JPS6152097B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6152097B2 JPS6152097B2 JP57162535A JP16253582A JPS6152097B2 JP S6152097 B2 JPS6152097 B2 JP S6152097B2 JP 57162535 A JP57162535 A JP 57162535A JP 16253582 A JP16253582 A JP 16253582A JP S6152097 B2 JPS6152097 B2 JP S6152097B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- temperature
- composition
- present
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明はセラミツクコンデンサ用材料に適した
焼結温度の低い高誘電率磁器組成物に関するもの
である。 従来例の構成とその問題点 誘電材料の具備すべき特性は用途により異なる
が、セラミツクコンデンサでは誘率率が大きく、
かつ焼結温度の低いことが要求される。誘電率が
大きいことは素子の小形にとつて重要な条件であ
る。焼結温度の低いことは、磁器材料の焼成の際
に、焼成炉の炉材に安価なものを使用できること
および焼成のエネルギーが少なくてすむことなど
工業的価値が大きい。また、積層型セラミツクコ
ンデンサにおいて、焼結温度が低いと内部電極と
して銀を主成分とする比較的安価な電極材料を用
いることができるため、コンデンサの価格をいち
じるしく下げることができる。 高誘電率のセラミツクコンデンサ用材料として
は、チタン酸バリウム系磁器が従来から用いられ
てきた。しかし、この材料は焼結温度が1300〜
1400℃と高いため、積層セラミツクコンデンサを
製造する場合には、その焼結温度に適した高価な
白金またはパラジウムを主成分とする内部電極を
使用しなければならない欠点があつた。 発明の目的 本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が1000
℃以下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を
提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の組成物は、Pb（Ni1/3Nb2/3）x
（Fe1/2Nb1/2）y（Fe2/3W1/3）zO3で表わされ
る組成物において配合比が0.01≦ｘ≦0.40、0.45
≦ｙ≦0.80および0.05≦ｚ≦0.50（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１）の範囲内にあることを特徴とする高
誘電率磁器組成物である。 実施例の説明 原料として、PbO、NiO、Fe2O3、Nb2O5、
WO3を用いて、これらを下表に示した組成比に
秤量し湿式で混合し、これを乾燥させた後750℃
で２時間仮焼した。得られた仮焼物をボールミル
で湿式粉砕し、乾燥させた後、ポリビニルアルコ
ールの水溶液をバインダとして直径13mm、長さ約
８mmの円柱状に加圧成形した。それからバインダ
を焼却した後、これをマグネシア磁器容器に入
れ、880〜1040℃の温度で２時間焼成した。焼成
した磁器を厚さ１mmに切断し、この両面にCr−
Auを蒸着したのち誘電率εrと誘電正接Ｄを
1kHz、１V/mmで室温に於いて測定した。εrの温
度変化率は20℃を基準として−25℃〜85℃の範囲
で測定した。また、比抵抗は室温で１kV/mmで測
定した。その結果を下表に示す。
焼結温度の低い高誘電率磁器組成物に関するもの
である。 従来例の構成とその問題点 誘電材料の具備すべき特性は用途により異なる
が、セラミツクコンデンサでは誘率率が大きく、
かつ焼結温度の低いことが要求される。誘電率が
大きいことは素子の小形にとつて重要な条件であ
る。焼結温度の低いことは、磁器材料の焼成の際
に、焼成炉の炉材に安価なものを使用できること
および焼成のエネルギーが少なくてすむことなど
工業的価値が大きい。また、積層型セラミツクコ
ンデンサにおいて、焼結温度が低いと内部電極と
して銀を主成分とする比較的安価な電極材料を用
いることができるため、コンデンサの価格をいち
じるしく下げることができる。 高誘電率のセラミツクコンデンサ用材料として
は、チタン酸バリウム系磁器が従来から用いられ
てきた。しかし、この材料は焼結温度が1300〜
1400℃と高いため、積層セラミツクコンデンサを
製造する場合には、その焼結温度に適した高価な
白金またはパラジウムを主成分とする内部電極を
使用しなければならない欠点があつた。 発明の目的 本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が1000
℃以下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を
提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の組成物は、Pb（Ni1/3Nb2/3）x
（Fe1/2Nb1/2）y（Fe2/3W1/3）zO3で表わされ
る組成物において配合比が0.01≦ｘ≦0.40、0.45
≦ｙ≦0.80および0.05≦ｚ≦0.50（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１）の範囲内にあることを特徴とする高
誘電率磁器組成物である。 実施例の説明 原料として、PbO、NiO、Fe2O3、Nb2O5、
WO3を用いて、これらを下表に示した組成比に
秤量し湿式で混合し、これを乾燥させた後750℃
で２時間仮焼した。得られた仮焼物をボールミル
で湿式粉砕し、乾燥させた後、ポリビニルアルコ
ールの水溶液をバインダとして直径13mm、長さ約
８mmの円柱状に加圧成形した。それからバインダ
を焼却した後、これをマグネシア磁器容器に入
れ、880〜1040℃の温度で２時間焼成した。焼成
した磁器を厚さ１mmに切断し、この両面にCr−
Auを蒸着したのち誘電率εrと誘電正接Ｄを
1kHz、１V/mmで室温に於いて測定した。εrの温
度変化率は20℃を基準として−25℃〜85℃の範囲
で測定した。また、比抵抗は室温で１kV/mmで測
定した。その結果を下表に示す。
【表】
上表でNo.1、３、５、13、14の試料は本発明
の範囲外のものであり、No.2、４、６〜12の試
料は本発明の実施例である。 上表から明らかなように本発明の範囲内の組成
物よりなる磁器は大きな誘電率（8230〜23410）
を示すとともに、焼成温度が880℃〜980℃であ
り、低い温度で焼結が可能なものである。また、
誘電正接Ｄが小さいこと、誘電率εrの温度変化
率が小さいこと、比抵抗が比較的高いことなどの
特長を示している。 なお、ｘが0.01未満の組成は比抵抗が小さいた
め、ｘが0.40を超える組成は焼成温度が1000℃以
上になるため、また、ｙ＜0.45、ｙ＞0.80、ｚ＜
0.05、ｚ＞0.50の範囲の組成物は誘電率が比較的
小さいため本発明の範囲から除き、本発明の範囲
は焼成温度が1000℃以下で、室温の誘電率が8000
以上で、かつ比抵抗の大きい組成に限定した。 発明の効果 本発明の組成物は誘電率が大きく、誘電率の温
度変化率と誘電正接が比較的小さく、比抵抗が大
きいため、セラミツクコンデンサ用材料に適して
いるとともに、1000℃以下の低い温度で焼成でき
るため、焼成炉の炉材に安価なものを使用できる
ことおよび焼成のエネルギーが少なくてすむこと
など工業的価値が大きい積層型セラミツクコンデ
ンサに用いた場合には、焼結温度が低いため、比
較的安価な銀系などの内部電極を用いることがで
きるためコンデンサの価格を下げることができる
ので工業上の利益は大きい。
の範囲外のものであり、No.2、４、６〜12の試
料は本発明の実施例である。 上表から明らかなように本発明の範囲内の組成
物よりなる磁器は大きな誘電率（8230〜23410）
を示すとともに、焼成温度が880℃〜980℃であ
り、低い温度で焼結が可能なものである。また、
誘電正接Ｄが小さいこと、誘電率εrの温度変化
率が小さいこと、比抵抗が比較的高いことなどの
特長を示している。 なお、ｘが0.01未満の組成は比抵抗が小さいた
め、ｘが0.40を超える組成は焼成温度が1000℃以
上になるため、また、ｙ＜0.45、ｙ＞0.80、ｚ＜
0.05、ｚ＞0.50の範囲の組成物は誘電率が比較的
小さいため本発明の範囲から除き、本発明の範囲
は焼成温度が1000℃以下で、室温の誘電率が8000
以上で、かつ比抵抗の大きい組成に限定した。 発明の効果 本発明の組成物は誘電率が大きく、誘電率の温
度変化率と誘電正接が比較的小さく、比抵抗が大
きいため、セラミツクコンデンサ用材料に適して
いるとともに、1000℃以下の低い温度で焼成でき
るため、焼成炉の炉材に安価なものを使用できる
ことおよび焼成のエネルギーが少なくてすむこと
など工業的価値が大きい積層型セラミツクコンデ
ンサに用いた場合には、焼結温度が低いため、比
較的安価な銀系などの内部電極を用いることがで
きるためコンデンサの価格を下げることができる
ので工業上の利益は大きい。
Claims (1)
- １ Pb（Ni1/3Nb2/3）x（Fe1/2Nb1/2）y
（Fe2/3W1/3）zO3で表わされる組成物において
配合比が0.01≦ｘ≦0.40、0.45≦ｙ≦0.80および
0.05≦ｚ≦0.50（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の範
囲内にあることを特徴とする高誘電率磁器組成
物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162535A JPS5954665A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
| US06/532,911 US4555494A (en) | 1982-09-17 | 1983-09-16 | Dielectric ceramic compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162535A JPS5954665A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954665A JPS5954665A (ja) | 1984-03-29 |
| JPS6152097B2 true JPS6152097B2 (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=15756455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57162535A Granted JPS5954665A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954665A (ja) |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57162535A patent/JPS5954665A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5954665A (ja) | 1984-03-29 |
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