JPS6210758B2 - - Google Patents
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- JPS6210758B2 JPS6210758B2 JP56198310A JP19831081A JPS6210758B2 JP S6210758 B2 JPS6210758 B2 JP S6210758B2 JP 56198310 A JP56198310 A JP 56198310A JP 19831081 A JP19831081 A JP 19831081A JP S6210758 B2 JPS6210758 B2 JP S6210758B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F3/00—Labels, tag tickets, or similar identification or indication means; Seals; Postage or like stamps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B44—DECORATIVE ARTS
- B44B—MACHINES, APPARATUS OR TOOLS FOR ARTISTIC WORK, e.g. FOR SCULPTURING, GUILLOCHING, CARVING, BRANDING, INLAYING
- B44B7/00—Machines, apparatus or hand tools for branding, e.g. using radiant energy such as laser beams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/007—Marks, e.g. trade marks
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイアモンドに識別印を与える方法及
び装置に関するものである。
び装置に関するものである。
ダイアモンドの取扱いにおいては、種々の特徴
によつて分類することが通常行われる。すなわち
ダイアモンドは色、重さ、完全さの程度および販
売者によつて分類されるのが普通である。これら
の分類はダイアモンドの価値を決定するものであ
るから、これらの分類はダイアモンドが最初の販
売者から最後の購買者まで動く間ダイアモンドに
付随していなければならない。しかしながら、現
在までのところダイアモンドの外観をそこなうこ
となくしたがつてその価値を減ずることなく直接
この情報を消えないように印加あるいは記入する
ことは不可能である。そのため、この情報は移送
に際してダイアモンドとは別に連絡しなければな
らない。このことは危険がともなう。というの
は、その情報を失つたり、違うダイアモンドと組
合せたり、あるいは意図的にごまかしの表示をし
たりする可能性が常に存在するからである。情報
を失つたり、間違えて組合わせた場合には、その
ダイアモンドの価値を再決定するのに装置と人手
にかなりの出費をして再分類を行わなければなら
なくなる。一方意図的にごまかしの情報表示を行
つた場合には、購入者をだますことになる。
によつて分類することが通常行われる。すなわち
ダイアモンドは色、重さ、完全さの程度および販
売者によつて分類されるのが普通である。これら
の分類はダイアモンドの価値を決定するものであ
るから、これらの分類はダイアモンドが最初の販
売者から最後の購買者まで動く間ダイアモンドに
付随していなければならない。しかしながら、現
在までのところダイアモンドの外観をそこなうこ
となくしたがつてその価値を減ずることなく直接
この情報を消えないように印加あるいは記入する
ことは不可能である。そのため、この情報は移送
に際してダイアモンドとは別に連絡しなければな
らない。このことは危険がともなう。というの
は、その情報を失つたり、違うダイアモンドと組
合せたり、あるいは意図的にごまかしの表示をし
たりする可能性が常に存在するからである。情報
を失つたり、間違えて組合わせた場合には、その
ダイアモンドの価値を再決定するのに装置と人手
にかなりの出費をして再分類を行わなければなら
なくなる。一方意図的にごまかしの情報表示を行
つた場合には、購入者をだますことになる。
したがつて、本発明の目的はダイアモンドの価
値を保存するようなやり方でダイアモンド上に印
をつける方法を提供することである。
値を保存するようなやり方でダイアモンド上に印
をつける方法を提供することである。
本発明のもう一つの目的はダイアモンド上にダ
イアモンドの価値を減じることなく識別用の印を
除去することができないように印加する装置を提
供することである。
イアモンドの価値を減じることなく識別用の印を
除去することができないように印加する装置を提
供することである。
本発明の原理によれば、前述およびその他の目
的は、ダイアモンドの表面に望みの印を刻むよう
に制御されたレーザー光束をダイアモンドの表面
に当ててダイアモンド識別用の印をつけることに
よつて実現される。レーザー光束を用いることに
より非常に小さな刻印光束寸法の実現が可能であ
り、したがつて人間の眼では認められないほどの
印をつけることができる。したがつてダイアモン
ド価値の減少を実質的に避けることができ、一方
この印を除去することはダイアモンドを扱つてい
る大部分の人によつては容易に実行できずまたそ
うすることは価値を減じることになるある程度の
ダイアモンド再カツトを必要とするという意味
で、消すことのできないまた完全な識別用の印が
形成されたと言うことができる。
的は、ダイアモンドの表面に望みの印を刻むよう
に制御されたレーザー光束をダイアモンドの表面
に当ててダイアモンド識別用の印をつけることに
よつて実現される。レーザー光束を用いることに
より非常に小さな刻印光束寸法の実現が可能であ
り、したがつて人間の眼では認められないほどの
印をつけることができる。したがつてダイアモン
ド価値の減少を実質的に避けることができ、一方
この印を除去することはダイアモンドを扱つてい
る大部分の人によつては容易に実行できずまたそ
うすることは価値を減じることになるある程度の
ダイアモンド再カツトを必要とするという意味
で、消すことのできないまた完全な識別用の印が
形成されたと言うことができる。
本発明によれば、ダイアモンドの表面にレーザ
ー光束を当て該レーザー光束が前記ダイアモンド
の表面に印を刻むことができるように該レーザー
光束を制御し該印に対応する経路に沿つてダイア
モンド表面上連続する位置に該レーザー光束を間
欠的に移動させるに当り、各連続する位置を選択
して、各位置において該レーザー光束が、該印上
直前の位置で光束により覆われるダイアモンド表
面領域に重なるダイアモンド表面領域を覆うよに
なし、ダイアモンド表面を前記各位置で黒鉛化し
刻むようにレーザー光束のパワーを調節すること
を特徴とするダイアモンドに識別印を与える方法
が得られる。
ー光束を当て該レーザー光束が前記ダイアモンド
の表面に印を刻むことができるように該レーザー
光束を制御し該印に対応する経路に沿つてダイア
モンド表面上連続する位置に該レーザー光束を間
欠的に移動させるに当り、各連続する位置を選択
して、各位置において該レーザー光束が、該印上
直前の位置で光束により覆われるダイアモンド表
面領域に重なるダイアモンド表面領域を覆うよに
なし、ダイアモンド表面を前記各位置で黒鉛化し
刻むようにレーザー光束のパワーを調節すること
を特徴とするダイアモンドに識別印を与える方法
が得られる。
また本発明によれば、エネルギー吸収物質を有
するダイアモンドの表面にレーザー光束を当て該
レーザー光束が前記ダイアモンドの表面に印を刻
むことができるように該レーザー光束を制御し該
印に対応する経路に沿つてダイアモンド表面上連
続する位置に該レーザー光束を間欠的に移動させ
るに当り、各連続する位置を選択して、各位置に
おいて、該レーザー光束が該印の直前の位置で光
束により覆われるダイアモンド表面領域に重なる
ダイアモンド表面領域を覆うようになし、ダイア
モンド表面を前記各位置で刻むようにレーザー光
束のパワーを調節し、この際レーザー光束のパワ
ーを調節して、該印の経路の第1の位置に、該経
路の後続の位置に与えられるパルスのエネルギー
よりも高いエネルギーのパルスを与えることを特
徴とするダイアモンドに識別印を与える方法が得
られる。
するダイアモンドの表面にレーザー光束を当て該
レーザー光束が前記ダイアモンドの表面に印を刻
むことができるように該レーザー光束を制御し該
印に対応する経路に沿つてダイアモンド表面上連
続する位置に該レーザー光束を間欠的に移動させ
るに当り、各連続する位置を選択して、各位置に
おいて、該レーザー光束が該印の直前の位置で光
束により覆われるダイアモンド表面領域に重なる
ダイアモンド表面領域を覆うようになし、ダイア
モンド表面を前記各位置で刻むようにレーザー光
束のパワーを調節し、この際レーザー光束のパワ
ーを調節して、該印の経路の第1の位置に、該経
路の後続の位置に与えられるパルスのエネルギー
よりも高いエネルギーのパルスを与えることを特
徴とするダイアモンドに識別印を与える方法が得
られる。
さらに本発明によれば、ダイアモンド支持装置
と、レーザー光束生成装置と、レーザー光束をダ
イアモンドの表面に収束させる装置と、印に対応
する経路に沿つてダイアモンド表面上連続する位
置にレーザー光束を間欠的に移動させる装置と、
レーザー光束のパワーを調節して前記各位置で前
記ダイアモンドの表面を黒鉛化し刻む装置とより
なる、ダイアモンドに識別印を与える装置が得ら
れる。
と、レーザー光束生成装置と、レーザー光束をダ
イアモンドの表面に収束させる装置と、印に対応
する経路に沿つてダイアモンド表面上連続する位
置にレーザー光束を間欠的に移動させる装置と、
レーザー光束のパワーを調節して前記各位置で前
記ダイアモンドの表面を黒鉛化し刻む装置とより
なる、ダイアモンドに識別印を与える装置が得ら
れる。
ここで開示する本発明の実施において、レーザ
ー光束をダイアモンドの表面に収束させ、望みの
該印が生じるように刻むべき印によつて定まる経
路を走査する。また、各々の刻印の開始にあたつ
て、ダイアモンドに与えられる光束のエネルギー
は黒鉛化を生じるのに十分なものである。それか
らあとの刻印操作はより小さなパワーで実行する
ことができる。
ー光束をダイアモンドの表面に収束させ、望みの
該印が生じるように刻むべき印によつて定まる経
路を走査する。また、各々の刻印の開始にあたつ
て、ダイアモンドに与えられる光束のエネルギー
は黒鉛化を生じるのに十分なものである。それか
らあとの刻印操作はより小さなパワーで実行する
ことができる。
本発明の前述およびその他の特徴は以下の添付
図面を用いたより詳細な説明により明らかになる
と思われる。
図面を用いたより詳細な説明により明らかになる
と思われる。
第1図において、レーザー光束生成装置2はダ
イアモンド表面4上に一つあるいは複数の印を刻
む目的でレーザー光束3のパルスをダイアモンド
5に当てる。この印は任意の型のもので良く、例
えば数字、文字、単語、装飾図形、商標、肖像、
像、印形、紋章、名前、家紋などが使用できる。
さらにこの印はダイアモンドの価値に関連する前
述の分類情報(色、重さ、完全さの程度、販売
者)を表示するものとすることができる。
イアモンド表面4上に一つあるいは複数の印を刻
む目的でレーザー光束3のパルスをダイアモンド
5に当てる。この印は任意の型のもので良く、例
えば数字、文字、単語、装飾図形、商標、肖像、
像、印形、紋章、名前、家紋などが使用できる。
さらにこの印はダイアモンドの価値に関連する前
述の分類情報(色、重さ、完全さの程度、販売
者)を表示するものとすることができる。
示されている表面4はダイアモンドの“縁”と
呼ばれているものである。しかしながら、指摘し
ておくべきことは本発明の原理はダイアモンド5
の任意の表面上に印を刻むのに応用できるという
ことである。
呼ばれているものである。しかしながら、指摘し
ておくべきことは本発明の原理はダイアモンド5
の任意の表面上に印を刻むのに応用できるという
ことである。
ダイアモンド表面の刻印を開始するために、オ
ペレータは入力装置すなわちキーボード88を通
じて電源および水冷装置24をオンにしてレーザ
ー21を動作状態にする。そうするとマイクロプ
ロセツサはジエネレータ69と70に信号を送
り、光束3にある定まつた量のxおよびz方向の
偏向を与えるためにデイジタル偏向装置61およ
び63を条件づける。音響−光学式偏向装置の場
合には、これは必要な光束の偏向量に対応する無
線周波数において各偏向装置にある音響妨害を与
えるということである。
ペレータは入力装置すなわちキーボード88を通
じて電源および水冷装置24をオンにしてレーザ
ー21を動作状態にする。そうするとマイクロプ
ロセツサはジエネレータ69と70に信号を送
り、光束3にある定まつた量のxおよびz方向の
偏向を与えるためにデイジタル偏向装置61およ
び63を条件づける。音響−光学式偏向装置の場
合には、これは必要な光束の偏向量に対応する無
線周波数において各偏向装置にある音響妨害を与
えるということである。
ジエネレータ69と70および偏向装置61と
63は第2図に示されているような位置の配列を
決定し、その位置に向かつて光束3を偏光するこ
とができる。マイクロプロセツサ85からジエネ
レータに送られる励起信号は基本的にはこれらの
位置のうち一つを選択し、それがその刻印におけ
る開始位置となる。
63は第2図に示されているような位置の配列を
決定し、その位置に向かつて光束3を偏光するこ
とができる。マイクロプロセツサ85からジエネ
レータに送られる励起信号は基本的にはこれらの
位置のうち一つを選択し、それがその刻印におけ
る開始位置となる。
ジエネレータ69はまた変調器61′をオン・
オフするための信号を送る。ここで説明している
ケースでは、この信号は変調器を全開の状態に
し、したがつて光束3の全部が通過することがで
きる。そのような光束強度の場合には刻印光束幅
で覆われる領域において、収束した光束3が表面
4に十分刻印することができる。大部分の応用に
おいて典型的な光束3のパワーは、光束3が可変
減衰器65を出るとき、0.5から5K.W.の範囲に
あるであろうが、使用される特定のパワー値は中
でも光束3の走査速度およびパルス繰返し数に依
存する。普通走査速度は1mm/sec、パルス繰返
し数は1KHzとすることができるであろう。
オフするための信号を送る。ここで説明している
ケースでは、この信号は変調器を全開の状態に
し、したがつて光束3の全部が通過することがで
きる。そのような光束強度の場合には刻印光束幅
で覆われる領域において、収束した光束3が表面
4に十分刻印することができる。大部分の応用に
おいて典型的な光束3のパワーは、光束3が可変
減衰器65を出るとき、0.5から5K.W.の範囲に
あるであろうが、使用される特定のパワー値は中
でも光束3の走査速度およびパルス繰返し数に依
存する。普通走査速度は1mm/sec、パルス繰返
し数は1KHzとすることができるであろう。
初期偏向条件および適当な変調器の条件が設定
されたら、マイクロプロセツサ85はジエネレー
タ23に信号を送りQスイツチ22を作動させて
光束3が光学系6を通つてダイアモンド5の表面
4に達することを可能にする。そのように通過し
ている間に、光束3はそれぞれの偏向装置61お
よび63によつて偏向され、また可変減衰器65
によつて全強度が通過することが可能になり、そ
して表面4上に収束する。したがつて、第3図に
示すように表面の第1の要素領域A1が刻印され
る。
されたら、マイクロプロセツサ85はジエネレー
タ23に信号を送りQスイツチ22を作動させて
光束3が光学系6を通つてダイアモンド5の表面
4に達することを可能にする。そのように通過し
ている間に、光束3はそれぞれの偏向装置61お
よび63によつて偏向され、また可変減衰器65
によつて全強度が通過することが可能になり、そ
して表面4上に収束する。したがつて、第3図に
示すように表面の第1の要素領域A1が刻印され
る。
この後、マイクロプロセツサ85により偏向量
が指示される。すなわちメモリ87内のプログラ
ムに従つてジエネレータ69および70に信号を
送ると、Qスイツチが作動し、表面4上に後続の
要素領域A2…………ANが刻まれ第3図に示され
るAのような望みの印が完成する。そうすると、
マイクロプロセツサ85は再びパルス・ジエネレ
ータ23に信号を送りQスイツチ22を閉じる。
したがつて、もはや光束3はダイアモンドの表面
に入射することはできない。
が指示される。すなわちメモリ87内のプログラ
ムに従つてジエネレータ69および70に信号を
送ると、Qスイツチが作動し、表面4上に後続の
要素領域A2…………ANが刻まれ第3図に示され
るAのような望みの印が完成する。そうすると、
マイクロプロセツサ85は再びパルス・ジエネレ
ータ23に信号を送りQスイツチ22を閉じる。
したがつて、もはや光束3はダイアモンドの表面
に入射することはできない。
もしオペレータの最初の命令がさらに印を刻む
というものであつた場合には、マイクロプロセツ
サ85は適当な駆動素子(切り子面を有する表面
のときは81、湾曲表面のときは83)に指示し
てその素子にそれぞれモータおよびそのモータに
対応する台を作動させる。したがつて、ダイアモ
ンド5は表面4のまだ刻印されていない領域が光
束3の収束点に来るように動かされる。そのあ
と、マイクロプロセツサは再びジエネレータ69
と70に信号を送り、第2の印の開始点を定める
最初の位置に光束3を配置するために偏向装置6
1と63における偏向量を設定する。それから、
パルス発生装置23はマイクロプロセツサ85に
より指示されて、Qスイツチ22を作動させ光束
3の通過を可能にする。そうして、第2の印の最
初の要素領域が刻まれる。前述のようにジエネレ
ータ69と70に引続き指示が与えられ、表面4
上に望みの第2の印が生成される。同様にしてさ
らに印が刻まれる。
というものであつた場合には、マイクロプロセツ
サ85は適当な駆動素子(切り子面を有する表面
のときは81、湾曲表面のときは83)に指示し
てその素子にそれぞれモータおよびそのモータに
対応する台を作動させる。したがつて、ダイアモ
ンド5は表面4のまだ刻印されていない領域が光
束3の収束点に来るように動かされる。そのあ
と、マイクロプロセツサは再びジエネレータ69
と70に信号を送り、第2の印の開始点を定める
最初の位置に光束3を配置するために偏向装置6
1と63における偏向量を設定する。それから、
パルス発生装置23はマイクロプロセツサ85に
より指示されて、Qスイツチ22を作動させ光束
3の通過を可能にする。そうして、第2の印の最
初の要素領域が刻まれる。前述のようにジエネレ
ータ69と70に引続き指示が与えられ、表面4
上に望みの第2の印が生成される。同様にしてさ
らに印が刻まれる。
前述の説明から理解されるように、各々の要素
領域A,A2,…………ANが刻まれたあとQスイ
ツチは作動状態のままであり、また次の要素領域
を刻むように装置が条件づけられているときにも
作動状態のままである。さらに、次の要素領域が
次の印の最初の点である場合には、Qスイツチは
次の領域が同じ印内にある場合よりも長い時間閉
じたままになる。その結果、各々の第1の刻印要
素領域(例えばA1)に与えられる光束3のパルス
のエネルギーは、同じ印の後続の領域に与えられ
るパルスのエネルギーよりも大きくなる。各々の
刻印の開始におけるこの高いエネルギーのパルス
によりダイアモンド表面において必要な初期黒鉛
化が行われる。この黒鉛化により、隣接領域はレ
ーザー・エネルギーをより良く吸収することがで
きるようになる。したがつて、最初のパルスに続
いてこの隣接領域に入射するより低いエネルギー
のパルスはその領域を黒鉛化して刻むことができ
る。最初の領域がその隣接領域と重なりこの領域
を条件づけるようにすれば、次のパルスを受けと
つたとき、この隣接領域は黒鉛化されて刻まれる
ことになる。刻印が完了するまで、表面領域のこ
のような条件づけと低いエネルギーのパルスによ
り黒鉛化して刻むことを継続する。
領域A,A2,…………ANが刻まれたあとQスイ
ツチは作動状態のままであり、また次の要素領域
を刻むように装置が条件づけられているときにも
作動状態のままである。さらに、次の要素領域が
次の印の最初の点である場合には、Qスイツチは
次の領域が同じ印内にある場合よりも長い時間閉
じたままになる。その結果、各々の第1の刻印要
素領域(例えばA1)に与えられる光束3のパルス
のエネルギーは、同じ印の後続の領域に与えられ
るパルスのエネルギーよりも大きくなる。各々の
刻印の開始におけるこの高いエネルギーのパルス
によりダイアモンド表面において必要な初期黒鉛
化が行われる。この黒鉛化により、隣接領域はレ
ーザー・エネルギーをより良く吸収することがで
きるようになる。したがつて、最初のパルスに続
いてこの隣接領域に入射するより低いエネルギー
のパルスはその領域を黒鉛化して刻むことができ
る。最初の領域がその隣接領域と重なりこの領域
を条件づけるようにすれば、次のパルスを受けと
つたとき、この隣接領域は黒鉛化されて刻まれる
ことになる。刻印が完了するまで、表面領域のこ
のような条件づけと低いエネルギーのパルスによ
り黒鉛化して刻むことを継続する。
前述のように、Qスイツチ22が作動したあと
第1のパルスにより黒鉛化を起させるためには、
このパルスのエネルギーは適当な水準になければ
ならない。したがつて、マイクロプロセツサ85
はそのようなエネルギー以上の初期パルスが生成
されるのに十分な時間だけ二つの刻印の合間にQ
スイツチを閉じておかなければならない。Nd−
YAGレーザーの場合、これはQスイツチを約1
ミリ秒以上閉じておくことを意味する。
第1のパルスにより黒鉛化を起させるためには、
このパルスのエネルギーは適当な水準になければ
ならない。したがつて、マイクロプロセツサ85
はそのようなエネルギー以上の初期パルスが生成
されるのに十分な時間だけ二つの刻印の合間にQ
スイツチを閉じておかなければならない。Nd−
YAGレーザーの場合、これはQスイツチを約1
ミリ秒以上閉じておくことを意味する。
さらに、前に刻んだ要素領域から離れた要素領
域(すなわち隣接していない要素領域)に光束3
を移動させて刻む必要がある場合には、再び刻印
の開始時と同様な初期黒鉛化が必要になる。した
がつて、同様な高エネルギーのパルスが必要であ
る。この場合、マイクロプロセツサ85はこのよ
うな移動のときにも次のレーザー・パルスが黒鉛
化を行うのに十分なエネルギーを持つに足る時間
だけQスイツチを閉じておくことを保証する。
域(すなわち隣接していない要素領域)に光束3
を移動させて刻む必要がある場合には、再び刻印
の開始時と同様な初期黒鉛化が必要になる。した
がつて、同様な高エネルギーのパルスが必要であ
る。この場合、マイクロプロセツサ85はこのよ
うな移動のときにも次のレーザー・パルスが黒鉛
化を行うのに十分なエネルギーを持つに足る時間
だけQスイツチを閉じておくことを保証する。
前述のように、表面4の領域を刻んである印を
形成するための光束3のステツプ移動は、連続す
る刻まれる要素領域(例えばA1,A2)が重なるよ
うに行われなければならない。この重なりにより
光束が後続の領域を黒鉛化し刻むことが保証され
る。またこの重なりにより刻印が実質的に均一で
したがつて適当に拡大すれば容易に読めるような
ものになる。そのような均一な状態を得るのに適
当な使用できる重なりは約85パーセントである。
形成するための光束3のステツプ移動は、連続す
る刻まれる要素領域(例えばA1,A2)が重なるよ
うに行われなければならない。この重なりにより
光束が後続の領域を黒鉛化し刻むことが保証され
る。またこの重なりにより刻印が実質的に均一で
したがつて適当に拡大すれば容易に読めるような
ものになる。そのような均一な状態を得るのに適
当な使用できる重なりは約85パーセントである。
ある種の極端に透明あるいは非常によく磨いて
あるダイアモンドの場合には前述のQスイツチさ
れた初期パルスはダイアモンドの表面を黒鉛化す
るにはまず不十分であるかもしれないということ
を指摘しておくべきである。したがつて、この種
のダイアモンドに刻印する場合には、刻印に先立
つて、エネルギー吸収物質例えばカーボンブラツ
クの懸濁液を表面4に塗布しておくことが望まし
い。この物質を乾燥させてから、レーザー・エネ
ルギーを加えるとよく吸収されしたがつて刻印を
より順調に行うことができる。
あるダイアモンドの場合には前述のQスイツチさ
れた初期パルスはダイアモンドの表面を黒鉛化す
るにはまず不十分であるかもしれないということ
を指摘しておくべきである。したがつて、この種
のダイアモンドに刻印する場合には、刻印に先立
つて、エネルギー吸収物質例えばカーボンブラツ
クの懸濁液を表面4に塗布しておくことが望まし
い。この物質を乾燥させてから、レーザー・エネ
ルギーを加えるとよく吸収されしたがつて刻印を
より順調に行うことができる。
ダイアモンド5の刻印が完了すると、オペレー
タは顕微鏡68と斜めからの照明を用いて表面4
を観察し刻印が正しく行なわれたかどうかを調べ
ることができる。そして、もし印が刻まれていな
い場合には、オペレータはその事実をコンピユー
タ制御装置8に伝えることができ、装置8はダイ
アモンドのしかるべき位置に戻つて必要な印を刻
むことができる。
タは顕微鏡68と斜めからの照明を用いて表面4
を観察し刻印が正しく行なわれたかどうかを調べ
ることができる。そして、もし印が刻まれていな
い場合には、オペレータはその事実をコンピユー
タ制御装置8に伝えることができ、装置8はダイ
アモンドのしかるべき位置に戻つて必要な印を刻
むことができる。
ダイアモンド5上に印を刻む前に、最初コンピ
ユータ装置8に印の長さおよび表面4の幾何的形
状に関する情報を与えるための手順を実行しなけ
ればならない。表面4は種々の形をとり得る。稜
を有する平面状の表面(切り子面)であることも
あるし、あるいは湾曲しているかあるいはしてい
ない連続表面であることもある。印と表面形状に
関する情報により、コンピユータは記憶装置87
に記憶されている計算副プログラムによつてダイ
アモンド5を正しく指示しまた光束3焦点におい
て光束3と表面4の領域とが会するような関係に
持つて来るために台装置7を制御するのに必要な
信号を作り出すことが可能になる。ダイアモンド
5の上と前に取付けてある観測用顕微鏡101と
68はこの情報を得るのを助けるために設けられ
ている。示されているように、顕微鏡101によ
りダイアモンドを上から直接見ることが可能であ
り、一方顕微鏡68により光束スプリツタ67を
経由してダイアモンドを前方から見ることが可能
である。
ユータ装置8に印の長さおよび表面4の幾何的形
状に関する情報を与えるための手順を実行しなけ
ればならない。表面4は種々の形をとり得る。稜
を有する平面状の表面(切り子面)であることも
あるし、あるいは湾曲しているかあるいはしてい
ない連続表面であることもある。印と表面形状に
関する情報により、コンピユータは記憶装置87
に記憶されている計算副プログラムによつてダイ
アモンド5を正しく指示しまた光束3焦点におい
て光束3と表面4の領域とが会するような関係に
持つて来るために台装置7を制御するのに必要な
信号を作り出すことが可能になる。ダイアモンド
5の上と前に取付けてある観測用顕微鏡101と
68はこの情報を得るのを助けるために設けられ
ている。示されているように、顕微鏡101によ
りダイアモンドを上から直接見ることが可能であ
り、一方顕微鏡68により光束スプリツタ67を
経由してダイアモンドを前方から見ることが可能
である。
この初期手順の説明は表面4がダイアモンド5
の縁にあるものとして行つているが、この議論は
他の表面領域に対しても容易に適用することがで
きる。オペレータはキーボード88により刻むべ
き印を示すコードを記憶装置87に入力すること
によつてこの手順を開始する。それからマイクロ
プロセツサ85は再びキーボード操作により入力
された印により覆われる全長を計算し記憶装置に
記憶することを開始する。そのあと、ダイアモン
ドを顕微鏡68で観察し、ダイアモンド固定具
(示されていない)をマイクロメータ(示されて
いない)によつてz方向に沿つて動かし顕微鏡の
照準用十字線の水平線にまず上部縁の稜を合わせ
次に下部縁の稜を合わせる。それからこれらの調
整位置におけるマイクロメータの読みの違いをオ
ペレータが読みとり、それをキーボード88によ
り記憶装置87に入力する。
の縁にあるものとして行つているが、この議論は
他の表面領域に対しても容易に適用することがで
きる。オペレータはキーボード88により刻むべ
き印を示すコードを記憶装置87に入力すること
によつてこの手順を開始する。それからマイクロ
プロセツサ85は再びキーボード操作により入力
された印により覆われる全長を計算し記憶装置に
記憶することを開始する。そのあと、ダイアモン
ドを顕微鏡68で観察し、ダイアモンド固定具
(示されていない)をマイクロメータ(示されて
いない)によつてz方向に沿つて動かし顕微鏡の
照準用十字線の水平線にまず上部縁の稜を合わせ
次に下部縁の稜を合わせる。それからこれらの調
整位置におけるマイクロメータの読みの違いをオ
ペレータが読みとり、それをキーボード88によ
り記憶装置87に入力する。
次に、オペレータは顕微鏡101によりダイア
モンドを上から見て、ジヨイ・ステイツク制御装
置86を操作して重ね台71および72を動かし
ダイアモンドをxおよびy方向に変位させて、縁
の輪郭上の一点が顕微鏡の照準用十字線の交点に
来るようにする。この操作を行なつているとき、
もし一つ以上の切り子面の稜が見えたら、オペレ
ータは、キーボード88により、入力される情報
を切り子面を有する表面に適合する副プログラム
により解析し記憶装置87に記憶せよという指示
を与えるコードをマイクロプロセツサに入力す
る。切り子面の稜が観察されないで連続した表面
である場合には、何も入力しない。マイクロプロ
セツサは湾曲した表面に適合する副プログラムに
より入力されている情報を自動的に解析する。そ
の表面に対して使用すべき副プログラムの型につ
いてマイクロプロセツサの用意が整つてから、キ
ーボードのストア・キーを押すと、重ね台71お
よび72の位置がマイクロプロセツサ85により
それぞれの駆動素子から記憶装置87に送られ
る。
モンドを上から見て、ジヨイ・ステイツク制御装
置86を操作して重ね台71および72を動かし
ダイアモンドをxおよびy方向に変位させて、縁
の輪郭上の一点が顕微鏡の照準用十字線の交点に
来るようにする。この操作を行なつているとき、
もし一つ以上の切り子面の稜が見えたら、オペレ
ータは、キーボード88により、入力される情報
を切り子面を有する表面に適合する副プログラム
により解析し記憶装置87に記憶せよという指示
を与えるコードをマイクロプロセツサに入力す
る。切り子面の稜が観察されないで連続した表面
である場合には、何も入力しない。マイクロプロ
セツサは湾曲した表面に適合する副プログラムに
より入力されている情報を自動的に解析する。そ
の表面に対して使用すべき副プログラムの型につ
いてマイクロプロセツサの用意が整つてから、キ
ーボードのストア・キーを押すと、重ね台71お
よび72の位置がマイクロプロセツサ85により
それぞれの駆動素子から記憶装置87に送られ
る。
それからオペレータは再びジヨイ・ステイツク
制御装置を操作して重ね台71および72を動か
し縁上のもう一つの点が照準用十字線の交点に来
るようにする。この操作で行う制御の型はどの副
プログラムが働いているかによつて異なる。湾曲
した表面に適合するプログラムが働いている場合
には重ね台71をダイアモンドに対してある一定
のx方向変位を与えるように動かす。その次に重
ね台72を動かして前記もう一つの点が照準用十
字線の交点に一致するまでさらにy方向変位を与
える。もし切り子面を有する表面に適合する副プ
ログラムが働いている場合には、次の切り子面の
稜が照準用十字線の交点に来るまで重ね台71お
よび72をxおよびy方向に変位させる。前記も
う一つの点がいつたん照準用十字線の交点に持つ
て来たら、この台の変位を再び記憶装置87に入
力する。
制御装置を操作して重ね台71および72を動か
し縁上のもう一つの点が照準用十字線の交点に来
るようにする。この操作で行う制御の型はどの副
プログラムが働いているかによつて異なる。湾曲
した表面に適合するプログラムが働いている場合
には重ね台71をダイアモンドに対してある一定
のx方向変位を与えるように動かす。その次に重
ね台72を動かして前記もう一つの点が照準用十
字線の交点に一致するまでさらにy方向変位を与
える。もし切り子面を有する表面に適合する副プ
ログラムが働いている場合には、次の切り子面の
稜が照準用十字線の交点に来るまで重ね台71お
よび72をxおよびy方向に変位させる。前記も
う一つの点がいつたん照準用十字線の交点に持つ
て来たら、この台の変位を再び記憶装置87に入
力する。
縁の輪郭上の点を顕微鏡の照準用十字線の交点
に持つて来るように台を動かしそして台の変位を
記憶する前述の手順は、切り子面の長さの合計が
あらかじめ記憶されている印の全長を越えるまで
続ける。この合計はマイクロプロセツサにより自
動的に計算され表示装置89上に表示される。
に持つて来るように台を動かしそして台の変位を
記憶する前述の手順は、切り子面の長さの合計が
あらかじめ記憶されている印の全長を越えるまで
続ける。この合計はマイクロプロセツサにより自
動的に計算され表示装置89上に表示される。
この時点で、マイクロプロセツサはダイアモン
ドを正しく配置するのに必要な印およびダイアモ
ンド表面形状に関する必要データをすべて得たこ
とになる。湾曲表面の場合には、入力されたデー
タは副プログラムにより曲率半径および表面の回
転中心を導出するのに使用される。それから重ね
台71,72および74はこの回転中心が重ね台
73の回転中心に来るようにまた縁上の開始点が
光束3の収束点に来るように動かされる。切り子
面を有する表面の場合には、入力されたデータは
切り子面間の交角を決定するのに使用される。そ
れから各台は一つの切り子面が光束3の軸と直交
するようにまたその切り子面上の稜に近い一点が
光束3の収束点に来るように配置される。
ドを正しく配置するのに必要な印およびダイアモ
ンド表面形状に関する必要データをすべて得たこ
とになる。湾曲表面の場合には、入力されたデー
タは副プログラムにより曲率半径および表面の回
転中心を導出するのに使用される。それから重ね
台71,72および74はこの回転中心が重ね台
73の回転中心に来るようにまた縁上の開始点が
光束3の収束点に来るように動かされる。切り子
面を有する表面の場合には、入力されたデータは
切り子面間の交角を決定するのに使用される。そ
れから各台は一つの切り子面が光束3の軸と直交
するようにまたその切り子面上の稜に近い一点が
光束3の収束点に来るように配置される。
表面4の形状および印の長さに基づいて前述の
ようにダイアモンドを配置したら、引続いて刻印
のためにダイアモンドを操作することはマイクロ
プロセツサが台装置7を制御することによりもは
や容易に実行され得る。湾曲した表面の場合に
は、この操作はまだ刻まれていない領域を光束3
の収束点に持つて来るために単に重ね台73を回
転させるだけのことである。切り子面を有する表
面の場合には、重ね台71を平行移動させてその
ような領域を光束の収束点に持つて来る。しか
し、この場合にもし刻印長が切り子面の長さを越
えたり、あるいはある文字が切り子面の交線に来
たりする時には、マイクロプロセツサ85は既に
交線の位置を記憶しているので、台装置7に信号
を送り、前の切り子面と同様のやり方で次の切り
子面をしかるべき位置に持つて来させる。
ようにダイアモンドを配置したら、引続いて刻印
のためにダイアモンドを操作することはマイクロ
プロセツサが台装置7を制御することによりもは
や容易に実行され得る。湾曲した表面の場合に
は、この操作はまだ刻まれていない領域を光束3
の収束点に持つて来るために単に重ね台73を回
転させるだけのことである。切り子面を有する表
面の場合には、重ね台71を平行移動させてその
ような領域を光束の収束点に持つて来る。しか
し、この場合にもし刻印長が切り子面の長さを越
えたり、あるいはある文字が切り子面の交線に来
たりする時には、マイクロプロセツサ85は既に
交線の位置を記憶しているので、台装置7に信号
を送り、前の切り子面と同様のやり方で次の切り
子面をしかるべき位置に持つて来させる。
いつたんこの初期手順が完了すると、装置は上
述したところにしたがつてダイアモンド5の表面
4に入力された印を刻む準備が整つたことにな
る。
述したところにしたがつてダイアモンド5の表面
4に入力された印を刻む準備が整つたことにな
る。
ダイアモンドの表面に識別印を与える上述の方
法を実施するのに有用な装置を第1図に示し、以
下述べることとする。
法を実施するのに有用な装置を第1図に示し、以
下述べることとする。
レーザー光束3を表面4に当てるのを制御する
のは光学系6であり、光学系6はレーザー光束生
成装置2とダイアモンド5との間にある。この光
学系6は光束3の位置決めと制御を行い、光束が
表面4を刻みあるいは溝をつけて実質的にダイア
モンドの価値を保存するところの消すことができ
ずまたもし除去すればかなり価値を減じることに
なるような印をつけるようにする。
のは光学系6であり、光学系6はレーザー光束生
成装置2とダイアモンド5との間にある。この光
学系6は光束3の位置決めと制御を行い、光束が
表面4を刻みあるいは溝をつけて実質的にダイア
モンドの価値を保存するところの消すことができ
ずまたもし除去すればかなり価値を減じることに
なるような印をつけるようにする。
本発明によれば、ダイアモンド5に刻印するの
に十分な強度を有する光束3の表面4における広
がり(以下“光束の刻印幅”と呼ぶ)は、約100
ミクロン以下に保たれ、したがつて光束は同じ位
の幅でしたがつて人間の眼には認められない程の
印を刻むことになる。
に十分な強度を有する光束3の表面4における広
がり(以下“光束の刻印幅”と呼ぶ)は、約100
ミクロン以下に保たれ、したがつて光束は同じ位
の幅でしたがつて人間の眼には認められない程の
印を刻むことになる。
本発明において、前述の光束幅範囲はすべて使
用することができるが、刻まれる印がこの産業に
おける宝石商によつて現在使用されている拡大装
置で容易に観察できるものであるような光束の刻
印幅を選択するのが望ましい。したがつて、従来
から用いられている10倍(10×)の拡大鏡で読み
とることのできる印を刻む光束の刻印幅が便利で
あろう。というのは、この拡大鏡はこの職業にお
いて普通に使用されているものだからである。光
学系6は光束3を収束させまた刻印されている表
面領域が収束光束の焦点深度内にあるように刻印
中光束を配置することを確実にすることによつて
望ましい広がりを有する光束の刻印幅を提供す
る。
用することができるが、刻まれる印がこの産業に
おける宝石商によつて現在使用されている拡大装
置で容易に観察できるものであるような光束の刻
印幅を選択するのが望ましい。したがつて、従来
から用いられている10倍(10×)の拡大鏡で読み
とることのできる印を刻む光束の刻印幅が便利で
あろう。というのは、この拡大鏡はこの職業にお
いて普通に使用されているものだからである。光
学系6は光束3を収束させまた刻印されている表
面領域が収束光束の焦点深度内にあるように刻印
中光束を配置することを確実にすることによつて
望ましい広がりを有する光束の刻印幅を提供す
る。
台装置7はダイアモンド5を支え、刻印作業中
ダイアモンドの表面4を光束3の焦点位置に維持
するように調整されている。この台装置7は光学
系6およびレーザー生成装置2と同様にコンピユ
ータ制御装置8により順次制御される。
ダイアモンドの表面4を光束3の焦点位置に維持
するように調整されている。この台装置7は光学
系6およびレーザー生成装置2と同様にコンピユ
ータ制御装置8により順次制御される。
台装置7は四つの重ね台71,72,73およ
び74を有し、これは順次重ねられ、まとめて固
定支持台あるいは支持枠75に取付けられてい
る。重ね台71から74の各々はダイアモンド5
を持定の様式で動かすことができる。互いに直交
している座標系x,y,zのxおよびy方向に沿
つての平行移動はそれぞれ重ね台71および72
によつて行われる。ただし、xおよびy方向はそ
れぞれ図面が描かれている紙面の向こう側へ向か
う水平方向と紙面内の水平方向である。ダイアモ
ンド5はは重ね台73を操作することによりz方
向(図面の描かれている紙面内の垂直方向)のま
わりに回転させられる。残りの可動台74はダイ
アモンドをさらにy方向に平行移動させるのに使
用される。
び74を有し、これは順次重ねられ、まとめて固
定支持台あるいは支持枠75に取付けられてい
る。重ね台71から74の各々はダイアモンド5
を持定の様式で動かすことができる。互いに直交
している座標系x,y,zのxおよびy方向に沿
つての平行移動はそれぞれ重ね台71および72
によつて行われる。ただし、xおよびy方向はそ
れぞれ図面が描かれている紙面の向こう側へ向か
う水平方向と紙面内の水平方向である。ダイアモ
ンド5はは重ね台73を操作することによりz方
向(図面の描かれている紙面内の垂直方向)のま
わりに回転させられる。残りの可動台74はダイ
アモンドをさらにy方向に平行移動させるのに使
用される。
ステツプ・モータ76,77,78および79
はそれぞれ重ね台71,72,73および74を
駆動する。またこれらのモータはアナログ開始信
号(analog activation signal)をコンピユータ
制御装置8の駆動素子81,82,83および8
4から受けとつている。これらの駆動素子は制御
用マイクロプロセツサ85からの信号により自動
的にあるいはジヨイ・ステイツク制御装置86に
より手動で指示を受ける。位置に関するフイード
バツク信号もそれぞれの台から駆動素子に送られ
る。
はそれぞれ重ね台71,72,73および74を
駆動する。またこれらのモータはアナログ開始信
号(analog activation signal)をコンピユータ
制御装置8の駆動素子81,82,83および8
4から受けとつている。これらの駆動素子は制御
用マイクロプロセツサ85からの信号により自動
的にあるいはジヨイ・ステイツク制御装置86に
より手動で指示を受ける。位置に関するフイード
バツク信号もそれぞれの台から駆動素子に送られ
る。
重ね台71および72としては、デザイン・コ
ンポーネンツ・インコーポレイデイド(Design
Components Incorporated)が型番号DC−33で
製作している台を使用することができる。このメ
ーカーが型番号RT−601およびLP−35で製作し
ている台はそれぞれ重ね台73および74に使用
できる。またモータ76,77,78および79
としてはPMIモーターズ(PMI Motors)が製作
している型番号49FGモータが使用できる。
ンポーネンツ・インコーポレイデイド(Design
Components Incorporated)が型番号DC−33で
製作している台を使用することができる。このメ
ーカーが型番号RT−601およびLP−35で製作し
ている台はそれぞれ重ね台73および74に使用
できる。またモータ76,77,78および79
としてはPMIモーターズ(PMI Motors)が製作
している型番号49FGモータが使用できる。
コンピユータ制御装置8の記憶装置87は刻印
操作を実行するための命令とデータ(例えば、特
殊および標準の印のための命令とデータ)を記憶
する。この情報はマイクロプロセツサ85により
処理されて、レーザー生成装置2、光学系6およ
び台装置7の動作を順次制御するために必要な信
号がとり出される。キーボード装置88によりオ
ペレータは制御命令例えば刻印すべき特殊な印を
定義する命令を入力することができる。システム
表示装置89により正しい入力を確実にするため
にキーボード・データを表示することができまた
システムが動作している間にオペレータに指示を
与えることができる。
操作を実行するための命令とデータ(例えば、特
殊および標準の印のための命令とデータ)を記憶
する。この情報はマイクロプロセツサ85により
処理されて、レーザー生成装置2、光学系6およ
び台装置7の動作を順次制御するために必要な信
号がとり出される。キーボード装置88によりオ
ペレータは制御命令例えば刻印すべき特殊な印を
定義する命令を入力することができる。システム
表示装置89により正しい入力を確実にするため
にキーボード・データを表示することができまた
システムが動作している間にオペレータに指示を
与えることができる。
マイクロプロセツサ85としてはロツクウエル
6502マイクロプロセツサを使用することができ、
一方記憶装置87は二つの2708紫外線プログラマ
ブル・リード・オンリー・メモリを有するPR
M部(特殊な印のための情報用)とPM部(標
準の印のための情報用)とからなるようにするこ
とができる。表示装置89はCITモニター
に命令を与える6543ロツクウエル・コントローラ
を含むことができる。駆動素子81,82,83
および84の各々は74193双方向カウンタおよび
12ビツトの分解能を有するデイジタル・アナログ
変換器(DAC−80)を含むことができる。
6502マイクロプロセツサを使用することができ、
一方記憶装置87は二つの2708紫外線プログラマ
ブル・リード・オンリー・メモリを有するPR
M部(特殊な印のための情報用)とPM部(標
準の印のための情報用)とからなるようにするこ
とができる。表示装置89はCITモニター
に命令を与える6543ロツクウエル・コントローラ
を含むことができる。駆動素子81,82,83
および84の各々は74193双方向カウンタおよび
12ビツトの分解能を有するデイジタル・アナログ
変換器(DAC−80)を含むことができる。
レーザー生成装置2においては、連続的なレー
ザー源21がレーザー光束3をQスイツチ22に
加えると、22はレーザー光束の高いピーク出力
パルスが光学系6を通ることを可能にする状態に
変化する。QスイツチRFパルス・ジエネレータ
23はマイクロプロセツサ85からの信号の関数
としてQスイツチ22の状態を決定する。
ザー源21がレーザー光束3をQスイツチ22に
加えると、22はレーザー光束の高いピーク出力
パルスが光学系6を通ることを可能にする状態に
変化する。QスイツチRFパルス・ジエネレータ
23はマイクロプロセツサ85からの信号の関数
としてQスイツチ22の状態を決定する。
倍周器25がレーザー源21とQスイツチ22
との間に置かれ、レーザー波の周波数を増大させ
るためしたがつてレーザー波の波長を減小させる
ために使用される。このことにより表面4におい
てより小さな光束の刻印幅を得ることが可能にな
る。典型的な場合、Nd−YAGレーザーを1.06ミ
クロンでレーザー源21として使用すると、必要
な光束の刻印幅が1から100ミクロンの範囲にあ
る場合には、倍周器25は周波数二倍器とするこ
とができる。レーザー生成装置を完全なものとす
るためには、通常は開いている安全シヤツター2
6を光束3の通路上Qスイツチ22の前方に配置
する。このシヤツター26はマイクロプロセツサ
85が装置の危険状態を示す信号を生成したとき
に閉じられる。
との間に置かれ、レーザー波の周波数を増大させ
るためしたがつてレーザー波の波長を減小させる
ために使用される。このことにより表面4におい
てより小さな光束の刻印幅を得ることが可能にな
る。典型的な場合、Nd−YAGレーザーを1.06ミ
クロンでレーザー源21として使用すると、必要
な光束の刻印幅が1から100ミクロンの範囲にあ
る場合には、倍周器25は周波数二倍器とするこ
とができる。レーザー生成装置を完全なものとす
るためには、通常は開いている安全シヤツター2
6を光束3の通路上Qスイツチ22の前方に配置
する。このシヤツター26はマイクロプロセツサ
85が装置の危険状態を示す信号を生成したとき
に閉じられる。
安全シヤツター26を通つて光束3は光学系6
にはいる。第1の走査装置あるいは偏向装置61
は光束を間欠的あるいはデイジタル方式でx方向
に偏向させるようにしてある。偏向装置61のあ
とには、光束伸長器62があり、これは光束3が
第2の走査装置あるいは偏向装置63にはいる前
に光束3を伸長させる。偏向装置63は光束を間
欠的あるいはデイジタル方式でz方向に伸長させ
るようにしてある。第2の光束伸長器64が偏向
装置63の次にあり、64は光束を可変減衰器6
5に送る。65は光束が対物レンズ66の形の収
束装置に入射する前に、光束の相対強度あるいは
パワーを整える。このレンズは光束3をダイアモ
ンド5の表面4近傍の一点に収束させる。
にはいる。第1の走査装置あるいは偏向装置61
は光束を間欠的あるいはデイジタル方式でx方向
に偏向させるようにしてある。偏向装置61のあ
とには、光束伸長器62があり、これは光束3が
第2の走査装置あるいは偏向装置63にはいる前
に光束3を伸長させる。偏向装置63は光束を間
欠的あるいはデイジタル方式でz方向に伸長させ
るようにしてある。第2の光束伸長器64が偏向
装置63の次にあり、64は光束を可変減衰器6
5に送る。65は光束が対物レンズ66の形の収
束装置に入射する前に、光束の相対強度あるいは
パワーを整える。このレンズは光束3をダイアモ
ンド5の表面4近傍の一点に収束させる。
xおよびz方向の偏向装置61および63はx
およびzRF偏向ジエネレータ69および70によ
り制御され、69および70はマイクロプロセツ
サ85からの信号により指令される。同様なマイ
クロプロセツサ85からの信号に基づいて、x方
向の偏向ジエネレータはまた変調器61′のオン
オフ制御を行う。
およびzRF偏向ジエネレータ69および70によ
り制御され、69および70はマイクロプロセツ
サ85からの信号により指令される。同様なマイ
クロプロセツサ85からの信号に基づいて、x方
向の偏向ジエネレータはまた変調器61′のオン
オフ制御を行う。
偏向装置61および63として使用できる代表
的な製品はイントラ・アクシヨン・コーポレーシ
ヨン(Intra−Action Corporation)が型番号
ADM−70として製作している型の音響−光学式
偏向装置である。偏向ジエネレータ69および7
0としては同じ会社により製作されている型番号
DE−70Mを使用することができる。
的な製品はイントラ・アクシヨン・コーポレーシ
ヨン(Intra−Action Corporation)が型番号
ADM−70として製作している型の音響−光学式
偏向装置である。偏向ジエネレータ69および7
0としては同じ会社により製作されている型番号
DE−70Mを使用することができる。
本発明の刻印方法はダイアモンド5の価値を減
少させることがないということばかりでなく、実
際刻まれた印によりダイアモンドに価値を加える
ものであるという点で非常に利益のあるものであ
ると信じられるということを指摘しておくべきで
ある。すなわち、例えばダイアモンドの出所(す
なわち、販売者名あるいは商標)の刻印により、
そのダイアモンドを簡単に識別することができ、
したがつてそのダイアモンドを粉失あるいは盗難
から守ることができる。同様に、ダイアモンドの
価値を示す印によりそのような価値の誤表示を避
けることができ、したがつて起りうる不正な営業
活動を防ぐことができる。
少させることがないということばかりでなく、実
際刻まれた印によりダイアモンドに価値を加える
ものであるという点で非常に利益のあるものであ
ると信じられるということを指摘しておくべきで
ある。すなわち、例えばダイアモンドの出所(す
なわち、販売者名あるいは商標)の刻印により、
そのダイアモンドを簡単に識別することができ、
したがつてそのダイアモンドを粉失あるいは盗難
から守ることができる。同様に、ダイアモンドの
価値を示す印によりそのような価値の誤表示を避
けることができ、したがつて起りうる不正な営業
活動を防ぐことができる。
前述の構成はすべての場合につき本発明の応用
を示す多くの可能な特定の実施型を単に説明する
ものであると解釈すべきである。本発明の意図と
範囲を逸脱することなく本発明の原理に従つて数
多くのそして変形された他の構成を容易に工夫す
ることができる。例えば、もしQスイツチ22を
黒鉛化を起すのに十分な初期パルスを生成するよ
うに動作させることができない場合には、高エネ
ルギーの初期パルスとともに一つ以上の低エネル
ギーのパルスを刻むべき初期表面領域に入射させ
ることによつて黒鉛化を行うことができる。その
ような場合には、マイクロプロセツサ85は偏向
装置を制御して必要な数のパルスが表面領域に入
射するまで偏向装置の偏向状態を保持させる。も
し必要があれば、同様の方法を使用することによ
り後続の表面領域にも一つより多くのパルスを入
射させることができる。
を示す多くの可能な特定の実施型を単に説明する
ものであると解釈すべきである。本発明の意図と
範囲を逸脱することなく本発明の原理に従つて数
多くのそして変形された他の構成を容易に工夫す
ることができる。例えば、もしQスイツチ22を
黒鉛化を起すのに十分な初期パルスを生成するよ
うに動作させることができない場合には、高エネ
ルギーの初期パルスとともに一つ以上の低エネル
ギーのパルスを刻むべき初期表面領域に入射させ
ることによつて黒鉛化を行うことができる。その
ような場合には、マイクロプロセツサ85は偏向
装置を制御して必要な数のパルスが表面領域に入
射するまで偏向装置の偏向状態を保持させる。も
し必要があれば、同様の方法を使用することによ
り後続の表面領域にも一つより多くのパルスを入
射させることができる。
添付図面は本発明の実施例を示すものであり、
第1図はダイアモンドに印をつける装置のブロツ
ク・ダイヤグラムであり、第2図は第1図のレー
ザー光束を当てることのできるマトリツクス位置
を示すものであり、第3図は第1図の装置を用い
て刻むことのできる典型的な印を定めるレーザー
光束の位置を示すものである。 第1図中、2はレーザー光束生成装置、3はレ
ーザー光束、4はダイアモンドの表面、5はダイ
アモンド、6は光学系、7は台装置、8はコンピ
ユータ制御装置、21はレーザー源、22はQス
イツチ、23はRFパルス・ジエネレータ、24
は電源および水冷装置、25は倍周器、26は安
全シヤツター、61は第1の偏向装置(走査装
置)、61′は変調器、62は光束伸長器、63は
第2の偏向装置(走査装置)、64は第2の光束
伸長器、65は可変減衰器、66は収束装置(レ
ンズ)、67は光束スプリツタ、68は観測用顕
微鏡、69,70はRF偏向ジエネレータ、7
1,72,73,74は重ね台、75は支持台
(支持枠)、76,77,78,79はステツプ・
モータ、81,82,83,84は駆動素子、8
5は制御用マイクロプロセツサ、86はジヨイ・
ステイツク制御装置、87は記憶装置、88はキ
ーボード装置、89はシステム表示装置、101
は観測用顕微鏡、x,y,zは座標系。
第1図はダイアモンドに印をつける装置のブロツ
ク・ダイヤグラムであり、第2図は第1図のレー
ザー光束を当てることのできるマトリツクス位置
を示すものであり、第3図は第1図の装置を用い
て刻むことのできる典型的な印を定めるレーザー
光束の位置を示すものである。 第1図中、2はレーザー光束生成装置、3はレ
ーザー光束、4はダイアモンドの表面、5はダイ
アモンド、6は光学系、7は台装置、8はコンピ
ユータ制御装置、21はレーザー源、22はQス
イツチ、23はRFパルス・ジエネレータ、24
は電源および水冷装置、25は倍周器、26は安
全シヤツター、61は第1の偏向装置(走査装
置)、61′は変調器、62は光束伸長器、63は
第2の偏向装置(走査装置)、64は第2の光束
伸長器、65は可変減衰器、66は収束装置(レ
ンズ)、67は光束スプリツタ、68は観測用顕
微鏡、69,70はRF偏向ジエネレータ、7
1,72,73,74は重ね台、75は支持台
(支持枠)、76,77,78,79はステツプ・
モータ、81,82,83,84は駆動素子、8
5は制御用マイクロプロセツサ、86はジヨイ・
ステイツク制御装置、87は記憶装置、88はキ
ーボード装置、89はシステム表示装置、101
は観測用顕微鏡、x,y,zは座標系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ダイアモンドの表面にレーザー光束を当て該
レーザー光束が前記ダイアモンドの表面に印を刻
むことができるように該レーザー光束を制御し該
印に対応する経路に沿つてダイアモンド表面上連
続する位置に該レーザー光束を間欠的に移動させ
るに当り、各連続する位置を選択して、各位置に
おいて、該レーザー光束が、該印上直前の位置で
光束により覆われるダイアモンド表面領域に重な
るダイアモンド表面領域を覆うようになし、ダイ
アモンド表面を前記各位置で黒鉛化し刻むように
レーザー光束のパワーを調節することを特徴とす
るダイアモンドに識別印を与える方法。 2 前記レーザー光束の強度と幅および該光束を
当てる時間を制御して前記印を刻む特許請求の範
囲第1項に記載の方法。 3 前記ダイアモンドに刻印するのに十分な強度
を有する前記レーザー光束の広がりを前記表面に
おいて約100ミクロン以下になるように制御する
特許請求の範囲第1項に記載の方法。 4 前記ダイアモンドに刻印するのに十分な強度
を有する前記レーザー光束の広がりを前記表面に
おいて約1ミクロン以上になるように制御する特
許請求の範囲第3項に記載の方法。 5 前記ダイアモンドに刻印するのに十分な強度
を有する前記レーザー光束の広がりが前記表面に
おいて約10ミクロン以上になるように制御される
特許請求の範囲第3項に記載の方法。 6 前記レーザー光束のエネルギーが前記表面に
おいて約0.5から5K.W.の範囲にあうように制御
する特許請求の範囲第1項に記載の方法。 7 前記レーザー光束の制御が前記印を刻むこと
を開始するときに前記ダイアモンドを黒鉛化する
のに十分な水準にレーザー光束のパワーを調節す
ることを含む特許請求の範囲第1項に記載の方
法。 8 前記光束の移動が前記光束を第1の方向およ
びこれに交わる第2の方向に偏向させることを含
む特許請求の範囲第1項に記載の方法。 9 前記第1および第2の方向における前記光束
の偏向の大きさを間欠的に変化させる特許請求の
範囲第8項に記載の方法。 10 前記表面が前記ダイアモンドの縁にある特
許請求の範囲第1項に記載の方法。 11 前記光束の制御が前記光束を前記ダイアモ
ンドの前記表面上に収束させることを含む特許請
求の範囲第1項に記載の方法。 12 前記光束を前記表面上にさらに複数の印を
刻むように制御する特許請求の範囲第1項に記載
の方法。 13 各々の前記印を刻んでいる間前記ダイアモ
ンドを静止させておくこと、および印が刻んだあ
とでかつ次に続く印を刻む前に前記ダイアモンド
を移動させて前記表面のまだ刻まれていない領域
を前記光束に当たる位置に持つて来ることをさら
に含む特許請求の範囲第12項に記載の方法。 14 前記ダイアモンドを初期定位して前記光束
の軸上にありかつ前記光束の収束点から前記表面
の曲率半径に等しい距離だけ隔つた点に前記表面
の回転中心を位置させることをさらに含み、また
前記ダイアモンドの移動が前記ダイアモンドを前
記点のまわりに回転させて各々のまだ刻まれてい
ない領域を前記光束に当たる位置に持つて来るこ
とを含み、これによつて前記光束が刻まれる前記
表面の継続している領域上に収束し続ける特許請
求の範囲第13項に記載の方法。 15 前記ダイアモンドの初期定位に先立つて、
前記表面が前記光束が収束させられる点にあるよ
うな少くとも三つの位置に前記ダイアモンドを移
動させること、よつて前記位置から回転中心およ
び前記表面の曲率半径を算出することをさらに含
む特許請求の範囲第11項に記載の方法。 16 前記光束の軸に対して前記表面を垂直に置
いて前記ダイアモンドを初期定位することをさら
に含みまた前記ダイアモンドの移動が前記ダイア
モンドを移動させて各々のまだ刻まれていない領
域を前記光束に当たる位置に持つて来ることを含
み、したがつて前記光束が刻まれる前記表面の継
続する領域上に収束し続ける特許請求の範囲第1
3項に記載の方法。 17 前記ダイアモンドの初期定位に先立つて、
前記表面が前記光束が収束させられる位置にある
ようないくつかの位置に前記ダイアモンドを移動
させること、および前記位置から前記表面の交角
を算出することをさらに含む特許請求の範囲第1
6項に記載の方法。 18 ダイアモンドがその表面上にエネルギー吸
収物質を有し、該印の経路の第1の位置に与えら
れる光束のパルスが該経路の後続の位置に与えら
れるパルスよりも高いエネルギーとなるようにレ
ーザー光束を調節する工程も含む特許請求の範囲
第1項に記載の方法。 19 前記物質がカーボン・ブラツクである特許
請求の範囲第18項に記載の方法。 20 ダイアモンドの表面にエネルギー吸収物質
を当てることを含む特許請求の範囲第18項に記
載の方法。 21 前記レーザー光束を当てることが連続レー
ザー源の出力をQスイツチすることを含む特許請
求の範囲第1項に記載の方法。 22 エネルギー吸収物質を有するダイアモンド
の表面にレーザー光束を当て該レーザー光束が前
記ダイアモンドの表面に印を刻むことができるよ
うに該レーザー光束を制御し該印に対応する経路
に沿つてダイアモンド表面上連続する位置に該レ
ーザー光束を間欠的に移動させるに当り、各連続
する位置を選択して、各位置において、該レーザ
ー光束が該印の直前の位置で光束により覆われる
ダイアモンド表面領域に重なるダイアモンド表面
領域を覆うようになし、ダイアモンド表面を前記
各位置で刻むようにレーザー光束のパワーを調節
し、この際レーザー光束のパワーを調節して、該
印の経路の第1の位置に、該経路の後続の位置に
与えられるパルスのエネルギーよりも高いエネル
ギーのパルスを与えることを特徴とするダイアモ
ンドに識別印を与える方法。 23 前記表面にエネルギー吸収物質を当てるこ
とを含む特許請求の範囲第22項に記載の方法。 24 ダイアモンド支持装置と、 レーザー光束生成装置と、 レーザー光束をダイアモンドの表面に収束させ
る装置と、 印に対応する経路に沿つてダイアモンド表面上
連続する位置にレーザー光束を間欠的に移動させ
る装置と、 レーザー光束のパワーを調節して前記各位置で
前記ダイアモンドの表面を黒鉛化し刻む装置と、 よりなる、ダイアモンドに識別印を与える装置。 25 前記レーザー生成装置が連続レーザー源を
有する特許請求の範囲第24項に記載の方法。 26 前記調節装置がQスイツチを有する特許請
求の範囲第25項に記載の装置。 27 前記レーザー光束移動装置が前記光束を第
1の方向に偏向させる装置および前記光束を第1
の方向と交わる第2の方向に偏向させる装置を有
する特許請求の範囲第24項に記載の装置。 28 前記偏向装置がそれぞれデイジタル偏向装
置を有する特許請求の範囲第27項に記載の装
置。 29 さらに、レーザー光束の周波数および波長
を制御する倍周器よりなる特許請求の範囲第24
項に記載の装置。 30 さらに、レーザー光束の相対強度を制御す
る可変減衰器よりなる特許請求の範囲第24項に
記載の装置。 31 前記ダイアモンド支持装置が固定支持台と
複数の重ね台とよりなり、該重ね台の各々が互い
に直交している座標系の一つに選択的に可動に取
付けられている特許請求の範囲第24項に記載の
装置。 32 前記複数の重ね台が、前記ダイアモンドを
第1の方向に移動させる第1の台と、該第1の台
に取付けられ前記ダイアモンドを該第1の方向に
垂直な軸のまわりに回転させる第2の台と、該第
2の台に取付けられ前記ダイアモンドを該第1の
方向に移動させる第3の台と、該第3の台に取付
けられ該第1の方向及び該軸に垂直な第2の方向
に前記ダイアモンドを移動させる第4の台とを含
む特許請求の範囲第31項に記載の装置。 33 前記調節装置、ビーム移動装置及び前記ダ
イアモンド支持装置の操作を順次制御するコンピ
ユータ装置をさらに含む特許請求の範囲第31項
に記載の装置。 34 前記コンピユータ装置がさらに電子記憶装
置を含む特許請求の範囲第33項に記載の装置。 35 さらに、前記電子記憶装置の入力に連絡さ
れた入力装置よりなる特許請求の範囲第34項に
記載の装置。 36 さらに、前記入力装置の出力に連絡された
表示装置よりなる特許請求の範囲第35項に記載
の装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/220,195 US4392476A (en) | 1980-12-23 | 1980-12-23 | Method and apparatus for placing identifying indicia on the surface of precious stones including diamonds |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57137091A JPS57137091A (en) | 1982-08-24 |
| JPS6210758B2 true JPS6210758B2 (ja) | 1987-03-07 |
Family
ID=22822469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198310A Granted JPS57137091A (en) | 1980-12-23 | 1981-12-09 | Method of giving surface of jewel discriminating mark and device used for said method |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4392476A (ja) |
| EP (1) | EP0054840B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57137091A (ja) |
| AT (1) | ATE19017T1 (ja) |
| AU (1) | AU553408B2 (ja) |
| CA (1) | CA1181491A (ja) |
| DE (2) | DE54840T1 (ja) |
| HK (1) | HK96087A (ja) |
| IE (1) | IE52371B1 (ja) |
| IL (1) | IL64274A (ja) |
| MY (1) | MY8700734A (ja) |
| SG (1) | SG61287G (ja) |
| ZA (1) | ZA817935B (ja) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL67599A (en) * | 1982-12-31 | 1986-09-30 | Laser Ind Ltd | Control apparatus particularly useful for controlling a laser |
| EP0215960A3 (en) * | 1985-08-20 | 1988-08-10 | Group II Manufacturing Ltd. | Creation of a parting zone in a crystal structure |
| EP0256196A1 (fr) * | 1986-08-13 | 1988-02-24 | Artika International (Hong-Kong) Limited | Procédé permettant l'identification d'un objet détermine et sa reconnaissance ultérieure |
| US5190024A (en) * | 1988-11-16 | 1993-03-02 | Senanayake Daya R | Diamond sawing process |
| DE4008398A1 (de) * | 1990-03-16 | 1991-09-19 | Messer Griesheim Gmbh | Verfahren zum beschriften oder markieren |
| US5410125A (en) * | 1990-10-11 | 1995-04-25 | Harry Winston, S.A. | Methods for producing indicia on diamonds |
| US5477023A (en) * | 1993-04-23 | 1995-12-19 | Westinghouse Electric Corporation | Laser engraving system and method for engraving an image on a workpiece |
| EP0624421A3 (en) * | 1993-05-13 | 1995-12-06 | Russian Technology Group | Method and device for producing an image in a transparent material by means of a pulsed laser beam. |
| US5637244A (en) * | 1993-05-13 | 1997-06-10 | Podarok International, Inc. | Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material |
| ES2117528B1 (es) * | 1995-01-25 | 1999-04-01 | Marmoles Artisticos Chover S A | Dispositivo de marcaje de imagenes de tono por laser. |
| US5753887A (en) * | 1995-05-16 | 1998-05-19 | Engraving Technologies, Inc. | Apparatus for laser engraving indicia on gemstones |
| US5760367A (en) * | 1995-05-16 | 1998-06-02 | Engraving Technologies, Inc. | Apparatus and method of engraving indicia on gemstones, and gemstones, produced thereby |
| DE19518270C1 (de) | 1995-05-18 | 1996-08-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Rutschfester Fußbodenbelag und Verfahren zu seiner Herstellung |
| GB9514558D0 (en) | 1995-07-17 | 1995-09-13 | Gersan Ets | Marking diamond |
| US5932119A (en) * | 1996-01-05 | 1999-08-03 | Lazare Kaplan International, Inc. | Laser marking system |
| US5904869A (en) * | 1997-05-01 | 1999-05-18 | Snk Corporation | Automatic laser beam machining apparatus and performing automatic laser beam machining method |
| IL124592A (en) | 1997-05-23 | 2002-07-25 | Gersan Ets | Method of marking a gemstone or diamond |
| US5983238A (en) * | 1997-12-26 | 1999-11-09 | Diamond Id | Gemstons identification tracking and recovery system |
| RU2133195C1 (ru) * | 1998-02-11 | 1999-07-20 | Радько Лидия Валерьевна | Способ технической и художественной разметки поверхности и объема минеральных объектов (варианты) |
| JP3012926B1 (ja) * | 1998-09-21 | 2000-02-28 | 工業技術院長 | 透明材料のレーザー微細加工法 |
| US6308891B1 (en) * | 1999-05-05 | 2001-10-30 | T.I.D. (The Identifying Diamond) Inc. | Jewelry identification |
| US6450402B1 (en) * | 1999-05-05 | 2002-09-17 | T.I.D. (The Identifying Diamond) Inc. | Identification device |
| GB2357737A (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-04 | Yasuhira Mori | Digitally marking a gemstone using a laser |
| US6483073B2 (en) * | 2000-02-18 | 2002-11-19 | David Benderly | Laser marking system and method |
| US6593543B2 (en) * | 2000-07-20 | 2003-07-15 | David Benderly | Gemstone marking system and method |
| WO2002010091A2 (en) | 2000-07-28 | 2002-02-07 | Norsam Technologies, Inc. | Method and article of manufacture for identifying and tracking rough gemstones |
| IL138347A (en) * | 2000-09-08 | 2003-09-17 | Sarin Technologies Ltd | Laser marking on diamonds |
| JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| US6713715B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-03-30 | Potomac Photonics, Inc. | Method and system for laser marking a gemstone |
| US20040112087A1 (en) * | 2001-07-28 | 2004-06-17 | Bishop John L. | Method and article of manufacture for identifying and tracking rough gemstones |
| US20030071021A1 (en) | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Danog Properties & Investments Ltd. | Automatic marking of diamond girdles using a laser |
| US6624385B2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-09-23 | Eastman Kodak Company | Method for marking gemstones with a unique micro discrete indicia |
| US20040089642A1 (en) * | 2002-01-15 | 2004-05-13 | Christensen C. Paul | Method and system for laser marking a gemstone |
| CN101335235B (zh) | 2002-03-12 | 2010-10-13 | 浜松光子学株式会社 | 基板的分割方法 |
| US6786733B2 (en) * | 2002-10-15 | 2004-09-07 | Overseas Diamonds Inc. | Computer-implemented method of and system for teaching an untrained observer to evaluate a gemstone |
| US20030120613A1 (en) * | 2003-01-28 | 2003-06-26 | Jayant Neogi | Customizing objects and materials with digital identifiers |
| WO2005061400A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-07-07 | Element Six Limited | Method of incorporating a mark in cvd diamond |
| US20050274144A1 (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-15 | Goughnour Roy R | Multiplet jewelry product and method of manufacture |
| JP2006177835A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Jtekt Corp | センサ付き転がり軸受ユニット |
| US20060144821A1 (en) * | 2005-01-04 | 2006-07-06 | Academia Sinica | Method for engraving irreproducible pattern on the surface of a diamond |
| JP2006258793A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-09-28 | Jtekt Corp | トルク検出装置およびピニオン軸支持用軸受装置 |
| US7284396B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-10-23 | International Gemstone Registry Inc. | Method and system for laser marking in the volume of gemstones such as diamonds |
| RU2357870C1 (ru) * | 2005-08-22 | 2009-06-10 | Интернейшнел Джемстоун Реджистри Инк. | Способ и система для лазерного мечения драгоценных камней, таких как алмазы |
| US20070062917A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-22 | Quantronix Corporation | Laser cutting and sawing method and apparatus |
| JP5036181B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2012-09-26 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| US20070209390A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-13 | Jack Malinowski | Multiplet gemstones with directly printed embedded translucent images |
| JP4917382B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-04-18 | 株式会社ディスコ | レーザー光線照射装置およびレーザー加工機 |
| US20090070238A1 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-12 | William Moryto | Database system and method for tracking goods |
| US20090269702A1 (en) * | 2008-04-29 | 2009-10-29 | Direct Shopping Network, Llc | Method for introducing inclusion image into gemstone |
| RU2611232C2 (ru) | 2011-07-27 | 2017-02-21 | Александер ПОТЕМКИН | Способ нанесения маркировки на поверхность алмаза или бриллианта для определения его подлинности |
| TW201444634A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 雷射切割裝置及方法 |
| CH708925A1 (fr) * | 2013-12-05 | 2015-06-15 | Tgm Développement Sa C O Etude Tissot | Pièce mécanique en diamant pour mouvement de montre. |
| CH708926A3 (fr) * | 2013-12-05 | 2015-07-31 | Tgm Développement Sa C O Etude Tissot | Pièce mécanique en diamant et procédé de fabrication d'une pièce mécanique en diamant pour mouvement de montre. |
| WO2016185472A1 (en) | 2015-05-21 | 2016-11-24 | Sarine Color Technologies Ltd. | System and method of unique identifying a gemstone |
| US10994570B2 (en) | 2016-05-27 | 2021-05-04 | Yianni Melas | Method of marking laminated jewelry |
| US11140954B2 (en) * | 2016-05-27 | 2021-10-12 | Yianni Melas | Method of identifying and tracing gems by marking jewelry bearing or supporting the gems and jewelry so marked |
| AU2017319785B2 (en) * | 2016-08-30 | 2022-02-17 | Security Matters Ltd. | Method for marking and authenticating diamonds and precious stones |
| GB2590947B (en) | 2020-01-08 | 2023-12-20 | Opsydia Ltd | Methods and devices for determining a location associated with a gemstone |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2293100A (en) * | 1939-11-02 | 1942-08-18 | Baumgold Joseph | Art of and means for engraving or cutting substantially invisible marks or the like in diamonds and other articles |
| US2332574A (en) * | 1942-07-15 | 1943-10-26 | Harry Winston Inc | Diamond girdling machine |
| FR1370722A (fr) * | 1963-07-12 | 1964-08-28 | Comp Generale Electricite | Dispositif pour la synthèse du diamant |
| US3364087A (en) * | 1964-04-27 | 1968-01-16 | Varian Associates | Method of using laser to coat or etch substrate |
| US3527198A (en) * | 1966-03-26 | 1970-09-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method and apparatus for working diamonds by means of laser light beam |
| US3627858A (en) * | 1969-11-24 | 1971-12-14 | Monsanto Res Corp | Method for selectively foaming the surface of a thermoplastic article by use of a laser |
| JPS5290372A (en) * | 1976-01-23 | 1977-07-29 | Okuda Kazumi | Patter embossed diamond |
| DD133023A3 (de) * | 1976-07-05 | 1978-11-29 | Wolfgang Murach | Verfahren zur bearbeitung von diamanten mittels laserstrahlen |
| DD130318A1 (de) | 1977-03-22 | 1978-03-22 | Wolfgang Murach | Verfahren zum bohren von diamanten mittels laserstrahlen |
| US4156124A (en) * | 1977-04-14 | 1979-05-22 | Optical Engineering, Inc. | Image transfer laser engraving |
| US4143544A (en) * | 1977-06-22 | 1979-03-13 | General Electric Company | Fingerprinting crystals |
| US4229232A (en) * | 1978-12-11 | 1980-10-21 | Spire Corporation | Method involving pulsed beam processing of metallic and dielectric materials |
| IL56805A0 (en) * | 1979-04-06 | 1979-05-31 | George Saltzman | Marking of gemstones |
-
1980
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1981
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