JPS6161385B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はバインダー中に非晶質シリコンが分散
されて成る光導電性組成物層を用いた電子写真感
光体及びこれを用いた電子写真画像形成方法に関
するものである。 従来、電子写真感光体の光導電層に用いられる
光導電性物質としては、無定形セレン及びセレン
合金、金属化合物半導体（例えばカドミウムや亜
鉛等の酸化物、硫化物、セレン化物等）などの無
機物、およびポリビニルカルバゾール等の有機ポ
リマーや色素、顔料等の有機化合物などが知られ
ている。 かかる電子写真感光体の一つとして酸化亜鉛、
硫化カドミウム等を光導電性材料として、用いこ
れを樹脂バインダー中に分散させた樹脂分散系電
子写真感光体が知られている。 この感光体は溶剤、樹脂およびCdS、ZnO等の
光導電材料を混練し、目的に合つた分散度まで分
散してから通常の方法により導電性支持体上に塗
布乾燥して製造される。 このように樹脂分散系電子写真感光体は、その
製造方法が簡易であり、また樹脂中への増感剤添
加等による性等のコントロールが比較的容易であ
る等多くの長所を有している反面、光導電性材料
の性質からくる重大な欠点を存在する。具体的に
は、例えばCdSの場合にはその毒性のために製造
時及び使用時に人体に接触しないように細心の工
夫が必要であり、ZnOの場合には、その毒性の点
は大きな問題とはならないが、その反面低い光感
度等、光放電特性の点で欠点がある。 そのため、上記欠点を改良するために数多くの
努力が今までなされてきており、その一つの方法
として本発明者らは先に出願した特願昭54−
74553号明細書に記載した如く、非晶質シリコン
微粉末を、樹脂結着剤中に分散して成る光導電性
層を用いた電子写真感光体を提案した。上記方法
に依れば、例えば従来の樹脂分散系電子写真感光
体に比して高い光感度を得ることができる事及び
光導電体の毒性が無い事等、従来法の欠点の多く
を解決することが可能となつた。しかしながら、
上記方法を実施するに際して、光放電特性、具体
的には大きな残留電位、繰り返し光放電に伴う感
度の低下等の性能は未だ満足のいくものではな
く、その改良が強く望まれていた。 非晶質シリコン分散系にみられる大きな残留電
位及び繰り返し時の疲労現象の原因は十分明らか
とは言えない。しかしながら、その原因を推察す
るに、上記特願昭54−74553号明細書に記載され
ているごとく、非晶質シリコンの１次粒子の直径
が約0.01〜１μｍと極めて小さく、比表面積が非
常に大きいことがその理由の一つとして考えられ
る。 一般に光導電体粒子の表面には電荷担体（電子
または正孔）の捕獲中心が高密度に存在し、それ
が光放電の際の残留電位を高くし、且つ光放電繰
り返しの際の疲労を増加させる原因の一つとなつ
ている場合が多い。換言するならば、もしも非晶
質シリコン粒子表面の捕獲中心を何らかの方法で
減少させることができれば、残留電位減少等の光
放電特性の改善が期待される。 本発明者らは、上記の諸点に鑑み、鋭意研究を
重ねたところ、非晶質シリコン粒子の樹脂分散系
にキノン化合物を共存させることにより、残留電
位及び光放電繰り返し時の疲労の減少のみなら
ず、光放電感度をも向上させることが可能である
こと、また、キノン化合物を共存させた光導電性
層を有する電子写真感光板に正または負帯電処理
をするに先立ち、あらかじめ感光板に熱処理を施
しておくことにより、キノン化合物共存による効
果が著しく増強されることを見出したのである。 本発明の目的は、製造の容易な光導電体を用
い、光感度が高く、光放電時の残留電位が小さく
且つ繰返し使用時の疲労の少ない電子写真感光
体、及びそれを用いた電子写真画像形成方法を提
供することにある。 即ち本発明のかかる目的は少くとも表面が導電
性である支持体上に、電気絶縁性バインダー、非
晶質シリコン微粉末及び少なくとも１種のキノン
化合物を含有する光導電性組成物層が設けられて
いることを特徴とする電子写真感光体なる構成、
及びバインダー中に、少くとも珪素および水素か
らなり赤外吸収スペクトルにおいて2000cm^-1と
630cm^-1における吸光度ピークの比が0.06以上で
あり、電子スピン共鳴吸収におけるスピン濃度が
10¹⁹cm^-3以下である非晶質シリコン微粉末とキノ
ン化合物と共存させて成る光導電性組成物層を有
する電子写真感光体を用いて、静電潜像を形成す
るに先立ち、あらかじち該電子写真感光体に100
℃〜250℃の温度で１分乃至５時間の加熱処理を
施すことを特徴とする電子写真画像形成方法なる
構成、によつて達成される。 本発明においては用いられる非晶質シリコンと
しては、少くとも珪素および水素から成り、その
赤外吸収スペクトルにおいて2000cm^-1と630cm^-1
における吸光度ピークの比が0.06以上であり、電
子スピン濃度が10¹⁹cm^-3以下である微粉末が用い
られる。 本発明で言う非晶質シリコン粒子とは結晶質シ
リコンに見られるような長周期構造を有しないシ
リコンネツトワークから成る構造の粒子を意味す
る。非晶質は結晶に比べ可視光吸収率が大きく好
都合である。非晶質シリコン単独から成る場合構
造欠陥に起因するダングリングボンド等により光
電特性が悪いため好適にはシリコン以外に少なく
とも水素を含む形態のものが本発明に用いられ
る。 さらに水素以外にも電導度等の制御のために酸
素、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素、リン、ヒ素、
アンチモン、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、
インジウムの１種もしくはこれらの組み合わせを
含む形態のものも含まれる。より好ましくは、本
発明における非晶質シリコン粒子とは、少なくと
も珪素および水素からなり、赤外線吸収スペクト
ルにおける2000cm^-1と630cm^-1における吸光度ピ
ークの比が0.06以上であり、電子スピン共鳴吸収
におけるスピン濃度（ｇ値が2.004〜2.006）が
10¹⁹cm^-3以下、より好ましくは５×10¹⁹cm^-3以下
である非晶質シリコン微粉末を云う。 本発明において好適な非晶質微粉末において見
かけ上の色や光学禁制帯巾、光電特性などの物性
を左右する因子として、水素が珪素とどのような
結合配置にあるかが特に重要である。本発明の微
粉末について2500cm^-1〜600cm^-1の間の赤外吸収
スペクトルを調べると（−SiH₂）−_o、＝SiH₂、≡SiH
および珪素と酸素から成る結合配置モードが観測
される。本発明の赤、茶、黒またはこれらの組み
合わせから成る色相を有する微粉末（Egが1.9eV
以下の微粉末）では、黄、黄茶色（Egが1.9eVよ
り大きい）微粉末に比べ630cm^-1（SiHがどの様
な結合様式であつても表われる吸収）に対する≡
SiH（2000cm^-1）なるモードの吸光度ピークの比
が多いという特徴が見出された。本発明以外の微
粉末では（−SiH₂）_oやSiH₂による吸収モードが多く
見出された。 水素の量が何パーセントかという事と本発明に
おける≡SiHが多いという事は異なるが一般的定
性的傾向としては水素が少ない（50％以下）ほど
SiH₂や（−SiH₂）_oなるポリシレン型構造が表われる
確率は少なくなり光電物性的には好ましいという
傾向が存在する。≡SiH構造の吸収スペクトル
（2000cm^-1）の吸光度ピークが水素の入つた構造に
共通な吸収（630cm^-1）の吸光度ピークに対し0.06
以上あるものは≡SiHの効果が支配的であり本発
明の微粉末に含まれる事を確認した。一方Siに対
するＨの量が少なすぎる場合Siのダングリングボ
ンドが多くなり、ESRスピン濃度が大きくなつ
て光電特性が悪化する。従つてESRスピン濃度
が10¹⁹cm^-3以下より好ましくは５×10¹⁷cm^-3以下
の微粉末が望ましい。 これらの必晶質シリコンを製造する方法は次の
ようなものである。 (a) シランもしくはシラン誘導体の単品もしくは
混合物を原料として真空層内へ導入し、該原料
の分圧を0.01〜100トールの間の値に一定に保
ちもしくは振幅的にふらせ、交流もしくは直流
またはこれらの組み合わさつた電界を印加し必
要に応じて原料ガス加熱を行ない放電状態下か
ら赤色、茶色、黒色またはこれらの組み合わせ
から成る色相を呈する微粉末を推積させる方法 (b) 少なくとも水素を含む不活性ガス中でシリコ
ンターゲツトをスパツターするもしくはシリコ
ンを蒸発させてスモーク状の粒子を推積させる
方法 (c) ポリシリレン構造を多く含む黄色粉末を不活
性ガス中もしくは真空中で温度200℃〜650℃の
間の温度で予定の時間（10時間から１分）で加
熱処理を行なうことにより赤色、茶色、黒色ま
たはこれらの組み合わせから成る色相を呈する
微粉末に変換する方法。ここで言う加熱処理と
は事実上粉末の温度を上昇させる全ての方法が
含まれる。ヒーター加熱、オイルバス加熱、オ
ーブン加熱、高周波加熱、赤外線加熱などの手
段が一例としてあげられる。 (d) 少なくとも非晶質シリコンを主成分として含
むクラスターイオンもしくはシリコン単体イオ
ンを真空中で加速電場を用いて絶縁性バインダ
ー中にイオンビームの形で注入する方法 加速電場は絶縁性バインダーの種類、クラスタ
ーイオンのサイズや電荷の大きさにより変わる
が、最高200KeVが現在可能な上限である。注入
されたイオンの深さ分布は加速電圧により主にコ
ントロールされるが、絶縁性バインダー中になる
べく均等に分布させたい時はイオン注入をしなが
ら加速電圧を変化しても良い。この方法によると
非常に微少な粒子の分散が可能である。 上記の種々の方法で得られた非晶質シリコン微
粉末のサイズは特に臨界的意味を有しないが電子
顕微鏡によると１次粒子の直径は約0.01〜１μｍ
と極めて小さく均一である。 更に公知の方法で得られた非晶質シリコン薄膜
を基板から削り取り、粉砕して粉末状としてもよ
い。 この非晶質シリコン微粉末をつくる際の原料と
して用いることのできるシランもしくはシラン誘
導体の例を次にあげる。 シラン、ジシラン、トリシラン、テトラシラ
ン、シリコエチレン、シリコアセチレン、ハロゲ
ン化シラン、テトラクロルシラン、ヘキサクロル
ジシラン、オクタクロルトリシラン、デカクロル
テトラシラン、ドデカクロルペンタシラン、クロ
ルシラン、ジクロルシラン、トリクロルシラン、
SiBrCl₃、SiBrCl₂、SiBr₃Cl、SiCl₃SH、
（SiCl₃）₂O、SiClF₃、SiCl₂F₂、SiCl₃F、SiICl₃、
SiI₂Cl₂、SiI₃Cl、四臭化ケイソ、Si₂Br₆、
Si₃Br₈、Si₄Br₁₀、SiBrCl₃、SiBr₂Cl₂、SiBr₃Cl、
SiFCl₂Br、SiFClBr₂、SiF₃Br、SiF₂Br₂、
SiFBr₃、四フツ化ケイソ、Si₂F₆、ジフルオルシ
ラン、トリフルオルシラン、SiHCl₂F、
SiHClF₂、ヨードシラン、SiH₂I₂、SiHI₃、ブロ
ムシラン、SiH₂Br₂、SiHBr₃、Si₂I₆、ジシロキサ
ン、シリルアミン、トリクロルメチルシラン。こ
れらの材料を単独に又は複数の材料あるいは他の
材料と混合して用いられる。（特に上記の材料が
元素として水素を含まない場合には水素と混合し
て用いる方がよい。） 本発明に用いられるキノン化合物の構造とは、
芳香族炭化水素の芳香環に結合する水素２原子が
酸素２原子で置換された形の化合物として一般に
表現される。 芳香族炭化水素環の数及び縮合構造に応じて、
ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、
フエナントレンキノンとその誘導体、及び例えば
リベンゾピレンキノン等の４個以上のベンゼン環
が縮合した構造を有するキノン類も用いられる。
またジフエノキノンの如く、１個の二重結合を介
して縮合したキノン類も用いられる。 上述したキノン類の例としては、４−ブロム−
ｏ−ベンゾキノン、ジクロル−ｐ−ベンゾキノ
ン、クロルアニル等のハロベンゾキノン、メチル
−ｐ−ベンゾキノン、ｐ−キシロキノン等のアル
キルベンゾキノン、オキシ−ｐ−ベンゾキノンア
セチル−ｐ−ベンゾキノン、ニトロアニル酸、ア
ミノアニル酸等、水酸基、アセチル基、ニトロ
基、アミノ基その他の置換器を１個もしくは複数
個有するベンゾキノン類も用いられる。また、ナ
フトキノン、アントラキノン、フエナントレンキ
ノンについても、上記と同様に各種の置換基が導
入された化合物が使用される。ここで、ナフトキ
ノン、アントラキノン、フエナントレンキノン類
については、例えば９・10−フエナントレンキノ
ン、１・２−フエナントレンキノン、１・４−フ
エナントレンキノン、３・４−フエナントレンキ
ノンの如く、２個の酸素原子が種々の位置に存在
する化合物が用いられる。 ナフトキノン、アントラキノン、フエナントレ
ンキノンの誘導体としては、例えば３−メトキシ
−１・２−ナフトキノン、２−エトキシ−１・４
−ナフトキノン、３−クロル−１・４−ナフトキ
ノン、２−エトキシ−３−ニトロ−１・４−ナフ
トキノン、３−ニトロ−１・２−ナトトキノン、
２−メチル−１・４−ナフトキノン、１−クロ
ル、４−メチル−９・10−アントラキノン、２−
エチル−９・10−アントラキノン、２−クロル−
９・10−アントラキノン、１・２−ベンズ−９・
10−アントラキノン、１−メチル−９・10−フエ
ナントレンキノン、２−クロル−９・10−フエナ
ントレンキノン、２・７−ジ−ｔ−ブチル−９・
10−フエナントレンキノン、３−アリル−２オキ
シ−１・４−ナフトキノン等、水酸基、ニトロ
基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロ
ゲン、アリール基その他の置換基が導入されたキ
ノン類が用いられる。 また、４個以上の縮合環を有するキノン類とし
ては、アントアントロン、ジベンゾピレンキノ
ン、イソジベンゾピレンキノン、ピラントロンが
挙げられる。 非晶質シリコン粒子のバインダーとして用いら
れる電気絶縁性バインダーとしては、無機質のセ
ルラミクスゴム、種々のフイルム形成能のある高
分子化合物や樹脂類が好適である。分子量は約１
万以上のものが好適である。具体例をあげると、
ミズガラス、低融点ガラス、スミセラム（住友化
学）、シリコンゴム、シリコン樹脂、ポリカーボ
ネート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチル
アクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ塩
化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、
塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、塩化ビ
ニリデン−アクリロニトリルコポリマー、ポリス
チレン、ポリα−メチルスチレン、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルピ
ロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアクリル
アミド、ポリアクリロニトリル、ジアセチルセル
ローズ、トリアセチルセルローズ、セルロースア
セテートブチレート、セルローズアセテートフタ
レート、エチルセルローズ、シアノエチルセルロ
ーズ、ポリエステル、ポリアミド、スチレン−ブ
タジエンコポリマー、スチレン−メチルメタクリ
レートコポリマー、スチレン−アクリロニトリル
コポリマー、アクリロニトリル−ブタジエン−ス
チレンコポリマー、塩化ビニリデン−酢酸ビニル
コポリマー、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプ
ロピレン、フエノール−ホルムアルデヒド樹脂、
などである。なおコポリマーの場合のモノマー含
有比は特に限定されない。 少なくとも表面が導電性の支持体としては、
種々の金属板又は箔；アルミニウム、ニツケル、
クロム、銀、金、銅、パラジウム等の金属又は塩
化インジウム、二酸化スズ、等の化合物半導体を
真空蒸着したプラスチツクフイルム；ヨウ化第一
銅、カーボンブラツク、銀、等の導電性粒子をバ
インダーポリマー中に分散した層をプラスチツク
フイルム上に設けたものなどが用いられる。 本発明の光導電性層における非晶質シリコンの
電気絶縁性バインダーに対する重量比は特に臨界
的意味はないが、いずれの場合も、約0.01〜10、
より好ましくは0.1〜１の範囲である。また光導
電性層におけるキノン化合物の電気絶縁性バイン
ダー１ｇ当りの量は、約５×10^-5〜10^-2モル、よ
り好ましくは３×10^-4〜５×10^-3モルである。 電子写真感光体の光導電層の乾燥時の膜厚は約
１〜100μｍ、より好ましくは２〜50μｍであ
る。 次に本発明の電子写真感光体の製造方法につい
て説明する。電気絶縁性バインダー及びキノン化
合物をその溶剤に溶解し、これに粒子状非晶質シ
リコンを分散する。分散はホモジナイザー、超音
波撹拌器、磁気スタラー、ボールミル等を用いて
行うことが出来る。なお、添加順序は上述の順序
以外でもよく、例えば、バインダー、キノン化合
物及び非晶質シリコンを混合してのち溶剤に加え
てもよく、或いは非晶質シリコンを溶剤に分散し
てのちバインダー及びキノン化合物を溶解しても
よい。かくて得られた非晶質シリコンの分散され
た溶液を、導電性支持体上に塗布し乾燥すること
によつて光導電性層が形成される。 尚、上記溶剤としては、電気絶縁性バインダー
及びキノン化合物を溶解しうるもので、かつ比較
的乾燥速度の速いものの中から随意に選択して用
いることができる。溶剤の具体例としては、エタ
ノール、メタノール、イソプロパノール等のアル
コール；アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン等の脂肪族ケトン；Ｎ・Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ・Ｎ−ジメチルアセトアミド等
のアミド；ジメチルスルホキサイド；テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノ
メチルエーテル等のエーテル；酢酸エチル、酢酸
メチル等のエステル；クロロホルム、塩化メチレ
ン、二塩化エチレン、四塩化炭素、トリクロルエ
チレン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トル
エン、キシレン、リグロイン等の炭化水素；水な
どがあげられる。 電気絶縁性バインダーの溶剤に対する量は、溶
媒100ml当り約１〜50ｇ、より好ましくは３〜20
ｇである。他の添加物とバインダーとの量比はす
でに説明した。塗布はロツド塗布機、ローラー塗
布機、カーテン塗布機、デイツプ塗布機、スピン
ナー塗布機、ホワイラー塗布機等によつて行うこ
とが出来る。乾燥は約20℃〜250℃、より好まし
くは50℃〜100℃で、１分〜５時間、より好まし
くは10分〜２時間行う。 なお、導電性支持体と光導電性層（又は
CGL）との間に、電気的ブロツキング層を設け
ることが出来る。これは、暗所における導電性支
持体から光導電性層への電荷担体の注入を防止す
るためであり、ブロツキング層としては前記した
電気絶縁性バインダーと同じポリマー類を用いる
ことが出来る。ブロツキング層の膜厚は約0.1〜
１μｍである。 このようにして作製された感光体は通常の電子
写真プロセス用の感光体として供されるが、前述
した如く帯電処理前に感光体に加熱処理を施して
おくことは特に好適である。加熱方法について
は、例えば空気恒温槽等を用いて、加熱気体中に
該感光体を配置させる方法、ホツトプレート等の
加熱固体に接触させる方法、赤外線等の電磁波を
該感光体に照射する方法、及び加熱液体中に浸漬
させる方法など種々の方法が実施できる。加熱処
理の温度及び時間は100℃〜250℃、１分間〜５時
間である。 尚、前述した本発明における加熱処理は電子写
真感光体に静電潜像を形成する前に行なわれるこ
とが必要であるが、この加熱処理は電子写真感光
体の製造時の塗布溶剤の乾燥後に行なわれる点が
特徴的である。 本発明の加熱処理は少くとも潜像形成に先立つ
て行なわれるが、例えば電子写真感光体に帯電、
露光、トナー現像及び転写の工程を行なわせて繰
返して用いる場合には、必ずしも個々の潜像形成
毎に加熱処理を行なう必要は無く、１回の加熱処
理を行なつた後、繰返して潜像形成を行なうこと
が可能であり、更に繰返して潜像を形成している
中間段階で加熱を行なうことができることは勿論
である。更に本発明においては電子写真感光体製
造時に塗布溶剤の乾燥を行なつた後、即ち、電子
写真感光体中に実質的に塗布溶剤が無くなつた後
から、静電潜像形成前までのいずれの時期に加熱
してもよいのであるから、電子写真感光体の製造
時に塗布溶剤が実質的に無くなつた後加熱処理を
施すこともできる。 実施例 １ 日電バリアン社製の平行平板型スパツター装置
SPF−332のカソードとアノード間距離を4.5cmに
調節し、カソード（８cmφ）上に10cm×10cm×
0.8mmのコーニング社製7059ガラス板を設置し
た。チヤンバー内を10^-8トール以上の真空度に排
気した後、日本酸素社製のアラン、アルゴン混合
ガス（シラン濃度21.6％）をチヤンバー内に導び
いた。調圧弁（日本酸素社製1301P）、ガス流量
計（日本特殊ガス社製ウエシマ、ブルツクスチユ
ーブＲ−２−15−Ｄ）ストツプバルブおよび1/4
インチステンレスパイプの組も合わせで導入経路
を構成した。混合ガス出口には金網と衝立を設置
しガス流速を緩和した。チヤンバー内の圧力は、
チヤンバーからのガス出口をロータリーポンプで
排気している時、導入されるガス量を調整する事
により調節し、5.0トールとした。またチヤンバ
ー内の温度は導入されるガスを加熱することによ
り200℃に設定した。 カソードに高周波（13.56MHz）を進行波
100W、反射波10W、差分90Wの電力で投入し放
電を行なつた。３時間の放電分解後ガラス板上お
よびチヤンバー内に赤色微粉末を得た。ガラス板
上の微粉末はおよそ300mgであつた。 この微粉末は次のような処方を超音波洗浄器を
用いて20分間撹拌することによりバインダに分散
した。 無定形シリコン微粉末 20mg ポリカーボネート （三菱ガス化学製ユーピロンＣ−2000） 400mg 塩化メチレン ２ml このようにして得られた分散液を二分し、その
一方にはキノン化合物として、９・10−フエナン
トレンキノンをポリカーボネート１ｇ当り８×
10^-4molを更に添加して溶解し、他の一方にはキ
ノン化合物を添加しなかつた。このようにして得
られた二種の光導電性組成物をアルミニウム蒸着
ポリエステルフイルム（導電性支持体、東レ製
「メタルミー」登録商標）上にロツド塗布機を用
いて塗布し、60℃で送風しつつ２時間乾燥し、厚
さ４μｍの光導電性層を有する２種の電子写真感
光体をつくつた。ここでフエナントレンキノンが
感光層中に含まれていない感光体を感光体ａ、含
まれている感光体をｂとした。この感光体ａ、ｂ
につき、川口電機株式会社製の帯電電位測定装置
Model SP428を用い帯電露光曲線を測定した。
ａ、ｂ共に正帯電し、250Vのときの露光瞬間で
の光感度｛（ｄＥ_ｐ／ｄｔ）／Ｉ（Ｖ・sec^-1・μｍ^-1
・ lux^-1）、Ｉ＝250lux｝及び残留電位と初期電位の
比（Ｖ_R／Vo、Vo＝＋250V）を求めたところ表
１の結果が得られた。

【表】 尚、塩化メチレン１ml、上記ポリカーボネート
200mg、フエナントレンキノン33mgの組成より成
る塗布液を上記と同様の方法により塗布・乾燥し
た試料について、上記方法を用いて帯電露光特性
を測定したが、光放電現象は認められなかつた。 実施例 ２ 表２に示すキノン化合物を用いる以外は、実施
例１と同様の方法により感光体ｃ〜ｈを作製した
（非晶質シリコン粒子も実施例１と同じ試料を使
用）。これらの感光体ｃ〜ｈについて実施例１と
同様の方法により（ｄＥｏ／ｄｔ）／Ｉ、Ｖ_R／Voを測
定 し、実施例１の感光体ａと比較した。その結果を
表２に示す。

【表】 実施例 ３ 実施例１及び実施例２で作製した感光体ａ及び
ｄを、150℃に加熱したホツト・プレートにポリ
エステルベースがホツトプレートに接するように
して置き、30分間加熱した。室温に冷却し、30分
室温で放置後実施例１と同様の方法により、加熱
前後におけぬ帯電露光特性を比較した（表３に結
果が示す）。また、加熱処理した試料につき、帯
電→露光のサイクルを繰り返し、感度（ｄＥｏ／ｄｔ／ Ｉ）、残留率（Ｖ_R／Vo）の疲労特性をみた。10
回繰り返し後の感度及び残留率の結果を表３に示
す。

【表】 即ち、キノン添加及び、加熱処理により、感
度、残留電位の繰返し疲労特性が著しく改善され
た。 実施例 ４ 実施例３で用いた感光板ａ及びｄを作製した方
法と同様な方法により、感光板a′及びd′を作製し
た。 このa′、d′を実施例３と同様な方法により150
℃、30′加熱し、室温下冷却放置した。 次にこれを用いて通常の静電写真法により画像
形成を行つた。即ち、電子写真感光体の導電性支
持体を電気的に接地し、コロトロンにより暗所で
表面電位＋400〜＋500Vに帯電させてのち、透明
陽画原稿を通し、タングステンランプを用いて
（原稿面の照度は約10lux）５秒間露光し、直ち
に、負に帯電したトナーを用いてカスケード現象
を行つたところ、感光板a′についてはかぶりの多
い画像が得られたが、d′についてはかぶりの少な
い陽画像が得られた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも表面が導電性である支持体上に電
   気絶縁性 バインダー、非晶質シリコン微粉末及
   び少なくとも１種のキノン化合物を含有する光導
   電性組成物層が設けられていることを特徴とする
   電子写真感光体。 ２ 前記非晶質シリコンが少くとも珪素および水
   素からなるものである特許請求の範囲第１項記載
   の電子写真感光体。 ３ 前記非晶質シリコンは、その赤外吸収スペク
   トルにおいて、2000cm^-1と630cm^-1における吸光
   度ピークの比が0.06以上であり、電子スピン共鳴
   吸収におけるスピン濃度が10¹⁹cm^-3以下である特
   許請求の範囲第１項または第２項まで記載の電子
   写真感光体。 ４ バインダー中に、少くとも珪素および水素か
   らなり赤外吸収スペクトルにおいて2000cm^-1と
   630cm^-1における吸光度ピークの比が0.06以上あ
   り、電子スピン共鳴吸収におけるスピン濃度が
   10¹⁹cm^-3以下である非晶質シリコン微粉末とキノ
   ン化合物を共存させて成る光導電性組成物層を有
   する電子写真感光体を用いて、静電潜像を形成す
   るに先立ち、あらかじめ該電子写真感光体に100
   ℃〜250℃の温度で１分乃至５時間の加熱処理を
   施こすことを特徴とする電子写真画像形成方法。