JPS6148786B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6148786B2 JPS6148786B2 JP53151642A JP15164278A JPS6148786B2 JP S6148786 B2 JPS6148786 B2 JP S6148786B2 JP 53151642 A JP53151642 A JP 53151642A JP 15164278 A JP15164278 A JP 15164278A JP S6148786 B2 JPS6148786 B2 JP S6148786B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photothyristor
- thyristor
- layer
- light
- present
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 3
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Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光形半導体装置にかかり、特に接合
に光を照射してオフ状態からオン状態にスイツチ
できる光制御スイツチ（以下フオトサイリスタと
称す）に関する。
に光を照射してオフ状態からオン状態にスイツチ
できる光制御スイツチ（以下フオトサイリスタと
称す）に関する。
一般に、フオトサイリスタは高い光感度を有し
ていること、すなわち、小さな光エネルギでオフ
状態からオン状態にスイツチできるほど制御性能
が優れ、しかも、制御回路を簡単かつ安価にでき
るものである。しかしながら光感度をさらに高く
すると、電源投入時や外来ノイズの電圧上昇率
（以下dv／dtと略す）によつて誤動作を生じ易く
なる。従来のPNPN4層構造のフオトサイリスタ
では光感度が発光ダイオードの出力光エネルギ数
mw/cm2に適合させた場合dv／dtは極めて低く、
数v/μs程度が限界であつた。
ていること、すなわち、小さな光エネルギでオフ
状態からオン状態にスイツチできるほど制御性能
が優れ、しかも、制御回路を簡単かつ安価にでき
るものである。しかしながら光感度をさらに高く
すると、電源投入時や外来ノイズの電圧上昇率
（以下dv／dtと略す）によつて誤動作を生じ易く
なる。従来のPNPN4層構造のフオトサイリスタ
では光感度が発光ダイオードの出力光エネルギ数
mw/cm2に適合させた場合dv／dtは極めて低く、
数v/μs程度が限界であつた。
本発明は、この欠点を除去した新規なフオトサ
イリスタを提供することにある。
イリスタを提供することにある。
本発明によれば、PNPNPN6層構造を有し、３
つ以上の接合が露出していることを特徴としたも
ので、これにより光感度が高く、しかもdv／dt
耐量の大きなフオトサイリスタを得ることができ
る。
つ以上の接合が露出していることを特徴としたも
ので、これにより光感度が高く、しかもdv／dt
耐量の大きなフオトサイリスタを得ることができ
る。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例を
詳細に説明する。第１図は本発明の一実施例であ
るフオトサイリスタの構造断面図である。フオト
サイリスタはP1，N1，P2，N2，P3，N3の６層構
造でありP1N1P2N2層を露出させて、これらの接
合J1，J2，J3に光が照射される。このフオトサイ
リスタは第２図に示されるようにP1，N1，P2，
N2からなる第１のサイリスタ１とP2，N2，P3，
N3からなる第２のサイリスタ２に等価的に置き
換えられる。まず、P1N2P2N2層に光が照射され
ると第１のサイリスタ１の全接合J1，J2，J3と第
２のサイリスタ２の陽極側のゲート接合J3にエレ
クトロン・ホール対が発生して通常のサイリスタ
と同様に正帰還作用により第１、第２のサイリス
タ１，２は同時にオフ状態からオン状態にスイツ
チする。一方、電源投入時や外来ノイズのdv／
dtに対しては、第１のサイリスタP1，N1，P2，
N2の陰極側ゲート層P2，N2は第２のサイリスタ
P2，N2，P3，N3の陽極側ゲート層P2，N2で短絡
されるため、第１のサイリスタを構成する
N1P2N2トランジスタ、第２のサイリスタを構成
するP2N2P3トランジスタの電流増幅率を極端に
低くして正帰還作用を抑制し、さらに、第１のサ
イリスタと第２のサイリスタの接合が直列接続さ
れるため接合容量Cjが小さくなる。これらの結
果極めて高いdv／dt耐量を有する構造となつて
いる。
詳細に説明する。第１図は本発明の一実施例であ
るフオトサイリスタの構造断面図である。フオト
サイリスタはP1，N1，P2，N2，P3，N3の６層構
造でありP1N1P2N2層を露出させて、これらの接
合J1，J2，J3に光が照射される。このフオトサイ
リスタは第２図に示されるようにP1，N1，P2，
N2からなる第１のサイリスタ１とP2，N2，P3，
N3からなる第２のサイリスタ２に等価的に置き
換えられる。まず、P1N2P2N2層に光が照射され
ると第１のサイリスタ１の全接合J1，J2，J3と第
２のサイリスタ２の陽極側のゲート接合J3にエレ
クトロン・ホール対が発生して通常のサイリスタ
と同様に正帰還作用により第１、第２のサイリス
タ１，２は同時にオフ状態からオン状態にスイツ
チする。一方、電源投入時や外来ノイズのdv／
dtに対しては、第１のサイリスタP1，N1，P2，
N2の陰極側ゲート層P2，N2は第２のサイリスタ
P2，N2，P3，N3の陽極側ゲート層P2，N2で短絡
されるため、第１のサイリスタを構成する
N1P2N2トランジスタ、第２のサイリスタを構成
するP2N2P3トランジスタの電流増幅率を極端に
低くして正帰還作用を抑制し、さらに、第１のサ
イリスタと第２のサイリスタの接合が直列接続さ
れるため接合容量Cjが小さくなる。これらの結
果極めて高いdv／dt耐量を有する構造となつて
いる。
この実施例は、比抵抗30〜50Ωcmのシリコン基
板に不純物拡散法により得た表面濃度２×1020cm
-3、陽極面積９mm2のフオトサイリスタであり、光
感度は発光ダイオードの出力光エネルギで0.2〜
0.5mw/cm2、dv／dt耐量は400v/μs以上の光感
度、高dv／dt耐量のものを得た。なお、このフ
オトサイリスタは実施例のように不純物拡散法だ
けで作ることもできるが、P2層にエピタキシヤル
法によつてN2層を形成し、さらにP1層を不純物
拡散法によつて形成する方法でも同様の機能を有
するフオトサイリスタを作ることができる。
板に不純物拡散法により得た表面濃度２×1020cm
-3、陽極面積９mm2のフオトサイリスタであり、光
感度は発光ダイオードの出力光エネルギで0.2〜
0.5mw/cm2、dv／dt耐量は400v/μs以上の光感
度、高dv／dt耐量のものを得た。なお、このフ
オトサイリスタは実施例のように不純物拡散法だ
けで作ることもできるが、P2層にエピタキシヤル
法によつてN2層を形成し、さらにP1層を不純物
拡散法によつて形成する方法でも同様の機能を有
するフオトサイリスタを作ることができる。
このように、本発明によれば、高い光感度と高
いdv／dt耐量を兼ね備えた新規なフオトサイリ
スタを得ることができる。
いdv／dt耐量を兼ね備えた新規なフオトサイリ
スタを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例であるフオトサイリ
スタの構造断面図であり第２図は第１図の等価回
路図である。 尚、図において、Ａ……陽極、Ｋ……陰極、P1
〜P3……Ｐ形半導体層、N1〜N3……Ｎ形半導体
層、J1〜J5……PN接合、Cj……接合容量、１…
…第１のサイリスタ、２……第２のサイリスタで
ある。
スタの構造断面図であり第２図は第１図の等価回
路図である。 尚、図において、Ａ……陽極、Ｋ……陰極、P1
〜P3……Ｐ形半導体層、N1〜N3……Ｎ形半導体
層、J1〜J5……PN接合、Cj……接合容量、１…
…第１のサイリスタ、２……第２のサイリスタで
ある。
Claims (1)
- １ PNPNPN6層構造を有し、３つ以上の接合が
露出していることを特徴とする感光形半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15164278A JPS5577183A (en) | 1978-12-07 | 1978-12-07 | Photosensitive type semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15164278A JPS5577183A (en) | 1978-12-07 | 1978-12-07 | Photosensitive type semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5577183A JPS5577183A (en) | 1980-06-10 |
| JPS6148786B2 true JPS6148786B2 (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=15523011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15164278A Granted JPS5577183A (en) | 1978-12-07 | 1978-12-07 | Photosensitive type semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5577183A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62254177A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-05 | 中松 義郎 | 精神集中装置 |
| JPH0159184U (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-13 | ||
| JPH0460288U (ja) * | 1990-10-02 | 1992-05-22 | ||
| JPH04241894A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-28 | Sega Enterp Ltd | 頭部搭載テレビゲーム機 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5251282B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2013-07-31 | 株式会社村田製作所 | 紫外線センサの製造方法 |
| JP5446587B2 (ja) * | 2008-09-08 | 2014-03-19 | 株式会社村田製作所 | 紫外線センサおよびその製造方法 |
-
1978
- 1978-12-07 JP JP15164278A patent/JPS5577183A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62254177A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-05 | 中松 義郎 | 精神集中装置 |
| JPH0159184U (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-13 | ||
| JPH0460288U (ja) * | 1990-10-02 | 1992-05-22 | ||
| JPH04241894A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-28 | Sega Enterp Ltd | 頭部搭載テレビゲーム機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5577183A (en) | 1980-06-10 |
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