JPS6159012B2 - - Google Patents
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- JPS6159012B2 JPS6159012B2 JP54011710A JP1171079A JPS6159012B2 JP S6159012 B2 JPS6159012 B2 JP S6159012B2 JP 54011710 A JP54011710 A JP 54011710A JP 1171079 A JP1171079 A JP 1171079A JP S6159012 B2 JPS6159012 B2 JP S6159012B2
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- mos transistors
- type mos
- transistor
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/173—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はMOSトランジスタの組合せによる論
理回路に関する。特にCMOS集積回路に適する論
理回路であつて、N(正の整数)個の入力を備え
たナンド回路から複数の論理出力を得る半導体論
理回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a logic circuit using a combination of MOS transistors. In particular, the present invention relates to a semiconductor logic circuit suitable for CMOS integrated circuits, which obtains a plurality of logic outputs from a NAND circuit having N (positive integer) inputs.
この種の回路の従来例構成図を第1図に示す。
第1図でaの列のみを考えると、N個のMOSト
ランジスタQ1〜QNがあり、トランジスタQ1のド
レインは同Q2のソースに、同Q2のドレインは同
Q3のソースというように、トランジスタQNまで
一列に接続されている。トランジスタQ1のソー
スは接地(または反対極性電源)に接続され、ト
ランジスタQNのドレインは、負荷用のMOSトラ
ンジスタLNを介して電源VCCに接続されてい
る。各トランジスタQ1〜QNのゲートをN個の入
力A1〜ANとし、トランジスタQNのドレインを
出力XNとすると、N入力のナンド回路が得られ
る。
A conventional configuration diagram of this type of circuit is shown in FIG.
Considering only column a in Figure 1, there are N MOS transistors Q 1 to Q N , the drain of transistor Q 1 is connected to the source of transistor Q 2 , and the drain of transistor Q 2 is connected to the same source.
The source of Q3 is connected in a line up to the transistor QN . The source of the transistor Q 1 is connected to ground (or the opposite polarity power supply), and the drain of the transistor Q N is connected to the power supply V CC via a load MOS transistor L N . If the gates of the transistors Q 1 -Q N are set as N inputs A 1 -A N and the drain of the transistor Q N is set as the output X N , an N-input NAND circuit is obtained.
すなわち、入力A1〜ANの全てが「1」の場合
のみ出力XNに「0」(接地電位)が得られ、その
他の場合は出力XNは「1」である。これを論理
式で
と表すことができる。 That is, the output X N is "0" (ground potential) only when all of the inputs A 1 to A N are "1", and the output X N is "1" in other cases. Express this as a logical formula It can be expressed as.
ここで、出力XNのほかに、
を必要とする場合には、第1図bより右側に示す
ような構成が必要である。一例として上記(3)式で
最も単純なK=2の場合は
X2=2・1 (4)
であり、入力A1およびA2についてのナンド出力
は、第1図cに示す構成により得られる。第1図
dによる出力X1は入力A1の反転信号である。 Here, in addition to the output X N , If this is required, a configuration as shown on the right side of FIG. 1b is required. As an example , in the simplest case of K = 2 in the above equation (3), It will be done. The output X 1 according to FIG. 1d is the inverted signal of the input A 1 .
したがつて、出力XNのほかに出力XNを得よう
とするならば、各出力XNについてK個のMOSト
ランジスタの追加が必要である。
Therefore, if an output X N is to be obtained in addition to the output X N , K MOS transistors must be added for each output X N .
このため、直列に同一導電型のトランジスタを
接続してその各接続点に負荷用のトランジスタを
接続した構成の論理回路が提案されている。(例
えばIBM Technical Disclosure Bulletin vol.18
No.10 March 1976 第3325頁)
しかし、この負荷用のトランジスタを各接続点
に接続して負荷を分散して出力を取り出す構成を
CMOSトランジスタに適用することはCMOS回路
には負荷が存在しないため容易ではない。 For this reason, a logic circuit has been proposed in which transistors of the same conductivity type are connected in series and a load transistor is connected to each connection point. (For example, IBM Technical Disclosure Bulletin vol.18
(No. 10 March 1976, page 3325) However, it has been proposed to connect this load transistor to each connection point to distribute the load and take out the output.
It is not easy to apply it to CMOS transistors because there is no load in CMOS circuits.
すなわち、CMOS回路の場合はN型トランジス
タとP型トランジスタとを対とし、これらを排他
的にオン・オフさせることによつて出力を得るも
のであり、N、P型のペアのトランジスタを必要
とする。 In other words, in the case of a CMOS circuit, an N-type transistor and a P-type transistor are paired, and output is obtained by turning them on and off exclusively, so a pair of N-type and P-type transistors is required. do.
このため、従来CMOSで構成した論理回路は非
常に素子数が多くなるという欠点があつた。 For this reason, conventional logic circuits constructed using CMOS have the disadvantage of having a very large number of elements.
本発明はこの欠点を解消するもので、出力XN
のほかに、論理出力XKを少ない数のCMOSトラ
ンジスタの追加により得ることのできるCMOS論
理回路を提供することを目的とする。 The present invention solves this drawback, and the output X N
Another object of the present invention is to provide a CMOS logic circuit that can obtain a logic output X K by adding a small number of CMOS transistors.
本発明は、N個直列に接続された一導電型
MOSトランジスタQ1〜QNと、この一導電型
MOSトランジスタのうち第N番目のMOSトラン
ジスタQNの一端に接続され互いに並列に接続さ
れたN個の逆導電型MOSトランジスタDN1〜DN
Nと、上記N個の逆導電型MOSトランジスタに第
一の電圧を印加する手段と、上記N個の一導電型
MOSトランジスタの一つおよび上記N個の逆導
電型MOSトランジスタの一つに同一の入力信号
を供給する手段A1〜ANと、上記一導電型MOSト
ランジスタのうち第1番目のMOSトランジスタ
の一端に第二の電圧を印加する第二の電圧印加手
段と、第K番目の上記一導電型MOSトランジス
タQKと第K+1番目の上記一導電型MOSトラン
ジスタQK+1との接続点と前記第一の電圧印加手
段との間に並列に接続されたK個の逆導電型
MOSトランジスタDK1〜DKKとを含み、上記K
個の逆導電型MOSトランジスタの各々には上記
1からK番目の一導電型MOSトランジスタに供
給される入力信号と同一の入力信号を供給するこ
とを特徴とする。
The present invention is characterized in that N pieces of one conductivity type are connected in series.
MOS transistors Q 1 to Q N and this one conductivity type
N reverse conductivity type MOS transistors D N1 to D N connected to one end of the Nth MOS transistor Q N among the MOS transistors and connected in parallel with each other .
N , means for applying a first voltage to the N MOS transistors of opposite conductivity type, and means for applying a first voltage to the N MOS transistors of one conductivity type;
means A 1 to A N for supplying the same input signal to one of the MOS transistors and one of the N opposite conductivity type MOS transistors, and one end of the first MOS transistor among the one conductivity type MOS transistors; a second voltage applying means for applying a second voltage to the connection point between the K-th one-conductivity type MOS transistor Q K and the K+1-th one-conductivity type MOS transistor Q K+1 ; K opposite conductivity types connected in parallel with one voltage application means
MOS transistors D K1 to D KK , and the above K
Each of the opposite conductivity type MOS transistors is supplied with the same input signal as the input signal supplied to the first to Kth one conductivity type MOS transistors.
第1番目のN型MOSトランジスタQ1とP型
MOSのドライブトランジスタD1とは対で入力A1
の否定回路を構成しその出力はX1に取り出され
る。
First N-type MOS transistor Q1 and P-type
Input A 1 in pair with MOS drive transistor D 1
The output is taken out to X1 .
第K番目のN型MOSトランジスタQKとK個の
P型MOSトランジスタDK1〜DKKとは入力A1〜
AKのナンド回路を構成して出力が取り出され
る。このようにして出力X1〜XNに入力A1〜AN
のナンド出力が取り出される。 K-th N-type MOS transistor Q K and K P-type MOS transistors D K1 ~ D KK are input A 1 ~
The output is taken out by configuring a NAND circuit of AK . In this way, the inputs A 1 to A N are input to the outputs X 1 to X N
The NAND output of is retrieved.
以下、本発明の実施例を説明する。 Examples of the present invention will be described below.
第2図は本発明のCMOSトランジスタによる実
施例回路図を示す。 FIG. 2 shows a circuit diagram of an embodiment using a CMOS transistor of the present invention.
N個のN型MOSトランジスタQ1〜QNは互いに
隣接するトランジスタのドレインとソースが接続
されている。第N番目のトランジスタQNのドレ
インにP型MOSトランジスタDN1のドレインを
接続して両者のゲートは同一の入力端子ANを接
続し、P型MOSトランジスタDN1のソースに電
源VCCが接続されて、両トランジスタDN1とQN
はCMOSインバータを構成している。また同じ
く、N型MOSトランジスタQ1〜QNとの接続点
およびQNとDN1との接続点には電源VCCとの間
にP型MOSトランジスタのドライブトランジス
タD1〜DNNが並列に接続されている。このドラ
イブトランジスタD1〜DNNはそれぞれ前段まで
の入力信号により制御されるように構成されてい
る。 The drains and sources of adjacent N type MOS transistors Q 1 to Q N are connected to each other. The drain of the P-type MOS transistor D N1 is connected to the drain of the Nth transistor Q N , the gates of both are connected to the same input terminal A N , and the power supply V CC is connected to the source of the P-type MOS transistor D N1 . and both transistors D N1 and Q N
constitutes a CMOS inverter. Similarly, drive transistors D 1 to D NN of P-type MOS transistors are connected in parallel between the power supply V CC and the connection point between the N-type MOS transistors Q 1 to Q N and the connection point between Q N and D N1 . It is connected. The drive transistors D 1 to D NN are each configured to be controlled by an input signal from the previous stage.
すなわち、K番目のN型MOSトランジスタQK
とK+1番目のトランジスタQK+1との接続点と
電源VCCとの間にはK個のP型MOSトランジス
タがK個並列に接続され、このP型トランジスタ
のDK1のゲートには入力AKが、同じくDK2のゲ
ートには入力AK―1がというように前段までの入
力が接続されて制御される構成となり、このドラ
イブトランジスタDK1〜DKKとトランジスタQK
とから出力XKが出力される構成となつている。 That is, the Kth N-type MOS transistor Q K
K P-type MOS transistors are connected in parallel between the connection point between the K+1 transistor Q K+1 and the power supply V CC , and the gate of the P-type transistor D K1 is connected to the input A Similarly, the gate of D K2 is connected to the inputs up to the previous stage, such as the input A K - 1 , and is controlled by the drive transistors D K1 to D KK and the transistor Q K
The configuration is such that an output X K is output from.
この構成によつて、第1図に示す従来例回路に
比べてドライブトランジスタの数を約半分に減ら
すことができる。 With this configuration, the number of drive transistors can be reduced to about half compared to the conventional circuit shown in FIG.
以上述べたように、本発明によれば同一の論理
回路出力に対して、CMOS回路において、MOS
トランジスタの数を少なくすることができる。
As described above, according to the present invention, for the same logic circuit output, MOS
The number of transistors can be reduced.
すなわち、第1図に示した従来回路に比べてト
ランジスタの数を半分に減少することができるの
で、CMOS回路の素子数を減らし、集積回路に占
める面積を減少させる効果がある。 That is, the number of transistors can be reduced by half compared to the conventional circuit shown in FIG. 1, which has the effect of reducing the number of elements in the CMOS circuit and reducing the area occupied by the integrated circuit.
第1図は従来例回路の構成図。第2図は本発明
実施例回路の構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of a conventional circuit. FIG. 2 is a configuration diagram of a circuit according to an embodiment of the present invention.
Claims (1)
ジスタQ1〜QNと、 この一導電型MOSトランジスタのうち第N番
目のMOSトランジスタQNの一端に接続され互い
に並列に接続されたN個の逆導電型MOSトラン
ジスタDN1〜DNNと、 上記N個の逆導電型MOSトランジスタに第一
の電圧を印加する手段と、 上記N個の一導電型MOSトランジスタの一つ
および上記N個の逆導電型MOSトランジスタの
一つに同一の入力信号を供給する手段A1〜AN
と、 上記一導電型MOSトランジスタのうち第1番
目のMOSトランジスタの一端に第二の電圧を印
加する第二の電圧印加手段と、 第K番目の上記一導電型MOSトランジスタQK
と第K+1番目の上記一導電型MOSトランジス
タQK+1との接続点と前記第一の電圧印加手段と
の間に並列に接続されたK個の逆導電型MOSト
ランジスタDK1〜DKKと を含み、 上記K個の逆導電型MOSトランジスタの各々
には上記1からK番目の一導電型MOSトランジ
スタに供給される入力信号と同一の入力信号を供
給する ことを特徴とする半導体論理回路。[Claims] 1 N MOS transistors of one conductivity type Q 1 to Q N connected in series, and connected to one end of the Nth MOS transistor Q N among these MOS transistors of one conductivity type and connected in parallel with each other. N connected reverse conductivity type MOS transistors D N1 to D NN ; means for applying a first voltage to the N reverse conductivity type MOS transistors; and one of the N single conductivity type MOS transistors. and means A 1 to A N for supplying the same input signal to one of the N reverse conductivity type MOS transistors.
and a second voltage applying means for applying a second voltage to one end of the first MOS transistor of the one conductivity type MOS transistor, and a K-th one conductivity type MOS transistor Q K
K opposite conductivity type MOS transistors D K1 to D KK connected in parallel between the connection point between the K+1st one conductivity type MOS transistor Q K+1 and the first voltage application means ; A semiconductor logic circuit, characterized in that each of the K opposite conductivity type MOS transistors is supplied with the same input signal as the input signal supplied to the first to Kth one conductivity type MOS transistors.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171079A JPS55104135A (en) | 1979-02-03 | 1979-02-03 | Semiconductor logic circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171079A JPS55104135A (en) | 1979-02-03 | 1979-02-03 | Semiconductor logic circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55104135A JPS55104135A (en) | 1980-08-09 |
| JPS6159012B2 true JPS6159012B2 (en) | 1986-12-15 |
Family
ID=11785592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1171079A Granted JPS55104135A (en) | 1979-02-03 | 1979-02-03 | Semiconductor logic circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55104135A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4858168A (en) * | 1988-02-16 | 1989-08-15 | American Telephone And Telegraph Company | Carry look-ahead technique having a reduced number of logic levels |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036145A (en) * | 1973-08-02 | 1975-04-05 |
-
1979
- 1979-02-03 JP JP1171079A patent/JPS55104135A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55104135A (en) | 1980-08-09 |
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