JPS6155801B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6155801B2 JPS6155801B2 JP1066979A JP1066979A JPS6155801B2 JP S6155801 B2 JPS6155801 B2 JP S6155801B2 JP 1066979 A JP1066979 A JP 1066979A JP 1066979 A JP1066979 A JP 1066979A JP S6155801 B2 JPS6155801 B2 JP S6155801B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- wave generator
- impedance
- output
- generator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 38
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000010356 wave oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1805—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a coaxial resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタを用いたマイクロ波帯発
振器の第N次高調波周波数信号を出力信号として
取出すマイクロ波発生装置に関する。
振器の第N次高調波周波数信号を出力信号として
取出すマイクロ波発生装置に関する。
本発明の目的は、前記のマイクロ波発生装置に
おいて、マイクロ波帯トランジスタ発振逓倍装置
の動作の安定性を向上させ、かつ広帯域化を図ろ
うとするものである。
おいて、マイクロ波帯トランジスタ発振逓倍装置
の動作の安定性を向上させ、かつ広帯域化を図ろ
うとするものである。
従来この種のマイクロ波発生装置は発振回路部
と第N次高調波周波数信号を取出すための波器
とを、インピーダンス変化に対する緩衝効果を有
しない結合回路を介して直接電界結合又は磁界結
合させて、前記波器の出力端にインピーダンス
変化に対する緩衝効果のあるサーキユレータ、ア
イソレータまたは抵抗減衰器等を接続する構成に
なつていた。
と第N次高調波周波数信号を取出すための波器
とを、インピーダンス変化に対する緩衝効果を有
しない結合回路を介して直接電界結合又は磁界結
合させて、前記波器の出力端にインピーダンス
変化に対する緩衝効果のあるサーキユレータ、ア
イソレータまたは抵抗減衰器等を接続する構成に
なつていた。
この従来の構成では、発振回路部と波器とが
インピーダンス変化に対する緩衝効果を与えられ
ずに直接結合しているため、温度変化により波
器のインピーダンスが変動すると、異状発振現象
が生じることがあつた。また波器の入力側電源
インピーダンスが発振回路部の出力インピーダン
スになるので、周波数の広い範囲で波器とイン
ピーダンス整合させることが難しいため、波器
そのものを広帯域に設計しても、発振回路部と結
合させると波器の通過特性が著しく変化し、広
帯域マイクロ波発生装置を実現することができな
かつた。
インピーダンス変化に対する緩衝効果を与えられ
ずに直接結合しているため、温度変化により波
器のインピーダンスが変動すると、異状発振現象
が生じることがあつた。また波器の入力側電源
インピーダンスが発振回路部の出力インピーダン
スになるので、周波数の広い範囲で波器とイン
ピーダンス整合させることが難しいため、波器
そのものを広帯域に設計しても、発振回路部と結
合させると波器の通過特性が著しく変化し、広
帯域マイクロ波発生装置を実現することができな
かつた。
さらに発振回路部に印加電圧で接合容量が変化
する変調用バラクタ・ダイオードを結合させ、か
つ基本発振周波数の第N次高調波信号成分を出力
として取り出す発振逓倍型周波数変調器を構成し
た場合、波器のインピーダンス変動で変調微分
特性が大巾に変化したり、異状発振現象を生じた
りするので、温度変化に対し安定に動作する発振
逓倍型周波数変調器を実現することは極めて困難
であつた。
する変調用バラクタ・ダイオードを結合させ、か
つ基本発振周波数の第N次高調波信号成分を出力
として取り出す発振逓倍型周波数変調器を構成し
た場合、波器のインピーダンス変動で変調微分
特性が大巾に変化したり、異状発振現象を生じた
りするので、温度変化に対し安定に動作する発振
逓倍型周波数変調器を実現することは極めて困難
であつた。
本発明は上述したような発振逓倍型マイクロ波
発生装置の欠点を解決し、動作の安定性が優れて
いる発振逓倍型マイクロ波発生装置を実現するこ
とが目的である。
発生装置の欠点を解決し、動作の安定性が優れて
いる発振逓倍型マイクロ波発生装置を実現するこ
とが目的である。
前記の目的を達成するため、本発明において
は、発振回路部と波器との間にマイクロ波発生
装置の出力周波数である第N次高調波周波数帯で
機能するアイソレータまたはサーキユレータを挿
入する構成を採用している。
は、発振回路部と波器との間にマイクロ波発生
装置の出力周波数である第N次高調波周波数帯で
機能するアイソレータまたはサーキユレータを挿
入する構成を採用している。
以下本発明を実施例により図面を参照して説明
する。
する。
第1図は従来採用されていたマイクロ波発生装
置の構成例を示し、第2図,第3図に本発明によ
るマイクロ波発生装置の実施例の構成を示す。第
1図,第2図,第3図において、同一機能を有す
るものに対しては同一番号を付してある。
置の構成例を示し、第2図,第3図に本発明によ
るマイクロ波発生装置の実施例の構成を示す。第
1図,第2図,第3図において、同一機能を有す
るものに対しては同一番号を付してある。
第1図,第2図,第3図において、1は発振能
動素子であるトランジスタ、(このトランジスタ
として、シリコン・バイポーラ・トランジスタお
よびガリウム・アーセナイド電界効果トランジス
タの両方とも利用することができる)、2はエミ
ツタ抵抗またはソース抵抗、3,4はベースまた
はゲート直流電圧を作るための抵抗、5は発振周
波数を決定するための共振器で、半同軸共振器、
円筒空胴共振器、高誘電率の誘電体を用いた誘電
体共振器、ストリツプ・ラインまたは平衡伝送路
を用いた分布定数共振器等が使用される。
動素子であるトランジスタ、(このトランジスタ
として、シリコン・バイポーラ・トランジスタお
よびガリウム・アーセナイド電界効果トランジス
タの両方とも利用することができる)、2はエミ
ツタ抵抗またはソース抵抗、3,4はベースまた
はゲート直流電圧を作るための抵抗、5は発振周
波数を決定するための共振器で、半同軸共振器、
円筒空胴共振器、高誘電率の誘電体を用いた誘電
体共振器、ストリツプ・ラインまたは平衡伝送路
を用いた分布定数共振器等が使用される。
6は電界または磁界結合回路、7は基本発振周
波数の第N次高調波周波数信号を出力として取出
すための波器、8は出力信号周波数帯で動作す
るサーキユレータ、アイソレータまたは抵抗減衰
器等のインピーダンス変化に対する緩衝効果のあ
るもの、9は出力端子、10は直流入力端子であ
る。
波数の第N次高調波周波数信号を出力として取出
すための波器、8は出力信号周波数帯で動作す
るサーキユレータ、アイソレータまたは抵抗減衰
器等のインピーダンス変化に対する緩衝効果のあ
るもの、9は出力端子、10は直流入力端子であ
る。
また第3図における11はバラクタ・ダイオー
ド12の直流バイアス電圧を設定するための可変
抵抗器、12はバラクタ・ダイオード、13は直
流阻止用コンデンサ、14は変調信号入力端子で
ある。
ド12の直流バイアス電圧を設定するための可変
抵抗器、12はバラクタ・ダイオード、13は直
流阻止用コンデンサ、14は変調信号入力端子で
ある。
第1図の従来の構成例では、発振用トランジス
タのベースに結合回路6を介して波器7が接続
されているため、インピーダンス不整合による
波器入力端の反射電力は発振トランジスタのベー
スに直接印加されるので、その反射電力成分のた
めに発振動作点が変り動作が不安定になる。また
波器7を広帯域特性を有するように設計して
も、波器の通過特性は入力および出力終端イン
ピーダンスによつて変化する。波器と発振回路
部を緩衝効果を有しない回路で結合すると、発振
回路の出力インピーダンスと波器の入力インピ
ーダンスとを広い周波数帯域にわたつてインピー
ダンス整合することが不可能なため、波器の通
過帯域巾が、波器単体の設計通過帯域巾より狭
くなり、広帯域マイクロ波発生装置を実現するこ
とができなかつた。
タのベースに結合回路6を介して波器7が接続
されているため、インピーダンス不整合による
波器入力端の反射電力は発振トランジスタのベー
スに直接印加されるので、その反射電力成分のた
めに発振動作点が変り動作が不安定になる。また
波器7を広帯域特性を有するように設計して
も、波器の通過特性は入力および出力終端イン
ピーダンスによつて変化する。波器と発振回路
部を緩衝効果を有しない回路で結合すると、発振
回路の出力インピーダンスと波器の入力インピ
ーダンスとを広い周波数帯域にわたつてインピー
ダンス整合することが不可能なため、波器の通
過帯域巾が、波器単体の設計通過帯域巾より狭
くなり、広帯域マイクロ波発生装置を実現するこ
とができなかつた。
第2図は上述したような発振逓倍型マイクロ波
発生装置の欠点を解決するために案出した本発明
実施例の構成を示す。第2図に示すように、マイ
クロ波発生装置の出力信号周波数である基本発振
周波数の第N次高調波周波数帯で動作するサーキ
ユレータまたはアイソレータを、発振部と波器
との間に挿入することにより、発振部より外部を
見た負荷インピーダンスは波器の入力インピー
ダンスに関係なく、常にサーキユレータまたはア
イソレータの呈するインピーダンスであるため、
発振部の負荷インピーダンスの変動がないので安
定に動作することが保証される。また波器より
発振回路部を見た電源インピーダンスは発振回路
部の出力インピーダンスに関係なく、サーキユレ
ータまたはアイソレータの呈するインピーダンス
であるため、サーキユレータまたはアイソレータ
の出力インピーダンスと波器の入力インピーダ
ンスとがインピーダンス整合がとれるように設計
しておけば、発振回路部の出力インピーダンスに
関係なく、常に波器の入出力端子はインピーダ
ンス整合がとれた状態で動作させることができる
ので、波器の通過振幅特性は設計通り、広帯域
特性を保つたまま使用することができる。
発生装置の欠点を解決するために案出した本発明
実施例の構成を示す。第2図に示すように、マイ
クロ波発生装置の出力信号周波数である基本発振
周波数の第N次高調波周波数帯で動作するサーキ
ユレータまたはアイソレータを、発振部と波器
との間に挿入することにより、発振部より外部を
見た負荷インピーダンスは波器の入力インピー
ダンスに関係なく、常にサーキユレータまたはア
イソレータの呈するインピーダンスであるため、
発振部の負荷インピーダンスの変動がないので安
定に動作することが保証される。また波器より
発振回路部を見た電源インピーダンスは発振回路
部の出力インピーダンスに関係なく、サーキユレ
ータまたはアイソレータの呈するインピーダンス
であるため、サーキユレータまたはアイソレータ
の出力インピーダンスと波器の入力インピーダ
ンスとがインピーダンス整合がとれるように設計
しておけば、発振回路部の出力インピーダンスに
関係なく、常に波器の入出力端子はインピーダ
ンス整合がとれた状態で動作させることができる
ので、波器の通過振幅特性は設計通り、広帯域
特性を保つたまま使用することができる。
以上のようにサーキユレータまたはアイソレー
タを発振回路部と波器部との間に挿入すること
により、波器の通過帯域巾を劣化させることが
なくなるので、広帯域マイクロ波発生装置を実現
することが可能になる。
タを発振回路部と波器部との間に挿入すること
により、波器の通過帯域巾を劣化させることが
なくなるので、広帯域マイクロ波発生装置を実現
することが可能になる。
第2図のような構成にした場合、希望出力信号
である基本発振周波数の第N次高調波信号周波数
以外の周波数成分の電力がサーキユレータまたは
アイソレータに吸収され、出力電力が従来型に比
べて低下することが考えられるが、結合回路6を
Qの極めて低い高域通過波器で構成し、基本波
発振電力を結合回路6の入力端で反射させること
により、出力低下を防止することができる。
である基本発振周波数の第N次高調波信号周波数
以外の周波数成分の電力がサーキユレータまたは
アイソレータに吸収され、出力電力が従来型に比
べて低下することが考えられるが、結合回路6を
Qの極めて低い高域通過波器で構成し、基本波
発振電力を結合回路6の入力端で反射させること
により、出力低下を防止することができる。
第3図は本発明による発振逓倍型周波数変調器
の実施例の構成を示し、周波数変調がかかること
以外は全て第2図と同一動作である。
の実施例の構成を示し、周波数変調がかかること
以外は全て第2図と同一動作である。
第2図,第3図において、出力信号はトランジ
スタのベースから取り出されているが、これは1
例であり、エミツタまたはコレクタより出力電力
を取り出しても良く、また接地方式もコレクタの
みでなく、ベース接地またはエミツタ接地でも良
い。さらに発振周波数を決定する共振器もベース
電極のみでなく、エミツタまたはコレクタ電極に
結合させても良い。
スタのベースから取り出されているが、これは1
例であり、エミツタまたはコレクタより出力電力
を取り出しても良く、また接地方式もコレクタの
みでなく、ベース接地またはエミツタ接地でも良
い。さらに発振周波数を決定する共振器もベース
電極のみでなく、エミツタまたはコレクタ電極に
結合させても良い。
第4図に本発明により得られた出力電力特性と
従来方式により得られる出力電力特性との比較の
1例を示す。第4図の横軸は出力周波数、縦軸は
出力電力、特性15が本発明の構成によるもの、
特性16が従来の構成によるものである。第4図
より本発明により約4倍の広帯域特性が得られる
ことが明らかである。
従来方式により得られる出力電力特性との比較の
1例を示す。第4図の横軸は出力周波数、縦軸は
出力電力、特性15が本発明の構成によるもの、
特性16が従来の構成によるものである。第4図
より本発明により約4倍の広帯域特性が得られる
ことが明らかである。
以上に述べたように、本発明によるときは、発
振回路部と波器との間にアイソレータまたはサ
ーキユレータを挿入することにより、マイクロ波
帯トランジスタ発振逓倍装置の動作の安定性を向
上させることができ、かつその広帯域化を実現さ
せ得る効果がある。
振回路部と波器との間にアイソレータまたはサ
ーキユレータを挿入することにより、マイクロ波
帯トランジスタ発振逓倍装置の動作の安定性を向
上させることができ、かつその広帯域化を実現さ
せ得る効果がある。
第1図は従来の発振逓倍型マイクロ波発生装置
の構成例、第2図は本発明による発振逓倍型マイ
クロ波発生装置の実施例の構成図、第3図は本発
明による発振逓倍型周波数変調器の場合のマイク
ロ波発生装置の実施例の構成図、第4図は本発明
によつて実現されたマイクロ波発生装置の特性と
従来のマイクロ波発生装置の特性とを比較して示
した特性比較図である。なお図面に使用した符号
はそれぞれ以下のものを示す。 1……トランジスタ、2……エミツタまたはソ
ース抵抗、3,4……ベースまたはゲート電圧用
抵抗、5……共振器、6……電界または磁界結合
回路、7……波器、8……サーキユレータ、ア
イソレータ等、9……出力端子、10……直流入
力端子、11……可変抵抗器、12……バラク
タ・ダイオード、13……直流阻止用コンデン
サ、14……変調信号入力端子、15……本発明
による特性曲線、16……従来例の特性曲線。
の構成例、第2図は本発明による発振逓倍型マイ
クロ波発生装置の実施例の構成図、第3図は本発
明による発振逓倍型周波数変調器の場合のマイク
ロ波発生装置の実施例の構成図、第4図は本発明
によつて実現されたマイクロ波発生装置の特性と
従来のマイクロ波発生装置の特性とを比較して示
した特性比較図である。なお図面に使用した符号
はそれぞれ以下のものを示す。 1……トランジスタ、2……エミツタまたはソ
ース抵抗、3,4……ベースまたはゲート電圧用
抵抗、5……共振器、6……電界または磁界結合
回路、7……波器、8……サーキユレータ、ア
イソレータ等、9……出力端子、10……直流入
力端子、11……可変抵抗器、12……バラク
タ・ダイオード、13……直流阻止用コンデン
サ、14……変調信号入力端子、15……本発明
による特性曲線、16……従来例の特性曲線。
Claims (1)
- 1 発振能動素子としてトランジスタを使用し、
基本発振信号の第N次高調波信号を出力信号とし
て取出す発振逓倍型マイクロ波発生装置におい
て、出力信号である第N次高調波信号周波数帯で
動作するサーキユレータまたはアイソレータと、
第N次高調波信号のみを取出すための波器を出
力回路に設け、第N次高調波信号周波数帯で動作
する前記のサーキユレータまたはアイソレータ
を、発振回路部と前記の第N次高調波信号のみを
取出すための波器との間に挿入して構成したこ
とを特徴とするマイクロ波発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066979A JPS55102905A (en) | 1979-02-01 | 1979-02-01 | Microwave generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066979A JPS55102905A (en) | 1979-02-01 | 1979-02-01 | Microwave generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55102905A JPS55102905A (en) | 1980-08-06 |
| JPS6155801B2 true JPS6155801B2 (ja) | 1986-11-29 |
Family
ID=11756643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1066979A Granted JPS55102905A (en) | 1979-02-01 | 1979-02-01 | Microwave generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55102905A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0588303U (ja) * | 1991-09-20 | 1993-12-03 | 稔 山本 | ビーチシューズ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666590B2 (ja) * | 1986-04-11 | 1994-08-24 | 富士通株式会社 | 電界効果トランジスタ周波数逓倍回路 |
-
1979
- 1979-02-01 JP JP1066979A patent/JPS55102905A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0588303U (ja) * | 1991-09-20 | 1993-12-03 | 稔 山本 | ビーチシューズ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55102905A (en) | 1980-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4435688A (en) | FET Microwave oscillator being frequency stabilized by capacitive reactance micro-strip stub line | |
| US4630003A (en) | FET oscillator exhibiting negative resistance due to high impedance at the source of an FET thereof | |
| US6066997A (en) | Frequency multiplier with fundamental wave reflection | |
| JPS6348202B2 (ja) | ||
| US3996530A (en) | Butler oscillator | |
| JPS58168306A (ja) | マイクロ波発振装置 | |
| JPH0349458Y2 (ja) | ||
| Smith et al. | 25-42 GHz GaAs heterojunction bipolar transistor low phase noise push-push VCOs | |
| JPS6155801B2 (ja) | ||
| CA2034157A1 (en) | Frequency linearization circuit for a microwave vco in ridged waveguide | |
| US6600381B2 (en) | Microwave voltage-controlled-oscillator | |
| JP2747286B2 (ja) | 高周波発振器 | |
| RU2068616C1 (ru) | Малошумящий свч генератор | |
| US3373381A (en) | Transmission line phase modulator | |
| JPH0535923B2 (ja) | ||
| JP2715427B2 (ja) | 電圧制御発振器 | |
| KR880001269Y1 (ko) | 극초단파 발진기 | |
| JPS6157731B2 (ja) | ||
| JPS5826203B2 (ja) | シユウハスウヘンチヨウソウチ | |
| JPS6226908A (ja) | 電圧制御発振回路 | |
| JPS601763B2 (ja) | トランジスタ発振器 | |
| JP2559724Y2 (ja) | マイクロ波変調器 | |
| JPS5811045Y2 (ja) | 高周波フィルタ | |
| JP2001144538A (ja) | 電圧制御型発振器 | |
| JPS6330008A (ja) | 電圧制御発振回路 |