JPS6147445B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6147445B2 JPS6147445B2 JP55107973A JP10797380A JPS6147445B2 JP S6147445 B2 JPS6147445 B2 JP S6147445B2 JP 55107973 A JP55107973 A JP 55107973A JP 10797380 A JP10797380 A JP 10797380A JP S6147445 B2 JPS6147445 B2 JP S6147445B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- memory
- rotating
- memory board
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/02—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with variable tuning element having a number of predetermined settings and adjustable to a desired one of these settings
- H03J5/04—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with variable tuning element having a number of predetermined settings and adjustable to a desired one of these settings operated by hand
- H03J5/12—Settings determined by a number of separately-actuated driving means which adjust the tuning element directly to desired settings
Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば可変インダクタンス素子を使
用して同調をとるようなチユーナ(同調器)に関
し、更に詳細には、メモリ板を使用して同調周波
数をプリセツトする形式のチユーナに関するもの
である。
用して同調をとるようなチユーナ(同調器)に関
し、更に詳細には、メモリ板を使用して同調周波
数をプリセツトする形式のチユーナに関するもの
である。
メモリ板を使用して選局周波数(同調周波数)
をプリセツトする押釦型チユーナは、例えば実公
昭48−45362号公報等に示されているように公知
である。ところが、この種のチユーナは、可変イ
ンダクタンス素子の磁心の移動量に対応した角度
が得られる一対の平行な係合棒を設け、この一対
の係合棒の回動位置とメモリ板との関係で同調周
波数をプリセツトする構成であるので、薄く形成
することが不可能であつた。
をプリセツトする押釦型チユーナは、例えば実公
昭48−45362号公報等に示されているように公知
である。ところが、この種のチユーナは、可変イ
ンダクタンス素子の磁心の移動量に対応した角度
が得られる一対の平行な係合棒を設け、この一対
の係合棒の回動位置とメモリ板との関係で同調周
波数をプリセツトする構成であるので、薄く形成
することが不可能であつた。
一方、特開昭54−159801号公報には、メモリ板
及びこれに関係する部分を板状に形成することに
よつて薄型化した押釦型チユーナが開示されてい
る。しかし、この公報には、高い精度を有して同
調をとることができ且つ製造が容易である薄型押
釦チユーナは開示されていない。
及びこれに関係する部分を板状に形成することに
よつて薄型化した押釦型チユーナが開示されてい
る。しかし、この公報には、高い精度を有して同
調をとることができ且つ製造が容易である薄型押
釦チユーナは開示されていない。
そこで、本発明の目的は、高い精度を有して同
調をとることができ且つ製造が容易であるプリセ
ツト型チユーナを提供することにある。
調をとることができ且つ製造が容易であるプリセ
ツト型チユーナを提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、実施例を
示す図面の符号を参照して説明すると、可変イン
ピーダンス素子1を含む同調回路5と、前記可変
インピーダンス素子1の可動部に連動して第1の
方向に移動するように配設され且つ後記の第1及
び第2の回動板19,20に係合させるためのピ
ン28を有している摺動板14と、後記メモリ支
持板35に枢支され且つ後記の第1及び第2の回
動板19,20の第1及び第2のメモリ板係合部
22,26に選択的に係合する第1及び第2の回
動板係合部32,33が設けられたメモリ板31
と、固定部に枢支され、前記摺動板14の移動量
に対応した角度だけ回動するように前記摺動板1
4の前記ピン28に係合するU字状係合部21を
有し、且つ前記メモリ板31の第1の回動板係合
部32に係合する第1のメモリ板係合部22を有
している第1の回動板19と、固定部に枢支さ
れ、前記摺動板14の移動量に対応した角度だけ
回動するように前記摺動板14の前記ピン28に
係合するU字状係合部25を有し、且つ前記メモ
リ板31の第2の回動板係合部33に係合する第
2のメモリ板係合部26を有し、前記メモリ板3
1の前記第2の回動板係合部33で押圧された時
に前記第1の回動板19と逆の方向に回動するよ
うに前記第2のメモリ板係合部26が配設されて
いる第2の回動板20と、前記第1の方向に直交
する第2の方向に伸びた状態に配設され且つ前記
第2の方向に移動可能に基体に支持されたメモリ
支持板35と、前記メモリ板31を前記第1及び
第2の回動板19,20から離らかす方向の偏倚
力を前記メモリ支持板35に与えている復帰バネ
44と、前記メモリ板31の回動を選択的に阻止
するロツク部62と、前記ロツク部62に係合し
て前記ロツク部62による前記メモリ板31の回
動阻止状態と該回動阻止の解放状態とを選択的に
得るための制御をなすロツク制御部材55とを具
備し、前記メモリ板31に前記可変インピーダン
ス素子1の状態を記憶させる際に、前記ロツク部
62による前記メモリ板31のロツクを解除した
状態で前記メモリ板31を前記第1及び第2の回
動板19,20の方向に移動することによつて前
記メモリ板31が前記摺動板14の摺動位置に対
応して決定されている前記第1及び第2の回動板
19,20の回動角度に対応した回動角度に回動
し、前記ロツク制御部材55の操作で前記メモリ
板31の前記回動角度がロツクされ、また前記メ
モリ板31の記憶内容に対応した前記可変インピ
ーダンス素子1の状態を得る際に、前記復帰バネ
44に抗して前記メモリ支持板35を移動するこ
とによつて前記第1及び第2の回動板19,20
が前記メモリ板31の回動角に対応した回動角と
なり且つ前記摺動板14が前記第1及び第2の回
動板19,20の回動角に対応した量だけ摺動す
るように構成されたプリセツト型チユーナに係わ
るものである。
示す図面の符号を参照して説明すると、可変イン
ピーダンス素子1を含む同調回路5と、前記可変
インピーダンス素子1の可動部に連動して第1の
方向に移動するように配設され且つ後記の第1及
び第2の回動板19,20に係合させるためのピ
ン28を有している摺動板14と、後記メモリ支
持板35に枢支され且つ後記の第1及び第2の回
動板19,20の第1及び第2のメモリ板係合部
22,26に選択的に係合する第1及び第2の回
動板係合部32,33が設けられたメモリ板31
と、固定部に枢支され、前記摺動板14の移動量
に対応した角度だけ回動するように前記摺動板1
4の前記ピン28に係合するU字状係合部21を
有し、且つ前記メモリ板31の第1の回動板係合
部32に係合する第1のメモリ板係合部22を有
している第1の回動板19と、固定部に枢支さ
れ、前記摺動板14の移動量に対応した角度だけ
回動するように前記摺動板14の前記ピン28に
係合するU字状係合部25を有し、且つ前記メモ
リ板31の第2の回動板係合部33に係合する第
2のメモリ板係合部26を有し、前記メモリ板3
1の前記第2の回動板係合部33で押圧された時
に前記第1の回動板19と逆の方向に回動するよ
うに前記第2のメモリ板係合部26が配設されて
いる第2の回動板20と、前記第1の方向に直交
する第2の方向に伸びた状態に配設され且つ前記
第2の方向に移動可能に基体に支持されたメモリ
支持板35と、前記メモリ板31を前記第1及び
第2の回動板19,20から離らかす方向の偏倚
力を前記メモリ支持板35に与えている復帰バネ
44と、前記メモリ板31の回動を選択的に阻止
するロツク部62と、前記ロツク部62に係合し
て前記ロツク部62による前記メモリ板31の回
動阻止状態と該回動阻止の解放状態とを選択的に
得るための制御をなすロツク制御部材55とを具
備し、前記メモリ板31に前記可変インピーダン
ス素子1の状態を記憶させる際に、前記ロツク部
62による前記メモリ板31のロツクを解除した
状態で前記メモリ板31を前記第1及び第2の回
動板19,20の方向に移動することによつて前
記メモリ板31が前記摺動板14の摺動位置に対
応して決定されている前記第1及び第2の回動板
19,20の回動角度に対応した回動角度に回動
し、前記ロツク制御部材55の操作で前記メモリ
板31の前記回動角度がロツクされ、また前記メ
モリ板31の記憶内容に対応した前記可変インピ
ーダンス素子1の状態を得る際に、前記復帰バネ
44に抗して前記メモリ支持板35を移動するこ
とによつて前記第1及び第2の回動板19,20
が前記メモリ板31の回動角に対応した回動角と
なり且つ前記摺動板14が前記第1及び第2の回
動板19,20の回動角に対応した量だけ摺動す
るように構成されたプリセツト型チユーナに係わ
るものである。
上記発明においては、摺動板14に設けたピン
28に第1及び第2の回動板19,20の第1及
び第2のU字状係合部21,25をそれぞれ係合
させて、メモリ板31によつて押圧された時に第
1及び第2の回動板19,20が互に反対方向に
回るように第1及び第2のメモリ板係合部22,
26が配置されている。従つて、第1及び第2の
回動板19,20と摺動板14との係合構造が単
純であるにも拘らず、ガタの少ない係合状態とな
り、正確な同調状態が得られる。
28に第1及び第2の回動板19,20の第1及
び第2のU字状係合部21,25をそれぞれ係合
させて、メモリ板31によつて押圧された時に第
1及び第2の回動板19,20が互に反対方向に
回るように第1及び第2のメモリ板係合部22,
26が配置されている。従つて、第1及び第2の
回動板19,20と摺動板14との係合構造が単
純であるにも拘らず、ガタの少ない係合状態とな
り、正確な同調状態が得られる。
以下、第1図〜第13図を参照して本発明の実
施例について述べる。
施例について述べる。
第1図は本発明の実施例に係わるチユーナの全
体の構成を概略的に示す平面図、第2図はその正
面図である。第2図から明らかなように、このチ
ユーナは極めて薄く形成されている。第1図及び
第2図に於いて、1は可変インダクタンス素子で
あり、固定コイル部分2と可動磁心3とから成
る。4は可変インダクタンス素子1が接続されて
いる電気回路部分であり、この電気回路部分4と
可変インダクタンス素子1とで同調回路5が形成
されている。6はマニアル同調軸であり、ギヤー
7、このギヤー7に噛合する扇形ギヤー8、この
ギヤー8が結合されたクランク9を介してスライ
ダ10に係合されている。尚図示は省略されてい
るが、マニアル同調軸6の回転をこれに直交する
方向のギヤー7の回転に変換するためのギヤーが
設けられている。また押釦選局する際に、マニア
ル同調機構を切り離すためのクラツチ部11が設
けられており、押釦選局の時に、扇形ギヤー8か
ら小形ギヤー7を引き離すように構成されてい
る。このクラツチ作動機構は、この実施例では押
釦の操作に連動して公知の方式でクラツチ部11
を作動させるようになつているが、マニアル同調
軸6を引張るか又は押し込むことによつてギヤー
7と扇形ギヤー8との噛合を解除するように構成
しても差支えない。
体の構成を概略的に示す平面図、第2図はその正
面図である。第2図から明らかなように、このチ
ユーナは極めて薄く形成されている。第1図及び
第2図に於いて、1は可変インダクタンス素子で
あり、固定コイル部分2と可動磁心3とから成
る。4は可変インダクタンス素子1が接続されて
いる電気回路部分であり、この電気回路部分4と
可変インダクタンス素子1とで同調回路5が形成
されている。6はマニアル同調軸であり、ギヤー
7、このギヤー7に噛合する扇形ギヤー8、この
ギヤー8が結合されたクランク9を介してスライ
ダ10に係合されている。尚図示は省略されてい
るが、マニアル同調軸6の回転をこれに直交する
方向のギヤー7の回転に変換するためのギヤーが
設けられている。また押釦選局する際に、マニア
ル同調機構を切り離すためのクラツチ部11が設
けられており、押釦選局の時に、扇形ギヤー8か
ら小形ギヤー7を引き離すように構成されてい
る。このクラツチ作動機構は、この実施例では押
釦の操作に連動して公知の方式でクラツチ部11
を作動させるようになつているが、マニアル同調
軸6を引張るか又は押し込むことによつてギヤー
7と扇形ギヤー8との噛合を解除するように構成
しても差支えない。
クランク9は軸12を中心に回動自在であり、
その一端のU字状切欠部によつてスライダ10の
ピン13に係合し、他端のU字状切欠部によつて
摺動板14のピン15に係合している。尚スライ
ダ10は磁心3と同一方向に伸びる案内棒16,
17でガイドされているので、クランク9の回動
に追従して直線的に移動する。
その一端のU字状切欠部によつてスライダ10の
ピン13に係合し、他端のU字状切欠部によつて
摺動板14のピン15に係合している。尚スライ
ダ10は磁心3と同一方向に伸びる案内棒16,
17でガイドされているので、クランク9の回動
に追従して直線的に移動する。
スライダ10には磁心3が固着されているの
で、マニアル同調軸6を回転すると、この回転運
動がギヤー7、扇形ギヤー8、クランク9を介し
てスライダ10及び磁心3の直線運動に変換さ
れ、磁心3がその軸方向に変位し、インダクタン
ス素子1のインダクタンス値が変化し、所望の同
調状態が得られる。また磁心3が固着されたスラ
イダ10の変位は、クランク9を介して摺動板1
4に伝達され、長孔64に挿入されたピン63で
ガイドされて摺動板14が左右方向(第1の方
向)に移動し、逆に、摺動板14が左右方向に変
位すると、これに応じてクランク9が回動し、更
にこの回動に応じてスライダ10が変位する。
で、マニアル同調軸6を回転すると、この回転運
動がギヤー7、扇形ギヤー8、クランク9を介し
てスライダ10及び磁心3の直線運動に変換さ
れ、磁心3がその軸方向に変位し、インダクタン
ス素子1のインダクタンス値が変化し、所望の同
調状態が得られる。また磁心3が固着されたスラ
イダ10の変位は、クランク9を介して摺動板1
4に伝達され、長孔64に挿入されたピン63で
ガイドされて摺動板14が左右方向(第1の方
向)に移動し、逆に、摺動板14が左右方向に変
位すると、これに応じてクランク9が回動し、更
にこの回動に応じてスライダ10が変位する。
このチユーナは、マニアル同調軸6によつて所
望の局即ち周波数と同調をとり、この同調状態を
メモリ板に記憶させ、以後は押釦18の操作のみ
で選局するように構成されている。従つて、後述
から明らかになるように、押釦18はメモリ板を
介して摺動板14を駆動し、摺動板14の変位に
応じて可変インダクタンス素子1の値が変化し、
メモリ板に記憶された局が選ばれる。
望の局即ち周波数と同調をとり、この同調状態を
メモリ板に記憶させ、以後は押釦18の操作のみ
で選局するように構成されている。従つて、後述
から明らかになるように、押釦18はメモリ板を
介して摺動板14を駆動し、摺動板14の変位に
応じて可変インダクタンス素子1の値が変化し、
メモリ板に記憶された局が選ばれる。
第3図及び第4図は摺動板14と押釦18との
間の機構を示すものである。この図面に於いて、
19は第1の回動板であり、20は第2の回動板
である。この第1の回動板19は第6図に示す如
く、U字状係合部21と第1のメモリ板係合部2
2とを有し、孔23に挿入される枢軸24を中心
に回動自在である。第2の回動板20は第7図に
示す如く第1の回動板19と対称的に形成されて
おり、U字状係合部25と、第2のメモリ板係合
部26とを有し、孔27に挿入された枢軸24を
中心に回動自在である。
間の機構を示すものである。この図面に於いて、
19は第1の回動板であり、20は第2の回動板
である。この第1の回動板19は第6図に示す如
く、U字状係合部21と第1のメモリ板係合部2
2とを有し、孔23に挿入される枢軸24を中心
に回動自在である。第2の回動板20は第7図に
示す如く第1の回動板19と対称的に形成されて
おり、U字状係合部25と、第2のメモリ板係合
部26とを有し、孔27に挿入された枢軸24を
中心に回動自在である。
摺動板14にはピン28が植設され、このピン
28が第1及び第2の回動板19,20のU字状
係合部21,25に夫々挿入され、枢軸24は固
定基板30に植設されているので、摺動板14が
矢印29で示す第1の方向(上下方向)に移動す
ると、これに追従して回動板19,20が時計方
向又は反時計方向に回動する。
28が第1及び第2の回動板19,20のU字状
係合部21,25に夫々挿入され、枢軸24は固
定基板30に植設されているので、摺動板14が
矢印29で示す第1の方向(上下方向)に移動す
ると、これに追従して回動板19,20が時計方
向又は反時計方向に回動する。
31は扇形に形成されたメモリ板であり、第8
図に示す如く互いに約180度の間隔を有して設け
られた第1及び第2の回動板係合部32,33を
有し、その中央の孔34に枢軸となるピン36が
挿入されている。尚第1及び第2の回動板係合部
32,33は、第1及び第2の回動板19,20
のメモリ板係合部22,26に確実に係合させる
ために、折り曲げ部にて形成されている。
図に示す如く互いに約180度の間隔を有して設け
られた第1及び第2の回動板係合部32,33を
有し、その中央の孔34に枢軸となるピン36が
挿入されている。尚第1及び第2の回動板係合部
32,33は、第1及び第2の回動板19,20
のメモリ板係合部22,26に確実に係合させる
ために、折り曲げ部にて形成されている。
メモリ支持板35は第9図に示すように形成さ
れて摺動板14に直交するように配置されてい
る。ここに形成された長孔37には案内ピン38
が挿入され、これにガイドされて第3図で矢印3
9で示す第2の方向(左右方向)に摺動自在であ
る。尚案内ピン38は基板30に植設されてい
る。またメモリ支持板35にはバネ受け段部40
が設けられ、ここから突出した部分41がケース
即ち基板30に形成された孔42からケース外に
突出し、基板30の背面部43と段部40との間
に復帰バネ44が装着されている。従つて、メモ
リ支持板35は、バネ44で常に第3図及び第4
図で右方向の偏倚力を受けている。
れて摺動板14に直交するように配置されてい
る。ここに形成された長孔37には案内ピン38
が挿入され、これにガイドされて第3図で矢印3
9で示す第2の方向(左右方向)に摺動自在であ
る。尚案内ピン38は基板30に植設されてい
る。またメモリ支持板35にはバネ受け段部40
が設けられ、ここから突出した部分41がケース
即ち基板30に形成された孔42からケース外に
突出し、基板30の背面部43と段部40との間
に復帰バネ44が装着されている。従つて、メモ
リ支持板35は、バネ44で常に第3図及び第4
図で右方向の偏倚力を受けている。
メモリ支持板35には、メモリ板31の他に、
メモリ板31の回動阻止を選択的に行うためのロ
ツク部62が装着されている。このロツク部62
はロツク用板バネ45と、このロツク用板バネ4
5を選択的に作動させるための板バネレバー46
とから成る。第4図でレバー46に反時計方向の
力を加えるためのロツク用板バネ45は、第10
図に示すように、メモリ支持板35のピン36が
挿通される孔47を有し、またメモリ支持板35
の切り起し部48が挿通され且つ板バネレバー4
6の先端が挿入される切欠部49を有し、更にメ
モリ板31を押圧する押圧面50を有する。そし
て、このロツク用板バネ45の右端51は第4図
及び第5図で下側に屈曲されている。板バネレバ
ー46は、比較的変形しにくい厚い板バネで第1
1図に示すように形成され、切り起し部48を挿
入するための孔52を有し、またその右側に細長
いロツク制御部材係合部53を有する。
メモリ板31の回動阻止を選択的に行うためのロ
ツク部62が装着されている。このロツク部62
はロツク用板バネ45と、このロツク用板バネ4
5を選択的に作動させるための板バネレバー46
とから成る。第4図でレバー46に反時計方向の
力を加えるためのロツク用板バネ45は、第10
図に示すように、メモリ支持板35のピン36が
挿通される孔47を有し、またメモリ支持板35
の切り起し部48が挿通され且つ板バネレバー4
6の先端が挿入される切欠部49を有し、更にメ
モリ板31を押圧する押圧面50を有する。そし
て、このロツク用板バネ45の右端51は第4図
及び第5図で下側に屈曲されている。板バネレバ
ー46は、比較的変形しにくい厚い板バネで第1
1図に示すように形成され、切り起し部48を挿
入するための孔52を有し、またその右側に細長
いロツク制御部材係合部53を有する。
ロツク用板バネ45及びレバー46のメモリ支
持板35に対する装着は、メモリ板31のロツク
状態を示す第3図及び第4図、メモリ板31のロ
ツク解除状態を拡大して示す第5図から明らかな
ように、メモリ板31に重ねてロツク用板バネ4
5が配置され、この板バネ45に重ねてレバー4
6が配置されている。第5図のロツク解除の状態
ではレバー46の左端54がロツク用板バネ45
をメモリ31の方向に強く押していない。従つて
メモリ板31はピン36を中心に回動自在であ
る。これに対して、第4図のロツク状態に於いて
は、レバー46が切り起し部48を支点として時
計方向に回動付勢され、その左端54がロツク用
板バネ45を強く押圧し、メモリ板31も板バネ
45を介して強く押圧され、実質的に回動不可能
にロツクされている。即ちメモリ板31はある角
度を記憶した状態になる。
持板35に対する装着は、メモリ板31のロツク
状態を示す第3図及び第4図、メモリ板31のロ
ツク解除状態を拡大して示す第5図から明らかな
ように、メモリ板31に重ねてロツク用板バネ4
5が配置され、この板バネ45に重ねてレバー4
6が配置されている。第5図のロツク解除の状態
ではレバー46の左端54がロツク用板バネ45
をメモリ31の方向に強く押していない。従つて
メモリ板31はピン36を中心に回動自在であ
る。これに対して、第4図のロツク状態に於いて
は、レバー46が切り起し部48を支点として時
計方向に回動付勢され、その左端54がロツク用
板バネ45を強く押圧し、メモリ板31も板バネ
45を介して強く押圧され、実質的に回動不可能
にロツクされている。即ちメモリ板31はある角
度を記憶した状態になる。
55は板状のロツク制御部材であり、第12図
に示す如くピン38を挿通するための長孔56
と、レバー45を作動させるための突出部57
と、メモリ支持板35に設けられたストツパ58
に当接する段部59とを有し、その右端には押釦
18が装着されている。メモリ支持板35に対す
る取り付けは、第5図のロツク解除状態の時に
は、突出部57がレバー46の先端係合部53を
第5図で下側に押圧せず、第4図のロツク時には
突出部57がレバー46の先端係合部53の下方
向に押圧するようになされている。
に示す如くピン38を挿通するための長孔56
と、レバー45を作動させるための突出部57
と、メモリ支持板35に設けられたストツパ58
に当接する段部59とを有し、その右端には押釦
18が装着されている。メモリ支持板35に対す
る取り付けは、第5図のロツク解除状態の時に
は、突出部57がレバー46の先端係合部53を
第5図で下側に押圧せず、第4図のロツク時には
突出部57がレバー46の先端係合部53の下方
向に押圧するようになされている。
次に、上述の如く構成されたチユーナな取扱い
方法及び動作について述べる。
方法及び動作について述べる。
まず、メモリ板31に放送局即ち周波数を記憶
させる際には、押釦18を引き出すことによつて
ロツク制御部材55を第5図の位置に引き出す。
この結果、レバー46と板バネ45とによるメモ
リ板31のロツク即ち押圧が解除され、メモリ板
31は回動自在になる。しかし、回動板係合部3
2,33が第5図で立下り状態に設けられている
ので、回動は板バネ45で制限されている。従つ
て、係合部32,33が逆方向に向いて回動板1
9,20の回動が不可能になる状態は生じない。
一方、マニアル同調軸6の回転によつて磁心3が
移動し、所定の同調状態即ち選局がなされる。そ
して、磁心3の移動に対応して摺動板14も移動
し、磁心3の位置に対応した摺動板14の位置が
得られる。摺動板14にはピン28にて第1及び
第2の回動板19,20が係合されているので、
摺動板14の位置に対応した回動板19,20の
回動角が得られる。
させる際には、押釦18を引き出すことによつて
ロツク制御部材55を第5図の位置に引き出す。
この結果、レバー46と板バネ45とによるメモ
リ板31のロツク即ち押圧が解除され、メモリ板
31は回動自在になる。しかし、回動板係合部3
2,33が第5図で立下り状態に設けられている
ので、回動は板バネ45で制限されている。従つ
て、係合部32,33が逆方向に向いて回動板1
9,20の回動が不可能になる状態は生じない。
一方、マニアル同調軸6の回転によつて磁心3が
移動し、所定の同調状態即ち選局がなされる。そ
して、磁心3の移動に対応して摺動板14も移動
し、磁心3の位置に対応した摺動板14の位置が
得られる。摺動板14にはピン28にて第1及び
第2の回動板19,20が係合されているので、
摺動板14の位置に対応した回動板19,20の
回動角が得られる。
上述の如き設定状態で、押釦18及びロツク制
御部材55を第3図及び第4図で左方向に押し込
む。この際、ロツク制御部材55の左端を板バネ
45及びレバー46の下に進入させる際にバネ作
用等で与えられる摩擦抵抗が、復帰バネ44の力
よりも大きく設定されているので、ロツク制御部
材55がメモリ板31の回動を制限する前にメモ
リ支持板35が復帰バネ44に抗して左方向に移
動し、メモリ板31の回動板係合部32,33が
回動板19,20のメモリ板係合部22,26に
第13図に示す如く係合し、メモリ板31の回動
角が回動板19,20の回動角に対応した値にな
る。そして更に押釦18の押込みを強めればロツ
ク制御部材55が移動し、左から右に向つて徐々
に高くなるように形成された突出部57がレバー
46の先端の上に進入し、レバー46を第4図及
び第5図で時計方向に回動させ、レバー46の左
端54で板バネ45を介してメモリ板31を押圧
し、その位置にロツクする。またロツク制御部材
55は板バネ45及び板バネレバー46でメモリ
支持板35の方向に押圧されてその位置に弾性的
に保持される。メモリ板31を回動板19,20
に係合させた後に、押釦18の押込み操作を解除
すると、復帰バネ44の働きで、メモリ支持板3
5は第3図及び第4図の位置に戻り、メモリ板3
1に対する記憶は完了する。
御部材55を第3図及び第4図で左方向に押し込
む。この際、ロツク制御部材55の左端を板バネ
45及びレバー46の下に進入させる際にバネ作
用等で与えられる摩擦抵抗が、復帰バネ44の力
よりも大きく設定されているので、ロツク制御部
材55がメモリ板31の回動を制限する前にメモ
リ支持板35が復帰バネ44に抗して左方向に移
動し、メモリ板31の回動板係合部32,33が
回動板19,20のメモリ板係合部22,26に
第13図に示す如く係合し、メモリ板31の回動
角が回動板19,20の回動角に対応した値にな
る。そして更に押釦18の押込みを強めればロツ
ク制御部材55が移動し、左から右に向つて徐々
に高くなるように形成された突出部57がレバー
46の先端の上に進入し、レバー46を第4図及
び第5図で時計方向に回動させ、レバー46の左
端54で板バネ45を介してメモリ板31を押圧
し、その位置にロツクする。またロツク制御部材
55は板バネ45及び板バネレバー46でメモリ
支持板35の方向に押圧されてその位置に弾性的
に保持される。メモリ板31を回動板19,20
に係合させた後に、押釦18の押込み操作を解除
すると、復帰バネ44の働きで、メモリ支持板3
5は第3図及び第4図の位置に戻り、メモリ板3
1に対する記憶は完了する。
尚、回動板19,20とメモリ板31との係合
の際、第1の回動板19は第13図で矢印60で
示す時計方向に回動し、第2の回動板20は矢印
61で示す反時計方向に回動するので、ピン28
は第1の回動板19のU字状係合部21と第2の
回動板20のU字状係合部25とによつて挟まれ
た状態となり、隙間を解消した正確な係合が成立
する。
の際、第1の回動板19は第13図で矢印60で
示す時計方向に回動し、第2の回動板20は矢印
61で示す反時計方向に回動するので、ピン28
は第1の回動板19のU字状係合部21と第2の
回動板20のU字状係合部25とによつて挟まれ
た状態となり、隙間を解消した正確な係合が成立
する。
第3図及び第4図に示すような押釦形式のプリ
セツト部は、押釦18の数だけ設けられているの
で、複数同調周波数を予め夫々設定することが出
来る。
セツト部は、押釦18の数だけ設けられているの
で、複数同調周波数を予め夫々設定することが出
来る。
第3図及び第4図に示す如くメモリ板31に同
調周波数を記憶した後に、押釦18の操作で選局
する場合には、押釦18と共にメモリ支持板55
を押し込み、メモリ板31を第1及び第2の回動
板19,20に係合させる。今迄別の周波数を受
信していたために、回動板19,20が摺動板1
4に追従して別の周波数に対応した角度にあつた
としても、メモリ板31が回動板19,20に係
合するために、メモリ板31に対応した回動角度
に回動板19,20が回動し、摺動板14が回動
板19,20の回動に追従して移動し、また摺動
板14に追従してクランク9が回動し、更に磁心
3が移動して所望の同調状態が得られる。
調周波数を記憶した後に、押釦18の操作で選局
する場合には、押釦18と共にメモリ支持板55
を押し込み、メモリ板31を第1及び第2の回動
板19,20に係合させる。今迄別の周波数を受
信していたために、回動板19,20が摺動板1
4に追従して別の周波数に対応した角度にあつた
としても、メモリ板31が回動板19,20に係
合するために、メモリ板31に対応した回動角度
に回動板19,20が回動し、摺動板14が回動
板19,20の回動に追従して移動し、また摺動
板14に追従してクランク9が回動し、更に磁心
3が移動して所望の同調状態が得られる。
この際、図示が省略されているクラツチ駆動機
構が押釦18の操作に連動して動作し、クラツチ
部11が動作して扇状ギヤー8からギヤー7が離
れ、マニアル同調軸6の歯車機構に無関係に押釦
18による選局がなされる。尚選局後に押釦18
の押込みを解除すれば、押釦18が復帰バネ44
で戻り、クラツチ部11が非作動状態となる。従
つて、マニアル同調軸6とスライダ10とがギヤ
ーで結合され、スライダ10は振動等で容易に移
動しなくなる。
構が押釦18の操作に連動して動作し、クラツチ
部11が動作して扇状ギヤー8からギヤー7が離
れ、マニアル同調軸6の歯車機構に無関係に押釦
18による選局がなされる。尚選局後に押釦18
の押込みを解除すれば、押釦18が復帰バネ44
で戻り、クラツチ部11が非作動状態となる。従
つて、マニアル同調軸6とスライダ10とがギヤ
ーで結合され、スライダ10は振動等で容易に移
動しなくなる。
上述の本発明のプリセツト型チユーナには、次
の利点がある。
の利点がある。
(イ) メモリ板31を横配置とし、これに回動板1
9,20を係合させ、メモリ板31のロツク位
置を摺動板14に伝達するか、又は逆に摺動板
14の位置をメモリ板31に伝達するようにし
たので、極めて薄いチユーナを提供することが
出来る。即ち、従来のチユーナの押釦操作部の
厚さは23mm位であつたが、本実施例では約7mm
位となり、厚さを大幅に薄くすることが可能に
なる。従つて、カーラジオに於ける今迄のチユ
ーナ部分に、カセツト型テープレコーダを組み
込むことが可能になる。
9,20を係合させ、メモリ板31のロツク位
置を摺動板14に伝達するか、又は逆に摺動板
14の位置をメモリ板31に伝達するようにし
たので、極めて薄いチユーナを提供することが
出来る。即ち、従来のチユーナの押釦操作部の
厚さは23mm位であつたが、本実施例では約7mm
位となり、厚さを大幅に薄くすることが可能に
なる。従つて、カーラジオに於ける今迄のチユ
ーナ部分に、カセツト型テープレコーダを組み
込むことが可能になる。
(ロ) 第1及び第2の回動板19,20を使用し、
メモリ板31との係合で互いに逆方向に回動す
るようにしたので、可動部でガタが生じない状
態で位置を伝達することが可能になり、正確な
同調状態を得ることが出来る。
メモリ板31との係合で互いに逆方向に回動す
るようにしたので、可動部でガタが生じない状
態で位置を伝達することが可能になり、正確な
同調状態を得ることが出来る。
(ハ) メモリ板31の位置を回動板19,20を介
して摺動板14に伝達するので、力の損失が比
較的少なく、比較的軽い押釦操作で同調状態を
得ることが出来る。
して摺動板14に伝達するので、力の損失が比
較的少なく、比較的軽い押釦操作で同調状態を
得ることが出来る。
以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、更に変形可
能なものである。例えば、メモリ板31を選択的
にロツクするためのロツク部62の板バネ45の
左端を更に伸ばし、必要に応じてメモリ支持板3
5に係止するような構成としてもよい。また板バ
ネ45と板バネレバー46との両方を使用せず
に、単一の板バネでメモリ板31を選択的に押圧
するロツク部62を形成してもよい。また可変イ
ンダクタンス素子1の代りに可変抵抗又は可変コ
ンデンサを使用する場合にも適用可能である。ま
た摺動板14に磁心3を直接的に結合し、摺動板
14と磁心3との移動方向が同一となるようにす
る場合にも適用可能である。
明はこれに限定されるものではなく、更に変形可
能なものである。例えば、メモリ板31を選択的
にロツクするためのロツク部62の板バネ45の
左端を更に伸ばし、必要に応じてメモリ支持板3
5に係止するような構成としてもよい。また板バ
ネ45と板バネレバー46との両方を使用せず
に、単一の板バネでメモリ板31を選択的に押圧
するロツク部62を形成してもよい。また可変イ
ンダクタンス素子1の代りに可変抵抗又は可変コ
ンデンサを使用する場合にも適用可能である。ま
た摺動板14に磁心3を直接的に結合し、摺動板
14と磁心3との移動方向が同一となるようにす
る場合にも適用可能である。
図面は本発明の実施例に係わるプリセツト型チ
ユーナを示すものであり、第1図はチユーナの一
部を示す平面図、第2図はチユーナの正面図、第
3図は第4図の−線に相当する部分の一部を
示す断面図、第4図は第3図の−線に相当す
る部分の一部を示す断面図、第5図はロツク解除
状態を示す第4図に対応する部分の断面図、第6
図は第1の回動板の平面図、第7図は第2の回動
板の平面図、第8図はメモリ板の平面図、第9図
はメモリ支持板の平面図、第10図はロツク用板
バネの平面図、第11図は板バネレバーの平面
図、第12図はロツク制御板の平面図、第13図
はメモリ板と回動板との係合関係を示す平面図で
ある。 尚図面に用いられている符号に於いて、1は可
変インダクタンス素子、14は摺動板、19は第
1の回動板、20は第2の回動板、31はメモリ
板、44は復帰バネ、45はロツク用板バネ、4
6は板バネレバー、55はロツク制御部材であ
る。
ユーナを示すものであり、第1図はチユーナの一
部を示す平面図、第2図はチユーナの正面図、第
3図は第4図の−線に相当する部分の一部を
示す断面図、第4図は第3図の−線に相当す
る部分の一部を示す断面図、第5図はロツク解除
状態を示す第4図に対応する部分の断面図、第6
図は第1の回動板の平面図、第7図は第2の回動
板の平面図、第8図はメモリ板の平面図、第9図
はメモリ支持板の平面図、第10図はロツク用板
バネの平面図、第11図は板バネレバーの平面
図、第12図はロツク制御板の平面図、第13図
はメモリ板と回動板との係合関係を示す平面図で
ある。 尚図面に用いられている符号に於いて、1は可
変インダクタンス素子、14は摺動板、19は第
1の回動板、20は第2の回動板、31はメモリ
板、44は復帰バネ、45はロツク用板バネ、4
6は板バネレバー、55はロツク制御部材であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 可変インピーダンス素子1を含む同調回路5
と、 前記可変インピーダンス素子1の可動部に連動
して第1の方向に移動するように配設され且つ後
記の第1及び第2の回動板19,20に係合させ
るためのピン28を有している摺動板14と、 後記メモリ支持板35に枢支され且つ後記の第
1及び第2の回動板19,20の第1及び第2の
メモリ板係合部22,26に選択的に係合する第
1及び第2の回動板係合部32,33が設けられ
たメモリ板31と、 固定部に枢支され、前記摺動板14の移動量に
対応した角度だけ回動するように前記摺動板14
の前記ピン28に係合するU字状係合部21を有
し、且つ前記メモリ板31の第1の回動板係合部
32に係合する第1のメモリ板係合部22を有し
ている第1の回動板19と、 固定部に枢支され、前記摺動板14の移動量に
対応した角度だけ回動するように前記摺動板14
の前記ピン28に係合するU字状係合部25を有
し、且つ前記メモリ板31の第2の回動板係合部
33に係合する第2のメモリ板係合部26を有
し、前記メモリ板31の前記第2の回動板係合部
33で押圧された時に前記第1の回動板19と逆
の方向に回動するように前記第2のメモリ板係合
部26が配設されている第2の回動板20と、 前記第1の方向に直交する第2の方向に伸びた
状態に配設され且つ前記第2の方向に移動可能に
基体に支持されたメモリ支持板35と、 前記メモリ板31を前記第1及び第2の回動板
19,20から離らかす方向の偏倚力を前記メモ
リ支持板35に与えている復帰バネ44と、 前記メモリ板31の回動を選択的に阻止するロ
ツク部62と、 前記ロツク部62に係合して前記ロツク部62
による前記メモリ板31の回動阻止状態と該回動
阻止の解除状態とを選択的に得るための制御をな
すロツク制御部材55と、 を具備し、前記メモリ板31に前記可変インピー
ダンス素子1の状態を記憶させる際に、前記ロツ
ク部62による前記メモリ板31のロツクを解除
した状態で前記メモリ板31を前記第1及び第2
の回動板19,20の方向に移動することによつ
て前記メモリ板31が前記摺動板14の摺動位置
に対応して決定されている前記第1及び第2の回
動板19,20の回動角度に対応した回動角度に
回動し、前記ロツク制御部材55の操作で前記メ
モリ板31の前記回動角度がロツクされ、また前
記メモリ板31の記憶内容に対応した前記可変イ
ンピーダンス素子1の状態を得る際に、前記復帰
バネ44に抗して前記メモリ支持板35を移動す
ることによつて前記第1及び第2の回動板19,
20が前記メモリ板31の回動角に対応した回動
角となり且つ前記摺動板14が前記第1及び第2
の回動板19,20の回動角に対応した量だけ摺
動するように構成されたプリセツト型チユーナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10797380A JPS5732120A (en) | 1980-08-06 | 1980-08-06 | Presetting type tuner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10797380A JPS5732120A (en) | 1980-08-06 | 1980-08-06 | Presetting type tuner |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5732120A JPS5732120A (en) | 1982-02-20 |
| JPS6147445B2 true JPS6147445B2 (ja) | 1986-10-20 |
Family
ID=14472748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10797380A Granted JPS5732120A (en) | 1980-08-06 | 1980-08-06 | Presetting type tuner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5732120A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190073669A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 대우전자부품(주) | 부식방지용 이종금속이 구비된 듀얼 타입 ptc 히터 |
| KR20190073667A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 대우전자부품(주) | 부식방지용 이종금속이 구비된 ptc 히터 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4191058A (en) * | 1978-06-05 | 1980-03-04 | General Instrument Corporation | Low profile pushbutton tuner with improved carriage moving mechanism |
-
1980
- 1980-08-06 JP JP10797380A patent/JPS5732120A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190073669A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 대우전자부품(주) | 부식방지용 이종금속이 구비된 듀얼 타입 ptc 히터 |
| KR20190073667A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 대우전자부품(주) | 부식방지용 이종금속이 구비된 ptc 히터 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5732120A (en) | 1982-02-20 |
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