JPS6160486B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 情報信号と対応するピツトが渦巻状あるいは同
心円状に配列されることによつて形成された記録
跡を備えている情報記録媒体円盤（デイスク）に
おける記録跡上に再生素子（ピツクアツプ）の再
生針を摺接し、記録跡中の情報信号の状態に従つ
て生じる静電容量値の変化を電気量の変化として
検出することにより、デイスクに高密度で記録さ
れている情報信号を再生するようにしたいわゆる
静電容量値の変化検出型の情報記録再生方式は、
デイスクにおける記録跡中の情報信号の読取り
が、再生針に設けた電極によつて静電容量値の変
化の検出によつて行なわれるから、前記した再生
針に設ける電極の厚さ寸法を情報信号と対応する
ピツトの長さ（記録跡が延びている方向における
ピツトの大きさ）寸法に比べて充分に小さくして
分解能を高めることができ、したがつて、デイス
クの回転数を低くしても情報信号の記録再生が可
能となるという特長を有する他に、例えばデイス
クに記録された情報信号の読取りを光学的に行な
うようにした光学的な情報記録再生方式に比べ
て、いわゆるフオーカス・サーボ系が不要であつ
て再生系の構成が簡単になる、その他多くの利点
を有するために、その実用化研究が推進されて来
ているのである。

ところで、情報信号が高密度記録されているデ
イスクは、記録跡間隔（トラツクピツチ）が小さ
く、かつ、デイスク面上での記録波長が著るしく
短いものとなされているから、デイスクからの情
報信号の読取りに使用される再生針は、デイスク
面上の最短記録波長の1/2以下の寸法となされて
いる電極厚さと、所定の電極巾とを有するような
電極端部を摺接面に出現させうるような電極部を
備えているものとして構成されるのであるが、従
来の一般的な構成の再生針では、それの電極部を
再生針本体における電極形成面上に導電性物質に
よつて形成させるようにしていた。

そして、再生針はそれの摺接面が高速回転する
デイスク面上に摺接した状態で、摺接面に現われ
ている電極端部により、デイスクに記録されてい
る情報を静電容量値の変化として検出するように
動作するものであるから、再生針本体の電極形成
面上に設けられた電極部を構成する導電性物質に
よる被膜が、電極形成面に対して強固に付着され
ていないと、高速回転するデイスクと摺接状態に
ある電極端部に加わる外力によつて、電極部が再
生針本体から剥離されて再生針が使用不能なもの
となる。

そのため、従来から再生針本体の構成物質に対
して良好な付着状態を示すような導電性物質を選
択使用して電極部を形成させるようにしていた
が、例えば、ダイヤモンドの再生針本体に対し
て、チタンやハフニウムによる電極部を形成させ
た場合であつても、充分に満足すべき性能を有す
る再生針は得難かつた。

また、デイスクに摺接しながら動作する再生針
は、それのピツクアツプアーム（カンチレバー）
が有限な長さのものであるから、デイスクに面振
れがあるときに、第１図ａ図中の矢印Ｒのように
ピツチングを起こし、そのために、再生針Ｓの電
極部２の電極端部には第１図ｂ図示のようにだれ
が生じて再生針の性能を低下させる。第１図ａ，
ｂ図において、Ｄはデイスク、Ｓは再生針、１は
摺接面、２は電極部、Ｘはデイスクの移動方向で
ある。

再生針における上記の問題点を解決するために
本出願人会社では従来から多くの提案を行なつて
来ており、それらの諸提案の実施によつてそれぞ
れ相応の良好な実績を挙げ得ているのであるが、
本発明は従来の既提案に比べて、より一層性能の
優れた再生針が容易に得られるようにした再生針
の製法を提供することを目的としてなされたもの
である。

以下、添付図面を参照して本発明の静電容量値
の変化検出型再生針の製法についての具体的な内
容を詳細に説明する。第２図ａ〜ｃ図は素材を加
工してそれの外形々状が完成された再生針の外
形々状と同じか、あるいは完成された再生針の外
形々状に近いものとなされている再生針本体の素
材の各異なる外形々状のものを例示した斜視図で
あり、第２図ａ図は例えば角柱状に切り出された
ダイヤモンドの角柱を素材とし、それの先端部に
研磨加工を施こして摺接面１や電極形成予定面
３、その他の面を形成させることによつて得た再
生針本体の素材の１例のものの斜視図、第２図
ｂ，ｃ図はダイヤモンド粒（ダイヤモンドの小
片）と、例えばチタン棒のような金属棒４とを、
溶着材例えば銀ろう５によつて接着してなるもの
を素材とし、それの先端部に研磨加工を施こし
て、ダイヤモンドの部分に摺接面１や電極形成予
定面３などの面を含む所要の面を形成させて得た
再生針本体の素材を例示した斜視図である。前記
した第２図ｂ、ｃ図示の再生針本体の素材におい
て、第２図ｂ図示のものは、それの基部の金属棒
４として角柱状（角棒）のものを用い、また第２
図ｃ図示のものは、それの基部の金属棒４として
円柱状（丸棒）のものを用いている場合をそれぞ
れ例示している。

第２図ａ〜ｃ図に示した再生針本体の素材は、
再生針本体の素材の幾つかの例を示したのに過ぎ
ず、本発明方法の実施に当り用いられる再生針本
体の素材としては、第２図ａ〜ｃ図に示されてい
る外形々状とは異なつた外形々状のものであつて
も差支えないのであり、また、本発明方法の適用
によつて製作されるべき再生針が、案内溝を有す
る形式のデイスクからの情報信号の再生に用いら
れるものの場合と、あるいは案内溝を有しない形
式のデイスクからの情報信号の再生に用いられる
ものの場合とに応じて、それぞれ必要とされる外
形々状を備えているものであればよいのである。

第３図ａ〜ｃ図は、前記した第２図ａ〜ｃ図示
の形態の再生針本体の素材を用いて本発明方法に
従つて製作して得た再生針の斜視図である。

本発明の静電容量値の変化検出型再生針の製法
は、第２図ａ〜ｃ図に例示されているような再生
針本体の素材、すなわち、少なくとも再生針にお
ける摺接面の部分と電極形成予定面の部分とが、
素材のダイヤモンドの部分に形成されており、か
つ、外形々状が完成された再生針の外形々状と同
じか、あるいは完成された再生針の外形々状に近
いものとなるように予め加工されている再生針本
体の素材を用い、前記した再生針本体の素材にお
ける電極形成予定面３にレーザビームを照射し
て、再生針本体の素材における電極形成予定面３
に所定深さｄの溝ｇと、前記の溝ｇの底部にダイ
ヤモンド自体の炭素による導電化層からなる電極
部２Ａとを形成させて、例えば第３図ａ〜ｃ図示
のような再生針が得られるようにするものである
が、次に本発明方法の具体的な実施態様について
記載する。

第４図乃至第７図の各ａ図は、前記した再生針
本体の素材であり、第４図乃至第７図の各ａ図で
は再生針の素材として、第２図ｃ図に例示されて
いる構成形態のものが使用されるものとして図示
されている。

第４図は、第４図ａ図に示す再生針本体の素材
を大気中に置いて、それの電極形成予定面３にお
ける電極形成部と略々対応する部分にレーザビー
ムを照射して、電極形成予定面３に深さｄ（例え
ば2000〜3000オングストローム）の溝ｇを形成さ
せると共に、溝の底部にダイヤモンド自体の炭素
による導電化層によつて電極部２Ａを形成させる
場合の説明図であり、第４図ｂ図はレーザビーム
の照射によつて電極形成予定面３に深さｄの溝ｇ
と溝ｇの底に導電化層による電極部２Ａが形成さ
れた状態の再生針を示している。

大気中に置かれたダイヤモンドに対してレーザ
ビームが照射された際に、レーザビームの照射に
よつて高温となされたダイヤモンドは、その温度
が900℃以下の場合には、ダイヤモンドを構成し
ている炭素が、一酸化炭素または二酸化炭素とな
つて昇華するだけで、この場合にはレーザビーム
によつて照射された部分に溝を生じるだけである
が、大気中に置かれたダイヤモンドがレーザビー
ムの照射によつて1000℃以上に加熱されると、レ
ーザビームの照射された部分の炭素が昇華して溝
を生じると共に、溝の底におけるダイヤモンド自
体の炭素によつて導電化層が形成されることが実
験によつて確められた。前記した導電化層の形成
の有無は、レーザビームが照射された部分のシー
ト抵抗を測定することによつて知ることができ
る。

そして、例えば再生針本体の素材を大気中に置
き、それの電極形成面３に対し、波長が1.06μｍ
のNd：YAGレーザで1.5μｍ×20μｍの照射面積
に0.5ミリジユールのエネルギを20ナノ秒だけ単
発照射した場合には、深さが2000〜3000オングス
トロームで、巾が約１μｍ、長さが20μｍの溝ｇ
と、溝ｇの底に２mm角で4KΩのシート抵抗を示
す導電化層が形成される。上記において、照射し
たレーザビームの断面寸法と、溝の平面寸法とに
差があるのは、レーザビームの断面におけるエネ
ルギ分布及びダイヤモンド表面での熱分布による
ものである。

なお、レーザビーの照射によつて所定の形状寸
法の溝と導電化層とを形成させるのに、細いレー
ザビームを所定の形状区域内で走査するようにし
てもよい。

上記のようにしてレーザビームの照射により、
再生針本体の電極形成予定面３に形成されるダイ
ヤモンド自体による炭素による導電化層は、電極
部２Ａとして必要とされる形状寸法のものとなさ
れており、かつ、それは電極形成予定面３の表面
よりも溝ｇの深さｄの所に形成されるから、再生
針のピツチングによつても電極部２Ａにはだれが
生じない。また、電極部２Ａがダイヤモンド自体
の炭素を導電化した導電化層によつて構成されて
いることから、当然のことながら電極部２Ａが再
生針本体から剥離することはなく、長寿命の再生
針が容易に得られることは明らかである。

第４図ａ，ｂ図を参照して説明した再生針の製
法では、大気中に置いた再生針本体の素材の電極
形成予定面３に対して、レーザビームを照射する
ものであつたが、それによつて形成される電極部
２Ａは電気抵抗値が高いので、再生システム全体
からみて再生針として好ましい性能を示さない点
が問題となることがある。

第５図ａ〜ｃ図は、再生針本体の素材の電極形
成予定面３に、溝ｇと溝ｇの底にダイヤモンド自
体の炭素による導電化層からなる電極部２Ａとを
形成させたものにおいて、溝ｇの底に形成される
ダイヤモンド自体の炭素による導電化層を低い抵
抗値のものにさせることができるようにした本発
明方法の実施態様を説明するための図であり、第
５図ａ図は再生針本体の素材であり、この第５図
ａ図示の再生針本体の素材は、それが大気中に置
かれた状態において、それの電極形成予定面３に
対してレーザビームを照射することにより、所定
形状寸法の溝ｇと溝ｇの底にダイヤモンド自体の
炭素による導電化層からなる電極部２Ａとが形成
された第５図ｂ図示のもの｛既述した第４図ｂ図
示のものと同じ｝が得られる。この第５図ｂ図示
のものは、それを微量な酸素を含む真空中または
微量な酸素を含む不活性ガス中（例えば、15×
10^-3Torrの空気中でもよい）に置き、再生針本
体の素材に対して前工程で形成された溝ｇ中にレ
ーザビームを照射する。

再生針本体の素材を置くべき微量な酸素を含む
不活性ガス雰囲気は、使用するレーザ光に対して
透明な窓を有する極めて小さな容器内に形成させ
ることができるから、既述した前工程における大
気雰囲気におけるレーザビームの照射は、前記し
た容器内を大気雰囲気とし、容器の窓を通して容
器内に置かれた再生針本体の素材の電極形成予定
面３に対するレーザビームの照射を行ない、次い
で、容器内を例えば15×10^-3Torrとなるまで排
気した後に、容器の窓を通してレーザビームで再
生針の素材の電極形成予定面３に前工程で形成さ
れている溝ｇを照射させるようにすることも容易
にできる。

第５図ｃ図は、第５図ｂ図示の状態の再生針本
体の素材を、微量な酸素を含む真空中または微量
な酸素を含む不活性ガス雰囲気中に置き、その素
材に対して前工程で形成された溝ｇ中の導電化層
にレーザビームを照射して得た再生針を示してい
る。第５図に関して説明した２度にわたるレーザ
ビームの照射は、同一のレーザ光源を同一の条件
で２度使用することによつて行なつてもよいので
あり、それは既述した例の場合、すなわち、波長
が1.06μｍのNd：YAGレーザで、1.5μｍ×20μ
ｍの照射面積に0.5ミリジユールのエネルギを20
ナノ秒だけ単発照射することを、各工程毎に行な
うようにしてもよく、レーザビームの照射が上記
の例のように行なわれた場合に、再生針の電極部
２Ａを構成している導電化層のシート抵抗は２mm
角で300Ω〜400Ωであつた。

第５図ａ〜ｃ図を参照して説明した再生針の製
法によつて作られた再生針は、電極形成予定面３
の溝中に低抵抗化された導電化層からなる電極部
２Ａを備えているものとなり、これでは第４図
ａ，ｂ図を参照して説明した製法により作られた
再生針で問題となつた点が良好に解決される。

さて、静電容量値の変化検出型再生針は、それ
の電極部が摺接面に現われた電極端部によつて、
デイスク中の情報信号を静電容量値の変化として
再生するものであるから、電極部の厚さはデイス
クに記録されている情報信号における最短記録波
長の1/2以下であることが優れた再生信号を得る
上で必要とされる。

ところで、電極部の面に凹凸があつた場合には
電極部がそれのどの部分も一定の厚さを有してい
たとしても、電極部の電極端部で検出再生できる
デイスク面上の記録波長は、前記した電極部の厚
さの２倍よりも大きくなる。

それで、電極部はその面に凹凸がない状態のも
のとなされていなければならないから、電極部が
形成されるべき電極形成予定面３も許容値以上の
凹凸が存在しないものとなるように研磨されてい
ることが必要とされる。

ところが、再生針本体の素材における電極形成
予定面３が余り良好な状態に研磨されていると、
電極形成予定面３の電極形成部に対してレーザビ
ームが照射されても、レーザビームが電極形成予
定面３で吸収されず、ダイヤモンド内に透過して
しまい、電極形成部に溝ｇや導電化層が形成され
ないことが起こる。

前記の状態は、電極形成予定面を３万倍程度の
電子顕微鏡によつて観察しても、面の荒れが検知
できない程度に迄電極形成予定面が良好に研磨さ
れているときに生じることが確められた。

それで、電極形成予定面３に対してレーザビー
ムを照射し、そこに溝ｇを形成させると共に、溝
ｇの底にダイヤモンド自体の炭素による導電化層
を形成させるためには、電極部の電極端部がデイ
スクの情報信号における最短の記録波長の1/2以
下の実質的な厚さを示すものになされるという状
態の下において、電極形成予定面３はそれに多少
の荒れが存在している状態のものとなされている
ことが望まれる。

そして、前記のような状態での荒れが存在する
電極形成予定面３を備えた再生針本体の素材を用
いれば、第４図ａ，ｂ図、及び第５図ａ〜ｃ図を
参照して述べた方法によつて、電極形成予定面３
に対して所望の電極部２Ａを形成させることがで
きる。

第６図ａ〜ｄ図、及び第７図ａ〜ｅ図は、再生
針本体の素材における電極形成予定面３が良好な
平面度を示していて、電極形成予定面３に対して
レーザビームを照射しても、電極形成予定面３で
レーザ光が良好に吸収されず、そのために電極形
成予定面３に溝ｇや溝ｇの底にダイヤモンド自体
の炭素による導電化層が形成されないような再生
針本体の素材を用いて再生針を作る場合を説明す
る図である。

第６図ａ図と第７図ａ図とは、再生針本体の素
材であり、また、第６図ｂ図と第７図ｂ図とは、
第６図ａ図及び第７図ａ図に示す再生針本体の素
材における電極形成予定面３に、光反射防止膜
（もしくは光吸収膜）６を施こしたものを示す。

前記した光反射防止膜（もしくは光吸収膜）６
（以下、単に膜６という）はレーザ光を吸収しう
るものであれば何でもよく、また、前記の膜６の
形成方法も塗布、蒸着、スパツタリング、その他
適宜の手段を採用してよい。

前記の膜６の構成物質が導電性を有するもので
あつた場合には、後の工程で第６図ｄ図、第７図
ｅ図に示すように電極形成予定面３上の余分な膜
６を除去する必要があるが、膜６の構成物質が絶
縁物の場合には、電極形成予定面３上に余分な膜
６が存在しても、それは再生針の再生動作に対し
て何の支障をも与えることがないから、後の工程
で余分な膜６を除去しなくてもよい。

なお、再生針本体の素材として第２図ａ図示の
ように、再生針本体の素材全体がダイヤモンドで
構成されているものであつた場合には、前記した
膜６を導電性物質で構成し、かつ、その膜６を電
極形成予定面３の部分だけでなく、それに続く再
生針本体の素材の基部の部分にまで施こして、電
極部からの信号の引出し部に用いられるようにす
るのがよい。この場合においても、後の工程にお
いて電極形成予定面３における余分な膜６は除去
されるのである。

再生針本体の素材の電極形成予定面３に施こさ
れるべき膜６は、電極形成予定面３に形成される
べき電極形成部と対応する部分だけに設けられて
もよいことは当然である。

前記のようにして再生針本体の素材における電
極形成予定面３に対して膜６が施こされた再生針
本体の素材｛第６図ｂ図及び第７図ｂ図｝を大気
中に置いて、電極形成予定面３における電極形成
部と略々対応する部分にレーザビームを照射する
と、レーザビームは膜６に吸収されてその膜６を
飛散させると同時に、電極形成面３のダイヤモン
ドに溝ｇを穿設し、その溝ｇの底にダイヤモンド
自体の炭素による導電化層からなる電極部２Ａを
形成させる。｛第６図ｃ図及び第７図ｃ図｝。

第６図ｄ図は、前記のようにして得た第６図ｃ
図示の再生針本体の素材における電極形成予定面
３上に残されている膜６を除去して再生針とした
ものを示しているが、既述もしたように、膜６が
絶縁物で構成されている場合には、膜６を除去す
る工程を省いてもよい。

また、第７図ｄ図は、前記のようにして得た第
７図ｃ図示の再生針本体の素材を、微量な酸素を
含む真空中、または微量な酸素を含む不活性ガス
中（例えば15×10^-3TOrrの空気中でもよい）に
おき、再生針本体の素材に対して前工程で形成さ
れた溝ｇ中にレーザビームを照射して、溝ｇの底
に低抵抗化された導電化層よりなる電極部２Ａを
構成されたものを示す。

第７図ｅ図は、前工程で得た第７図ｄ図示の再
生針本体の素材における電極形成予定面３上の余
分な膜６を除去した再生針を示しているが、膜６
が絶縁物質で構成されていた場合には、膜６の除
去工程が省かれてもよいことは既述のとおりであ
る。

第６図及び第７図を参照して述べた再生針の製
法において行なわれる再生針本体の素材に対する
レーザビームの照射の条件は、既述した第４図及
び第５図を参照して述べた再生針の製法中での例
示、すなわち、波長が1.06μｍのNd：YAGレー
ザで、1.5μｍ×20μｍの照射面積に0.5ミリジユ
ールのエネルギを20ナノ秒だけ単発照射する、と
いうものと同じであつてもよい。

第６図ｄ図示の再生針において、溝ｇは深さが
2000〜3000オングストローム、溝ｇの底に形成さ
れた電極部２Ａのシート抵抗は２mm角で4KΩで
あり、また、第７図ｅ図示の再生針において、溝
ｇは深さが2000〜3000オングストローム、溝ｇの
底に形成された電極部２Ａのシート抵抗は２mm角
が300〜400Ωであつた。

これまでの説明では、レーザビームの照射時に
レーザビームが照射されるべき再生針本体の素材
に対しては予熱が行なわれていないものとしてい
たが、レーザビームの照射時に、レーザビームが
照射されるべき再生針本体の素材が適当な温度
（例えば銀ろう５による固着状態が劣化しない程
度以下の温度）に予熱されるようにしてもよい。

以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の静電容量値の変化検出型再生針の製
法によれば、再生針本体の素材における電極形成
予定面に対するレーザビームの照射により、所定
の深さの溝ｇと溝ｇの底にダイヤモンド自体の炭
素による導電化層からなる所定形状寸法の電極部
２Ａを形成させることができるので、本発明方法
で作られた再生針では電極部２Ａが剥離すること
がなく、また、再生針にピツチングが生じても電
極部の端部にだれを生じることもないのであり、
本発明方法によれば、既述した従来の再生針で問
題となつた欠点のない長寿命な再生針を容易に提
供することを可能とする。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂ図は従来の再生針の問題点を説明
するための再生針の側面図、第２図ａ〜ｃ図は再
生針本体の素材を例示した斜視図、第３図ａ〜ｃ
図は再生針の斜視図、第４図ａ，ｂ図、第５図ａ
〜ｃ図及び第６図ａ〜ｄ図ならびに第７図ａ〜ｅ
図は本発明の再生針の製法を説明するための斜視
図である。 Ｄ……デイスク、１……摺接面、２，２Ａ……
電極部、３……電極形成予定面、ｇ……構、４…
…金属棒、５……溶着材、例えば（銀ろう）、６
……光反射防止膜（または光吸収膜）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも再生針における摺接面の部分と電
   極形成予定面の部分とが素材のダイヤモンドの部
   分に構成されており、かつ、外形々状が完成され
   た再生針の外形々状と同じか、あるいは完成され
   た再生針の外形々状に近いものとなるように予め
   加工されている再生針本体の素材を用意して、前
   記した再生針本体の素材を大気雰囲気中に置き、
   前記した再生針本体の素材の電極形成予定面にお
   ける電極形成部と略々対応する部分をレーザビー
   ムで照射して、電極形成予定面の電極形成部に所
   定の深さの溝と、前記の溝の底部にダイヤモンド
   自体の炭素による導電化層とが形成されるように
   した静電容量値の変化検出型再生針の製法。 ２ 少なくとも再生針における摺接面の部分と電
   極形成予定面の部分とが素材のダイヤモンドの部
   分に構成されており、かつ、外形々状が完成され
   た再生針の外形々状と同じか、あるいは完成され
   た再生針の外形々状に近いものとなるように予め
   加工されている再生針本体の素材を用意して、前
   記した再生針本体の素材を大気雰囲気中に置き、
   前記した再生針本体の素材の電極形成予定面にお
   ける電極形成部と略々対応する部分をレーザビー
   ムで照射して、電極形成予定面の電極形成部に所
   定の深さの溝と、前記の溝の底部にダイヤモンド
   自体の炭素による導電化層とを形成させる工程
   と、前記した再生針本体の素材を微量な酸素を含
   む真空中または微量な酸素を含む不活性ガス中に
   置き、電極形成予定面の電極形成部に形成されて
   いる溝の底部にレーザビームを照射して、前記し
   た溝の底部のダイヤモンド自体の炭素による導電
   化層を低抵抗化された導電化層にする工程とから
   なる静電容量値の変化検出型再生針の製法。 ３ 少なくとも再生針における摺接面の部分と電
   極形成予定面の部分とが素材のダイヤモンドの部
   分に構成されており、かつ、外形々状が完成され
   た再生針の外形々状と同じか、あるいは完成され
   た再生針の外形々状に近いものとなるように予め
   加工されている再生針本体の素材を用意し、前記
   した再生針本体の素材における電極形成予定面上
   に光反射防止膜もしくは光吸収膜を形成させる工
   程と、前記した工程を経た再生針本体の素材を大
   気中に置き、前記した再生針本体の素材の電極形
   成予定面における電極形成部と略々対応する部分
   をレーザビームで照射して、電極形成予定面の電
   極形成部に所定の深さの溝と、前記の溝の底部に
   ダイヤモンド自体の炭素による導電化層とが形成
   されるようにする工程とからなる静電容量値の変
   化検出型再生針の製法。 ４ 少なくとも再生針における摺接面の部分と電
   極形成予定面の部分とが素材のダイヤモンドの部
   分に構成されており、かつ、外形々状が完成され
   た再生針の外形々状と同じか、あるいはそれに近
   いものとなるように予め加工されている再生針本
   体の素材を用意し、前記した再生針本体の素材に
   おける電極形成予定面上に光反射防止膜もしくは
   光吸収膜を形成させる工程と、前記した工程を経
   た再生針本体の素材を大気雰囲気中に置き、前記
   した再生針本体の素材の電極形成予定面における
   電極形成部と略々対応する部分をレーザビームで
   照射して、電極形成予定面の電極形成部に所定の
   深さの溝と、前記の溝の底部にダイヤモンド自体
   の炭素による導電化層とを形成させる工程と、前
   記した再生針本体の素材を微量な酸素を含む真空
   中または微量な酸素を含む不活性ガス中に置き、
   電極形成予定面の電極形成部に形成されている溝
   の底部にレーザビームを照射して、前記した溝の
   底部のダイヤモンド自体の炭素による導電化層を
   低抵抗化された導電化層にする工程とからなる静
   電容量値の変化検出型再生針の製法。