JPS6148136B2 - - Google Patents
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- JPS6148136B2 JPS6148136B2 JP53115732A JP11573278A JPS6148136B2 JP S6148136 B2 JPS6148136 B2 JP S6148136B2 JP 53115732 A JP53115732 A JP 53115732A JP 11573278 A JP11573278 A JP 11573278A JP S6148136 B2 JPS6148136 B2 JP S6148136B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/24—Preliminary treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/001—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
- C03C27/08—Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of intervening metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属被覆が真空中で接合面に施さ
れ、真空中で互に融接されるような二つの金属被
覆の融接による二部品の間接接合方法に関する。
れ、真空中で互に融接されるような二つの金属被
覆の融接による二部品の間接接合方法に関する。
この種の方法は例えば西ドイツ出願公開公報第
2253913号で公知である。この公知の方法では音
響による光偏向装置の製造のために、例えば石英
から成る音響光学素子が圧電気結晶として構成さ
れる電気機械変換器と接合される。このために真
空容器中で接合すべき部品の接合面にそれぞれ金
とクロムから成る層とインジウムから成る二つの
連続する層が蒸着される。その際金およびクロム
から成る層は数千Å単位の厚さを、そしてインジ
ウム層はほぼ同じ厚さを持つ。次いでインジウム
を被覆された表面は真空中で約2800N/cm2ないし
3500N/cm2の圧力で数分間互に加圧され、その際
インジウム層は冷間圧接により互に接合される。
この方法でつくられた間接接合は解離しない接合
の一つに数えられ、すなわちそれは機械的な過剰
応力における破壊によつてのみ離すことができる
ものである。
2253913号で公知である。この公知の方法では音
響による光偏向装置の製造のために、例えば石英
から成る音響光学素子が圧電気結晶として構成さ
れる電気機械変換器と接合される。このために真
空容器中で接合すべき部品の接合面にそれぞれ金
とクロムから成る層とインジウムから成る二つの
連続する層が蒸着される。その際金およびクロム
から成る層は数千Å単位の厚さを、そしてインジ
ウム層はほぼ同じ厚さを持つ。次いでインジウム
を被覆された表面は真空中で約2800N/cm2ないし
3500N/cm2の圧力で数分間互に加圧され、その際
インジウム層は冷間圧接により互に接合される。
この方法でつくられた間接接合は解離しない接合
の一つに数えられ、すなわちそれは機械的な過剰
応力における破壊によつてのみ離すことができる
ものである。
しかし前述の公知の方法は、特に金属被覆の層
の厚さが極めて薄く選定される場合に任意の材料
に適用できるものではない。しかし金属被覆の層
の厚さの減少と共に融接に必要な圧力を下げるこ
とができることが判明している。例えば0.5nｍと
55nｍの間の金属被覆の層厚においては実質上圧
力をかける必要がなく、これは特に感圧材料にお
いて有利である。金属被覆の薄い層厚において
は、例えばモリブデン酸鉛から成る音響光学素子
において又はチタン酸鉛ジルコニウムから成る圧
電気変換器において耐久性のある堅牢な間接接合
は得られない。この材料の上に施される金属被覆
の厚さによつては融接接合が得られないか又は耐
久性のある融接接合は得られない。接合すべき部
品が金属から成る場合には多くの場合同様に耐久
性の接合を形成することができない。
の厚さが極めて薄く選定される場合に任意の材料
に適用できるものではない。しかし金属被覆の層
の厚さの減少と共に融接に必要な圧力を下げるこ
とができることが判明している。例えば0.5nｍと
55nｍの間の金属被覆の層厚においては実質上圧
力をかける必要がなく、これは特に感圧材料にお
いて有利である。金属被覆の薄い層厚において
は、例えばモリブデン酸鉛から成る音響光学素子
において又はチタン酸鉛ジルコニウムから成る圧
電気変換器において耐久性のある堅牢な間接接合
は得られない。この材料の上に施される金属被覆
の厚さによつては融接接合が得られないか又は耐
久性のある融接接合は得られない。接合すべき部
品が金属から成る場合には多くの場合同様に耐久
性の接合を形成することができない。
従つて本発明の目的は、任意のガラス、金属、
セラミツク材料又は結晶から成る部品が互いに固
く耐久性をもつて接合されるような二部品の間接
接合方法を提供することにある。
セラミツク材料又は結晶から成る部品が互いに固
く耐久性をもつて接合されるような二部品の間接
接合方法を提供することにある。
この目的は冒頭に述べた種類の方法において、
本発明によれば金属被覆の被着の前に接合面の少
くとも一方に無鉛ガラスの少くとも１分子中間層
が施されることによつて達成される。この中間層
は拡散阻止層として働き、その材料特性に基づき
金属被覆間の融接接合が害せられるおそれのある
部品に施される。すなわち中間層は鉛を含む部品
から融接接合を妨げる鉛が金属被覆に拡散するの
を阻止する。しかし他方中間層は、金属被覆の金
属が互に接合される部品の一方又は双方に拡散し
ていきそれによつて接合が解離されることも阻止
する。従つて場合によつては接合面の一方又は双
方に施される無鉛ガラスから成る中間層が確実な
耐久性のある間接接合を可能にする。一方では部
品の接合面へ、他方では金属被覆への中間層の固
着がすぐれているので、高い機械的強度の間接接
合が実現できる。
本発明によれば金属被覆の被着の前に接合面の少
くとも一方に無鉛ガラスの少くとも１分子中間層
が施されることによつて達成される。この中間層
は拡散阻止層として働き、その材料特性に基づき
金属被覆間の融接接合が害せられるおそれのある
部品に施される。すなわち中間層は鉛を含む部品
から融接接合を妨げる鉛が金属被覆に拡散するの
を阻止する。しかし他方中間層は、金属被覆の金
属が互に接合される部品の一方又は双方に拡散し
ていきそれによつて接合が解離されることも阻止
する。従つて場合によつては接合面の一方又は双
方に施される無鉛ガラスから成る中間層が確実な
耐久性のある間接接合を可能にする。一方では部
品の接合面へ、他方では金属被覆への中間層の固
着がすぐれているので、高い機械的強度の間接接
合が実現できる。
無鉛ガラスから成る中間層は任意の方法で、例
えばケイ素層の酸化により又はガラス形成物質に
よる被覆により接合面に施すことができる。しか
し中間層が真空中で蒸着又はスパツタリングされ
るようにすると特に有利である。これにより接合
面への特に良好な付着が得られる。そのほかに蒸
着又はスパツタリングされる中間層は非常に一様
な層厚と表面粗さのわずかな平らな表面の点です
ぐれている。
えばケイ素層の酸化により又はガラス形成物質に
よる被覆により接合面に施すことができる。しか
し中間層が真空中で蒸着又はスパツタリングされ
るようにすると特に有利である。これにより接合
面への特に良好な付着が得られる。そのほかに蒸
着又はスパツタリングされる中間層は非常に一様
な層厚と表面粗さのわずかな平らな表面の点です
ぐれている。
最大100nｍの厚さの中間層が施されるのが有
利である。100nｍ以上の厚さの層を施す際には
経験上望ましくない層厚のバラ付きを阻止するの
が極めて難しいから、上記により中間層の表面状
態のより以上の改善が得られる。
利である。100nｍ以上の厚さの層を施す際には
経験上望ましくない層厚のバラ付きを阻止するの
が極めて難しいから、上記により中間層の表面状
態のより以上の改善が得られる。
本発明による方法の優利な実施例では50nｍか
ら80nｍまでの厚さの中間層が施される。層厚の
この領域では一方では機能の確実なすなわち微小
孔の生じない拡散阻止層が、他方では良好な表面
特性が得られる。
ら80nｍまでの厚さの中間層が施される。層厚の
この領域では一方では機能の確実なすなわち微小
孔の生じない拡散阻止層が、他方では良好な表面
特性が得られる。
本発明による方法の第二の優利を実施例におい
ては、中間層を施す前に接合面が１μｍより小さ
い平坦度と0.1μｍより小さい表面粗さに加工さ
れる。そのような接合面の表面特性は金属被覆の
非常に平滑な表面をもたらす。これにより融接の
際の金属被覆の平面接触により融接接合の確実性
と機械的強度がさらに高められる。
ては、中間層を施す前に接合面が１μｍより小さ
い平坦度と0.1μｍより小さい表面粗さに加工さ
れる。そのような接合面の表面特性は金属被覆の
非常に平滑な表面をもたらす。これにより融接の
際の金属被覆の平面接触により融接接合の確実性
と機械的強度がさらに高められる。
次に本発明の実施例を図面について詳細に説明
する。
する。
第１図は音響による光偏向装置の形成のために
第２図に示されたチタン酸鉛ジルコニウムから成
る圧電気変換器２と結合されるモリブデン酸鉛か
ら成る音響光学素子１を示す。このために素子１
と変換器２の接合面１０又は２０は先ず公知の研
磨法により１μｍ、特に２ないし３ニユートン環
の平坦度にされる。接合面１０および２０の綿密
な清浄化の後に、素子１と変換器２は第３図に一
点鎖線３で示された真空容器の中に配置される。
この真空容器３の内部では接合面１０および接合
面２０にそれぞれ約80nｍの厚さの無鉛ガラスの
中間層１０１又は２０１が施される。この中間層
１０１と２０１の設置は、例えば陰極スパツタリ
ングを用いての純粋なSiO2のスパツタリングに
より、又は酸素残留雰囲気中の一酸化ケイ素の蒸
発により行われる。同様に無鉛でなければならず
電子銃により最も良く蒸発できる蒸着ガラスを用
いることもできる。
第２図に示されたチタン酸鉛ジルコニウムから成
る圧電気変換器２と結合されるモリブデン酸鉛か
ら成る音響光学素子１を示す。このために素子１
と変換器２の接合面１０又は２０は先ず公知の研
磨法により１μｍ、特に２ないし３ニユートン環
の平坦度にされる。接合面１０および２０の綿密
な清浄化の後に、素子１と変換器２は第３図に一
点鎖線３で示された真空容器の中に配置される。
この真空容器３の内部では接合面１０および接合
面２０にそれぞれ約80nｍの厚さの無鉛ガラスの
中間層１０１又は２０１が施される。この中間層
１０１と２０１の設置は、例えば陰極スパツタリ
ングを用いての純粋なSiO2のスパツタリングに
より、又は酸素残留雰囲気中の一酸化ケイ素の蒸
発により行われる。同様に無鉛でなければならず
電子銃により最も良く蒸発できる蒸着ガラスを用
いることもできる。
中間層１０１と２０１の設置後にこの上にそれ
ぞれ二層金属被覆１００又は２００を蒸着又はス
パツタリングする。金属被覆１００の形成のため
に中間層１０１の上にチタンから成る約2nｍの
厚さの付着層１０２およびその上に金から成る約
10nｍの厚さの接合層１０３が施される。同時に
中間層２０１の上に金属被覆２００の形成のため
にチタンから成る約2nｍの厚さの付着層２０２
と金から成る約10nｍの厚さの接合層２０３が施
される。
ぞれ二層金属被覆１００又は２００を蒸着又はス
パツタリングする。金属被覆１００の形成のため
に中間層１０１の上にチタンから成る約2nｍの
厚さの付着層１０２およびその上に金から成る約
10nｍの厚さの接合層１０３が施される。同時に
中間層２０１の上に金属被覆２００の形成のため
にチタンから成る約2nｍの厚さの付着層２０２
と金から成る約10nｍの厚さの接合層２０３が施
される。
二層金属被覆１００および２００の代りに対応
する厚さの一層金属被覆を用いることもできる。
一層金属被覆は例えばチタンあるいはクロムから
成る。
する厚さの一層金属被覆を用いることもできる。
一層金属被覆は例えばチタンあるいはクロムから
成る。
次に素子１と変換器２の間の間接接合の形成の
ために、真空容器３の内部に接合層１０３および
２０３が中間通気を先行させないで、平面的に接
触し互に融接するように合わせられる。この工程
は室温で行われ、その結果冷却を前提とする応力
は阻止される。結合層１０３および２０３の融接
の際に、素子１と変換器２は融接面のできるだけ
強い接触を生ずるように約８N/cm2の小さい圧力
で互に加圧される。
ために、真空容器３の内部に接合層１０３および
２０３が中間通気を先行させないで、平面的に接
触し互に融接するように合わせられる。この工程
は室温で行われ、その結果冷却を前提とする応力
は阻止される。結合層１０３および２０３の融接
の際に、素子１と変換器２は融接面のできるだけ
強い接触を生ずるように約８N/cm2の小さい圧力
で互に加圧される。
第４図は完成された音響による光偏向装置を示
す。圧電気変換器２の接続は付加的に蒸着又はス
パツタリングされる電極４および５と接触ばね６
および７を介して行われる。
す。圧電気変換器２の接続は付加的に蒸着又はス
パツタリングされる電極４および５と接触ばね６
および７を介して行われる。
音響光学素子１の圧電気変換器２との間接接合
のための前述の方法は、結合すべき部品が所定の
他の材料から成るときは変更される。例えば圧電
気変換器２の代りにニオブ酸リチウムから成る変
換器が用いられるならば、ニオブ酸リチウムは接
合に障害となる成分を含まないから中間層２０１
が不要となる。
のための前述の方法は、結合すべき部品が所定の
他の材料から成るときは変更される。例えば圧電
気変換器２の代りにニオブ酸リチウムから成る変
換器が用いられるならば、ニオブ酸リチウムは接
合に障害となる成分を含まないから中間層２０１
が不要となる。
本発明による方法は多数の用途に適しており、
真空密で緊密な間接接合を提供する。この場合無
鉛ガラスから成る中間層の拡散阻止層としての作
用は、特に0.5nｍと55nｍの間の厚さのきわめて
薄い金属被覆において有効である。この薄い金属
被覆は障害となる拡散現象によつて極めて急速に
その融接可能性が害される。しかし他方において
この厚さの金属被覆は、もつと厚い金属被覆と異
なり実質上無加圧融接を可能にするから望まし
い。より厚い例えば数千Å単位の領域にある金属
被覆は融接可能性が余り急速に害されないので、
一般に融接は圧力下で行うことができる。後者の
場合には障害となる拡散現象は中間層により妨げ
られないかぎり接合の緩慢な解離に導く。従つて
本発明による方法により、直接では相互に接合で
きない任意のガラス、セラミツク、金属又は結晶
から成る部品の間に固く耐久性のある間接接合を
形成することができる。例えば石英ガラス、フイ
ルタガラス又は結晶から成る窓が、ガラス−セラ
ミツク又は金属面に耐久性をもつて固定されるこ
とができる。
真空密で緊密な間接接合を提供する。この場合無
鉛ガラスから成る中間層の拡散阻止層としての作
用は、特に0.5nｍと55nｍの間の厚さのきわめて
薄い金属被覆において有効である。この薄い金属
被覆は障害となる拡散現象によつて極めて急速に
その融接可能性が害される。しかし他方において
この厚さの金属被覆は、もつと厚い金属被覆と異
なり実質上無加圧融接を可能にするから望まし
い。より厚い例えば数千Å単位の領域にある金属
被覆は融接可能性が余り急速に害されないので、
一般に融接は圧力下で行うことができる。後者の
場合には障害となる拡散現象は中間層により妨げ
られないかぎり接合の緩慢な解離に導く。従つて
本発明による方法により、直接では相互に接合で
きない任意のガラス、セラミツク、金属又は結晶
から成る部品の間に固く耐久性のある間接接合を
形成することができる。例えば石英ガラス、フイ
ルタガラス又は結晶から成る窓が、ガラス−セラ
ミツク又は金属面に耐久性をもつて固定されるこ
とができる。
第１図は音響光学素子を示す断面図、第２図は
圧電気変換器を示す断面図、第３図は本発明の実
施例を示す真空容器内の配置図、第４図は本発明
の実施例によりつくられた音響による光偏向装置
を示す断面図である。 １……音響光学素子、２……圧電気変換器、１
０，２０……接合面、１００，２００……金属被
覆、１０１，２０１……中間層。
圧電気変換器を示す断面図、第３図は本発明の実
施例を示す真空容器内の配置図、第４図は本発明
の実施例によりつくられた音響による光偏向装置
を示す断面図である。 １……音響光学素子、２……圧電気変換器、１
０，２０……接合面、１００，２００……金属被
覆、１０１，２０１……中間層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属被覆が真空中で接合面に施され、真空中
で互に融接されるような二つの金属被覆の融接に
よる間接接合方法において、金属被覆１００，２
００の被着の前に接合面の少くとも一方に無鉛ガ
ラスの少くとも１分子中間層１０１，２０１が施
されることを特徴とする二部品の間接接合方法。 ２ 中間層１０１，２０１が真空中で蒸着又はス
パツタリングされることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の接合方法。 ３ 最大100nｍの厚さの中間層１０１，２０１
が施されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の接合方法。 ４ 50nｍから80nｍまでの厚さの中間層が施さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載の接合方法。 ５ 中間層１０１，２０１を施す前に接合面１
０，２０が１μｍより小さい平坦度と0.1μｍよ
り小さい表面粗さに加工されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに
記載の接合方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2742921A DE2742921C2 (de) | 1977-09-23 | 1977-09-23 | Verfahren zum mittelbaren Verbinden zweier Teile durch Verschweißung zweier Metallauflagen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5460949A JPS5460949A (en) | 1979-05-16 |
| JPS6148136B2 true JPS6148136B2 (ja) | 1986-10-22 |
Family
ID=6019749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11573278A Granted JPS5460949A (en) | 1977-09-23 | 1978-09-20 | Method of indirectly coupling two parts |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4196837A (ja) |
| EP (1) | EP0001219B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5460949A (ja) |
| CA (1) | CA1105248A (ja) |
| DE (1) | DE2742921C2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2742922C2 (de) * | 1977-09-23 | 1984-03-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum mittelbaren Verbinden zweier Teile |
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| US4752180A (en) * | 1985-02-14 | 1988-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for handling semiconductor wafers |
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| DE10222284B4 (de) * | 2002-05-18 | 2008-07-03 | Leoni Ag | Bauteilpaarung und Verfahren zur Einstellung der Materialfließfähigkeit zumindest eines Bauteils einer Bauteilpaarung |
| JP5132534B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2013-01-30 | 日本電波工業株式会社 | 光学部品の製造方法 |
| JP5668473B2 (ja) * | 2010-12-29 | 2015-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子及びその製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、並びに赤外線センサー |
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| ITTV20120241A1 (it) * | 2012-12-21 | 2014-06-22 | Dario Toncelli | Metodo ed impianto per realizzare pannelli formati con lastre incollate |
| PL3218317T3 (pl) | 2014-11-13 | 2019-03-29 | Gerresheimer Glas Gmbh | Filtr cząstek urządzenia do wytwarzania szkła, jednostka tłoka, głowica dmuchu, wspornik głowicy dmuchu i urządzenie do wytwarzania szkła, przystosowane lub zawierające filtr |
| CN117619705B (zh) * | 2023-11-03 | 2025-07-15 | 东风汽车集团股份有限公司 | 一种紧固连接零件及其制造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| FR899816A (fr) * | 1942-11-18 | 1945-06-12 | Philips Nv | Procédé d'application d'une couche prenant bien la soudure sur des métaux, particulièrement sur des métaux difficiles à souder |
| NL281894A (ja) * | 1962-08-08 | |||
| DE1254774B (de) * | 1964-02-18 | 1967-11-23 | Itt Ind Ges Mit Beschraenkter | Verfahren zum Herstellen eines loetfreien Kontaktes an einem Halbleiter-Bauelement |
| DE2253913A1 (de) * | 1971-11-05 | 1973-05-10 | Rca Corp | Akustische lichtablenkeinrichtung |
| US3798746A (en) * | 1972-10-10 | 1974-03-26 | Rca Corp | Process of making acousto-optic devices |
| DE2460207A1 (de) * | 1974-12-19 | 1976-09-02 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen eines akustooptischen bauelementes oder eines breitbandigen ultraschall-bauelementes |
| US4037176A (en) * | 1975-03-18 | 1977-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-layered substrate for a surface-acoustic-wave device |
| US4064550A (en) * | 1976-03-22 | 1977-12-20 | Hewlett-Packard Company | High fidelity pressure transducer |
| US4077558A (en) * | 1976-12-06 | 1978-03-07 | International Business Machines Corporation | Diffusion bonding of crystals |
-
1977
- 1977-09-23 DE DE2742921A patent/DE2742921C2/de not_active Expired
-
1978
- 1978-07-27 US US05/928,684 patent/US4196837A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-08-24 EP EP78100743A patent/EP0001219B1/de not_active Expired
- 1978-09-20 JP JP11573278A patent/JPS5460949A/ja active Granted
- 1978-09-21 CA CA311,769A patent/CA1105248A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0001219B1 (de) | 1981-08-12 |
| CA1105248A (en) | 1981-07-21 |
| DE2742921C2 (de) | 1985-07-11 |
| DE2742921A1 (de) | 1979-04-05 |
| EP0001219A1 (de) | 1979-04-04 |
| JPS5460949A (en) | 1979-05-16 |
| US4196837A (en) | 1980-04-08 |
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