Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6211530B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6211530B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6211530B2
JPS6211530B2 JP1997779A JP1997779A JPS6211530B2 JP S6211530 B2 JPS6211530 B2 JP S6211530B2 JP 1997779 A JP1997779 A JP 1997779A JP 1997779 A JP1997779 A JP 1997779A JP S6211530 B2 JPS6211530 B2 JP S6211530B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
circuit
transistors
agc
impedance element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1997779A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS55112016A (en
Inventor
Yamato Okashin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP1997779A priority Critical patent/JPS55112016A/en
Publication of JPS55112016A publication Critical patent/JPS55112016A/en
Publication of JPS6211530B2 publication Critical patent/JPS6211530B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3005Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers
    • H03G3/301Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers the gain being continuously variable
    • H03G3/3015Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers the gain being continuously variable using diodes or transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 例えば、ラジオ受信機の高周波信号系のAGC
回路は、一般に第1図あるいは第2図に示すよう
にされている。
[Detailed description of the invention] For example, AGC in a radio receiver's high frequency signal system
The circuit is generally as shown in FIG. 1 or 2.

すなわち、第1図の例においては、アンテナ同
調回路1とミキサ回路2との間の信号ラインに、
トランジスタQaが接続され、AGC信号によつて
このトランジスタQaのコレクタ・エミツタ間イ
ンピーダンスが制御されてシヤントAGCが行わ
れる。また、第2図の例においては、同様に、ダ
イオードDa,Dbのインピーダンスが制御されて
シヤントAGCが行われる。なお、コンデンサ
Ca,Cbは直流カツト用である。
That is, in the example of FIG. 1, the signal line between the antenna tuning circuit 1 and the mixer circuit 2 is
Transistor Qa is connected, and the collector-emitter impedance of transistor Qa is controlled by the AGC signal to perform shunt AGC. Furthermore, in the example shown in FIG. 2, shunt AGC is performed by similarly controlling the impedances of diodes Da and Db. In addition, the capacitor
Ca and Cb are for DC cut.

ところが、トランジスタは第3図に示すような
CE−IC特性を有し、VCEが飽和領域以上のレ
ベルになると、コレクタ・エミツタ間インピーダ
ンスが急激に大きくなるので、第1図のAGC回
路では、入力信号のレベルが、トランジスタQa
飽和領域レベル以上になると、その入力信号を減
衰させることができず、すなわち、AGCがきか
なくなる欠点がある。
However, transistors have V CE -I C characteristics as shown in Figure 3, and when V CE reaches a level above the saturation region, the impedance between the collector and emitter increases rapidly, so the AGC circuit shown in Figure 1 Then, the level of the input signal is
When the level exceeds the saturation region level, the input signal cannot be attenuated, that is, the AGC becomes ineffective.

また、第2図のAGC回路では、そのような欠
点はなく、AGC特性は優れているが、ダイオー
ドDa,Dbの順方向降下電圧分だけAGC信号にバ
イアスを与えておかなければならず、このため、
そのバイアス電圧のカツト用にコンデンサCa,
Cbを必要とするので、IC化が困難になつてしま
う。
The AGC circuit shown in Figure 2 does not have such drawbacks and has excellent AGC characteristics, but the AGC signal must be biased by the forward voltage drop of the diodes Da and Db. For,
Capacitor Ca is used to cut the bias voltage.
Since it requires Cb, it becomes difficult to convert it into an IC.

この発明は、以上の点にかんがみ、AGC特性
に優れ、しかも、IC化が容易なレベル制御回路
を提供しようとするものである。
In view of the above points, the present invention aims to provide a level control circuit that has excellent AGC characteristics and can be easily integrated into an IC.

以下その一例について説明しよう。 Let's explain one example below.

第4図において、1はアンテナ同調回路、2は
ミキサ回路、3は局発回路、4はその共振回路、
5は中間周波アンプ、6は検波回路、7はAGC
信号の形成回路である。
In FIG. 4, 1 is an antenna tuning circuit, 2 is a mixer circuit, 3 is a local oscillator circuit, 4 is its resonance circuit,
5 is an intermediate frequency amplifier, 6 is a detection circuit, 7 is AGC
This is a signal forming circuit.

そして、トランジスタQ1,Q2のエミツタが、
定電流源用のトランジスタQ3に接続されて差動
アンプが構成され、トランジスタQ1,Q2のベー
スに、同調回路1の同調コイルの出力コイルL1
の両端が電圧されると共に、トランジスタQ1
ベースにバイアス電源E1が接続され、トランジ
スタQ2のコレクタがミキサ回路2に接続され
る。
And the emitters of transistors Q 1 and Q 2 are
It is connected to the constant current source transistor Q 3 to form a differential amplifier, and the output coil L 1 of the tuned coil of the tuned circuit 1 is connected to the base of the transistors Q 1 and Q 2 .
A voltage is applied to both ends of the transistor Q 1 , a bias power supply E 1 is connected to the base of the transistor Q 1 , and the collector of the transistor Q 2 is connected to the mixer circuit 2 .

また、形成回路7からのAGC電流がトランジ
スタQ11,Q12のベースに供給されると共に、そ
れらのエミツタが電源端子T1に接続され、トラ
ンジスタQ11のコレクタが、これとは逆極性のト
ランジスタQ13のコレクタ及びベースに接続さ
れ、そのエミツタが接地される。なお、トランジ
スタQ12,Q14は第1及び第2の電流制御手段を
構成するものである。このトランジスタQ13はト
ランジスタQ14と共に、カレントミラー回路を構
成しているもので、トランジスタQ14のベースが
トランジスタQ13のベースに接続され、トランジ
スタQ14のエミツタは接地される。
Further, the AGC current from the forming circuit 7 is supplied to the bases of the transistors Q 11 and Q 12 , and their emitters are connected to the power supply terminal T 1 , and the collector of the transistor Q 11 is connected to a transistor with the opposite polarity. It is connected to the collector and base of Q13 , and its emitter is grounded. Note that the transistors Q 12 and Q 14 constitute first and second current control means. This transistor Q13 and the transistor Q14 constitute a current mirror circuit, and the base of the transistor Q14 is connected to the base of the transistor Q13 , and the emitter of the transistor Q14 is grounded.

さらに、トランジスタQ12のコレクタがトラン
ジスタQ15のコレクタ及びベースに接続され、そ
のエミツタが、これとは逆極性のトランジスタ
Q17のエミツタに接続され、そのコレクタ及びベ
ースがトランジスタQ14のコレクタに接続され
る。この場合、トランジスタQ15,Q17は、第1
及び第2のインピーダンス素子を構成すると共
に、それぞれトランジスタQ16,Q18とカレント
ミラー回路を構成しているもので、トランジスタ
Q16のベースはトランジスタQ15のベースに接続
され、コレクタは端子T1に接続され、エミツタ
はトランジスタQ18のエミツタに接続され、トラ
ンジスタQ18のベースはトランジスタQ17のベー
スに接続され、コレクタは接地される。また、同
調回路1の出力コイルL1の両端がトランジスタ
Q15,Q16のエミツタに接続される。
Furthermore, the collector of transistor Q 12 is connected to the collector and base of transistor Q 15 , and its emitter is connected to a transistor of opposite polarity.
It is connected to the emitter of Q17 , and its collector and base are connected to the collector of transistor Q14 . In this case, transistors Q 15 and Q 17 are
and a second impedance element, and also constitute a current mirror circuit with transistors Q 16 and Q 18 , respectively.
The base of Q 16 is connected to the base of transistor Q 15 , the collector is connected to terminal T 1 , the emitter is connected to the emitter of transistor Q 18 , the base of transistor Q 18 is connected to the base of transistor Q 17 , the collector is grounded. Also, both ends of the output coil L 1 of the tuned circuit 1 are transistors.
Connected to the emitters of Q 15 and Q 16 .

なお、トランジスタQ11とQ13,Q12とQ14,Q15
〜Q18は、互いに等しい特性とされる。
In addition, transistors Q 11 and Q 13 , Q 12 and Q 14 , Q 15
~Q 18 are assumed to have mutually equal characteristics.

このような構成によれば、同調回路1に得られ
た受信信号が、2次コイルL1からトランジスタ
Q1,Q2に供給され差動増幅され、その増幅出力
がミキサ回路2に供給される。
According to such a configuration, the received signal obtained by the tuning circuit 1 is transmitted from the secondary coil L 1 to the transistor
The signal is supplied to Q 1 and Q 2 and differentially amplified, and the amplified output is supplied to the mixer circuit 2.

そして、この場合、同調回路1からトランジス
タQ1,Q2に供給される受信信号に対して、トラ
ンジスタQ11〜Q18によりシヤントAGCが行われ
る。すなわち、形成回路7からのAGC電流によ
つてトランジスタQ11,Q12には例えば等しい大
きさのコレクタ電流が流れるが、トランジスタ
Q13,Q14はカレントミラー回路を構成している
ので、トランジスタQ14にはトランジスタQ11
コレクタ電流に等しい大きさのコレクタ電流が流
れ、従つて、トランジスタQ12,Q14のコレクタ
電流は互いに等しいので、第4図に示すように、
トランジスタQ12→トランジスタQ15→トランジ
スタQ17→トランジスタQ14のラインに、AGC電
流に比例した大きさの電流I1が流れる。また、ト
ランジスタQ15,Q16及びQ17,Q18はそれぞれカ
レントミラー回路を構成しているので、トランジ
スタQ16,Q18のコレクタ電流も互いに等しく、
トランジスタQ16→トランジスタQ18のライン
に、電流I1に等しい大きさの電流I2が流れる。
In this case, shunt AGC is performed by the transistors Q 11 to Q 18 on the received signal supplied from the tuning circuit 1 to the transistors Q 1 and Q 2 . In other words, collector currents of equal magnitude flow through the transistors Q 11 and Q 12 due to the AGC current from the forming circuit 7, but the transistors
Since Q 13 and Q 14 constitute a current mirror circuit, a collector current equal to the collector current of transistor Q 11 flows through transistor Q 14 , and therefore, the collector current of transistors Q 12 and Q 14 is Since they are equal to each other, as shown in Figure 4,
A current I 1 proportional to the AGC current flows in the line of transistor Q 12 →transistor Q 15 →transistor Q 17 →transistor Q 14 . In addition, since transistors Q 15 , Q 16 and Q 17 , Q 18 each constitute a current mirror circuit, the collector currents of transistors Q 16 and Q 18 are also equal to each other.
A current I 2 with a magnitude equal to the current I 1 flows in the line from transistor Q 16 to transistor Q 18 .

そして、トランジスタQ16,Q18のエミツタか
らトランジスタQ15,Q17を通じてトランジスタ
Q1側を見たときインピーダンスrは、 r〔Ω〕〓26/I〔mA〕+26/hFE・I
〔mA〕 hFE:Q16,Q18の電流増幅率 となり、第2項は第1項に比べて十分に小さいの
で、 r〔Ω〕〓26/I〔mA〕 となる。そして、この式は、第2図の回路におけ
るダイオードDa,Dbに流れる電流と、そのイン
ピーダンスとの関係を示す式でもある。すなわ
ち、第4図の回路は、等価的に第5図に示すよう
になる。
Then, the transistors are connected from the emitters of transistors Q 16 and Q 18 through transistors Q 15 and Q 17 .
When looking at the Q 1 side, the impedance r is r [Ω] = 26/I 2 [mA] + 26/h FE・I 1
[mA] h FE is the current amplification factor of Q 16 and Q 18 , and since the second term is sufficiently smaller than the first term, it becomes r [Ω] 〓26/I 2 [mA]. This equation also shows the relationship between the current flowing through the diodes Da and Db in the circuit of FIG. 2 and their impedance. That is, the circuit of FIG. 4 becomes equivalently as shown in FIG. 5.

そして、AGC電流が変化すれば、これに対応
して電流I2が変化してトランジスタQ16,Q18のイ
ンピーダンスが変化する。
Then, when the AGC current changes, the current I 2 changes correspondingly, and the impedance of the transistors Q 16 and Q 18 changes.

従つて、この第4図の回路は、ダイオードによ
るシヤントAGC(第2図の回路)として働くこ
とになる。
Therefore, the circuit of FIG. 4 works as a shunt AGC (the circuit of FIG. 2) using diodes.

こうして、この発明によれば、シヤントAGC
を行うことができるが、この場合、特にこの発明
によれば、動作がダイオードによるシヤント
AGCと等価なので、第1図のAGCの場合のよう
に、大入力時にAGCがきかなくなることがな
い。また、動作がダイオードによるシヤント
AGCであつても、第4図からも明らかなよう
に、直流カツト用のコンデンサを必要としないの
で、IC化が容易であり、また、その効果が大き
い。
Thus, according to this invention, the shunt AGC
However, in this case, especially according to the present invention, the operation is shunted by a diode.
Since it is equivalent to AGC, AGC will not stop working when a large input is applied, as is the case with AGC in Figure 1. In addition, the operation is shunted by a diode.
Even if it is an AGC, as it is clear from Fig. 4, it does not require a DC cut capacitor, so it can be easily integrated into an IC, and its effects are great.

さらに、トランジスタQ16,Q18の特性をあわ
せることが容易であるから、入力信号の正及び負
のサイクルに対して特性が同じになり、歪みの発
生を極力防止できる。
Furthermore, since it is easy to match the characteristics of transistors Q 16 and Q 18 , the characteristics are the same for positive and negative cycles of the input signal, and distortion can be prevented as much as possible.

なお、上述において、信号レベルが狭範囲内で
制御される場合には、ダイオード接続されたトラ
ンジスタQ15,Q17に代えて抵抗器を使用するこ
ともできる。これは、ダイオード接続されたトラ
ンジスタQ15,Q17のそれぞれが供給電流の増加
に対応してそのインピーダンスが低下する可変イ
ンピーダンス素子であるのに対し、抵抗器は固定
インピーダンスであり、これらインピーダンスに
起因してトランジスタQ16,Q18のVBEが形成さ
れて信号レベルが制御されるためである。
Note that in the above description, if the signal level is controlled within a narrow range, resistors may be used in place of the diode-connected transistors Q 15 and Q 17 . This is because each of the diode-connected transistors Q 15 and Q 17 is a variable impedance element whose impedance decreases in response to an increase in supply current, whereas the resistor has a fixed impedance, and due to these impedances. This is because the V BE of the transistors Q 16 and Q 18 is formed and the signal level is controlled.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図は従来例の接続図、第3図は
その説明のための図、第4図はこの発明の一例の
接続図、第5図はその説明のための図である。 7はAGC信号の形成回路である。
1 and 2 are connection diagrams of a conventional example, FIG. 3 is a diagram for explaining the same, FIG. 4 is a diagram for explaining an example of the present invention, and FIG. 5 is a diagram for explaining the same. 7 is an AGC signal forming circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 エミツタが互いに接続された第1のトランジ
スタQ16及び第2のトランジスタQ18のそれぞれ
のコレクタ間に所定の電圧が供給され、第1の電
流制御手段Q12、第1のインピーダンス素子
Q15、第2のインピーダンス素子Q17及び第2の
電流制御手段Q14が、この順序で直列接続される
と共に、この直列回路の開放端間に所定の電圧が
供給され、上記第1のトランジスタQ16のベース
は上記第1の電流制御手段Q12と第1のインピー
ダンス素子Q15との間に接続され、上記第2のト
ランジスタQ18のベースは上記第2のインピーダ
ンス素子Q17と第2の電流制御手段Q14との間に
接続され、上記第1及び第2の電流制御手段
Q12,Q14によつて制御される電流を連動させる
ことにより、上記第1のトランジスタQ16のエミ
ツタ及び上記第2のトランジスタQ18のエミツタ
の間と、上記第1のインピーダンス素子Q15及び
上記第2のインピーダンス素子Q17の間とに供給
される入力信号のレベル制御を行つて上記入力信
号の信号供給点から上記信号レベル制御された信
号を出力させるシヤント型レベル制御回路。
1 A predetermined voltage is supplied between the respective collectors of the first transistor Q 16 and the second transistor Q 18 whose emitters are connected to each other, and the first current control means Q 12 and the first impedance element
Q 15 , the second impedance element Q 17 and the second current control means Q 14 are connected in series in this order, and a predetermined voltage is supplied between the open ends of this series circuit, and the first transistor The base of Q16 is connected between the first current control means Q12 and the first impedance element Q15, and the base of the second transistor Q18 is connected between the second impedance element Q17 and the second impedance element Q15. is connected between the current control means Q14 of the first and second current control means
By interlocking the currents controlled by Q 12 and Q 14 , there is a connection between the emitter of the first transistor Q 16 and the emitter of the second transistor Q 18 , and between the first impedance element Q 15 and the emitter of the second transistor Q 18. A shunt-type level control circuit that controls the level of an input signal supplied between the second impedance element Q17 and outputs the level-controlled signal from the signal supply point of the input signal.
JP1997779A 1979-02-22 1979-02-22 Level control circuit Granted JPS55112016A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1997779A JPS55112016A (en) 1979-02-22 1979-02-22 Level control circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1997779A JPS55112016A (en) 1979-02-22 1979-02-22 Level control circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55112016A JPS55112016A (en) 1980-08-29
JPS6211530B2 true JPS6211530B2 (en) 1987-03-13

Family

ID=12014237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1997779A Granted JPS55112016A (en) 1979-02-22 1979-02-22 Level control circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS55112016A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6452617U (en) * 1987-09-25 1989-03-31

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6452617U (en) * 1987-09-25 1989-03-31

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55112016A (en) 1980-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4480337A (en) Transistor mixer and amplifier input stage
JPH0718180Y2 (en) Transistorized amplification and mixed input stage for radio frequency receiver
US4429416A (en) Multistage cascade/cascode limiting IF amplifier and meter circuit
US4039981A (en) Variable impedance circuit
US4024462A (en) Darlington configuration high frequency differential amplifier with zero offset current
US4864248A (en) Amplifier arrangement with controllable gain
US4437070A (en) Amplifier arrangement whose overall gain is controllable by means of a control voltage
US4048569A (en) Receiver automatic gain control system
JPS6211530B2 (en)
US5239702A (en) Tuning detector
JPS5866129A (en) Constant current source circuit
US3454882A (en) Radio receiver using plural variable gain stages
JPH0145768B2 (en)
JPS6318362B2 (en)
JPS6130448B2 (en)
US3873932A (en) Gain control circuit having variable impedance to determine circuit gain and to control minimum gain
US4145665A (en) Regulating amplifier
JPH0527282B2 (en)
US4303890A (en) Circuit arrangement for transferring a signal
JPS5825349Y2 (en) Muting device for meter circuit
US3530390A (en) Operational amplifier with varactor bridge input circuit
JPS646583Y2 (en)
JPH0339927Y2 (en)
JPH08307181A (en) Level control circuit
JPH0451787B2 (en)