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JPS6159566B2 - - Google Patents
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JPS6159566B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6159566B2
JPS6159566B2 JP56089774A JP8977481A JPS6159566B2 JP S6159566 B2 JPS6159566 B2 JP S6159566B2 JP 56089774 A JP56089774 A JP 56089774A JP 8977481 A JP8977481 A JP 8977481A JP S6159566 B2 JPS6159566 B2 JP S6159566B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
transistor
pull
output terminal
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56089774A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5742231A (en
Inventor
Josefu Masenasu Junia Chaaruzu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS5742231A publication Critical patent/JPS5742231A/ja
Publication of JPS6159566B2 publication Critical patent/JPS6159566B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/02Shaping pulses by amplifying

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 A 産業上の利用分野 本発明は、容量性負荷を充放電させるための集
積回路、さらに詳しくいえば容量性負荷を回路電
源のほぼ完全電位にまで充電させることのでき
る、インターフエイス回路などのための駆動回路
に関するものである。
B 従来技術 集積回路の設計においては高キヤパシタンス電
界効果形トランジスタ回路を駆動するためにバイ
ポーラ回路からの低圧信号を相対的に高圧の信号
に変換する必要のある場合が多い。その上、電界
効果形トランジスタは、駆動回路によつて発散さ
れる熱の量が回路に供給される電位の2乗の関数
であるために1論理ステージ当り1閾値電圧の電
圧降下をもたらす傾向があり、また電力供給コス
トが供給電圧の増大につれて増加するため、低電
圧信号に応答して電源電圧とほぼ等しい大きさの
出力電圧を生じる駆動回路を使用することが極め
て大切である。
弊社の米国特許第3656004号は、容量性負荷と
電源の間に結合された駆動トランジスタのベース
を電源から滅結合し、トランジスタのベース−エ
ミツタ中に蓄積された電荷によつてこのトランジ
スタを駆動することを開示している。
弊社の米国特許第4191899号は、トランジスタ
様構造から形成されるブートストラツプ・コンデ
ンサ様構造から形成されるブートストラツプ・コ
ンデンサを利用することを開示している。
C 発明が解決しようとする問題点 従来技術では電源電圧とほぼ同じ大きさの出力
電圧を発生する容量性負荷用高性能駆動回路に対
する要望にこたえることができず、しかもその電
源電圧と出力電圧の差によつて生じる損失分を含
む全体的電力消費量、発熱量が大きいため集積回
路チツプの形で高密度で製造することなどは実現
不可能であつた。
D 問題点を解決するための手段 本発明の教示によれば、先ず電源電圧の制御下
で駆動トランジスタ中を流れる電流により容量性
負荷を充電し、その後予め定めた時間に、予じめ
充電したブートストラツプ・コンデンサの制御下
で容量性負荷を充電させることによつて、容量性
負荷を急速かつ有効に回路電源の電圧ないし電位
とほぼ等しい電圧にまで充電させるための、改良
された駆動回路が与えられる。
E 実施例 本発明の1実施例では、駆動回路は、電源と容
量性負荷の間に接続されたプルアツプ装置として
働くトランジスタならびに、充電ソースおよび容
量性負荷トランジスタの制御ゲートとの間に接続
されたスイツチング手段を含む直列回路を含んで
いる。スイツチング手段は、容量性負荷の電圧を
ほぼ電源の電位にまで上げるために負荷の電圧に
応じて予め定めた時間に電荷を充電ソースからプ
ルアツプ・トランジスタ中に放電するように、容
量性負荷に結合されている。
第1図をより詳細に参照すると、本発明の1実
施例の回路図が示してある。第1図の回路は、エ
ミツタが入力端子10に接続され、コレクタが一
対のカスケード・トランジスタのうち第1のカス
ケード接続トランジスタT2のベースに接続され
ている第1のバイポーラ・トランジスタT1を含
む駆動回路である。第2のカスケード接続トラン
ジスタはプルダウン・トランジスタT3である。
入力トランジスタT1のベースは、第1の抵抗体
R1を介して電源端子12に接続されている。第
1のカスケード接続トランジスタT2のエミツタ
は、プルダウン・トランジスタT3のベースへ、
および第2の抵抗体R2を介してアースなどの基
準電位点へ接続されている。第1のカスケード接
続トランジスタT2のコレクタは、第3の抵抗体
R3を介して電源端子12に接続されている。ク
ランプとして働く第1シヨツトキ・ダイオードD
1は、第1カスケード接続トランジスタT2のベ
ース・コレクタ接合にまたがつて接続され、やは
り、クランプとして働く第2シヨツトキ・ダイオ
ードD2は、プルダウン・トランジスタT3のベ
ース・コレクタ接合にまたがつて接続されてい
る。プルダウン・トランジスタT3のエミツタ
は、基準電位点に接続され、プルダウン・トラン
ジスタT3のコレクタは、出力端子14に接続さ
れ、この出力端子に、コンデンサC1で示される
相対的に高い容量性負荷、例えばキヤパシタンス
の値が大体12〜700ピコフアラドの負荷が接続さ
れている。
第2のプルアツプ・トランジスタT5を含む、
ダーリントン・トランジスタ対の第1のトランジ
スタT4は、そのベースが第3抵抗体R3を介し
て電源端子に接続され、そのコレクタが電源端子
12に直接接続され、そのエミツタはプルアツ
プ・トランジスタT5のベースに接続され且つ第
4の抵抗体R4を介して出力端子14に接続され
ている。プルアツプ・トランジスタT5のエミツ
タは出力端子14に直接接続され、そのコレクタ
は電源端子12に直接接続されている。各トラン
ジスタT1,T2,T3,T4,T5は、NPN
トランジスタとして図示してある。入力端子10
は、標準的トランジスタ間論理T2Lとし、できれ
ば最小値0.6ボルトから最大値約2.4ボルトの間で
変動する電圧がそれにかかり、端子12での電源
の電位は、希望ならもつと低い電圧を使用するこ
とができるが、できれば+8.5ボルトが望まし
い。
直列接続された第5および第6の抵抗体R5,
R6を備えた分圧回路が出力端子14と電源端子
12の間に接続されている。抵抗体R5とR6の
間の接続点即ちノードには、参照番号16がつけ
てある。多重エミツタ・トランジスタT6は、
NPNトランジスタとして図示してあるが、その
コレクタは電源端子12に接続され、そのベース
は出力端子14に接続され、そのエミツタは、第
3のダイオードD3を介して分圧器R5,R6の
共有点ないしノード16に接続されている。多重
エミツタ・トランジスタ16は、希望なら、大型
の単一エミツタ・トランジスタとすることができ
るが、どちらの場合でもコンデンサC2として点
線で示してある大きなエミツタ・ベース・キヤパ
シタンスを実現するように形成されているべきで
ある。スイツチング装置は、PNPトランジスタT
7として図示してあるが、そのコレクタはプルア
ツプ・トランジスタT5のベースに接続され、そ
のエミツタは、多重エミツタ・トランジスタT6
のエミツタに接続され、そのベースは電源端子1
2の接続されている。
第1図の回路の動作の理解を助けるため、第2
図に示すグラフを参照する。第2図の曲線10A
のt0に示されるように、入力ノード即ち端子1
0に+2.4ボルトがかかると、トランジスタT1
はオフになり、トランジスタT2およびT3はオ
ンとなる。トランジスタT3がオンになると、コ
ンデンサC1に貯えられた電荷が、トランジスタ
T3を介して基準電位点即ちアースに放電され、
出力電子14の電圧がトランジスタT3の飽和電
圧すなわち、第2図の曲線14Aがt0の所で示
すように約100ミリ(0.1)ボルトにまで降下す
る。トランジスタT2がオンの状態ではダーリン
トン対であるトランジスタT4およびT5はオフ
となり、ノード18の電圧も約100ミリ(0.1)ボ
ルトとなる。出力端子14の電圧が低いので、電
源12からの電流は分圧器の抵抗体R5およびR
6中を通り、ノード16で電圧が生成して第3ダ
イオードD3を介して多重エミツタ・トランジス
タT6のエミツタにかかり、第2のコンデンサC
2を望ましくは4ボルトまで充電する。この電圧
は、周知のように単に抵抗体R5およびR6の値
を変化させるだけで希望の値に変更することがで
きる。しかしながら、コンデンサC2にかかる電
圧はトランジスタT6を破壊するほどに大きくて
はならない。第2図に曲線20Aで示す、ノード
20の電圧は、時刻t0のとき約4ボルドであ
る。時刻t0のとき、PNPトランジスタT7もオ
フとなつている。
第2図の曲線10Aで示される入力端子10の
電圧を下げて、出力端子14の電圧14Aの正遷
移を開始すると、トランジスタT1はオンとな
り、こうしてカスケード接続トランジスタ対T2
およびT3をオフにし、このときダーリントン対
のトランジスタT4およびT5はオンとなる。ト
ランジスタT4がオンになると、電流が第4の抵
抗体R4中を流れて時刻t1でノード18の電圧
を増大させる。その少し後の時刻t2で曲線14
Aが示すように出力端子14の電圧が増大し始め
る。出力端子14の電圧が増加すると、ノード2
0の電圧も同じ速度で増加し始める。その大きさ
は増加する出力端子14の電圧と第2コンデンサ
C2中に貯わえられた電圧との合計に等しい。第
2図に示すように、ノード18の電圧18Aも、
出力端子14の電圧と同じ速度で上昇し続け、そ
の大きさは出力端子14の電圧14Aにトランジ
スタT5の1ベース−エミツタ電圧降下Vbeを加
えた値に等しくなる。これらの電圧は、時刻t3
まで均一に上昇し続ける。時刻t3で、ノード2
0の電圧は電源端子12の電位に1ベース−エミ
ツタ電圧降下Vbeを加えた値に達する。この電圧
はPNPトランジスタT7をオンにするのに充分な
大きさである。時刻t3のとき、出力端子14の
電圧は、コンデンサC2を放電させずに電源電圧
の電位より約2Vbe低い値まで増加していること
を指摘しておく。これは、ダーリントン対T4お
よびT5が他の回路構成の助けを借りずに生成で
きるほぼ最高の、端子14の出力電圧である。し
かしながら、第2のコンデンサC2が4ボルトに
まで充電されているので、PNPトランジスタT7
がオンになると、第2のコンデンサC2からの容
量性電流がトランジスタT5に流れ始めて容量性
負荷C1に電荷を供給し続け、出力端子14の電
圧をそれが電源端子12の電位にほぼ達するまで
増加させる。このとき、PNPトランジスタT7が
順方向にバイアスをかけられているため、ノード
20の電圧は一定のままである。PNPトランジス
タT7はオンになつているので、ノード18の電
圧はノード20の電圧の大きさに達するまで増大
し続け、時刻t4に於てその値に達する。時刻t
4のとき、飽和が開始し、ノード14,18,2
0の電圧は時刻t4およびt5の間として示して
ある期間中一定のままとなる。時刻t5でノード
18の電圧は出力端子14に接続された第4抵抗
体R4が存在するために降下し始める。その少し
後、例えば時刻t6のとき、漏れのためにノード
20の電圧も約8.5ボルト、すなわち出力端子1
4の電圧にまで減少する。入力端子が0.6ボルト
の低圧に保持されている限り、出力電圧はいつま
でも約8.5ボルトの電源電位に留まる。
サイクルの負遷移すなわち出力コンデンサC1
の放電を開始させるため、入力端子10の電圧を
増加すると、時刻t7のとき入力トランジスタT
1がオフとなり、トランジスタT2およびT3が
オンとなる。プルダウン・トランジスタT3がオ
ンになると、出力コンデンサC1がアースに向つ
て放電され、出力端子14およびノード18の電
圧を約100ミリ(0.1)ボルトにまで減少させる。
ノード20の電圧が時刻t8で電源端子12より
ダイオードD3の1Vbe分だけ低い値まで減少す
ると、第2のコンデンサC2はノード16の電圧
によつて再充電し始める。当然のことながら、第
2コンデンサC2はこのとき再充電中であるが、
ノード20の電圧20Aは出力端子14の電圧1
4Aの急速な急速な減少のために、第2図に示す
ように減少し続けることを指摘しておく。出力端
子14の電圧14Aが時刻t9でその低電位に達
するや否や、分圧器R5およびR6のノード16
から第2のコンデンサC2に電荷がかかるため、
ノード20の電位20Aは4.0ボルトに達するま
で増加し続ける。時刻t10に於て第2コンデン
サC2は4.0ボルトに再充電され、こうしてノー
ド20の電圧は約4.0ボルトになる。入力電圧が
2.4ボルトのままであると、回路は、入力電圧を
2.4ボルトから0.6ボルトに再び減少させることに
よつて次の操作サイクルが始まるまで、出力電圧
を約100ミリ(0.1)ボルトのその低い値に保持し
続ける。
出力端子14とプルアツプ・トランジスタT5
のベースとの間に、第2コンデンサC2およびス
イツチング装置(トランジスタT7)の直列回路
を含む駆動回路を接続したことにより、電源端子
12の大きさとほぼ等しい大きさの出力電圧を発
生する、改良された駆動回路が与えられた。この
回路の動作にもとづけば、ダーリントン対トラン
ジスタT4およびT5は正遷移中に出力電圧を電
源端子12の電位より2Vbe低い値にほぼ等しい
大きさまで増大させる。この時点でノード20の
電圧は電源端子12の電位より約1Vbe高い大き
さにまで増大し、PNPトランジスタT7がオンと
なつて、このとき電荷を第2コンデンサC2から
プルアツプ・トランジスタT5へと向け、出力端
子の電圧を電源電位−2Vbeからほぼ電源端子1
2の電位の大きさまで上昇させる。第1図に図示
した回路中に配列されているようなスイツチン
グ・トランジスタT7を設けることによつてダー
リントン対T4およびT5が出力端子をほぼ電源
電位−2Vbeにまで充電している間にコンデンサ
C2上の電荷が浪費されないようにするので第2
コンデンサC2中に貯えられた電荷が出力端子1
4の電圧を電源電位にまで上げるためにより完全
にまたより有効に利用される。その上、コンデン
サC2は1Vbeの電圧の範囲内にすなわち4.0ボル
トの高圧から約0.8ボルトにまで放電されるの
で、より多くの電荷がそこから取出される。また
多重エミツタ・トランジスタT6は、PNPトラン
ジスタT7が貯えられている電荷を逆方向にバイ
アスがかかつたP−N接合からプルアツプ・トラ
ンジスタT5を経て、端子14の容量性出力負荷
にまで転移させるように接続されている。
F 発明の効果 電源電圧とほぼ同じ大きさの出力電圧を与える
容量性負荷用駆動回路を提供することができ、引
いては低電力消費量で集積回路チツプ状に高密度
組みが可能であり、従来技術による駆動回路より
も高速で動作する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の1実施例を図示した回路図
である。第2図は、第1図に図示した本発明の回
路内の、多数のノードないし端子における電圧の
時間に対する変化を示すグラフである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 容量性負荷が接続される出力端子14及び電
    圧源12間に接続されたプルアツプ装置T5と、 一端が上記出力端子14へ接続され、他端が接
    続点(ノード)20へ接続された電荷蓄積手段T
    6(C2)と、 一端が上記接続点20へ接続され、他端が上記
    プルアツプ装置の制御ゲート18へ接続されたス
    イツチング手段T7と、 一端が上記出力端子14へ接続されて他端が接
    地され、上記プルアツプ装置T5と相補的に駆動
    されて容量性負荷をシヨートするためのプルダウ
    ン装置T3と、 入力信号10Aに応答して上記プルアツプ装置
    T5及びプルダウン装置T3を相補的に駆動する
    ための制御手段と、 上記電圧源及び上記出力端子間に接続された分
    圧手段からダイオードを介して上記接続点20へ
    接続された充電回路とを含み、 上記スイツチング手段T7は充電期間中オフに
    なつて上記電荷蓄積手段を上記プルアツプ装置の
    制御ゲートから切離しておき、上記接続点の電圧
    が上記電圧源の電圧を越えたときオンになつて上
    記電荷蓄積手段から上記プルアツプ装置へ電荷を
    送り込むようにスイツチング動作することを特徴
    とする容量性負荷駆動回路。
JP56089774A 1980-08-25 1981-06-12 Exciting circuit Granted JPS5742231A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/181,318 US4376252A (en) 1980-08-25 1980-08-25 Bootstrapped driver circuit

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Publication Number Publication Date
JPS5742231A JPS5742231A (en) 1982-03-09
JPS6159566B2 true JPS6159566B2 (ja) 1986-12-17

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ID=22663780

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US (1) US4376252A (ja)
EP (1) EP0046498B1 (ja)
JP (1) JPS5742231A (ja)
CA (1) CA1168317A (ja)
DE (1) DE3166597D1 (ja)

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