JPS6212506B2 - - Google Patents
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- JPS6212506B2 JPS6212506B2 JP14546281A JP14546281A JPS6212506B2 JP S6212506 B2 JPS6212506 B2 JP S6212506B2 JP 14546281 A JP14546281 A JP 14546281A JP 14546281 A JP14546281 A JP 14546281A JP S6212506 B2 JPS6212506 B2 JP S6212506B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マスクパターンの間隙発生防止方法
に関し、特に露光パターンを矩形に分割して露光
を行なうことによつてマスクパターンを作成する
マスク露光装置におけるマスクパターンの間隙発
生防止方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for preventing the occurrence of gaps in a mask pattern, and particularly to a method for preventing the occurrence of gaps in a mask pattern in a mask exposure apparatus that creates a mask pattern by dividing an exposure pattern into rectangular shapes and performing exposure. Regarding prevention methods.
最近、LSI、ハイブリツドICその他の微細パタ
ーン等のエツチング用マスクを作成するための露
光装置としてバリアブルアパーチユア露光装置が
用いられている。該露光装置は露光すべきパター
ンを複数の矩形に分割して露光を行なうもので、
各々の矩形の露光は該矩形を表わす与えられた矩
形データに応じた矩形開口を機械的なシヤツタに
より形成して行なう。 Recently, variable aperture exposure apparatuses have been used as exposure apparatuses for creating etching masks for fine patterns of LSIs, hybrid ICs, and other devices. The exposure device divides the pattern to be exposed into a plurality of rectangles and performs the exposure.
Exposure of each rectangle is performed by forming a rectangular opening corresponding to given rectangular data representing the rectangle using a mechanical shutter.
ところが、このような露光装置においては、露
光装置のシヤツタ寸法やシヤツタ位置合せの機械
的精度の限界から、各矩形パターンが相接する箇
所に例えば1ミクロン程度の間隙が生じる場合が
あり、このような間隙のあるマスクでLSI等の膜
形成を行なうとパターン切れ等の不良を生じるお
それがある。 However, in such exposure equipment, due to the shutter dimensions of the exposure equipment and the limits of the mechanical precision of shutter alignment, gaps of about 1 micron may occur where the rectangular patterns meet. If a film such as an LSI is formed using a mask with large gaps, defects such as pattern breakage may occur.
このような間隙の発生を防止するため、従来、
所望するマスクの10倍程度の大きさのマスクを上
記露光装置によつて作成し、このマスクを縮少し
て所望寸法のマスクを作成することにより上記間
隙を吸収し消去していた。 In order to prevent the occurrence of such gaps, conventionally,
A mask approximately 10 times the size of the desired mask is created using the exposure apparatus, and this mask is reduced to create a mask of the desired size, thereby absorbing and erasing the gap.
しかしながら、前記従来形においては、所望寸
法のマスクを作成する場合にマスクの縮少等を行
なう必要があるため、マスク作成に余分の手間を
要するという不都合があつた。 However, in the conventional type, when creating a mask of a desired size, it is necessary to reduce the size of the mask, so there is an inconvenience that extra effort is required to create the mask.
本発明の目的は、前述の従来形における問題点
にかんがみ、マスクパターンの間隙発生防止方法
において、露光装置に入力する矩形データを所定
の手順により予め補正しておくという構想にもと
づき、マスクの縮少等によつてマスクパターンの
間隙を吸収する手間を省き、簡単な手順によつて
自動的かつ確実にマスクパターンの間隙発生を防
止しLSI等の膜形成におけるパターン切れ等の不
具合を除去することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems with the conventional type, an object of the present invention is to provide a mask pattern gap prevention method based on the concept of correcting rectangular data input to an exposure device in advance according to a predetermined procedure. To eliminate troubles such as pattern breakage in film formation for LSI, etc. by eliminating the trouble of absorbing gaps in mask patterns by using small particles, automatically and reliably preventing the generation of gaps in mask patterns by a simple procedure. It is in.
本発明は、露光パターンを矩形に分割し各矩形
に対応するパターンデータにもとづき各矩形ごと
に露光を行なうことによつてマスクパターンを作
成するマスク露光装置におけるマスクパターンの
の間隙発生防止方法において、互に相接する矩形
の内の第1の矩形の1辺が第2の矩形の1辺内に
含まれる場合には該第1の矩形の該1片を微少幅
だけ外方へ移動する如く該第1の矩形を拡張し、
互に相接する矩形の内の第1の矩形の1辺の1部
と第2の矩形の1辺の1部とが接する場合には相
接する部分の辺を中央に含む微少幅の矩形のパタ
ーンデータを新たに発生することを特徴とする。 The present invention provides a method for preventing gaps in a mask pattern in a mask exposure apparatus that creates a mask pattern by dividing an exposure pattern into rectangles and exposing each rectangle based on pattern data corresponding to each rectangle. If one side of the first rectangle among mutually adjacent rectangles is included within one side of the second rectangle, move one piece of the first rectangle outward by a slight width. Expand the first rectangle,
When a part of one side of a first rectangle and a part of one side of a second rectangle among mutually adjacent rectangles touch, a rectangle with a slight width that includes the side of the touching part in the center. It is characterized by generating new pattern data.
以下図面を用いて本発明の1実施例を説明す
る。本発明においては、例えば第1図に示すよう
な露光すべきパターンを、第2図に示すように矩
形A,B,Cに分割し、各矩形A,B,Cを表わ
すパターンデータ、例えば各矩形の対角2点を表
わす座標データ(X1,Y1;X2,Y2),(X3,Y3;
X4,Y4),(X5,Y5;X6,Y6)を前記のバリアブ
ル・アパチユア露光装置等の露光装置に与えて各
矩形ごとに露光を行なう。但し、このような座標
データをそのまま用いて露光を行なうと前述の理
由によつて、第3図のように各矩形A,Bまたは
B,Cの間に間隙G1またはG2を生ずるおそれ
がある。そのため本発明においては後に詳述する
原則によつて、第4図点線のように、矩形Bの矩
形Aと相接する辺を矩形A側に若干移動する如く
矩形Bを拡大するように矩形Bの座標データを補
正し、矩形A,B間に間隙G1が生ずることを防
止している。また、矩形B,C間の間隙G2は両
矩形B,Cの相接する部分の辺を含む、第4図斜
線で示されるような、新たな矩形Dを追加して露
光することによつて防止している。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the present invention, for example, a pattern to be exposed as shown in FIG. 1 is divided into rectangles A, B, and C as shown in FIG. Coordinate data representing two diagonal points of a rectangle (X 1 , Y 1 ; X 2 , Y 2 ), (X 3 , Y 3 ;
X 4 , Y 4 ), (X 5 , Y 5 ; However, if exposure is performed using such coordinate data as is, there is a risk that a gap G1 or G2 will be created between each rectangle A, B or B, C, as shown in FIG. 3, for the reason mentioned above. Therefore, in the present invention, according to the principle described in detail later, the rectangle B is expanded so that the side of the rectangle B that adjoins the rectangle A is slightly moved toward the rectangle A side, as shown by the dotted line in Figure 4. The coordinate data of rectangles A and B are corrected to prevent a gap G1 from occurring between rectangles A and B. Furthermore, the gap G2 between the rectangles B and C can be created by adding and exposing a new rectangle D, as shown by diagonal lines in FIG. It is prevented.
第5図は、本発明の方法を実施するためのパタ
ーンデータ処理装置を示す。同図の装置は、各処
理段階におけるパターンデータを記憶するための
メモリ1,2,3、メモリ1に記憶されたパター
ンデータを認識し矩形分割に必要なデータを作成
する認識回路4、メモリ2に記憶されたパターン
データを矩形分割する分割回路5、比較回路6、
第1補正回路7、第2補正回路8および変換回路
9を具備する。 FIG. 5 shows a pattern data processing apparatus for implementing the method of the invention. The device shown in the figure includes memories 1, 2, and 3 for storing pattern data at each processing stage, a recognition circuit 4 for recognizing the pattern data stored in the memory 1 and creating data necessary for rectangular division, and a memory 2. a dividing circuit 5 that divides the pattern data stored in the memory into rectangles; a comparing circuit 6;
A first correction circuit 7, a second correction circuit 8, and a conversion circuit 9 are provided.
第5図のパターンデータ処理装置の動作を説明
する。メモリ1にはコンピユータ等で自動発生さ
れるかあるいはデイジタイザ等で作成された入力
パターンデータDINが入力され記憶される。該入
力パターンデータDINは例えば第1図の露光パタ
ーンにおける各折点の座標を表わすデータとして
与えられる。次に、認識回路4においてメモリ1
に記憶された座標データから矩形分割に必要なデ
ータが認識され抽出されてメモリ2に記憶され
る。すなわち第2図に示すような各矩形の対角2
点の座標データX1,Y1;X2,Y2;X3,Y3;X4,
Y4;X5,Y5;X6,Y6が認識されメモリ2に記憶
される。さらに、メモリ2に記憶された座標デー
タは分割回路5において第2図の各矩形A,B,
Cごとに分割整理されてメモリ3に記憶される。
すなわちメモリ3に記憶される座標データは
矩形A……X1,Y1およびX2,Y2
矩形B……X3,Y3およびX4,Y4
矩形C……X5,Y5およびX6,Y6
のように矩形ごとに分類記憶される。 The operation of the pattern data processing device shown in FIG. 5 will be explained. Input pattern data D IN automatically generated by a computer or the like or created by a digitizer or the like is input and stored in the memory 1 . The input pattern data D IN is given as data representing the coordinates of each corner point in the exposure pattern shown in FIG. 1, for example. Next, in the recognition circuit 4, the memory 1
Data necessary for rectangular division is recognized and extracted from the coordinate data stored in the memory 2 and stored in the memory 2. That is, the diagonal 2 of each rectangle as shown in Figure 2
Point coordinate data X 1 , Y 1 ; X 2 , Y 2 ; X 3 , Y 3 ; X 4 ,
Y 4 ; X 5 , Y 5 ; X 6 , Y 6 are recognized and stored in the memory 2. Furthermore, the coordinate data stored in the memory 2 is sent to the dividing circuit 5 for each rectangle A, B,
The information is divided and organized by C and stored in the memory 3.
That is , the coordinate data stored in the memory 3 are: Rectangle A...X 1 , Y 1 and X 2 , Y 2 Rectangle B...X 3 , Y 3 and X 4 , Y 4 Rectangle C... They are classified and stored by rectangle, such as X 6 and Y 6 .
このようにしてメモリ3に記憶された座標デー
タは比較回路6に読み出され、補正が必要かどう
かおよび補正の種類が判断される。より詳細に説
明すると、比較回路6はメモリ3に記憶された各
矩形の座標データを互に比較し相接する矩形があ
るかどうか(例えばX座標値が一致するかどう
か)を判断するとともに、相接する矩形の相接す
る辺の状態を判断する。すなわち、第2図におけ
る矩形A,Bのように一方の矩形Bの辺が他方の
矩形Aの辺に含まれている場合(Y1≦Y3≦Y2,
Y1≦Y4≦Y2の場合)は第1補正回路7に各座標
データおよび補正指令信号を入力する。これに対
して、第2図における矩形B,Cのように、一方
の矩形Bの辺が他方の矩形Cの辺と互に部分的に
重なり合つている場合(Y3≦Y6≦Y4,Y5≦Y3≦
Y6の場合)は第2補正回路8に各座標データお
よび補正指令信号を入力する。 The coordinate data stored in the memory 3 in this manner is read out to the comparator circuit 6, and it is determined whether correction is necessary and the type of correction. To explain in more detail, the comparison circuit 6 compares the coordinate data of each rectangle stored in the memory 3 and determines whether there are adjacent rectangles (for example, whether the X coordinate values match), and Determine the state of adjacent sides of adjacent rectangles. That is, when the sides of one rectangle B are included in the sides of the other rectangle A, as in rectangles A and B in FIG. 2 (Y 1 ≦Y 3 ≦Y 2 ,
If Y 1 ≦Y 4 ≦Y 2 ), each coordinate data and correction command signal are input to the first correction circuit 7 . On the other hand, when the sides of one rectangle B partially overlap the sides of the other rectangle C, such as rectangles B and C in FIG. 2 (Y 3 ≦Y 6 ≦Y 4 , Y 5 ≦Y 3 ≦
In the case of Y6 ), each coordinate data and correction command signal are input to the second correction circuit 8.
第1補正回路7は、矩形Bの左辺を第4図矢印
の如く、すなわち矩形Bの左辺を微少幅だけ左方
へ移動する如く、矩形Bを点線のように拡張す
る。この場合の拡張幅は露光装置のシヤツタの位
置合せ精度等から予想される最大幅の間隙を補正
できる値とされる。第1補正回路7は、このよう
にして拡張された矩形Bの新たな座標データ
X3′,Y3;X4,Y4)をメモリ3に入力し、矩形B
の元の座標データ(X3,Y3;X4,Y4)と置きかえ
記憶させる。 The first correction circuit 7 expands the left side of the rectangle B as shown by the arrow in FIG. 4, that is, moves the left side of the rectangle B to the left by a slight width, as shown by the dotted line. In this case, the expansion width is set to a value that can correct the maximum gap width expected from the alignment accuracy of the shutter of the exposure device. The first correction circuit 7 generates new coordinate data of the rectangle B expanded in this way.
X 3 ′ , Y 3 ;
It is replaced with the original coordinate data (X 3 , Y 3 ; X 4 , Y 4 ) and stored.
第2補正回路8は、矩形B,Cの互に重なり合
う部分の辺を中央に含む前記と同様の微少幅の矩
形Dを新たに発生させ、該矩形Dの座標データ
(X7,Y3;X8,Y6)をメモリ3に新たに書き込
む。 The second correction circuit 8 generates a new rectangle D having a very small width similar to that described above, which includes the sides of the mutually overlapping portions of the rectangles B and C in the center, and uses the coordinate data (X 7 , Y 3 ; X 8 , Y 6 ) are newly written to memory 3.
このようにして、メモリ3には矩形A、拡張さ
れた矩形B、矩形Cおよび追加された矩形Dの座
標データが記憶され、変換回路9においてこれら
の座標データが露光装置に適した出力データDOU
Tに変換されて露光装置に入力される。 In this way, the coordinate data of the rectangle A, the expanded rectangle B, the rectangle C, and the added rectangle D are stored in the memory 3, and the conversion circuit 9 converts these coordinate data into output data D suitable for the exposure apparatus. OU
It is converted into T and input to the exposure device.
なお、上述においては露光パターンをY軸すな
わち図面縦方向の軸に沿つて矩形パターンに分割
する場合につき説明したが、本発明はこれに限ら
ずX軸すなわち図面横方向の軸に沿つて分割を行
なうことができることは明らかである。 Although the above description has been made regarding the case where the exposure pattern is divided into rectangular patterns along the Y axis, that is, the axis in the vertical direction of the drawing, the present invention is not limited to this. It is clear that it can be done.
上述のように、本発明によれば、露光装置に入
力される露光データを予め補正しておくことによ
り、マスクの縮少等によつてマスクパターンの間
隙を吸収する手間が省かれ、簡単な手順によつて
自動的かつ確実にマスクパターンの間隙発生を防
止することができ、LSI等の膜生成におけるパタ
ーン切れ等の不具合を除去することができる。 As described above, according to the present invention, by correcting the exposure data input to the exposure apparatus in advance, it is possible to eliminate the trouble of absorbing gaps between mask patterns due to reduction of the mask, etc. Through this procedure, it is possible to automatically and reliably prevent the occurrence of gaps in mask patterns, and it is possible to eliminate defects such as pattern breakage in film production for LSI and the like.
第1図は、露光すべきパターンの1例を示すパ
ターン図、第2図は、第1図のパターンの矩形分
割の方法の1例を示すパターン図、第3図は、各
矩形の間に間隙を生じた状態を示すパターン図、
第4図は、本発明の1実施例に係る間隙発生防止
方法を説明するためのパターン図、そして第5図
は、本発明の1実施例に係る間隙発生防止方法を
行なうためのパターンデータ処理装置を示すブロ
ツク回路図である。
1,2,3……メモリ、4……認識回路、5…
…分割回路、6……比較回路、7……第1補正回
路、8……第2補正回路、9……変換回路。
FIG. 1 is a pattern diagram showing an example of a pattern to be exposed, FIG. 2 is a pattern diagram showing an example of a method of dividing the pattern in FIG. A pattern diagram showing a state where a gap has occurred,
FIG. 4 is a pattern diagram for explaining a gap generation prevention method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a pattern data processing diagram for carrying out a gap generation prevention method according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block circuit diagram showing the device. 1, 2, 3...memory, 4...recognition circuit, 5...
...Dividing circuit, 6... Comparison circuit, 7... First correction circuit, 8... Second correction circuit, 9... Conversion circuit.
Claims (1)
るパターンデータにもとづき各矩形ごとに露光を
行なうことによつてマスクパターンを作成するマ
スク露光装置におけるマスクパターンの間隙発生
防止方法において、互に相接する矩形の内の第1
の矩形の1辺が第2の矩形の1辺内に含まれる場
合には該第1の矩形の該1片を微少幅だけ外方へ
移動する如く該第1の矩形を拡張し、互に相接す
る矩形の内の第1の矩形の1辺の1部と第2の矩
形の1辺の1部とが接する場合には相接する部分
の辺を中央に含む微少幅の矩形のパターンデータ
を新たに発生することを特徴とするマスクパター
ンの間隙発生防止方法。1. In a method for preventing gaps between mask patterns in a mask exposure apparatus in which a mask pattern is created by dividing an exposure pattern into rectangles and exposing each rectangle based on pattern data corresponding to each rectangle, the first of the rectangles
If one side of the rectangle is included within one side of the second rectangle, expand the first rectangle so that the one piece of the first rectangle is moved outward by a slight width, and When part of one side of a first rectangle and part of one side of a second rectangle among adjacent rectangles touch, a rectangular pattern with a minute width that includes the side of the adjacent part in the center. A method for preventing gap generation in a mask pattern, characterized by generating new data.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145462A JPS5848053A (en) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | Prevention for generation of gap in mask pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145462A JPS5848053A (en) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | Prevention for generation of gap in mask pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848053A JPS5848053A (en) | 1983-03-19 |
| JPS6212506B2 true JPS6212506B2 (en) | 1987-03-19 |
Family
ID=15385791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145462A Granted JPS5848053A (en) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | Prevention for generation of gap in mask pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848053A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60218650A (en) * | 1984-04-16 | 1985-11-01 | Canon Inc | Pattern exposure method |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56145462A patent/JPS5848053A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5848053A (en) | 1983-03-19 |
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