JPS6161671B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザーリペア装置に関する。さらに
本発明は、例えば半導体集積回路チツプ(以下、
ICチツプと書く。)上の配線の断線部を接続させ
る能力をもつレーザーリペア装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a laser repair device. Further, the present invention can be applied to, for example, a semiconductor integrated circuit chip (hereinafter referred to as
It is written as IC chip. ) relates to a laser repair device that has the ability to connect disconnected portions of wiring above.
レーザーリペア装置は、第1図に示す如く、レ
ーザー装置、光学系、レーザー制御系ならびに、
テーブル機構部より成り、その目的は例えばIC
用のホトマスクなどに存在する残留欠陥の除去で
ある。第1図中の1は光学顕微鏡の光学系、2は
フイルター、3は対物レンズである。4はレーザ
ー照射する試料である。5はレーザービームの広
がりをモニターするパイロツト光源、6はレーザ
ービームの形状をコントロールするためのスリツ
トである。レーザー装置7から出たレーザー光
は、ビームエキスパンダ9を経て図に示す光路に
沿つて最終的に試料に照射される。図中の8はレ
ーザー制御系、また10は試料のX,Y及びθの
移動を可能ならしめるテーブル機構部である。レ
ーザービームの形状及び広さは、スリツト6によ
り任意に可変出来る。現在では一辺が2μmの正
方形のビームに絞ることも可能であり、形状も長
方形、円形と任意に選ぶことが出来る。 As shown in Figure 1, the laser repair device includes a laser device, an optical system, a laser control system, and
It consists of a table mechanism section, and its purpose is, for example, an IC
This is the removal of residual defects that exist in photomasks, etc. In FIG. 1, 1 is an optical system of an optical microscope, 2 is a filter, and 3 is an objective lens. 4 is a sample to be irradiated with laser. 5 is a pilot light source for monitoring the spread of the laser beam, and 6 is a slit for controlling the shape of the laser beam. The laser light emitted from the laser device 7 passes through a beam expander 9 and is finally irradiated onto the sample along the optical path shown in the figure. In the figure, 8 is a laser control system, and 10 is a table mechanism that enables movement of the sample in X, Y, and θ. The shape and width of the laser beam can be changed arbitrarily by the slit 6. Currently, it is possible to narrow the beam down to a square beam with a side of 2 μm, and the shape can be arbitrarily selected from rectangular to circular.
第2図は、この様なレーザーリペア装置を用い
て、ガラスマスク上の残留パターン欠陥を修正す
る場合の説明図である。ガラスマスク上のパター
ンは一般にクロム等の金属薄膜にて形成されてい
る。第2図aにおいて11は、ガラスマスク上の
クロム薄膜から成る配線パターンである。今、図
中の12に示す様なパターン欠陥がある場合に
は、この部分に第2図bの13にて示すような矩
形のスリツト像を、顕微鏡を見ながら残留欠陥と
重畳するように調整後、レーザービームを照射す
るとレーザーによりクロム薄膜は瞬間的に蒸着し
て残留欠陥は第2図cの14にて示す如く除去さ
れる。 FIG. 2 is an explanatory diagram of the case where residual pattern defects on a glass mask are repaired using such a laser repair device. The pattern on the glass mask is generally formed of a thin film of metal such as chromium. In FIG. 2a, 11 is a wiring pattern made of a thin chromium film on a glass mask. Now, if there is a pattern defect like the one shown at 12 in the figure, adjust a rectangular slit image like the one shown at 13 in Figure 2b to this part so that it overlaps with the remaining defect while looking at the microscope. Thereafter, when a laser beam is irradiated, a chromium thin film is instantaneously deposited by the laser, and the remaining defects are removed as shown at 14 in FIG. 2c.
以上説明したように従来のレーザーリペア装置
においては、残留欠陥のようなパターン不良は除
去出来るものの、例えばガラスマスク上の配線パ
ターンが断線している様な欠損欠陥の修正は出来
なかつた。 As explained above, conventional laser repair equipment can remove pattern defects such as residual defects, but cannot repair missing defects such as disconnections in the wiring pattern on a glass mask, for example.
残留欠陥と欠損欠陥の両方の修正が同一装置に
て行なうことが出来れば、どんな欠陥でも修正が
可能となり、その効果は非常に大きい。 If both residual defects and missing defects can be corrected using the same device, any defect can be corrected, and the effect is very large.
本発明は、残留欠陥と欠損欠陥の両方の修正が
可能なレーザーリペア装置に関するものであり、
以下具体的な実施例をもとに説明する。 The present invention relates to a laser repair device capable of repairing both residual defects and missing defects,
A description will be given below based on specific examples.
第3図は、本発明によるレーザーリペアの原理
図を示す。図中の15はレーザービーム、16は
透明な長尺フイルムであり、その片面には導電薄
膜17が形成されている。18は試料である。
今、透明な長尺フイルムの上方からレーザービー
ムを照射すると、レーザーが照射された導電薄膜
17の一部は、瞬間的に蒸発し、試料18の表面
に付着する。第3図aは、レーザービームを照射
した時の、導電薄膜の蒸発物の方向を示す図であ
り、第3図bはレーザー照射後、試料表面上に付
着した導電薄膜の一部19を示す図である。 FIG. 3 shows a principle diagram of laser repair according to the present invention. In the figure, 15 is a laser beam, 16 is a transparent long film, and a conductive thin film 17 is formed on one side of the film. 18 is a sample.
Now, when a laser beam is irradiated from above the transparent long film, a part of the conductive thin film 17 irradiated with the laser instantaneously evaporates and adheres to the surface of the sample 18. Figure 3a shows the direction of the evaporated material of the conductive thin film when irradiated with a laser beam, and Figure 3b shows a part 19 of the conductive thin film deposited on the sample surface after laser irradiation. It is a diagram.
試料表面に再付着した導電薄膜の面積及び形状
は、長尺フイルムと試料との間隔dに大きく依存
する。 The area and shape of the conductive thin film reattached to the sample surface largely depend on the distance d between the long film and the sample.
第4図は、この長尺フイルムと試料の間隔dの
違いにより、試料表面に再付着した導電薄膜の面
積がどのように変わるかを示した説明図である。
図中の番号の内容は第3図中の番号の内容と対応
する。第4図aは間隔がd1、第4図bは間隔がd2
であり、d1>d2である。この時、レーザービーム
の幅をそれぞれw1,w2とすると、試料表面上に
再付着した導電膜の幅はw1′,w2′となる。今w1
=w2とすると(w1′/w1)>(w2′/w2)となるた
め、レーザービームの幅とほぼ等しい幅の導電膜
を試料表面上へ再付着させるには、dが小さい方
が望ましい。例えばレーザービームの幅が10〜20
μm程度の場合、dの値は10〜20μm以下が適当
である。 FIG. 4 is an explanatory diagram showing how the area of the conductive thin film reattached to the sample surface changes depending on the difference in the distance d between the long film and the sample.
The contents of the numbers in the figure correspond to the contents of the numbers in FIG. In Fig. 4 a, the spacing is d 1 , and in Fig. 4 b, the spacing is d 2
and d 1 > d 2 . At this time, if the widths of the laser beams are w 1 and w 2 , respectively, the widths of the conductive film re-deposited on the sample surface are w 1 ′ and w 2 ′. Now w 1
= w 2 , then (w 1 ′/w 1 )>(w 2 ′/w 2 ), so in order to redeposit a conductive film with a width almost equal to the width of the laser beam onto the sample surface, d must be Smaller is preferable. For example, the width of the laser beam is 10~20
In the case of about .mu.m, the value of d is suitably 10 to 20 .mu.m or less.
第5図は、本発明によるレーザーリペアの原理
をわかりやすく書いた説明図である。レーザービ
ームの照射によつて試料表面上には19で示した
様な導電膜が付着する。レーザービームが矩形で
ある場合、試料上に付着した導電膜の形状は、角
がやや丸味をもつように多少広がつた矩形とな
る。 FIG. 5 is an explanatory diagram showing the principle of laser repair according to the present invention in an easy-to-understand manner. A conductive film as shown in 19 is deposited on the surface of the sample by laser beam irradiation. When the laser beam is rectangular, the shape of the conductive film deposited on the sample is a rectangle with slightly rounded corners.
第6図aは、ICチツプ、ガラスマスクあるい
は液晶表示デバイス表面上の配線部の断線を示
す。この配線21上に、本発明による原理によ
り、第6図bに示す様な形状の導電膜21を付着
すると、第6図cの22に示す様に配線の断線部
が接続されることになる。 FIG. 6a shows a disconnection in a wiring section on the surface of an IC chip, glass mask, or liquid crystal display device. When a conductive film 21 having a shape as shown in FIG. 6b is deposited on this wiring 21 according to the principle of the present invention, the disconnected portion of the wiring is connected as shown at 22 in FIG. 6c. .
本発明において用いる長尺フイルムの材料は、
レーザービームの吸収が少なければどんな透明フ
イルムでもよい。例えば透過率が80%以上のプラ
スチツクフイルムでもよいし、ガラス板あるいは
石英板の様な無機物の透明板でもよい。また透明
な長尺フイルム上の導電薄膜は、金、ニクロムあ
るいはアルミニウムのような金属薄膜でもよい
し、またポリシリコン薄膜のような半導体導電膜
でもよいし、酸化スズ、酸化インジウムのような
透明導電薄膜でもよい。これらは透明な長尺フイ
ルム上に、蒸着法あるいはスパツタ法により容易
に形成することが出来る。 The material of the long film used in the present invention is:
Any transparent film may be used as long as it absorbs little laser beam. For example, a plastic film with a transmittance of 80% or more may be used, or an inorganic transparent plate such as a glass plate or a quartz plate may be used. The conductive thin film on the transparent long film may be a metal thin film such as gold, nichrome or aluminum, a semiconductor conductive film such as a polysilicon thin film, or a transparent conductive film such as tin oxide or indium oxide. A thin film may also be used. These can be easily formed on a transparent long film by vapor deposition or sputtering.
第7図は、導電薄膜24が片面についた透明な
長尺フイルム23の外観図である。この実施例に
おいては、長尺フイルムの幅と同じ幅にて導電薄
膜が形成されている。 FIG. 7 is an external view of a transparent long film 23 having a conductive thin film 24 on one side. In this embodiment, the conductive thin film is formed to have the same width as the long film.
第8図は本発明の長尺フイルムの他の実施例で
ある。本実施例においては長尺フイルム25の幅
wAに対して導電薄膜26の幅wBは小さくなつて
いる。 FIG. 8 shows another embodiment of the long film of the present invention. In this embodiment, the width w B of the conductive thin film 26 is smaller than the width w A of the long film 25 .
例えば前述した様に幅10〜20μmの配線の断線
を接続するためには、あらかじめ10〜20μmの幅
の導電薄膜を透明な長尺フイルム上に形成してお
けば、位置合わせも容易に出来るため便利であ
る。この場合長尺フイルムの幅は1mm〜10mm程度
にしておけばフイルム強度も得られるために良
い。 For example, as mentioned above, in order to connect a broken wire with a width of 10 to 20 μm, if a conductive thin film with a width of 10 to 20 μm is formed on a transparent long film in advance, alignment can be made easily. It's convenient. In this case, it is preferable to set the width of the long film to about 1 mm to 10 mm in order to obtain film strength.
第9図は、実際にこの長尺テープを顕微鏡の対
物レンズ27と、試料31の間に挿入した説明図
である。28はレーザービームである。対物レン
ズと試料の距離Sはレンズの倍率によつて変化す
る。したがつてこのSの範囲で、長尺フイルムの
位置が上下に移動出来る様な機構になつているこ
とが望ましい。図中の29は透明な長尺フイル
ム、30は導電薄膜である。 FIG. 9 is an explanatory diagram of this long tape actually inserted between the objective lens 27 of the microscope and the sample 31. 28 is a laser beam. The distance S between the objective lens and the sample changes depending on the magnification of the lens. Therefore, it is desirable to have a mechanism that allows the position of the long film to be moved up and down within this range of S. In the figure, 29 is a transparent long film, and 30 is a conductive thin film.
第10図は本発明によるレーザーリペア装置の
長尺フイルムの移動機構図である。導電薄膜が片
面に蒸着された長尺フイルムはリール33からリ
ール32に巻き取られる。すなわち使用済のテー
プはリールの送り機構により少しづつ移動する。 FIG. 10 is a diagram of a mechanism for moving a long film in a laser repair apparatus according to the present invention. A long film having a conductive thin film deposited on one side is wound onto a reel 32 from a reel 33. That is, the used tape is moved little by little by the reel feeding mechanism.
第11図は本発明によるレーザーリペア装置の
他の実施例である。先程説明した様に、レーザー
ビームの形状に近い形状の導電薄膜を付着させる
には、長尺フイルムと試料の間隔は、狭い方がよ
い。出来ればお互いに傷がつかない程度に接触し
ていた方が望ましい。本実施例は、長尺フイルム
と試料がわずかに接触する機構に関する。図中の
35は、ガス34が流れるノズルである。ガスは
図に示す如くノズルを通つてレーザービームが照
射される領域に吹き付けられる。ガスは、窒素ガ
スでもよいし、空気でもよい。第11図aはガス
を吹き付ける前の状態である。ガスを吹き付ける
と、長尺フイルムは下方へ押されるために試料表
面とわずかに接触する。この状態を第11図bに
示す。この状態でレーザービームを照射すると、
レーザービームの形状に近い形状の導電薄膜が試
料上に再付着することになる。 FIG. 11 shows another embodiment of the laser repair apparatus according to the present invention. As explained earlier, in order to deposit a conductive thin film having a shape close to that of the laser beam, the distance between the long film and the sample should be narrow. If possible, it is better to have contact with each other to the extent that they do not cause any damage. This embodiment relates to a mechanism in which a long film and a sample come into slight contact. 35 in the figure is a nozzle through which the gas 34 flows. The gas is sprayed through a nozzle onto the area to be irradiated with the laser beam as shown in the figure. The gas may be nitrogen gas or air. FIG. 11a shows the state before gas is sprayed. When the gas is blown, the long film is pushed downward and makes slight contact with the sample surface. This state is shown in FIG. 11b. If you irradiate a laser beam in this state,
A conductive thin film with a shape close to that of the laser beam will be re-deposited onto the sample.
第12図は本発明のレーザーリペア装置を用い
た修正方法の一例である。図中の36に示す如く
配線の断線部を接続したい場合には、長尺フイル
ム37上の導電薄膜パターン38を図に示す様に
断線部に合わせ、図中の39にて囲まれた領域に
レーザービームを照射すればよい。 FIG. 12 shows an example of a repair method using the laser repair device of the present invention. When it is desired to connect a broken line in the wiring as shown at 36 in the figure, the conductive thin film pattern 38 on the long film 37 is aligned with the broken line as shown in the figure, and the area surrounded by 39 in the figure is connected. Just irradiate it with a laser beam.
本発明は以上多くの実施例を用いて説明した如
く、レーザーを用いたパターン修正法に関し、特
に欠損欠陥(例えば断線)の修正を可能にしたレ
ーザーリペア装置に関するものであり、ICチツ
プの断線の接続、ガラスマスクの断線の接続また
液晶パネル上のネサパターンの断線の接続に非常
に有望である。なお本発明の説明中、主に導電薄
膜の再付着について説明したが絶縁薄膜の場合に
も、本発明が適用出来ることは明らかである。 As described above with reference to many embodiments, the present invention relates to a pattern repair method using a laser, and particularly relates to a laser repair device that can repair defects (such as wire breaks) in IC chips. It is very promising for connecting disconnections in glass masks and connecting disconnections in Nesa patterns on liquid crystal panels. In the description of the present invention, the re-deposition of a conductive thin film was mainly explained, but it is clear that the present invention is also applicable to the case of an insulating thin film.
第1図は従来のレーザーリペア装置の構成図。
第2図a,b,cは従来のレーザーリペア装置に
よる残留欠陥の修正を説明する図、第3図a,
b、第4図a,b、第5図、第6図a,b,cは
本発明によるレーザーリペア装置を用いた欠損欠
陥の修正法を説明する図。第7図a,b及び第8
図a,bは本発明のレーザーリペア装置で用いる
長尺フイルムを説明する図。第9図〜第11図
a,bは本発明によるレーザーリペア装置の機構
を説明する図。第12図は本発明によるレーザー
リペア装置を用いた修正例を示す図。
1……顕微鏡、2……フイルタ、3……対物レ
ンズ、4……試料、5……パイロツト光源、6…
…スリツト、7……レーザー装置、8……レーザ
ー制御系、9……ビームエキスパンダ、10……
テーブル制御系、11……配線パターン、12…
…残留欠陥、13……レーザービームの形状、1
4……修正後の残留欠陥部、15……レーザービ
ーム、16……透明な長尺テープ、17……導電
薄膜、18……試料、19……再付着した導電薄
膜、20……断線のある配線パターン、21……
レーザービームの形状、22……修正された配線
パターン、23……長尺フイルム、24……導電
薄膜、25……長尺フイルム、26……導電薄
膜、27……対物レンズ、28……レーザービー
ム、29……長尺フイルム、30……導電薄膜、
31……試料、32……リール、33……リー
ル、34……ガス、35……ノズル、36……断
線のある配線パターン、37……長尺フイルム、
38……導電薄膜、39……レーザービーム形
状。
FIG. 1 is a configuration diagram of a conventional laser repair device.
Figures 2a, b, and c are diagrams illustrating the repair of residual defects by a conventional laser repair device, and Figures 3a,
b, FIGS. 4a and 4b, FIG. 5, and FIGS. 6a, b, and c are diagrams illustrating a method of repairing a defect using the laser repair device according to the present invention. Figures 7a, b and 8
Figures a and b are diagrams illustrating a long film used in the laser repair device of the present invention. 9 to 11a and 11b are diagrams explaining the mechanism of the laser repair device according to the present invention. FIG. 12 is a diagram showing an example of repair using the laser repair device according to the present invention. 1... Microscope, 2... Filter, 3... Objective lens, 4... Sample, 5... Pilot light source, 6...
...Slit, 7...Laser device, 8...Laser control system, 9...Beam expander, 10...
Table control system, 11... Wiring pattern, 12...
...Residual defects, 13...Shape of laser beam, 1
4... Residual defect after correction, 15... Laser beam, 16... Transparent long tape, 17... Conductive thin film, 18... Sample, 19... Redeposited conductive thin film, 20... Broken wire A certain wiring pattern, 21...
Shape of laser beam, 22... Modified wiring pattern, 23... Long film, 24... Conductive thin film, 25... Long film, 26... Conductive thin film, 27... Objective lens, 28... Laser Beam, 29... Long film, 30... Conductive thin film,
31... Sample, 32... Reel, 33... Reel, 34... Gas, 35... Nozzle, 36... Wiring pattern with disconnection, 37... Long film,
38... Conductive thin film, 39... Laser beam shape.
Claims (1)
び、テーブル機構部をもち、顕微鏡で観察しなが
らレーザー照射範囲を制限して、テーブル上の試
料表面にレーザービームを照射するレーザーリペ
ア装置において、片面に導電性薄膜が形成された
透明フイルムが、該顕微鏡の対物レンズと該試料
表面の間を通つて移動する機構部を有することを
特徴とするレーザーリペア装置。 2 透明フイルムは長尺のフイルムであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のレーザー
リペア装置。 3 透明なフイルムは、透過率が80%以上のプラ
スチツクフイルムであることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のレーザーリペア装置。 4 透明なフイルムは、ガラスあるいは石英の薄
い細長の板であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のレーザーリペア装置。 5 導電薄膜は、金属薄膜であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のレーザーリペア装
置。 6 導電薄膜は、透明導電薄膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のレーザーリペ
ア装置。 7 透明な長尺フイルム上の導電薄膜は、細長い
ストライプ形状を有し、その幅は、該長尺フイル
ムの幅より小さいことを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載のレーザーリペア装置。 8 透明フイルムと試料表面の間隔は任意に設定
出来る機構部を有することを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のレーザーリペア装置。 9 長尺フイルムを、リールからリールへ巻き取
る機構を有することを特徴とする特許請求の範囲
第2項記載のレーザーリペア装置。 10 レーザー装置、光学系、レーザー制御系及
び、テーブル機構部をもち、顕微鏡で観察しなが
らレーザー照射範囲を制限して、テーブル上の試
料表面にレーザービームを照射するレーザーリペ
ア装置において、片面に導電性薄膜が形成された
透明フイルムが、該顕微鏡の対物レンズと該試料
表面の間を通つて移動する機構部と、レーザー照
射の際、透明フイルム上にノズルからのガスが吹
きつけられて、透明フイルムとレーザー照射予定
の試料表面が接触する機構部とを有することを特
徴とするレーザーリペア装置。[Claims] 1. Laser repair that includes a laser device, an optical system, a laser control system, and a table mechanism, and irradiates a laser beam onto the surface of a sample on a table by limiting the laser irradiation range while observing with a microscope. 1. A laser repair device, characterized in that the device has a mechanical part in which a transparent film having a conductive thin film formed on one side moves between an objective lens of the microscope and the surface of the sample. 2. The laser repair device according to claim 1, wherein the transparent film is a long film. 3. The laser repair device according to claim 1, wherein the transparent film is a plastic film having a transmittance of 80% or more. 4. The laser repair device according to claim 1, wherein the transparent film is a thin and elongated plate of glass or quartz. 5. The laser repair device according to claim 1, wherein the conductive thin film is a metal thin film. 6. The laser repair device according to claim 1, wherein the conductive thin film is a transparent conductive thin film. 7. The laser repair device according to claim 2, wherein the conductive thin film on the transparent long film has an elongated stripe shape, and the width thereof is smaller than the width of the long film. 8. The laser repair device according to claim 1, further comprising a mechanism that can arbitrarily set the distance between the transparent film and the sample surface. 9. The laser repair device according to claim 2, further comprising a mechanism for winding the long film from reel to reel. 10 A laser repair device that has a laser device, an optical system, a laser control system, and a table mechanism, and irradiates a laser beam onto the surface of a sample on a table by limiting the laser irradiation range while observing it with a microscope. A mechanism part in which a transparent film on which a transparent thin film is formed moves between the objective lens of the microscope and the sample surface, and a gas from a nozzle is blown onto the transparent film during laser irradiation to create a transparent film. A laser repair device characterized by having a mechanical part where a film and a surface of a sample to be irradiated with a laser come into contact.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104836A JPS587117A (en) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | Laser repair equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104836A JPS587117A (en) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | Laser repair equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587117A JPS587117A (en) | 1983-01-14 |
| JPS6161671B2 true JPS6161671B2 (en) | 1986-12-26 |
Family
ID=14391440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56104836A Granted JPS587117A (en) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | Laser repair equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587117A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4755748B2 (en) * | 1999-09-24 | 2011-08-24 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | Flat panel display |
| GB0123676D0 (en) * | 2001-10-02 | 2001-11-21 | Poly Flex Circuits Ltd | Method of manufacturing circuits |
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-
1981
- 1981-07-03 JP JP56104836A patent/JPS587117A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS587117A (en) | 1983-01-14 |
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