JPS6156895B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6156895B2 JPS6156895B2 JP53147654A JP14765478A JPS6156895B2 JP S6156895 B2 JPS6156895 B2 JP S6156895B2 JP 53147654 A JP53147654 A JP 53147654A JP 14765478 A JP14765478 A JP 14765478A JP S6156895 B2 JPS6156895 B2 JP S6156895B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- surface acoustic
- acoustic wave
- input
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
- H03H9/0285—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections of triple transit echo
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02685—Grating lines having particular arrangements
- H03H9/02708—Shifted grating lines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波装置のトリプル・トランジ
ツト・エコー（以下TTEと略す）の抑圧に関す
る。
ツト・エコー（以下TTEと略す）の抑圧に関す
る。
弾性表面波装置は弾性表面波の速度が光速の約
1/105と小さく、また電極自身が周波数選択特性
をもつことから、小型で安定な遅延線、バンド・
パス・フイルタ等へ応用すべく、研究が行なわれ
ているが、その電気的特性で最も障害となるもの
の一つにTTEがある。これは希望波の遅延時間
の３倍の遅延時間で現われる妨害波で、通過域の
振幅・位相特性にリツプルとなつて現われる。
TTEには音響インピーダンスの不連続によつて
表面波がIDTの各電極で反射するMEL（Mass
Electrical Loading）と電気的負荷からの反射
RW（Regenerated Wave）の２つがあり、前者
はいわゆるスプリツト電極等によつて容易に除く
ことができるが、後者は仲々小さくできず、電気
的不整合によつて挿入損失を増やして小さくして
いる事が多い。
1/105と小さく、また電極自身が周波数選択特性
をもつことから、小型で安定な遅延線、バンド・
パス・フイルタ等へ応用すべく、研究が行なわれ
ているが、その電気的特性で最も障害となるもの
の一つにTTEがある。これは希望波の遅延時間
の３倍の遅延時間で現われる妨害波で、通過域の
振幅・位相特性にリツプルとなつて現われる。
TTEには音響インピーダンスの不連続によつて
表面波がIDTの各電極で反射するMEL（Mass
Electrical Loading）と電気的負荷からの反射
RW（Regenerated Wave）の２つがあり、前者
はいわゆるスプリツト電極等によつて容易に除く
ことができるが、後者は仲々小さくできず、電気
的不整合によつて挿入損失を増やして小さくして
いる事が多い。
しかし、スプリツト電極はその線幅の通常のソ
リツド電極の1/2になつてしまうので微細加工上
不利であり、またRWを抑圧するために電気的不
整合をとると通常５〜10dBの大きな挿入損失の
劣化を伴うという欠点がある。
リツド電極の1/2になつてしまうので微細加工上
不利であり、またRWを抑圧するために電気的不
整合をとると通常５〜10dBの大きな挿入損失の
劣化を伴うという欠点がある。
第１図は従来の弾性表面波装置の基本的構成例
で、１は圧電基板、２は送信電極、３は受信電極
で、通常電極は図のように相互にくし形にかみ合
つた構造でIDT（Interdigital Transducer）すな
わち交叉指電極あるいはすだれ状電極と呼ばれ
る。４は弾性表面波、５は負荷抵抗である。動作
は、まず送信電極２に印加された交流電気信号は
弾性表面波４に変換され、圧電基板１の上を伝搬
して受信電極３に到着し、再びそこで電気信号に
変換されて負荷５に達する。
で、１は圧電基板、２は送信電極、３は受信電極
で、通常電極は図のように相互にくし形にかみ合
つた構造でIDT（Interdigital Transducer）すな
わち交叉指電極あるいはすだれ状電極と呼ばれ
る。４は弾性表面波、５は負荷抵抗である。動作
は、まず送信電極２に印加された交流電気信号は
弾性表面波４に変換され、圧電基板１の上を伝搬
して受信電極３に到着し、再びそこで電気信号に
変換されて負荷５に達する。
本発明はこれらの欠点を除去するため、電極指
の線幅を細くすることなしに、また挿入損失を大
きく劣化させることなしにTTEの抑圧をはかる
ことを目的としたもので、以下詳細に説明する。
の線幅を細くすることなしに、また挿入損失を大
きく劣化させることなしにTTEの抑圧をはかる
ことを目的としたもので、以下詳細に説明する。
TTEは弾性表面波装置を実用化する上で大き
な障害となるので、十分抑圧する必要がある。
な障害となるので、十分抑圧する必要がある。
第２図は本発明の実施例で、１〜４は第１図と
同一部品である。６は格子状のシールド電極であ
り、６′を上部、６″を下部とする。Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ，Ｆ及びA′，B′，C′，D′，E′，F′はそれ
ぞれ弾性表面波の一部を表わす。通常送受信電極
２及び３の間に置かれるシールド電極６は、送受
信電極２及び３の間で直接電気的に結合するいわ
ゆる直達波を抑圧するのに用いられ、弾性表面波
フイルタにおいては阻止域の改善に効果がある。
その形状は通常単純な棒状（長方形）をとる事が
多い。
同一部品である。６は格子状のシールド電極であ
り、６′を上部、６″を下部とする。Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ，Ｆ及びA′，B′，C′，D′，E′，F′はそれ
ぞれ弾性表面波の一部を表わす。通常送受信電極
２及び３の間に置かれるシールド電極６は、送受
信電極２及び３の間で直接電気的に結合するいわ
ゆる直達波を抑圧するのに用いられ、弾性表面波
フイルタにおいては阻止域の改善に効果がある。
その形状は通常単純な棒状（長方形）をとる事が
多い。
しかし、本発明ではその長方形を変形し、第２
図の６の様に上部６′と下部６″をλ０／４（λ：
送信波長）だけくびれさせた格子状のシールド電
極を入出力電極の間に設けることにより、TTE
を十分に抑圧したものである。第２図において
は、２を送信電極、３を受信電極とすれば、Ａ〜
Ｆ及びA′〜F′は受信電極３で反射した反射波
MEL及び第１図の負荷５で反射した反射波RWの
反射である。ここでＥ，E′はＦ，F′の反射もれ
の一部を、以下Ｄ，D′はＥ，E′の、Ｃ，C′は
Ｄ，D′の、Ｂ，B′はＣ，C′の、Ａ，A′はＢ，
B′の反射もれの一部を反射する。ＡとA′は位相
差が180゜となつて打消し合い、以下シールド電
極６が板状であると反射は２回だけであるが、格
子状であれば格子の数の２倍回反射を行わせるこ
とができるので、十分に抑圧することができる。
ＢとB′〜ＦとF′はすべて打消し合つて消滅す
る。MELとRWのベクトル和である。TTEは上
記の過程を３度繰り返すため、相当量減衰する。
図の６の様に上部６′と下部６″をλ０／４（λ：
送信波長）だけくびれさせた格子状のシールド電
極を入出力電極の間に設けることにより、TTE
を十分に抑圧したものである。第２図において
は、２を送信電極、３を受信電極とすれば、Ａ〜
Ｆ及びA′〜F′は受信電極３で反射した反射波
MEL及び第１図の負荷５で反射した反射波RWの
反射である。ここでＥ，E′はＦ，F′の反射もれ
の一部を、以下Ｄ，D′はＥ，E′の、Ｃ，C′は
Ｄ，D′の、Ｂ，B′はＣ，C′の、Ａ，A′はＢ，
B′の反射もれの一部を反射する。ＡとA′は位相
差が180゜となつて打消し合い、以下シールド電
極６が板状であると反射は２回だけであるが、格
子状であれば格子の数の２倍回反射を行わせるこ
とができるので、十分に抑圧することができる。
ＢとB′〜ＦとF′はすべて打消し合つて消滅す
る。MELとRWのベクトル和である。TTEは上
記の過程を３度繰り返すため、相当量減衰する。
一方、送信電極２より出た希望波は、同様にシ
ールド電極６でその一部が反射されるが、その成
分は上記と同様の原理で打消し合い、また、希望
波のシールド電極６の通過回数は１回であるから
減衰量はTTEのそれに比べ少なくてすむ。
ールド電極６でその一部が反射されるが、その成
分は上記と同様の原理で打消し合い、また、希望
波のシールド電極６の通過回数は１回であるから
減衰量はTTEのそれに比べ少なくてすむ。
また、第２図中のｘは送受信電極のピツチ（＝
λ０／２）に比べ大きめに設計しておけば、中心
周波数付近のトラツプ現象も生じないので通過域
振幅位相特性を乱すことはない。更に、上記のよ
うな構造のシールド電極では従来のスプリツト電
極では抑圧できなかつたRWをもMELと同様に抑
圧できる利点がある上に、スプリツト電極のよう
に電極指の線幅をλ０／８にする必要がないので
製造の歩留りもよいという利点がある。その上、
送受信電極は何らTTE抑圧対策を施す必要がな
いので設計上も極めて有利である。
λ０／２）に比べ大きめに設計しておけば、中心
周波数付近のトラツプ現象も生じないので通過域
振幅位相特性を乱すことはない。更に、上記のよ
うな構造のシールド電極では従来のスプリツト電
極では抑圧できなかつたRWをもMELと同様に抑
圧できる利点がある上に、スプリツト電極のよう
に電極指の線幅をλ０／８にする必要がないので
製造の歩留りもよいという利点がある。その上、
送受信電極は何らTTE抑圧対策を施す必要がな
いので設計上も極めて有利である。
以上説明したように本発明では、λ０／４だけ
くびれのある格子状のシールド電極を表面波伝搬
路上に設けることにより、板状のシールド電極以
上のTTEの抑圧が実現できる。従つて弾性表面
波装置の実用化に極めて有効と考えられる。
くびれのある格子状のシールド電極を表面波伝搬
路上に設けることにより、板状のシールド電極以
上のTTEの抑圧が実現できる。従つて弾性表面
波装置の実用化に極めて有効と考えられる。
第１図は通常の弾性表面波装置の基本構成と電
源及び負荷の接続図であり、第２図は本発明の実
施例を示す図である。 １……圧電基板、２……送信電極、３……受信
電極、４……弾性表面波、６……シールド電極、
Ａ〜Ｆ及びA′〜F′……TTEの反射成分。
源及び負荷の接続図であり、第２図は本発明の実
施例を示す図である。 １……圧電基板、２……送信電極、３……受信
電極、４……弾性表面波、６……シールド電極、
Ａ〜Ｆ及びA′〜F′……TTEの反射成分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電基板上に入力および出力用のすだれ状電
極を配設し、これら入出力電極間を表面波が伝搬
する弾性表面波装置において、前記入出力電極間
に格子状のシールド電極を設け、該シールド電極
の上部と下部にλ０／４（λ０：送信波長）距離差を もたせて入出力電極間における反射波の位相を
180゜異ならせしめ、反射波を減衰せしめること
を特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14765478A JPS5574230A (en) | 1978-11-29 | 1978-11-29 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14765478A JPS5574230A (en) | 1978-11-29 | 1978-11-29 | Surface acoustic wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5574230A JPS5574230A (en) | 1980-06-04 |
| JPS6156895B2 true JPS6156895B2 (ja) | 1986-12-04 |
Family
ID=15435232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14765478A Granted JPS5574230A (en) | 1978-11-29 | 1978-11-29 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5574230A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4870312A (en) * | 1987-02-19 | 1989-09-26 | Hazeltine Corporation | Surface wave device having anti-reflective shield |
| JP2001196898A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波フィルタ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434555Y2 (ja) * | 1975-08-26 | 1979-10-22 | ||
| JPS5231347A (en) * | 1975-09-04 | 1977-03-09 | Furukawa Battery Co Ltd | Zinc plate |
-
1978
- 1978-11-29 JP JP14765478A patent/JPS5574230A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5574230A (en) | 1980-06-04 |
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