JPS6216566B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はクロストークの極めて少ないストリ
ツプラインに関する。

マイクロ波及びミリ波回路の伝送線路として導
波管の他に同軸線路やストリツプラインがある。
この同軸線路やストリツプラインは二導体で構成
されているため直流まで伝送でき広く伝送回路用
に利用されている。このうち特にストリツプライ
ンは多結線用ケーブルとして比較的コンパクトな
伝送線路を達成できるので、コンピユータ等の情
報機器用として注目されているものの、クロスト
ークが小さく高速パルス伝送用として適したもの
が得られていなかつた。そこで発明者は鋭意研究
を重ねた結果、誘電体層を挾んで対向する幅の狭
い信号導体と幅の広い接地導体との組導体が導体
の隣接方向に沿つて交互配置されれば、信号導体
間のクロストークが格段に減少することをつきと
めた。更に、誘電体層として多孔質四フツ化エチ
レン樹脂層等の低誘電率誘電体を用いれば、信号
伝達の高速化が得られて好都合であることもわか
つた。

従つてこの発明による主たる目的は、ストリツ
プラインのクロストークの減少にある。このため
本発明によれば、誘電体層と、この誘電体層を挾
んで対向する幅の狭い信号導体と幅の広い接地導
体とからなり、前記信号導体と接地導体とが隣接
方向に沿つて交互配列される複数組の組導体とを
備えるストリツプラインを構成する。この構成に
よりクロストークが大幅に減少する効果が得ら
れ、組導体の接地導体を信号導体よりも厚く形成
すればクロストークの減少度は更に増大する。

この発明による他の目的は伝達信号の高速化に
ある。このためこの発明によれば、誘電体層とし
て多孔質四フツ化エチレン樹脂層を用いて、物理
的、化学的に安定で低誘電率の誘電体層を設けて
目的を達成する。この発明による更に異なる目的
並びに構成効果は、以下に述べる実施例によつて
詳細に説明される。

次に図によつて実施例を説明する。

第１図において、例えば多孔質四フツ化エチレ
ン樹脂からなる誘電体層１の両面には幅の狭い信
号導体２と幅の広い接地導体３とが対向して複数
組交互配設されている。これらの信号導体２と接
地導体３とからなる組導体の外周部は更に、例え
ば充実質四フツ化エチレン樹脂等によつて外被４
が施されている。この外被４が充実質四フツ化エ
チレン樹脂からなり、誘電体層１が多孔質四フツ
化エチレン樹脂である場合は、各部材を第１図に
示すように配列した後、両側を図示しない熱ロー
ルにより加熱加圧すれば、誘電体層１と外被４と
が熱融着して信号導体２と接地導体３からなる複
数組の組導体は安定して挾持保持されて安定した
ストリツプライン５が形成される。その際、熱ロ
ールに凸出部を設けておき、ストリツプライン５
の両側端部６を圧縮成形することにより、誘電体
層１の両側端部に圧縮部７を形成しておけば、そ
の部分の誘電体層の多孔性は無くなり誘電率が大
きくなり、その結果ストリツプライン両側端部の
外部線路へのクロストークが減殺される。

第２図はこの発明の他の実施例を示し、幅の狭
い信号導体８と幅の広い接地導体９とが導体の隣
接方向に沿つて交互配置して配列された複数の組
導体間に設けた誘電体層１０が、例えば多孔質四
フツ化エチレン樹脂からなる第１層１０ａと第２
層１０ｂとを接合してなる例を示している。

組導体の外周には前記と同様に例えば充実質四
フツ化エチレン樹脂等からなる外被１１を設けて
ストリツプライン１２を形成し、更にストリツプ
ライン１２の一方の面には遮蔽層１３が設けられ
ている。

この実施例の場合、第１層１０ａと第２層１０
ｂの二層間の接合は、材質が多孔質四フツ化エチ
レン樹脂である場合は熱融着によつて必要な接合
強度が得られ、一定値以上の応力を与えれば第１
層１０ａと第２層１０ｂ間が剥離できるので、端
末処理が便利である。尚、第１層１０ａと第２層
１０ｂが多孔質四フツ化エチレン樹脂であり、外
被１１が充実質四フツ化エチレン樹脂である場
合、第１層１０ａと第２層１０ｂとの間は一定応
力によつて剥離可能であるが、外被１１と第１層
１０ａ又は第２層１０ｂとの接合強度は充分であ
るので、導体８，９が離脱するようなことはな
い。

又、第２図に示す実施例によれば、ストリツプ
ライン１２の一方の面に遮蔽層１３が設けてある
ので、ストリツプライン１２を積み重ねて用いる
場合にクロストークが無くて便利である。

第３図はこの発明による更に異なる実施例を示
し、この場合、誘電体層１４の両側に配設される
幅の狭い信号導体１５に対して幅の広い接地導体
１６は厚さが充分厚く形成されている。その結
果、信号導体１５の遮蔽率が著しく高められ、そ
のためクロストークも更に減殺されたストリツプ
ライン１７が得られる。なお１８は外被である。

以上の実施例に示す通りこの発明によれば、幅
の狭い信号導体と幅の広い接地導体とが導体の隣
接方向に沿つて交互配置されているため、第４図
に示す点線のように千鳥状の接地線２５が形成さ
れたと同等となり、信号導体１９よりの電気力線
は矢線で示す通り同一組内の接点導体２０並びに
隣接組の接地導体２１，２２とは結ぶものの、隣
接組の信号導体２３，２４とはほとんど結ばな
い。このためクロストークがほとんど無くなる利
益が得られる。

ちなみに第１図の構造のストリツプラインにお
いて、線路長10メートルに立上り時間2.5ナノ秒
のパルスを与えた場合の隣接間のフオワードクロ
ストーク減衰量は0.45％、バツクワードクロスト
ーク減衰量は0.54％で、層間クロストーク減衰量
はいずれも隣接間クロストーク減衰量の約半分以
下であつた。線路長３メートルの場合も同様な値
であつた。

これに対して従来のストリツプラインにおいて
は隣接間フオワードクロストーク減衰量は2.4
％、バツクワードクロストーク減衰量は5.1％で
あつたので、隣接間フオワードクロストーク減衰
量は約1/5になり、隣接間バツクワード減衰量は
約1/9に減殺されることになる。

従つてこの発明によれば、クロストークが大幅
に減殺され、特に情報伝達用として用いれば極め
て有効となる。又この発明によるストリツプライ
ンによれば、線路の両端側からの信号の受授にも
クロストークなしに安定して使用に供することが
できるので極めて有用である。

更にこの発明によれば、組導体が導体の隣接方
向に沿つて交互配置されているので、従来のスト
リツプラインに較べて幅方向寸法が縮少されてコ
ンパクトになり軽量化が達せられ、或いは組導体
の実装密度が高められる効果が得られるばかり
か、導体間の誘電体層を多孔質四フツ化エチレン
樹脂等の低誘電率誘電体を用いることにより、伝
搬遅延時間が縮少されて信号伝達速度が高められ
ると共に信号パルスの立上り時間のなまりが少な
い結果一段と高いパルス繰返し周波数の信号を伝
達することができ、高速伝送に寄与する所大であ
る。

その上この発明によれば、誘電体層及び外被と
して四フツ化エチレン樹脂を用いれば、±260℃の
範囲で連続して安定に使用することができ、更に
広い周波数帯で好適に使用することができる。

尚、この発明は実施例に限定されるものではな
く、たとえば誘電体に充填材や着色材を含めても
よいなど、この発明の思想の範囲内で種々変更実
施できることは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第３図はそれぞれこの発明
による異なる実施例を示すストリツプラインの横
断面図、第４図はこの発明によるストリツプライ
ンの現象を示す概念図である。 １，１０，１４：誘電体層、２，８，１５：信
号導体、３，９，１６：接地導体、４，１１，１
８：外被、５，１２，１７：ストリツプライン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 誘電体層と、この誘電体層を挾んで対向する
   幅の狭い信号導体と幅の広い接地導体とからなり
   前記信号導体と接地導体とが隣接方向に沿つて交
   互配列される複数組の組導体とを備えるストリツ
   プライン。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載のストリツプラ
   インにおいて、誘電体層は多孔質四フツ化エチレ
   ン樹脂層からなり、該誘電体層と組導体とが充実
   質四フツ化エチレン樹脂層によつて覆われること
   を特徴とするストリツプライン。 ３ 特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のス
   トリツプラインにおいて、組導体の接地導体は信
   号導体よりも厚く形成されることを特徴とするス
   トリツプライン。 ４ 特許請求の範囲第１項から第３項のいずれか
   に記載のストリツプラインにおいて、少なくとも
   一方の面に遮蔽層を有することを特徴とするスト
   リツプライン。 ５ 特許請求の範囲第１項から第４項のいずれか
   に記載のストリツプラインにおいて、誘電体層は
   一定応力以上で相互剥離可能な二層からなること
   を特徴とするストリツプライン。 ６ 特許請求の範囲第５項に記載のストリツプラ
   インにおいて、誘電体層は二層の多孔質四フツ化
   エチレン樹脂層からなることを特徴とするストリ
   ツプライン。