに気密性に優れた半導体容
器を提供しうる。
尚、壁部材２６や絶縁材５０等の材質は実施例
で示したものに限られる必要はなく、ただ壁部材
２６と絶縁材５０の熱膨脹等がなるべくなら同じ
材質のものが好ましい。また、金属層３０，３５
は別工程で形成したが、金属層３０を形成すると
きと同時に金属層３５を形成してもよい。
で示したものに限られる必要はなく、ただ壁部材
２６と絶縁材５０の熱膨脹等がなるべくなら同じ
材質のものが好ましい。また、金属層３０，３５
は別工程で形成したが、金属層３０を形成すると
きと同時に金属層３５を形成してもよい。
第１図は従来構造の半導体容器を示す断面図、
第２図は本発明の一実施例を示す半導体容器の断
面図である。 １３，２３……金属基板、１１……金属ブロツ
ク、１０，５０……絶縁材、１４，１４′，２
４，２４′……外部リード、１５，１５′，２５，
２５′……金属細線、１７，２７……半導体素
子、１９，２９……ロウ材、１８，２８……蓋部
材、１２，２２……集積回路基板、４０，４１…
……放熱板、３０，３５……金属層。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体容器の断
面図である。 １３，２３……金属基板、１１……金属ブロツ
ク、１０，５０……絶縁材、１４，１４′，２
４，２４′……外部リード、１５，１５′，２５，
２５′……金属細線、１７，２７……半導体素
子、１９，２９……ロウ材、１８，２８……蓋部
材、１２，２２……集積回路基板、４０，４１…
……放熱板、３０，３５……金属層。
Claims (1)
- １ 金属基板上に絶縁物で形成された壁部材を有
し、且つ該壁部材を貫通して外部リードが設けら
れた半導体容器に於いて、前記外部リードの突出
部分を除く前記壁部材の内側全面が前記金属基板
に接続された金属層で被覆されていることを特徴
とする半導体容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP325079A JPS5595343A (en) | 1979-01-11 | 1979-01-11 | Container for semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP325079A JPS5595343A (en) | 1979-01-11 | 1979-01-11 | Container for semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5595343A JPS5595343A (en) | 1980-07-19 |
| JPS6146975B2 true JPS6146975B2 (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=11552207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP325079A Granted JPS5595343A (en) | 1979-01-11 | 1979-01-11 | Container for semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5595343A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4953001A (en) * | 1985-09-27 | 1990-08-28 | Raytheon Company | Semiconductor device package and packaging method |
| JPS62293624A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｉｃパツケ−ジ |
| JPH0793392B2 (ja) * | 1986-10-25 | 1995-10-09 | 新光電気工業株式会社 | 超高周波素子用パツケ−ジ |
| JPH0524399U (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-30 | コクヨ株式会社 | 額 縁 |
| JPH0846073A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5587461A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Microwave integrated circuit package |
-
1979
- 1979-01-11 JP JP325079A patent/JPS5595343A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5595343A (en) | 1980-07-19 |
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