JPS6152997B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6152997B2 JPS6152997B2 JP55115525A JP11552580A JPS6152997B2 JP S6152997 B2 JPS6152997 B2 JP S6152997B2 JP 55115525 A JP55115525 A JP 55115525A JP 11552580 A JP11552580 A JP 11552580A JP S6152997 B2 JPS6152997 B2 JP S6152997B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- transistor
- semiconductor light
- capacitor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体よりなる発光素子の駆動回路に
関する。
関する。
近年、光通信が発達するにつれて、その伝送容
量の大容量化がますます重要視されてきている。
量の大容量化がますます重要視されてきている。
従つて、光通信に使用する半導体素子であるレ
ーザダイオード及びLED（Light Enitting
Diode）を高速に動作させる必要がある。
ーザダイオード及びLED（Light Enitting
Diode）を高速に動作させる必要がある。
従来、上記半導体発光素子を高速動作させるた
めに、第１図に示すように、トランジスタQ1の
エミツタ端子E1に立上時間短縮用の抵抗R1とコ
ンデンサC1の並列回路よりなる加速回路を接続
し、該加速回路の他端子D1に半導体発光素子LD1
を接続して来た。本回路の動作を第２図の各部の
波形を参照して説明する。
めに、第１図に示すように、トランジスタQ1の
エミツタ端子E1に立上時間短縮用の抵抗R1とコ
ンデンサC1の並列回路よりなる加速回路を接続
し、該加速回路の他端子D1に半導体発光素子LD1
を接続して来た。本回路の動作を第２図の各部の
波形を参照して説明する。
トランジスタQ1のベース端子B1へ正パルスＰI
Ｎが印加されると、トランジスタQ1がオンし電流
I1が流れ始める。コンデンサC1により短時間、過
渡電流２１が流れる。一般に、半導体発光素子は
印加電流の増大に伴なつて、その立上時間が速く
なる特性がある。従つて、この過渡電流２１は、
光パルス波形OPの前縁２４を高速化させる。パ
ルス電流I1は加速回路の抵抗R1とコンデンサC1の
時定数で減少しR1で制限される定常電流値２２
に落着き、コンデンサC1及び半導体発光素子LD1
の接合コンデンサに電荷が蓄積される。入力パル
スＰINがオフしても、これらのコンデンサに蓄積
された電荷は直ちに放電できず、半導体発光素子
LD1に電流２３を流しつづけ、やがて、オフにな
る。光パルスOPの後縁２５は、これらのコンデ
ンサの放電時間に依存し、比較的低速度となり、
次のパルスの前縁２６に悪影響を及ぼす。従つ
て、伝送速度を増加させると、各パルス間で互い
に干渉し、伝送品質の劣化をきたすことになる。
Ｎが印加されると、トランジスタQ1がオンし電流
I1が流れ始める。コンデンサC1により短時間、過
渡電流２１が流れる。一般に、半導体発光素子は
印加電流の増大に伴なつて、その立上時間が速く
なる特性がある。従つて、この過渡電流２１は、
光パルス波形OPの前縁２４を高速化させる。パ
ルス電流I1は加速回路の抵抗R1とコンデンサC1の
時定数で減少しR1で制限される定常電流値２２
に落着き、コンデンサC1及び半導体発光素子LD1
の接合コンデンサに電荷が蓄積される。入力パル
スＰINがオフしても、これらのコンデンサに蓄積
された電荷は直ちに放電できず、半導体発光素子
LD1に電流２３を流しつづけ、やがて、オフにな
る。光パルスOPの後縁２５は、これらのコンデ
ンサの放電時間に依存し、比較的低速度となり、
次のパルスの前縁２６に悪影響を及ぼす。従つ
て、伝送速度を増加させると、各パルス間で互い
に干渉し、伝送品質の劣化をきたすことになる。
本発明の目的は、蓄積された電荷を高速度で除
去する回路を付加することにより、上記欠点を解
決し、高速度で且つ伝送品質のよい光パルスを発
生できる半導体発光素子駆動回路を提供すること
にある。
去する回路を付加することにより、上記欠点を解
決し、高速度で且つ伝送品質のよい光パルスを発
生できる半導体発光素子駆動回路を提供すること
にある。
本発明によれば、NPNトランジスタのエミツ
タ端子とPNPトランジスタのエミツタ端子を接続
し、該接続点にコンデンサと抵抗よりなる並列回
路の一端を接続し、該並列回路の他端を半導体発
光素子に接続したことを特徴とする半導体発光素
子駆動回路が得られる。
タ端子とPNPトランジスタのエミツタ端子を接続
し、該接続点にコンデンサと抵抗よりなる並列回
路の一端を接続し、該並列回路の他端を半導体発
光素子に接続したことを特徴とする半導体発光素
子駆動回路が得られる。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第３図は、本発明の第１の実施例を示す回路図
であり、第４図は、その各部波形である。NPN
トランジスタQ2のエミツタ端子とPNPトランジ
スタQ3のエミツタ端子を接続し、該接続点E2へ
コンデンサC1と抵抗R1の並列回路からなる加速
回路の一端を接続し、該加速回路の他端D2は半
導体発光素子LD1のアノード電極に接続され、一
方、カソード電極は接地されている。
であり、第４図は、その各部波形である。NPN
トランジスタQ2のエミツタ端子とPNPトランジ
スタQ3のエミツタ端子を接続し、該接続点E2へ
コンデンサC1と抵抗R1の並列回路からなる加速
回路の一端を接続し、該加速回路の他端D2は半
導体発光素子LD1のアノード電極に接続され、一
方、カソード電極は接地されている。
トランジスタQ2、Q3のベース端子B2は共通接
続され、駆動パルスＰINの入力端子となる。
続され、駆動パルスＰINの入力端子となる。
各トランジスタQ2とQ3のコレクタは適当な正
電源V1と負電源―V2でバイアスされている。
電源V1と負電源―V2でバイアスされている。
正の電位の駆動パルスＰINがベース端子B2へ
印加されると、NPNトランジスタQ2のベース・
エミツタ間は順バイアスされ、オンになる。
印加されると、NPNトランジスタQ2のベース・
エミツタ間は順バイアスされ、オンになる。
一方、PNPトランジスタQ3のベース・エミツ
タ間は逆バイアスされオフとなる。その結果、正
電源V1より電流ＩONが流れ、コンデンサC1を通
して、過渡電流４１が半導体発光素子LD1に流
れ、高速な前縁４３をもつ光パルスOPが発生す
る。
タ間は逆バイアスされオフとなる。その結果、正
電源V1より電流ＩONが流れ、コンデンサC1を通
して、過渡電流４１が半導体発光素子LD1に流
れ、高速な前縁４３をもつ光パルスOPが発生す
る。
次に、電流ＩONは、従来の駆動回路の項で説明
したように、加速回路の抵抗R1とコンデンサC1
の時定数で定常値４０に達し、且つコンデンサ
C1と半導体発光素子の接合コンデンサには電荷
が蓄積される。従つて、E2の電位は正電位が保
たれる。
したように、加速回路の抵抗R1とコンデンサC1
の時定数で定常値４０に達し、且つコンデンサ
C1と半導体発光素子の接合コンデンサには電荷
が蓄積される。従つて、E2の電位は正電位が保
たれる。
次に、入力パルスＰINがオフし、ベース端子
B2が接地電位となるとNPNトランジスタQ2はオ
フとなる。一方、PNPトランジスタQ3はそのエ
ミツタ端子E2が正電位のため、順方向バイアス
となる。従つて、電流ＩOFFがコンデンサC1およ
び半導体発光素子LD1の接合コンデンサに蓄積さ
れている電荷を除去する方向に過渡的に流れる。
エミツタ端子E2の電位は急速に降下し、PNPト
ランジスタQ3を順バイアス出来なくなるまで、
過渡電流４２を流しつづける。したがつて、蓄積
電荷を高速度で除去できるため、光パルスOPの
後縁４４を高速化可能となる。
B2が接地電位となるとNPNトランジスタQ2はオ
フとなる。一方、PNPトランジスタQ3はそのエ
ミツタ端子E2が正電位のため、順方向バイアス
となる。従つて、電流ＩOFFがコンデンサC1およ
び半導体発光素子LD1の接合コンデンサに蓄積さ
れている電荷を除去する方向に過渡的に流れる。
エミツタ端子E2の電位は急速に降下し、PNPト
ランジスタQ3を順バイアス出来なくなるまで、
過渡電流４２を流しつづける。したがつて、蓄積
電荷を高速度で除去できるため、光パルスOPの
後縁４４を高速化可能となる。
第５図は、本発明の第２の実施例を示す回路図
である。
である。
更に、高速化を計るため、NPNトランジスタ
Q2とPNPトランジスタQ3を能動領域で動作させ
るためのバイアス回路を該トランジスタのベース
側に付加したもので、その他の部分は第１の実施
例と全く同じである。ダイオードD1とD2によ
り、NPNトランジスタQ2とPNPトランジスタQ3
は順方向にバイアスされ、入力パルスがオフの状
態でも能動領域にバイアスされ、高速動作が計ら
れている。
Q2とPNPトランジスタQ3を能動領域で動作させ
るためのバイアス回路を該トランジスタのベース
側に付加したもので、その他の部分は第１の実施
例と全く同じである。ダイオードD1とD2によ
り、NPNトランジスタQ2とPNPトランジスタQ3
は順方向にバイアスされ、入力パルスがオフの状
態でも能動領域にバイアスされ、高速動作が計ら
れている。
以上、説明したように、本発明によつてNPN
トランジスタとPNPトランジスタのエミツタを共
通接続し、該接続点に抵抗とコンデンサの並列回
路よりなる加速回路を接続し、一方のトランジス
タは半導体発光素子に発光電流を供給し、高速な
前縁をもつ光パルスを発生させしめ、他のトラン
ジスタは加速回路のコンデンサおよび半導体発光
素子の接合コンデンサに蓄積された電荷を高速に
除去し、光パルスの後縁を高速化可能とし、高速
な半導体光素子駆動回路を提供することができ
る。
トランジスタとPNPトランジスタのエミツタを共
通接続し、該接続点に抵抗とコンデンサの並列回
路よりなる加速回路を接続し、一方のトランジス
タは半導体発光素子に発光電流を供給し、高速な
前縁をもつ光パルスを発生させしめ、他のトラン
ジスタは加速回路のコンデンサおよび半導体発光
素子の接合コンデンサに蓄積された電荷を高速に
除去し、光パルスの後縁を高速化可能とし、高速
な半導体光素子駆動回路を提供することができ
る。
尚、上記の説明での入力パルスの極性、各トラ
ンジスタの極性、及び半導体発光素子の極性を反
転して構成した場合等、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で種々の変形や適用が可能であることは言
う迄もない。
ンジスタの極性、及び半導体発光素子の極性を反
転して構成した場合等、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で種々の変形や適用が可能であることは言
う迄もない。
第１図は、従来の半導体光素子駆動回路図、第
２図は従来の半導体光素子駆動回路の各部波形
図、第３図は本発明の第１の実施例を示す回路
図、第４図は本発明の駆動回路の各部波形図、第
５図は本発明の第２の実施例を示す回路図であ
る。 ＰIN：入力パルス、Ｉ：電流パルス、OP：光
パルス、Ｒ：抵抗、Ｃ：コンデンサ、Ｑ：トラン
ジスタ、LD1：半導体光発光素子。
２図は従来の半導体光素子駆動回路の各部波形
図、第３図は本発明の第１の実施例を示す回路
図、第４図は本発明の駆動回路の各部波形図、第
５図は本発明の第２の実施例を示す回路図であ
る。 ＰIN：入力パルス、Ｉ：電流パルス、OP：光
パルス、Ｒ：抵抗、Ｃ：コンデンサ、Ｑ：トラン
ジスタ、LD1：半導体光発光素子。
Claims (1)
- １ NPNトランジスタのエミツタ端子とPNPト
ランジスタのエミツタ端子を接続し、該接続点に
コンデンサと抵抗よりなる並列回路の一端を接続
し、該並列回路の他端を半導体発光素子に接続し
たことを特徴とする半導体発光素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11552580A JPS5739593A (en) | 1980-08-22 | 1980-08-22 | Driving circuit of semiconductor light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11552580A JPS5739593A (en) | 1980-08-22 | 1980-08-22 | Driving circuit of semiconductor light emitting element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5739593A JPS5739593A (en) | 1982-03-04 |
| JPS6152997B2 true JPS6152997B2 (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=14664678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11552580A Granted JPS5739593A (en) | 1980-08-22 | 1980-08-22 | Driving circuit of semiconductor light emitting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5739593A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137340A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオ−ド駆動回路 |
| JPS5928396A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| FR2537782A1 (fr) * | 1982-12-14 | 1984-06-15 | Thomson Csf | Dispositif a diode emettrice de lumiere amenage pour supprimer les effets de constante de temps thermique |
| JPS61230438A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器 |
| JPS62122286A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄ駆動回路 |
| JP4277610B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2009-06-10 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| JP5509662B2 (ja) * | 2009-04-13 | 2014-06-04 | ソニー株式会社 | レーザ駆動装置 |
| JP6410522B2 (ja) * | 2014-08-22 | 2018-10-24 | 株式会社トプコン | 発光装置 |
| JP6734845B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2020-08-05 | 株式会社トプコン | 発光装置および距離測定装置 |
| JP6972575B2 (ja) * | 2016-08-19 | 2021-11-24 | 富士通株式会社 | 周波数特性調整回路、これを用いた光送信モジュール、及び光トランシーバ |
| JP6852302B2 (ja) * | 2016-08-19 | 2021-03-31 | 富士通株式会社 | 周波数特性調整回路、これを用いた光送信器、及び光トランシーバ |
| JP6904291B2 (ja) | 2018-03-20 | 2021-07-14 | 日本電信電話株式会社 | Ｄｍｌドライバ |
| WO2025215735A1 (ja) * | 2024-04-09 | 2025-10-16 | Ｎｔｔ株式会社 | Ｄｍｌドライバ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4813062U (ja) * | 1971-06-24 | 1973-02-14 |
-
1980
- 1980-08-22 JP JP11552580A patent/JPS5739593A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5739593A (en) | 1982-03-04 |
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