JPS6153872B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6153872B2 JPS6153872B2 JP7175578A JP7175578A JPS6153872B2 JP S6153872 B2 JPS6153872 B2 JP S6153872B2 JP 7175578 A JP7175578 A JP 7175578A JP 7175578 A JP7175578 A JP 7175578A JP S6153872 B2 JPS6153872 B2 JP S6153872B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- pressure transducer
- semiconductor pressure
- diffusion
- diffused
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は圧力対出力電圧特性が対称な差圧式
の半導体圧力変換器に関するものである。
の半導体圧力変換器に関するものである。
近年、IC技術により拡散ゲージ抵抗を配置し
たシリコン板自体をダイヤフラムとする半導体圧
力変換器が提案されているが、そのうち、差圧式
の半導体差力変換器はその構造上圧力対出力電圧
特性が非対称になる欠点があつた。
たシリコン板自体をダイヤフラムとする半導体圧
力変換器が提案されているが、そのうち、差圧式
の半導体差力変換器はその構造上圧力対出力電圧
特性が非対称になる欠点があつた。
したがつて、この発明の目的は圧力対出力電圧
特性が対称な半導体圧力変換器を提供するもので
ある。
特性が対称な半導体圧力変換器を提供するもので
ある。
このような目的を達成するため、この発明は同
型の拡散ゲージ抵抗をダイアフラムの第１主面お
よび第２主面の同じ位置に配置すると共に、第１
主面の１つの拡散ゲージ抵抗と第２主面における
拡散ゲージ抵抗であつて第１主面では相隣り合う
位置になる前記拡散ゲージ抵抗とを直列に接続
し、この直列接続した２個の拡散ゲージ抵抗の組
を少なくとも４組設けてブリツジ回路を構成する
ようにしたものであり、以下実施例を用いて詳細
に説明する。
型の拡散ゲージ抵抗をダイアフラムの第１主面お
よび第２主面の同じ位置に配置すると共に、第１
主面の１つの拡散ゲージ抵抗と第２主面における
拡散ゲージ抵抗であつて第１主面では相隣り合う
位置になる前記拡散ゲージ抵抗とを直列に接続
し、この直列接続した２個の拡散ゲージ抵抗の組
を少なくとも４組設けてブリツジ回路を構成する
ようにしたものであり、以下実施例を用いて詳細
に説明する。
第１図はこの発明に係る半導体圧力変換器に使
用する圧力変換素子の一実施例を示す側面図、第
２図は第１図の平面図、第３図は第１図に示す圧
力変換素子を使用して、この発明に係る半導体圧
力変換器の一実施例を示す結線図である。同図に
おいて、１は取扱い可能な必要な厚さまで薄くし
たダイアフラム、２ａ〜２ｄはこのダイアフラム
１の第１主面に設けた拡散ゲージ抵抗（第２図参
照）、２ｃ〜２ｈはこのダイアフラム１の第２主
面に設けた拡散ゲージ抵抗、３はこのダイアフラ
ム１の熱膨張率と同程度の熱膨張率の低融点ガラ
スなどの接着材、４はこのダイアフラム１の熱膨
張率と同程度の熱膨張率の支持台である。
用する圧力変換素子の一実施例を示す側面図、第
２図は第１図の平面図、第３図は第１図に示す圧
力変換素子を使用して、この発明に係る半導体圧
力変換器の一実施例を示す結線図である。同図に
おいて、１は取扱い可能な必要な厚さまで薄くし
たダイアフラム、２ａ〜２ｄはこのダイアフラム
１の第１主面に設けた拡散ゲージ抵抗（第２図参
照）、２ｃ〜２ｈはこのダイアフラム１の第２主
面に設けた拡散ゲージ抵抗、３はこのダイアフラ
ム１の熱膨張率と同程度の熱膨張率の低融点ガラ
スなどの接着材、４はこのダイアフラム１の熱膨
張率と同程度の熱膨張率の支持台である。
なお、拡散ゲージ抵抗２ａ〜２ｄおよび２ｅ〜
２ｈは同一構造である。
２ｈは同一構造である。
次に、上記構成の圧力変換素子はダイアフラム
１に対して支持台４が片面にしかついていないた
め、その圧力対出力電圧特性は非対称になるが、
第３図に示すように、拡散ゲージ２ａと２ｆ、２
ｂと２ｅ、２ｃと２ｈ、２ｄと２ｇを直列に接続
し、すなわち、第１主面の拡散ゲージ抵抗とこの
拡散ゲージ抵抗と相隣り合う位置の第２主面の拡
散ゲージ抵抗とを直列に接続したのち、ブリツジ
回路に配線し、この発明に係る半導体圧力変換器
を構成することができる。
１に対して支持台４が片面にしかついていないた
め、その圧力対出力電圧特性は非対称になるが、
第３図に示すように、拡散ゲージ２ａと２ｆ、２
ｂと２ｅ、２ｃと２ｈ、２ｄと２ｇを直列に接続
し、すなわち、第１主面の拡散ゲージ抵抗とこの
拡散ゲージ抵抗と相隣り合う位置の第２主面の拡
散ゲージ抵抗とを直列に接続したのち、ブリツジ
回路に配線し、この発明に係る半導体圧力変換器
を構成することができる。
次に、上記構成に係る半導体圧力変換器の動作
について説明する。
について説明する。
まず、ダイアフラム１の第１主面が例えば凹か
ら凸に変化したとき、その第１主面の拡散ゲージ
抵抗２ａ〜２ｄの抵抗値は第４図の曲線Ａに示す
ように変化し、その出力電圧は第５図の点線で示
すように変化する。この変化と同時に第２主面は
凸から凹に変化する。したがつて、その第２主面
の拡散ゲージ抵抗２ｅ〜２ｈの抵抗値は第４図の
曲線Ｂに示すように変化し、その出力電圧は第５
図の点線で示すように変化する。そして、このよ
うに変化する拡散ゲージ抵抗２ａ〜２ｈは第３図
に示すようにブリツジ回路に配線されているの
で、その圧力対出力電圧は第５図に示すように対
称形になる。
ら凸に変化したとき、その第１主面の拡散ゲージ
抵抗２ａ〜２ｄの抵抗値は第４図の曲線Ａに示す
ように変化し、その出力電圧は第５図の点線で示
すように変化する。この変化と同時に第２主面は
凸から凹に変化する。したがつて、その第２主面
の拡散ゲージ抵抗２ｅ〜２ｈの抵抗値は第４図の
曲線Ｂに示すように変化し、その出力電圧は第５
図の点線で示すように変化する。そして、このよ
うに変化する拡散ゲージ抵抗２ａ〜２ｈは第３図
に示すようにブリツジ回路に配線されているの
で、その圧力対出力電圧は第５図に示すように対
称形になる。
以上、詳細に説明したように、この発明に係る
半導体圧力変換器によれば簡単な構成により、そ
の圧力対出力電圧特性を対称にすることができる
効果がある。
半導体圧力変換器によれば簡単な構成により、そ
の圧力対出力電圧特性を対称にすることができる
効果がある。
第１図はこの発明に係る半導体圧力変換器に使
用する圧力変換素子の一実施例を示す側面図、第
２図は第１図の平面図、第３図は第１図の圧力変
換素子を使用してこの発明に係る半導体圧力変換
器の一実施例を示す結線図、第４図は第１図の各
圧力変換素子の抵抗変化特性を示す図、第５図は
第３図に示す半導体圧力変換器の圧力対出力電圧
特性を示す図である。 １……ダイアフラム、２ａ〜２ｈ……拡散ゲー
ジ抵抗、３……接着剤、４……支持台。なお、同
一符号は同一または相当部分を示す。
用する圧力変換素子の一実施例を示す側面図、第
２図は第１図の平面図、第３図は第１図の圧力変
換素子を使用してこの発明に係る半導体圧力変換
器の一実施例を示す結線図、第４図は第１図の各
圧力変換素子の抵抗変化特性を示す図、第５図は
第３図に示す半導体圧力変換器の圧力対出力電圧
特性を示す図である。 １……ダイアフラム、２ａ〜２ｈ……拡散ゲー
ジ抵抗、３……接着剤、４……支持台。なお、同
一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 拡散ゲージ抵抗を配置したシリコン板をダイ
アフラムとする半導体圧力変換器において、同型
の拡散ゲージ抵抗をダイアフラムの第１主面およ
び第２主面の同じ位置に配置すると共に、第１主
面の１つの拡散ゲージ抵抗と第２主面における拡
散ゲージ抵抗であつて第１主面では相隣り合う位
置になる前記拡散ゲージ抵抗とを直列に接続し、
この直列接続した２個の拡散ゲージ抵抗の組を少
なくとも４組設けてブリツジ回路を構成し、圧力
対出力電圧特性を対称にすることを特徴とする半
導体圧力変換器。 ２ ダイアフラムの熱膨張率と同程度の熱膨張率
の支持台をダイアフラムの第１主面あるいは第２
主面に、このダイアフラムの熱膨張率と同程度の
接着材により接着することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体圧力変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7175578A JPS54162492A (en) | 1978-06-13 | 1978-06-13 | Semiconductor pressure transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7175578A JPS54162492A (en) | 1978-06-13 | 1978-06-13 | Semiconductor pressure transducer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54162492A JPS54162492A (en) | 1979-12-24 |
| JPS6153872B2 true JPS6153872B2 (ja) | 1986-11-19 |
Family
ID=13469659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7175578A Granted JPS54162492A (en) | 1978-06-13 | 1978-06-13 | Semiconductor pressure transducer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54162492A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536777U (ja) * | 1991-10-18 | 1993-05-18 | 菊水電子工業株式会社 | コネクタの抜け止め防止装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2130435B (en) * | 1982-10-27 | 1986-10-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor strain sensor and method for manufacturing the same |
| JPS6077470A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nec Corp | ダイアフラム型半導体圧力センサ |
-
1978
- 1978-06-13 JP JP7175578A patent/JPS54162492A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536777U (ja) * | 1991-10-18 | 1993-05-18 | 菊水電子工業株式会社 | コネクタの抜け止め防止装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54162492A (en) | 1979-12-24 |
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