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JPS6158045B2 - - Google Patents
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JPS6158045B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6158045B2
JPS6158045B2 JP55022001A JP2200180A JPS6158045B2 JP S6158045 B2 JPS6158045 B2 JP S6158045B2 JP 55022001 A JP55022001 A JP 55022001A JP 2200180 A JP2200180 A JP 2200180A JP S6158045 B2 JPS6158045 B2 JP S6158045B2
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transistor
voltage
transistors
resistor
protection
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Norio Ishiguro
Masashi Matsui
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Nippon Columbia Co Ltd
Original Assignee
Nippon Columbia Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は増幅器の保護回路に関する。増幅器に
おける出力トランジスタに過大な電圧電流が加わ
るとトランジスタが破壊される。第2図Aはこの
出力トランジスタが破壊に致るコレクタエミツタ
間電圧及びコレクタ電流の関係を図示したもので
ASOラインと一般に呼ばれている。このASOラ
インAで示される領域外(斜線部)でトランジス
タが動作することのない様に従来より第1図の如
きトランジスタ保護回路が用いられていた。図に
於て入力端子1及び2はそれぞれNPN及びPNP
トランジスタ3及び4のベースに接続されると共
にNPN及びPNPトランジスタ15及び16のコ
レクタに接続される。トランジスタ3及び4のコ
レクタはそれぞれ電源(+B)及び(−B)に接
続され、エミツタはそれぞれ抵抗5及び6を介し
て負荷端子7に接続される。トランジスタ15及
び16のベースはそれぞれ抵抗9及び10を介し
て上記トランジスタ3及び4のエミツタに接続さ
れると共に、抵抗11及び12を介してダイオー
ド13及び14のアノード及びカソードに接続さ
れる。ダイオード13及び14のカソード及びア
ノードは接地される。トランジスタ15及び16
のエミツタは負荷端7に接続され、負荷端7と接
地間には負荷8が接続される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an amplifier protection circuit. If excessive voltage and current are applied to the output transistor in an amplifier, the transistor will be destroyed. Figure 2A shows the relationship between the collector-emitter voltage and the collector current that causes this output transistor to break down.
It is commonly called the ASO line. Conventionally, a transistor protection circuit as shown in FIG. 1 has been used to prevent the transistor from operating outside the area indicated by the ASO line A (shaded area). In the figure, input terminals 1 and 2 are NPN and PNP, respectively.
It is connected to the bases of transistors 3 and 4 and to the collectors of NPN and PNP transistors 15 and 16. The collectors of transistors 3 and 4 are connected to power supplies (+B) and (-B), respectively, and the emitters are connected to load terminal 7 via resistors 5 and 6, respectively. The bases of transistors 15 and 16 are connected to the emitters of transistors 3 and 4 through resistors 9 and 10, respectively, and to the anodes and cathodes of diodes 13 and 14 through resistors 11 and 12, respectively. The cathodes and anodes of diodes 13 and 14 are grounded. Transistors 15 and 16
The emitter of is connected to the load end 7, and the load 8 is connected between the load end 7 and ground.

以上の如き従来例に於いてダイオード13及び
14はそれぞれトランジスタ3及び4のエミツタ
電圧がダイオードの順方向電圧以上の場合即ち、
トランジスタ3及び4のコレクタエミツタ間電圧
(以下動作電圧とする)VCEが電源+B及び−B
の電圧VB以下の場合にオンになる。この場合ダ
イオードのインピーダンスは小さいので無視する
と、抵抗5,9,11及び負荷8による第1のブ
リツジ回路と、抵抗6,10,12及び負荷8に
よる第2のブリツジ回路とが形成される。こゝで
負荷8の短絡等により第1及び第2のブリツジの
平衡がくずれると、それぞれトランジスタ15及
び16のベースエミツタ間に検出電圧が発生して
トランジスタ15及び16がオンになり、入力端
子1,2よりトランジスタ3,4に印加されるべ
き入力信号が遮断されトランジスタ3,4が保護
される。今抵抗5,9及び11の抵抗値と抵抗
6,10及び12の抵抗値をそれぞれRE,R1
びR2とし、トランジスタ15及び16のベース
エミツタ間電圧をVBEとすると、トランジスタ1
5及び16がオンになる為のトランジスタ3及び
4のコレクタ電流ICは IC≧R・V+R・VBE/R(R+R) −R/R(R+R)・VCE …(1) となる。又ダイオード13及び14はそれぞれダ
イオード3及び4のエミツタ電圧がダイオードの
順方向電圧以下の場合、即ちトランジスタ3及び
4の動作電圧VCEが電源+B及び−Bの電圧VB
以上の場合にオフになる。この場合トランジスタ
15及び16は、トランジスタ3及び4を流れる
コレクタ電流ICによる抵抗5及び6の電圧降下
がトランジスタ15及び16のベースエミツタ間
電圧VBEを越える場合にオンになる。従つてこの
場合のコレクタ電流ICは次式で示されるI1とな
る。
In the conventional example as described above, the diodes 13 and 14 are connected when the emitter voltages of the transistors 3 and 4 are higher than the forward voltage of the diodes, that is,
The collector-emitter voltage of transistors 3 and 4 (hereinafter referred to as operating voltage) V CE is the power supply +B and -B.
It turns on when the voltage is below VB . In this case, since the impedance of the diode is small, it is ignored, and a first bridge circuit is formed by the resistors 5, 9, 11 and the load 8, and a second bridge circuit is formed by the resistors 6, 10, 12 and the load 8. If the balance of the first and second bridges is disrupted due to a short circuit in the load 8, a detection voltage is generated between the base emitters of the transistors 15 and 16, respectively, and the transistors 15 and 16 are turned on, and the input terminals 1, 16 are turned on. The input signal to be applied to the transistors 3 and 4 is cut off by the transistor 2, and the transistors 3 and 4 are protected. Now let the resistance values of resistors 5, 9 and 11 and the resistance values of resistors 6, 10 and 12 be R E , R 1 and R 2 respectively, and the base-emitter voltage of transistors 15 and 16 be V BE .
The collector current I C of transistors 3 and 4 for turning on transistors 5 and 16 is I C ≧R 1・V B +R 2・V BE / RE (R 1 +R 2 ) −R 1 /R E (R 1 +R 2 )・V CE (1). In addition, when the emitter voltage of diodes 3 and 4 is lower than the forward voltage of the diodes, that is, the operating voltage V CE of transistors 3 and 4 is equal to the voltage V B of the power supply +B and -B.
It turns off in the above cases. In this case, transistors 15 and 16 are turned on when the voltage drop across resistors 5 and 6 due to the collector current I C flowing through transistors 3 and 4 exceeds the base-emitter voltage V BE of transistors 15 and 16. Therefore, the collector current I C in this case becomes I 1 expressed by the following equation.

I1=VBE/R …(2) 第2図に示す保護ラインBは、上述の如くトラ
ンジスタ15又は16がオンになるさいの、トラ
ンジスタ3又は4の動作電圧VCEとコレクタ電流
Cの関係を図示するものである。こゝで負荷が
誘導性であるときの負荷曲線Lは、図の様に楕円
状となるから、上述の様な従来の保護回路を用い
た場合、保護ラインBはその折れ曲がり部で上記
負荷曲線Lと交又する。しかるにこの部分は
ASOラインの内側にあつて本来保護動作を必要
としないのに、上述の様に保護回路が動作するの
で出力信号に歪を生ずる等の欠点があつた。
I 1 =V BE /R E (2) The protection line B shown in FIG . This diagram illustrates the relationship between Here, when the load is inductive, the load curve L becomes an ellipse as shown in the figure, so when the conventional protection circuit as described above is used, the protection line B will meet the above load curve at the bend. Intersects with L. However, this part
Although it is located inside the ASO line and does not originally require protection, the protection circuit operates as described above, resulting in disadvantages such as distortion in the output signal.

本発明はこの様な欠点を除くためになされたも
ので、保護ラインをさらにASOラインに近づけ
ることにより、保護回路を有する増幅器が正常に
動作する範囲を広げるものである。第3図は本発
明の一実施例であり、第4図Cは該実施例によつ
て得られる制限ラインを示す。第3図において第
1図と同一部分については同一符号を付してその
説明を省略するも、正電源(+B)にツエナダイ
オード20及び23の直列回路を各々のカソード
側が正電源(+B)の方へ向く様に接続し、上記
ツエナダイオード20及び23のカソードをそれ
ぞれ抵抗18及び21を介して、又ツエナダイオ
ード23のアノードを抵抗25を介してそれぞれ
トランジスタ16のベースに接続する。同様に負
電源(−B)にツエナダイオード19及び24の
直列回路を、各々のアノード側が負電源(−B)
の方へ向く様に接続し、上記ツエナダイオード1
9及び24のアノードをそれぞれ抵抗17及び2
2を介して、又ツエナダイオード24のアノード
を抵抗26を介して、それぞれトランジスタ15
のベースに接続する。
The present invention has been made to eliminate such drawbacks, and by bringing the protection line closer to the ASO line, the range in which an amplifier having a protection circuit can operate normally is expanded. FIG. 3 shows an embodiment of the present invention, and FIG. 4C shows a limit line obtained by this embodiment. In Fig. 3, the same parts as in Fig. 1 are given the same reference numerals and their explanations are omitted. The cathodes of the Zener diodes 20 and 23 are connected to the base of the transistor 16 via the resistors 18 and 21, respectively, and the anode of the Zener diode 23 is connected to the base of the transistor 16 via the resistor 25, respectively. Similarly, a series circuit of Zener diodes 19 and 24 is connected to the negative power supply (-B), and each anode side is connected to the negative power supply (-B).
Connect the above Zener diode 1 so that it faces towards
Anodes 9 and 24 are connected to resistors 17 and 2, respectively.
2, and the anode of the Zener diode 24 is connected to the transistor 15 through the resistor 26, respectively.
Connect to the base of

以上の構成に於いて、電源(+B)及び(−
B)の電圧をVB及び−VBとし、各ツエナダイオ
ード19,20,23及び24のツエナ電圧をそ
れぞれVZとする。ここでツエナダイオード19
及び24を共にオフにするには、両ツエナダイオ
ードに加わる電圧(2VB−VCE)がツエナ電圧V
Z以下であればよい。従つてこのときのトランジ
スタ3の動作電圧VCEは VCE>2VB−VZ …(3) となり、2VB−VZ=VTとすると第4図ハに示す
範囲となる。従つてこの範囲では前記第1のブリ
ツジ回路の一辺は、負電源(−B)とトランジス
タ15のベースとの間に接続された抵抗17とな
る。従つて、この抵抗値をR3とすると、トラン
ジスタ15及び16がオンになる為のトランジス
タ3及び4のコレクタ電流ICは、第1式のVB
2VBとし、R2をR3とすればよく IC≧2R+RBE/R(R+R)−
CE/R(R+R)…(4) となり、出力トランジスタ3に対する保護ライン
Cはこの範囲ではゆるやかな傾斜となる。
In the above configuration, the power supply (+B) and (-
B) voltages are V B and -V B , and the Zener voltages of the Zener diodes 19, 20, 23, and 24 are respectively VZ . Here the zener diode 19
To turn off both Zener diodes and 24, the voltage applied to both Zener diodes (2V B - V CE ) is equal to the Zener voltage V
It is sufficient if it is less than or equal to Z. Therefore, the operating voltage V CE of the transistor 3 at this time becomes V CE >2V B −V Z (3), and if 2V B −V Z =V T , it becomes the range shown in FIG. 4C. Therefore, in this range, one side of the first bridge circuit becomes the resistor 17 connected between the negative power supply (-B) and the base of the transistor 15. Therefore, if this resistance value is R 3 , then the collector current I C of transistors 3 and 4 for turning on transistors 15 and 16 is calculated using V B in the first equation.
2V B and R 2 as R 3 I C ≧2R 1 V B +R 3 V BE /R E (R 1 +R 3 )−
R 1 V CE /R E (R 1 +R 3 ) (4), and the protection line C for the output transistor 3 has a gentle slope in this range.

次にツエナダイオード19及び24を共にオン
にするには、両ツエナダイオードに加わる電圧
(2VB−VCE)が2つ分のツエナ電圧(2VZ)以上
であればよい。このときのトランジスタ3の動作
電圧VCEは VCE<2VB−2VZ …(5) となり、2VB−2VZ=VSとすると、第4図イに示
す範囲となる。従つてこの範囲ではツエナダイオ
ード19及び24の抵抗分を無視すると、前記第
1のブリツジ回路9の一辺は負電源(−B)とト
ランジスタ15のベースとの間に接続された抵抗
17,22及び26と、ツエナダイオード19及
び24による直流バイアス回路によつて構成され
ることになる。今、抵抗9(抵抗値R1)を流れる
電流IXとすると、トランジスタ15のベース電
圧VXは VX=VB−IXR1−VCE …(6) となる。次に電流IXは、抵抗17,22及び2
6を流れる電流の和である。抵抗17に加わる電
圧V3はVX+VBであるから、抵抗17(R3)を流
れる電流I3は I3=V+V/R となる。又、抵抗22に加わる電圧V4はV3より
もツエナ電圧VZだけ低くなるので、抵抗22を
流れる電流I4は、抵抗値をR4とすると I4=V+V−V/R となる。同様に、抵抗26に加わる電圧V5はV4
よりもツエナ電圧VZだけ低くなるので、抵抗2
6を流れる電流I5は抵抗値をR5とすると I5=V+V−2V/R となる。従つて、抵抗9を流れる電流VXは IX=V+V/R+V+V−V/R
+V+V−2V/R …(7) となる。
Next, in order to turn on both Zener diodes 19 and 24, it is sufficient that the voltage applied to both Zener diodes (2V B - V CE ) is equal to or higher than the two Zener voltages (2V Z ). At this time, the operating voltage V CE of the transistor 3 becomes V CE <2V B −2V Z (5), and if 2V B −2V Z =V S , it becomes the range shown in FIG. 4A. Therefore, in this range, if the resistances of the Zener diodes 19 and 24 are ignored, one side of the first bridge circuit 9 is connected between the negative power supply (-B) and the base of the transistor 15 and the resistances 17, 22 and 24. 26 and a DC bias circuit including Zener diodes 19 and 24. Now, assuming that the current IX flows through the resistor 9 (resistance value R1 ), the base voltage VX of the transistor 15 becomes VX = VB - IXR1 - VCE (6). Next, the current I
is the sum of the currents flowing through 6. Since the voltage V 3 applied to the resistor 17 is V X +V B , the current I 3 flowing through the resistor 17 (R 3 ) is I 3 =V X +V B /R 3 . Also, since the voltage V 4 applied to the resistor 22 is lower than V 3 by the Zener voltage V Z , the current I 4 flowing through the resistor 22 is I 4 = V X + V B - V Z /, where the resistance value is R 4 . It becomes R4 . Similarly, the voltage V 5 applied to resistor 26 is V 4
Since the zener voltage V Z is lower than that of the resistor 2
The current I 5 flowing through 6 becomes I 5 =V X +V B -2V Z /R 5 when the resistance value is R 5 . Therefore, the current V X flowing through the resistor 9 is I X = V X + V B /R 3 + V X + V B - V Z /R 4
+V X +V B -2V Z /R 5 (7).

ここで、トランジスタ15がオンになる為に
は、抵抗9の電圧降下よりも、抵抗5の電圧降下
の方が大きく、その差がトランジスタ15のベー
スエミータ間電圧VBE以上であればよいから ICE−IXR1≧VBE …(8) となる。従つて(6)式のVXを(7)式に代入してIX
求め、(8)式に代入すると となる。ここでRPは抵抗17,22及び26の
並列抵抗値とし、 1/R=1/R+1/R+1/R とする。従つてRP<R3であるから、第(9)式と第
(4)式の右辺第2項同志を比較すれば明らかな様に
保護ラインCはこの範囲では傾斜が急になる。
Here, in order for the transistor 15 to turn on, the voltage drop across the resistor 5 is greater than the voltage drop across the resistor 9, and the difference needs to be greater than or equal to the base-emitter voltage V BE of the transistor 15. I C R E −I X R 1 ≧V BE (8). Therefore, by substituting V X in equation (6) into equation (7) to find I X , and substituting it into equation (8), we get becomes. Here, R P is the parallel resistance value of the resistors 17, 22, and 26, and 1/R P =1/R 3 +1/R 4 +1/R 5 . Therefore, since R P <R 3 , equations (9) and
As is clear from comparing the second terms on the right side of equation (4), the protection line C has a steep slope in this range.

次に、ツエナダイオード24が上述の様にオン
になる為には、まずツエナダイオード19が先に
オンになつて抵抗22に電圧降下を生じさせる必
要がある。従つてトランジスタ3の動作電圧VCE
が、上述のイ及びハで示される範囲の中間 VS<VCE<VT …(10) である場合は、ツエナダイオード19のみがオン
となり、第4図ロに示す範囲となる。従つてこの
範囲では前記第1のブリツジ回路の一辺は、負電
源(−B)とトランジスタ15のベースとの間に
接続された抵抗17及び22と、ツエナダイオー
ド19による直流バイアス回路によつて構成され
ることになる。従つて、上述の場合と同様に、抵
抗9を流れる電流IXはI3とI4の和となり、 IX=V+V/R+V+V−V/R…(
11) となる。従つて第(6)式のVXを第(11)に代入してIX
を求め、第(8)式に代入すると、 となる。ここでRQは抵抗17及び22の並列抵
抗値とし、 1/R=1/R+1/R とする。従つて、RP<RQ<R3であるから、第
(4)式、第(9)式及び第(12)式の右辺第2項同志を比較
すれば明らかな様に、保護ラインCの傾斜はこの
範囲では上記イ及びハの傾斜の中間の傾斜にな
る。
Next, in order for the Zener diode 24 to turn on as described above, the Zener diode 19 must first be turned on to cause a voltage drop across the resistor 22. Therefore, the operating voltage V CE of transistor 3
When V S <V CE <V T (10) is in the middle of the ranges indicated by A and C above, only the Zener diode 19 is turned on, resulting in the range shown in FIG. 4B. Therefore, in this range, one side of the first bridge circuit is constituted by a DC bias circuit including resistors 17 and 22 connected between the negative power supply (-B) and the base of the transistor 15, and a Zener diode 19. will be done. Therefore, as in the above case, the current I X flowing through the resistor 9 is the sum of I 3 and I 4 , and I X = V X + V B /R 3 + V X + V B - V Z /R 4 (
11) becomes. Therefore, by substituting V X in equation (6) into equation (11), I
By finding and substituting into equation (8), we get becomes. Here, R Q is the parallel resistance value of the resistors 17 and 22, and 1/R Q =1/R 3 +1/R 4 . Therefore, since R P < R Q < R 3 , the
As is clear from comparing the second terms on the right side of equations (4), (9), and (12), the slope of the protection line C in this range is between the slopes of A and C above. become.

以上の様に、保護ラインCは折れ曲がり点を2
ケ所に有することになるのでより正確に保護ライ
ンをASOラインAに近似させることが出来る。
As mentioned above, the protection line C has a bending point of 2
Therefore, the protection line can be more accurately approximated to the ASO line A.

以上の説明はトランジスタ3の保護の為のトラ
ンジスタ15の動作に関するものであるが、トラ
ンジスタ4の保護の為のトランジスタ16の動作
に関しても同様であるから詳細な説明を省略す
る。なお直列に接続するツエナダイオードは上述
の実施例の如く2つに限らず、多数のツエナダイ
オードを直列に接続し、これら各ツエナダイオー
ド同志の接続点と保護用トランジスタのベースと
の間にそれぞれ抵抗を接続することにより多数の
折れ曲がり点を設けることが出来、この場合はさ
らに正確に保護ラインをASOラインに近づける
ことが出来る。又ツエナダイオードのツエナ電圧
はそれぞれ異なつてもよく、又必ずしもツエナダ
イオードでなくてもよく、折れ曲がり点を多数設
ける場合には一般の整流用ダイオードを極性を反
対にして接続してもよい。又上記ツエナダイオー
ドの直列回路は必ずしも各出力トランジスタを駆
動する電源に接続する必要はなく、異なる電圧を
する他の電源に接続してもよい。
The above explanation relates to the operation of the transistor 15 for protecting the transistor 3, but the same applies to the operation of the transistor 16 for protecting the transistor 4, so a detailed explanation will be omitted. Note that the number of Zener diodes connected in series is not limited to two as in the above embodiment, but a large number of Zener diodes may be connected in series, and a resistor is connected between the connection point of each Zener diode and the base of the protection transistor. By connecting the lines, it is possible to provide multiple bending points, and in this case, the protection line can be more accurately brought closer to the ASO line. Furthermore, the Zener voltages of the Zener diodes may be different from each other, and the Zener diodes do not necessarily have to be Zener diodes, and when a large number of bending points are provided, general rectifying diodes may be connected with opposite polarities. Further, the series circuit of Zener diodes does not necessarily need to be connected to a power source for driving each output transistor, but may be connected to another power source having a different voltage.

以上の様に本発明によれば、従来よりもさらに
ASOラインの近くで保護回路を動作させること
が出来るので、増幅器が無用の保護動作を受けず
に正常に動作する範囲を広げることが出来るとい
う優れた効果を得ることが出来る。
As described above, according to the present invention, even more than the conventional
Since the protection circuit can be operated close to the ASO line, an excellent effect can be obtained in that the range in which the amplifier can operate normally without being subject to unnecessary protection operations can be expanded.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の増幅器の保護回路を示す回路
図、第2図はその動作説明図、第3図は本発明の
一実施例を示す回路図、第4図はその動作説明図
である。 図中3,4,15及び16はトランジスタ、1
9,20,23及び24はツエナダイオード、8
は負荷である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional amplifier protection circuit, FIG. 2 is a diagram explaining its operation, FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram explaining its operation. In the figure, 3, 4, 15 and 16 are transistors, 1
9, 20, 23 and 24 are Zena diodes, 8
is the load.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 出力トランジスタのエミツタをエミツタ抵抗
を介して負荷端に接続し、上記出力トランジスタ
のベースと負荷端との間に保護トランジスタのコ
レクタとエミツタとを接続し、保護トランジスタ
のベースを検出用抵抗を介して出力トランジスタ
のエミツタに接続した増幅器において、複数のダ
イオードを直列に接続してなる直列回路の一端を
電源に接続し、他端及び各ダイオードの接続点と
保護用トランジスタのベースとの間にそれぞれ抵
抗を接続したことを特徴とする増幅器の保護回
路。
1 Connect the emitter of the output transistor to the load end via the emitter resistor, connect the collector and emitter of the protection transistor between the base of the output transistor and the load end, and connect the base of the protection transistor to the load end via the detection resistor. In the amplifier connected to the emitter of the output transistor, connect one end of the series circuit formed by connecting multiple diodes in series to the power supply, and connect the other end and the connection point of each diode to the base of the protection transistor. An amplifier protection circuit characterized by connecting a resistor.
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