JPS6157735B2 - - Google Patents
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- JPS6157735B2 JPS6157735B2 JP55160787A JP16078780A JPS6157735B2 JP S6157735 B2 JPS6157735 B2 JP S6157735B2 JP 55160787 A JP55160787 A JP 55160787A JP 16078780 A JP16078780 A JP 16078780A JP S6157735 B2 JPS6157735 B2 JP S6157735B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はノイズを除去してS/N比良く信号を
増幅する、MOSFET構成の増幅回路に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an amplifier circuit having a MOSFET configuration that removes noise and amplifies a signal with a good S/N ratio.
従来の回転ヘツド型VTRにおいて、テープに
記録形成された映像トラツクを再生時に回転ヘツ
ドで正しく走査させるためのトラツキング制御
に、テープ端部のコントロールトラツクに記録さ
れたコントロール信号をコントロールヘツドで再
生し、この再生コントロール信号を基準にして、
テープの走行とヘツドの走査を制御する方法が一
般に用いられている。このコントロールトラツク
より再生されるコントロール信号は一般に数mV
以下程度の非常に微少な信号であるため、これを
十分なレベルまで増幅するために、従来はバイポ
ーラトランジスタによる負帰還増幅回路などのい
わゆるリニア増幅回路を用いていた。 In conventional rotary head type VTRs, the control head plays back control signals recorded on the control track at the end of the tape for tracking control to ensure that the rotary head correctly scans the video track recorded on the tape during playback. Based on this playback control signal,
A method of controlling tape travel and head scanning is commonly used. The control signal reproduced from this control track is generally several mV.
Since the signal is extremely small, such as the following, a so-called linear amplification circuit such as a negative feedback amplification circuit using bipolar transistors has conventionally been used to amplify this signal to a sufficient level.
第1図は、従来のリニア増幅回路によつて、再
生増幅されたコントロール信号波形を示す波形図
である。aは初段のリニア増幅回路(図示省略)
によつて増幅された信号波形であり実線で示す波
形が必要とするコントロール信号である。前述の
如く、コントロールトツクより再生される信号は
非常に微小であり、またコントロール信号を再生
するコントロールヘツドのインピーダンスが比較
的大きく外部からの誘導性雑音の影響を受け易い
ため、十分なS/N比が得難い。このためaの破
線のような雑音が混入して、実線のコントロール
信号とともに、リニア増幅されることになる。 FIG. 1 is a waveform diagram showing a control signal waveform that has been regenerated and amplified by a conventional linear amplifier circuit. a is the first stage linear amplifier circuit (not shown)
The waveform shown by the solid line is the required control signal. As mentioned above, the signal regenerated by the control head is very small, and the impedance of the control head that regenerates the control signal is relatively large and easily affected by external inductive noise, so it is difficult to obtain a sufficient S/N ratio. It's hard to get a comparison. Therefore, noise as shown by the broken line in a is mixed in and linearly amplified together with the control signal shown in the solid line.
b,cはaの信号を次段のパルス整形回路(図
示省略)で、更に増幅し、パルス信号に整形した
波形を示す。bはしきい値レベルをaのV1に設
定した時の波形を示し、この場合は所望のコント
ロール信号だけが得られるが。これに対ししきい
値レベルをV2に設定すればcに示すように雑音
も出力されてしまう。 b and c show waveforms obtained by further amplifying the signal of a in a pulse shaping circuit (not shown) in the next stage and shaping it into a pulse signal. b shows the waveform when the threshold level is set to V 1 of a; in this case, only the desired control signal can be obtained. On the other hand, if the threshold level is set to V2 , noise will also be output as shown in c.
また、パルス整形回路のしきい値レベルが前記
aのV1に設定されていても、初段のリニア増幅
回路のバイアスや入力信号レベルの変動によつ
て、出力波形がdに示すように増幅回路のダイナ
ミツクレンジの下限でクリツプされてそのピーク
値がしきい値レベルV1以下となつてコントロー
ル信号が出力されなかつたり、eに示すように、
ダイナミツクレンジの上部でクリツプされて、所
望のコントロール信号以外に雑音も出力されてト
ラツキング制御が誤動作するという問題があつ
た。 Furthermore, even if the threshold level of the pulse shaping circuit is set to V 1 in a above, due to the bias of the first stage linear amplifier circuit and fluctuations in the input signal level, the output waveform of the amplifier circuit may change as shown in d. If the control signal is clipped at the lower limit of the dynamic range and the peak value becomes below the threshold level V1 , the control signal may not be output, as shown in e.
There was a problem in that the signal was clipped at the top of the dynamic range, and noise was output in addition to the desired control signal, causing the tracking control to malfunction.
このように、従来のリニア増幅回路では、雑音
信号を除去するために、初段のリニア増幅回路の
ダイナミツクレンジを広げたり、バイアスの安定
化を図つたり、あるいは次段のパルス整形回路の
しきい値レベルを調整するなどの必要を生じ、回
路規模が増大する問題点があつた。 In this way, in conventional linear amplifier circuits, in order to remove noise signals, it is necessary to widen the dynamic range of the first stage linear amplifier circuit, stabilize the bias, or improve the pulse shaping circuit of the next stage. There was a problem in that it became necessary to adjust the threshold level, and the circuit scale increased.
一方、昨今、VTR等においては低消費電力
化、性能および信頼性の向上、回路部品点数の削
減等のために、サーボ回路をデイジタル化して、
CMOSなどの論理素子でLSI化する試みがなされ
ているが、上記のコントロール信号のようにアナ
ログ信号を増幅してCMOS論理回路にインターフ
エースさせる回路が不可欠なため、バイポーラト
ランジスタで構成した前述の如きリニア増幅回路
をICの外部に付加する必要が生じ、このため
CMOSによりサーボ回路を集積化すると周辺回路
が多数必要となり、実質の回路集積度が著しく低
下してしまう問題があつた。 On the other hand, in recent years, servo circuits in VTRs and other devices have been digitized to reduce power consumption, improve performance and reliability, and reduce the number of circuit components.
Attempts have been made to implement LSI using logic elements such as CMOS, but since it is essential to have a circuit that amplifies analog signals like the control signal mentioned above and interfaces them with the CMOS logic circuit, the It became necessary to add a linear amplifier circuit external to the IC, and therefore
When servo circuits are integrated using CMOS, a large number of peripheral circuits are required, which poses a problem in that the actual degree of circuit integration is significantly reduced.
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなく
し、入力信号より雑音を除去してS/N良く信号
を増幅し、特にMOS素子を用いた論理回路に直
接インターフエースさせることのできる増幅回路
を提供するにある。 The purpose of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, to eliminate noise from input signals, amplify signals with a good S/N ratio, and to provide an amplifier circuit that can directly interface with logic circuits using MOS elements. It is on offer.
本発明は上記の目的を達成するために、差動増
幅回路をすべてMOSFETで構成し、その出力を
差動対を形成するMOSFETの第2の入力端子
に、直流負帰還量が交流負帰還量より、大きくな
るよう、抵抗とコンデンサから成るローパスフイ
ルタを介して、負帰還し、該差動増幅回路を負帰
還非反転増幅動作させるとともに、、該出力をダ
イオードを介して上記コンデンサに供給してピー
ククランプし、上記差動対を形成するMOSFET
の第1の入力端子に供給する入力信号のピークレ
ベル近傍のみを増幅させ、それ以下のレベルの雑
音を除去するようにリニア増幅してのち、後段に
接続されるMOS論理回路に直接インターフエー
スできる振幅レベルまで増幅するようになすもの
である。 In order to achieve the above object, the present invention configures a differential amplifier circuit entirely with MOSFETs, and connects the output of the differential amplifier circuit to the second input terminal of the MOSFETs forming a differential pair. In order to increase the output voltage, negative feedback is provided via a low-pass filter consisting of a resistor and a capacitor, and the differential amplifier circuit is operated with negative feedback non-inverting amplification, and the output is supplied to the capacitor via a diode. MOSFET that peak-clamps and forms the above differential pair
It amplifies only the vicinity of the peak level of the input signal supplied to the first input terminal of the device, performs linear amplification to remove noise at a lower level, and then directly interfaces with the MOS logic circuit connected to the subsequent stage. The signal is amplified to the amplitude level.
以下本発明を第2図の実施例により詳細に説明
する。第2図は入力信号の正のピークレベルのみ
を増幅する本発明の一実施例を示す回路図であり
第3図は第2図の各部波形を示す図である。1は
信号入力端子、2は出力端子、3は電源電圧Vcc
の供給端子、4〜23は各々MOSFET(以下
MOSと略す)を示す。4,6,8,9,13,
17,18,22はP形MOS、5,7,10,
11,12,14,15,16,19,20,2
1,23はN形MOSである。P形MOS4、及び
N形MOS5に記した記号、D,G,S,Bはそ
れぞれドレイン、ゲート、ソース、基板を示す。 The present invention will be explained in detail below with reference to the embodiment shown in FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention for amplifying only the positive peak level of an input signal, and FIG. 3 is a diagram showing waveforms of various parts of FIG. 1 is the signal input terminal, 2 is the output terminal, 3 is the power supply voltage Vcc
supply terminals, 4 to 23 are each MOSFET (hereinafter referred to as
(abbreviated as MOS). 4, 6, 8, 9, 13,
17, 18, 22 are P-type MOS, 5, 7, 10,
11, 12, 14, 15, 16, 19, 20, 2
1 and 23 are N-type MOSs. The symbols D, G, S, and B written on the P-type MOS 4 and the N-type MOS 5 indicate the drain, gate, source, and substrate, respectively.
第2図において、MOS4,MOS5及びMOS
6,MOS7は、それぞれバイアス回路を構成
し、電源電圧Vccを各々分割して一定のバイアス
電圧B1,B2を発生させる。前者のバイアス電
圧B1は入力信号が供給されるMOS11のゲー
トにまた後者のバイアス電圧B2はMOS12,
MOS14,MOS21,MOS23のゲートに供給
される。MOS8〜MOS16は初段差動増幅回路
A1を構成し、MOS8,MOS9およびMOS1
0,MOS11はそれぞれ同特性の対のMOSFET
で形成される。MOS10,MOS11は差動対を
構成し、MOS12はこの差動対の定電流源とし
て働き、MOS8,MOS9はそれぞれMOS10,
MOS11の負荷として働き、MOS10,MOS1
1のゲートに印加される電圧の差分を増幅して、
MOS11のドレイン側よりO′1として出力する。
このMOS11からの出力O′1は次のP形MOS13
のゲートに印加され、このMOS13でさらに増
幅される。MOS14はMOS13の定電流源負荷
として働く。MOS13からの出力はさらにソー
スフオロアを構成するMOS15のゲートに印加
され、インピーダンス変換されて、MOS15の
ソースから低出力インピーダンスで電圧波形O1
として出力される。MOS16はMOS15の負荷
として働く。 In Figure 2, MOS4, MOS5 and MOS
6 and MOS7 each constitute a bias circuit, and each divides the power supply voltage Vcc to generate constant bias voltages B1 and B2. The former bias voltage B1 is applied to the gate of MOS11 to which the input signal is supplied, and the latter bias voltage B2 is applied to the gate of MOS12,
It is supplied to the gates of MOS14, MOS21, and MOS23. MOS8 to MOS16 constitute the first stage differential amplifier circuit A1, and MOS8, MOS9 and MOS1
0 and MOS11 are a pair of MOSFETs with the same characteristics.
is formed. MOS10 and MOS11 constitute a differential pair, MOS12 acts as a constant current source for this differential pair, and MOS8 and MOS9 constitute MOS10 and MOS9, respectively.
Acts as a load for MOS11, MOS10, MOS1
Amplify the difference in voltage applied to the gate of 1,
It is output as O' 1 from the drain side of MOS11.
The output O' 1 from this MOS11 is the next P-type MOS13.
The signal is applied to the gate of MOS 13 and further amplified by this MOS 13. MOS14 acts as a constant current source load for MOS13. The output from MOS 13 is further applied to the gate of MOS 15 that constitutes the source follower, and the impedance is converted, resulting in a voltage waveform O 1 from the source of MOS 15 with low output impedance.
is output as MOS16 acts as a load for MOS15.
MOS17〜MOS23は、二段目の差動増幅回
路A2を構成し、初段差動増幅回路A1と同様
に、同特性の対のMOS19,MOS20は差動対
を構成し、MOS21はこの差動対の定電流源と
して働き、MOS17,MOS18は、それぞれ
MOS19,MOS20の負荷として働き、MOS1
9,MOS20のゲートに印加される電圧の差分
を増幅して、MOS20のドレイン側よりO′2とし
て出力する。このMOS20からの出力O′2は、
MOS22のゲートに印加され、さらに増幅され
てMOS22のドレインから出力O2として出力さ
れる。MOS23はMOS22の定電流源負荷とし
て働く。 MOS17 to MOS23 constitute a second-stage differential amplifier circuit A2, and similarly to the first-stage differential amplifier circuit A1, a pair of MOS19 and MOS20 with the same characteristics constitute a differential pair, and MOS21 constitutes a differential pair. MOS17 and MOS18 each act as a constant current source.
Acts as a load for MOS19 and MOS20, and MOS1
9. Amplify the difference in voltage applied to the gate of MOS 20 and output it as O' 2 from the drain side of MOS 20. The output O′ 2 from this MOS20 is
It is applied to the gate of MOS22, further amplified, and output from the drain of MOS22 as output O2 . MOS23 acts as a constant current source load for MOS22.
以上説明したように、差動増幅回路A1,A2
はすべてMOSFETで構成される。次に回路動作
を説明する。端子1からの入力信号Iは、コンデ
ンサC1を介し前述したMOS5のソースドレイ
ン間電圧B1をバイアス電圧として差動増幅回路
A1の第1の入力端子であるMOS11のゲート
に供給される。一方この差動増幅回路A1の
MOS15からの出力O1は抵抗R1を介して差動
増幅回路A1の第2の入力端子であるMOS10
のゲートに負帰還される。このMOS10のゲー
トは直列接続された抵抗R2とコンデンサC2を
介して、接地される。これらの抵抗R1,R2お
よびコンデンサC2はローパスフイルタを構成
し、直流負帰還量を交流負帰還量より大きくする
作用を有する。このMOS10のゲートは差動増
幅回路A2の一方の入力端子であるMOS19の
ゲートと接続され、また初段差動増幅回路A1の
出力O1は差動増幅回路A2の他方の入力端子で
あるMOS20のゲートに供給される。また、差
動増幅回路A1の出力O1はダイオードD1を介
して抵抗R2とコンデンサC2の接続点に供給さ
れる。まず差動増幅回路A1の動作を第3図の波
形図を用いて説明する。入力信号の周波数が上記
のローパスフイルタのカツトオフ周波数より十分
高く差動増幅回路A1の開ゲインが十分大きい場
合には、A1の増幅度Gは次式で近似できる。 As explained above, the differential amplifier circuits A1 and A2
are all composed of MOSFETs. Next, the circuit operation will be explained. The input signal I from the terminal 1 is supplied via the capacitor C1 to the gate of the MOS 11, which is the first input terminal of the differential amplifier circuit A1, using the source-drain voltage B1 of the MOS 5 as a bias voltage. On the other hand, this differential amplifier circuit A1
The output O1 from MOS15 is passed through resistor R1 to MOS10, which is the second input terminal of differential amplifier circuit A1.
Negative feedback is sent to the gate. The gate of this MOS10 is grounded via a resistor R2 and a capacitor C2 connected in series. These resistors R1, R2 and capacitor C2 constitute a low-pass filter, and have the effect of making the amount of DC negative feedback larger than the amount of AC negative feedback. The gate of this MOS10 is connected to the gate of MOS19 which is one input terminal of the differential amplifier circuit A2, and the output O1 of the first stage differential amplifier circuit A1 is connected to the gate of MOS20 which is the other input terminal of the differential amplifier circuit A2. Supplied to the gate. Further, the output O1 of the differential amplifier circuit A1 is supplied to the connection point between the resistor R2 and the capacitor C2 via the diode D1. First, the operation of the differential amplifier circuit A1 will be explained using the waveform diagram of FIG. When the frequency of the input signal is sufficiently higher than the cutoff frequency of the above-mentioned low-pass filter and the open gain of the differential amplifier circuit A1 is sufficiently large, the amplification degree G of A1 can be approximated by the following equation.
G=R2+R1/R3 ……(1)
端子1からの入力信号I(第3図のI)は差動
増幅回路A1で、上記(1)式のGに等しい増幅度で
非反転増幅される。このときの増幅回路A1から
の出力(MOS15のソース側出力)を第3図の
V0に示す。この出力V0の直流平均電圧をE0とす
ると、ダイオードD1がない場合は差動増幅回路
A1のMOS10のゲート側端子電圧V2およびコ
ンデンサC2の端子電圧V3は、直流的には全帰
還し、交流的には抵抗R1とR2の比で定まる帰
還量だけ負帰還されるので共にE0にほぼ等しく
なる。またこれらV2,V3およびE0は、直流的に
全帰還しているため、MOS4とMOS5で決るバ
イアス電圧B1にほぼ等しくなる。 G=R 2 +R 1 /R 3 ...(1) The input signal I from terminal 1 (I in Figure 3) is non-inverted with an amplification degree equal to G in equation (1) above in differential amplifier circuit A1. amplified. The output from the amplifier circuit A1 (source side output of MOS15) at this time is shown in Figure 3.
Shown in V 0 . Assuming that the DC average voltage of this output V 0 is E 0 , if there is no diode D1, the gate side terminal voltage V 2 of the MOS 10 of the differential amplifier circuit A1 and the terminal voltage V 3 of the capacitor C2 are total feedback in terms of DC. However, in terms of alternating current, negative feedback is provided by the feedback amount determined by the ratio of the resistors R1 and R2, so that both become approximately equal to E0 . Further, since these V 2 , V 3 and E 0 are fully fed back in a direct current manner, they become approximately equal to the bias voltage B1 determined by MOS4 and MOS5.
次に本発明に係わる、MOSFETで構成した、
差動増幅回路A1にダイオードD1を介する負帰
還を施した。増幅回路の動作について説明する。 Next, according to the present invention, a device composed of MOSFETs,
Negative feedback was applied to the differential amplifier circuit A1 via a diode D1. The operation of the amplifier circuit will be explained.
第2図の如く、差動増幅回路A1からの出力
O1を、ダイオードD1を介してコンデンサC2
に供給すれば、コンデンサC2の端子電圧V3は
差動増幅回路A1からの出力O1のピークレベル
VPにほぼ等しくなるように充電され、後述する
ようにこの出力O1のピークレベルVPがほぼバイ
アス電圧B1にクランプされるので、その結果差
動増幅回路A1は常に入力信号Iのピークレベル
近傍のみを増幅するように非反転増幅動作する。 As shown in Figure 2, the output from the differential amplifier circuit A1
O 1 through diode D1 to capacitor C2
, the terminal voltage V 3 of the capacitor C2 is charged to be approximately equal to the peak level V P of the output O 1 from the differential amplifier circuit A1, and as described later, the peak level V P of this output O 1 is increased. As a result, the differential amplifier circuit A1 performs a non-inverting amplification operation so as to always amplify only the vicinity of the peak level of the input signal I.
第3図のIに示す入力信号(実線で示す信号が
所望の信号で破線で示す信号が雑音信号であ
る。)は差動増幅回路A1によつて前記(1)式の増
幅度Gで非反転増幅される。この入力信号Iが増
幅されて、第3図のO1が出力されると、そのピ
ークレベルVPでダイオードD1が導通してコン
デンサC2が瞬時に充電される。この時のダイオ
ードD1での電位降下をVFとすると、コンデン
サC2に充電される電圧V3はVP−VFに等し
い。一方差動増幅回路A1からの出力O1の電位
がVP−VFより低くなつた期間ではダイオードD
1は非導通となる。従つて、この期間コンデンサ
C2は抵抗R1,R2を介して放電される。この
時の放電時定数はほぼC2×R1×R2で与えら
れこれが入力信号の繰返し周期に対して、十分大
きければコンデンサC2の放電量はわずかであ
る。従つてコンデンサC2の充放電が、差動増幅
回路A1の出力O1における正のピーク信号の周
期で繰返されるのでコンデンサC2の端子電圧
V3は、この出力O1のピークレベルVPに応じた一
定の直流電圧VP−VFにほぼ等しくなるように、
充電される。このV3は前記負帰還動作により、
バイアス電圧B1にほぼ等しくなるので、この結
果、差動増幅回路A1の出力O1のピークレベル
VPは略B1+VFとなり、ほぼバイアス電圧B1
にクランプされる。 The input signal shown by I in FIG. 3 (the signal shown by the solid line is the desired signal and the signal shown by the broken line is the noise signal) is processed by the differential amplifier circuit A1 at the amplification degree G of the above equation (1). It is inverted and amplified. When this input signal I is amplified and O1 shown in FIG. 3 is output, the diode D1 becomes conductive at its peak level V P and the capacitor C2 is instantly charged. If the potential drop across the diode D1 at this time is VF , the voltage V3 charged in the capacitor C2 is equal to VP - VF . On the other hand, during the period when the potential of the output O1 from the differential amplifier circuit A1 is lower than V P -V F , the diode D
1 is non-conductive. Therefore, during this period, capacitor C2 is discharged via resistors R1 and R2. The discharge time constant at this time is approximately given by C2×R1×R2, and if this is sufficiently large with respect to the repetition period of the input signal, the amount of discharge of the capacitor C2 is small. Therefore, since charging and discharging of the capacitor C2 is repeated at the period of the positive peak signal at the output O1 of the differential amplifier circuit A1, the terminal voltage of the capacitor C2 increases.
V 3 is set to be approximately equal to a constant DC voltage V P -V F corresponding to the peak level V P of this output O 1 .
It will be charged. This V 3 is due to the negative feedback operation mentioned above.
As a result, the peak level V P of the output O 1 of the differential amplifier circuit A1 becomes approximately B1 + V F , which is approximately equal to the bias voltage B1.
be clamped to.
そして、入力信号Iのピークレベル近傍に到達
するような大きな雑音信号が混入した場合、第3
図のO1の破線に示すように雑音信号も増幅され
るが、第2図において、第2段目の差動増幅回路
A2の差動対の一方の入力端子(MOS20のゲ
ート)には、初段差動増幅回路A1からの出力信
号O1が供給され、他方の入力端子(MOS19の
ゲート)には、前記VP−VFにほぼ等しい電圧
V2が印加されるから差動増幅回路A2で出力信
号O1と電圧V2(即ちVP−VF)がレベル比較さ
れ、その結果差動増幅回路A2からは第3図の
O2に示すように、信号O1のレベルがVP−VF以
上になる期間でのみ正のパルスが出力され、VP
−VF以下のレベルの雑音信号は完全に除去され
る。 If a large noise signal that reaches near the peak level of the input signal I is mixed in, the third
The noise signal is also amplified as shown by the broken line O1 in the figure, but in Figure 2, one input terminal (gate of MOS20) of the differential pair of the second-stage differential amplifier circuit A2 is The output signal O1 from the first stage differential amplifier circuit A1 is supplied, and the other input terminal (gate of MOS19) has a voltage approximately equal to the above V P -V F.
Since V 2 is applied, the output signal O 1 and the voltage V 2 (that is, V P -V F ) are compared in level in the differential amplifier circuit A2, and as a result, the output signal O 1 and the voltage V 2 (that is, V P −V F ) are compared in level, and as a result, the output signal O 1 and the voltage V 2 (that is, V P −V F ) are
As shown in O2 , a positive pulse is output only during the period when the level of signal O1 is equal to or higher than V P -V F , and V P
Noise signals at a level below -V F are completely removed.
以上説明したように、本発明は、入力信号のピ
ークレベル近傍のみを負帰還非反転増幅し、S/
N比良く、所望の信号のみを安定に増幅するもの
であり、また2つの差動増幅回路A1,A2のす
べてを、MOSFETで構成するものである。 As explained above, the present invention performs negative feedback non-inverting amplification of only the vicinity of the peak level of the input signal, and
It has a good N ratio and stably amplifies only a desired signal, and all of the two differential amplifier circuits A1 and A2 are composed of MOSFETs.
また2段目の差動増幅回路A2からは所望の信
号のみを十分大きな振幅レベルで得ることができ
るので、この出力O2を例えばPMOSで構成され
る論理素子、あるいいはNMOSで構成される論理
素子、あるいはPMOSとNMOSで相補的に構成さ
れるCMOSの論理素子などに直接インターフエー
スさせることができる。したがつてこれらの差動
増幅回路をMOS論理素子で構成されるデイジタ
ル回路と一緒に集積化でき、アナログ回路とデイ
ジタル回路とを含めた大規模なIC化が容易にな
る。 In addition, since only the desired signal can be obtained from the second stage differential amplifier circuit A2 at a sufficiently large amplitude level, this output O 2 can be output from a logic element composed of, for example, PMOS or NMOS. It can be directly interfaced with a logic element or a CMOS logic element that is complementary to PMOS and NMOS. Therefore, these differential amplifier circuits can be integrated together with digital circuits composed of MOS logic elements, making it easy to integrate large-scale ICs including analog circuits and digital circuits.
以上述べたように、本発明によれば、S/N比
の悪い微少な信号でも、ノイズを確実に除去し
て、所望の信号のみを、常に安定に増幅すること
ができ、しかも、差動対、バイアス回路、出力段
を含めて、すべて、MOSFETで構成するので、
MOS論理回路に直接インターフエースさせるこ
とができ、コンデンサを除く、回路の殆んどの部
分をMOS集積化できるので、回路集積度を高
め、更には低消費電力化を図ることができるなど
の効果が得られる。 As described above, according to the present invention, even if the signal is a small signal with a poor S/N ratio, it is possible to reliably remove noise and always stably amplify only the desired signal. Since everything, including the bias circuit and output stage, is composed of MOSFETs,
It can be directly interfaced with MOS logic circuits, and most parts of the circuit except for capacitors can be integrated with MOS, which has the effect of increasing the degree of circuit integration and further reducing power consumption. can get.
第1図は従来の増幅回路で増幅された信号波形
を示す波形図、第2図は本発明による、
MOSFETを用いた増幅回路の一実施例を示す回
路図、第3図は第2図の各部波形図である。
4〜23……MOSFET、A1,A2……差動
増幅回路、D1……ダイオード。
FIG. 1 is a waveform diagram showing a signal waveform amplified by a conventional amplifier circuit, and FIG. 2 is a waveform diagram showing a signal waveform amplified by a conventional amplifier circuit.
FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of an amplifier circuit using MOSFETs, and FIG. 3 is a waveform diagram of each part of FIG. 2. 4 to 23...MOSFET, A1, A2...differential amplifier circuit, D1...diode.
Claims (1)
スに、前記MOSFETと同じP形またはN形の
MOSFETの定電流源を接続した、第1および第
2の差動増幅回路を有し、第1の差動増幅回路の
第1の入力端子に信号を入力し、その第1の差動
増幅回路の出力を、第2の入力端子に負帰還し、
その第2の入力端子をコンデンサを介して、交流
的に接地し、第1の差動増幅回路の出力をダイオ
ードを介して、前記コンデンサに供給するととも
に第1の差動増幅回路の出力を、第2の差動増幅
回路の差動対のMOSFETの一方のゲートに入力
し、他方のゲートには、第1の差動増幅回路の第
2の入力端子に加わる電圧を供給し、この第2の
差動増幅回路で、第1の差動増幅回路の第2の入
力端子に加わる電圧と、前記第1の差動増幅回路
の出力とを電圧比較し、その両者の差電圧を増幅
するように構成したことを特徴とする増幅回路。 2 第1の差動増幅回路の出力段にソースフオロ
アを用い、このソースフオロアを構成する
MOSFETのソースに、前記MOSFETと同じタイ
プのP形もしくはN形のMOSFETの負荷を接続
し、そのソースフオロア用MOSFETのソースよ
り、差動増幅出力を得ることを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載された増幅回路。[Claims] 1. The sources of the commonly connected differential pair MOSFETs are of the same P type or N type as the MOSFETs.
It has first and second differential amplifier circuits connected to a MOSFET constant current source, a signal is input to the first input terminal of the first differential amplifier circuit, and the first differential amplifier circuit negative feedback to the second input terminal,
The second input terminal is grounded in an alternating current manner via a capacitor, and the output of the first differential amplifier circuit is supplied to the capacitor via a diode, and the output of the first differential amplifier circuit is The voltage applied to the second input terminal of the first differential amplifier circuit is input to one gate of the differential pair MOSFET of the second differential amplifier circuit, and the voltage applied to the second input terminal of the first differential amplifier circuit is supplied to the other gate. The differential amplifier circuit compares the voltage applied to the second input terminal of the first differential amplifier circuit and the output of the first differential amplifier circuit, and amplifies the difference voltage between the two. An amplifier circuit characterized in that it is configured as follows. 2 A source follower is used in the output stage of the first differential amplifier circuit, and this source follower is configured.
Claim 1, characterized in that a load of a P-type or N-type MOSFET of the same type as the MOSFET is connected to the source of the MOSFET, and a differential amplified output is obtained from the source of the source follower MOSFET. The amplifier circuit described in .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16078780A JPS5784604A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Amplifying circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16078780A JPS5784604A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Amplifying circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5784604A JPS5784604A (en) | 1982-05-27 |
| JPS6157735B2 true JPS6157735B2 (en) | 1986-12-08 |
Family
ID=15722434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16078780A Granted JPS5784604A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Amplifying circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5784604A (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543758A (en) * | 1977-06-08 | 1979-01-12 | Motoda Denshi Kogyo Kk | Straight line drive robot |
-
1980
- 1980-11-17 JP JP16078780A patent/JPS5784604A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5784604A (en) | 1982-05-27 |
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