JPS6221282B2 - - Google Patents
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- JPS6221282B2 JPS6221282B2 JP10107878A JP10107878A JPS6221282B2 JP S6221282 B2 JPS6221282 B2 JP S6221282B2 JP 10107878 A JP10107878 A JP 10107878A JP 10107878 A JP10107878 A JP 10107878A JP S6221282 B2 JPS6221282 B2 JP S6221282B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3005—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はAGC(自動利得制御)回路等に用い
られる整流回路に関し、温度変動に対して安定
で、かつ容易に高整流効率が得られる回路を提供
することを目的とする。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a rectifier circuit used in an AGC (automatic gain control) circuit, etc., and an object of the present invention is to provide a circuit that is stable against temperature fluctuations and can easily obtain high rectification efficiency. do.
第1図は本発明の一実施例を示すもので、pnp
トランジスタ7,8のベースは直流バイアス抵抗
3,4によつて一定の直流バイアス電圧が加えら
れている。npnトランジスタ9はダイオード接続
されていて、そのコレクタおよびベースはトラン
ジスタ7のコレクタに接続されている。トランジ
スタ10は抵抗11を介してトランジスタ9から
ベースバイアス電流が供給され、そのコレクタは
トランジスタ8のコレクタに接続されている。ト
ランジスタ9,10のエミツタは接地されてい
る。トランジスタ7,8のエミツタはそれぞれ抵
抗5,6を介して電源に接続されている。 FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
A constant DC bias voltage is applied to the bases of the transistors 7 and 8 by DC bias resistors 3 and 4. NPN transistor 9 is diode-connected, with its collector and base connected to the collector of transistor 7. Transistor 10 is supplied with a base bias current from transistor 9 via resistor 11, and its collector is connected to the collector of transistor 8. The emitters of transistors 9 and 10 are grounded. The emitters of transistors 7 and 8 are connected to a power supply via resistors 5 and 6, respectively.
端子1は交流信号の入力端子で、入力交流信号
は直流阻止コンデンサ12を介してトランジスタ
10のベースに印加される。入力交流信号によつ
て発生するトランジスタ10のベース電流には、
ベースエミツタ間の非線形性によつて直流成分が
発生し、すなわち整流される。トランジスタ10
のコレクタには、このベース電流の直流成分の電
流増幅率倍のコレクタ電流が発生する。13は出
力端子2と接地間に接続されたコンデンサであ
り、同時に発生するコレクタ電流の交流成分はバ
イパスされる。トランジスタ8はトランジスタ1
0の負荷でもあり、非常に高い直流インピーダン
スを有するので、トランジスタ10のコレクタ電
流の微小な変化に対しても、大きな電圧変化が得
られる。したがつて入力交流信号電圧に対するト
ランジスタ10のコレクタ出力直流電圧の比、す
なわち整流電圧利得、言い換えれば整流効率を極
めて高くとることができる。 Terminal 1 is an input terminal for an AC signal, and the input AC signal is applied to the base of transistor 10 via DC blocking capacitor 12. The base current of the transistor 10 generated by the input AC signal is:
Due to the nonlinearity between the base and emitter, a DC component is generated, ie, rectified. transistor 10
A collector current that is twice the current amplification factor of the DC component of this base current is generated in the collector of the base current. 13 is a capacitor connected between the output terminal 2 and ground, and the alternating current component of the collector current generated at the same time is bypassed. Transistor 8 is transistor 1
Since it is a zero load and has a very high DC impedance, a large voltage change can be obtained even with a small change in the collector current of the transistor 10. Therefore, the ratio of the collector output DC voltage of the transistor 10 to the input AC signal voltage, that is, the rectification voltage gain, in other words, the rectification efficiency can be made extremely high.
ところで、トランジスタ7,8は同一の特性を
有し、またトランジスタ9,10も同一の特性を
有するようにしてあり、もし抵抗5,6の抵抗値
が相等しければ、トランジスタ7,8,9,10
のコレクタ電流はほとんど等しくなる。なお、抵
抗11は、入力交流信号に対し、実質的にダイオ
ードとなつているトランジスタ9が低インピーダ
ンスの負荷となるのを避けるための緩衝用の抵抗
であり、トランジスタ9,10のバイアスの電流
のバランスを崩さない範囲に抵抗値を設定でき
る。入力交流信号の信号源が低い内部インピーダ
ンスで供給できれば、抵抗11は必ずしも必要で
はない。第1図の実施例では抵抗5の抵抗値R5
と抵抗6の抵抗値R6の関係は
R5>R6
に設定してあり、入力交流信号が無い状態ではト
ランジスタ8のコレクタ電流のみが他より大き
い。トランジスタ8とトランジスタ10のコレク
タ電流の差電流がそのまま出力端子2から外部に
流出すれば、各電流は平衡となる。しかし、端子
2における直流抵抗は極めて大きいので、上記の
差電流がたとえわずかであつても、出力端子2の
電位は+側にトランジスタ8のエミツタ電位まで
上昇し、トランジスタ8を飽和領域に追い込んで
平衡状態となる。この時、トランジスタ8の電流
増幅率が低下し、トランジスタ8のコレクタ電流
はトランジスタ10のコレクタ電流に等しくな
る。この回路状態は、R5=R6として、トランジ
スタ10のエミツタ面積を、トランジスタ9のエ
ミツタ面積より小さくするが、あるいは、トラン
ジスタ8のエミツタ面積を、トランジスタ7のエ
ミツタ面積より大きくすることによつても実現で
きる。いま、入力交流信号が増加すると、トラン
ジスタ10のコレクタ電流が増加し、出力端子2
の電位は降下し、十分大きな入力交流信号に対し
ては、トランジスタ10のコレクタ電流が、トラ
ンジスタ8のコレクタ電流よりも十分大きくな
り、トランジスタ10は飽和領域に追い込まれ
る。トランジスタのコレクタ・エミツタ間飽和電
圧はたとえば01V程度と非常に小さいので、コレ
クタ電位はほぼ接地電位に至ることができる。十
分大きな入力交流信号に対しては出力端子2はほ
ぼ接地電位まで達する。第4図はトランジスタ1
0の整流動作の説明図で、第1図におけるコンデ
ンサ13を外した場合のトランジスタ10のコレ
クタ電流波形を示している。 By the way, the transistors 7 and 8 have the same characteristics, and the transistors 9 and 10 also have the same characteristics.If the resistance values of the resistors 5 and 6 are equal, the transistors 7, 8, 9, 10
The collector currents of are almost equal. Note that the resistor 11 is a buffer resistor to prevent the transistor 9, which is essentially a diode, from becoming a low impedance load with respect to the input AC signal, and is a buffer resistor for the bias current of the transistors 9 and 10. The resistance value can be set within a range that does not upset the balance. If the source of the input AC signal can be supplied with a low internal impedance, the resistor 11 is not necessarily necessary. In the embodiment shown in FIG. 1, the resistance value R 5 of the resistor 5
The relationship between the resistance value R 6 of the resistor 6 and the resistance value R 6 of the resistor 6 is set to R 5 >R 6 , and in a state where there is no input AC signal, only the collector current of the transistor 8 is larger than the others. If the difference current between the collector currents of transistor 8 and transistor 10 flows out from output terminal 2 as it is, each current becomes balanced. However, since the DC resistance at terminal 2 is extremely large, even if the above difference current is small, the potential at output terminal 2 rises to the + side to the emitter potential of transistor 8, pushing transistor 8 into the saturation region. It becomes an equilibrium state. At this time, the current amplification factor of transistor 8 decreases, and the collector current of transistor 8 becomes equal to the collector current of transistor 10. This circuit state can be achieved by setting R 5 = R 6 and making the emitter area of transistor 10 smaller than the emitter area of transistor 9, or by making the emitter area of transistor 8 larger than the emitter area of transistor 7. can also be achieved. Now, when the input AC signal increases, the collector current of the transistor 10 increases, and the output terminal 2
For a sufficiently large input AC signal, the collector current of transistor 10 becomes sufficiently larger than the collector current of transistor 8, and transistor 10 is driven into the saturation region. Since the collector-emitter saturation voltage of the transistor is very small, for example, about 0.01 V, the collector potential can reach almost the ground potential. For sufficiently large input AC signals, the output terminal 2 reaches approximately ground potential. Figure 4 shows transistor 1
This is an explanatory diagram of the rectification operation of 0, and shows the collector current waveform of the transistor 10 when the capacitor 13 in FIG. 1 is removed.
第4図aは第1図1への入力交流信号が小さい
場合、第4図bは大きい場合である。入力交流信
号が小さい場合は、トランジスタ10のベースエ
ミツタ間の非線形性の影響が小さいので、平均の
直流電流は無入力状態とほぼ等しい。しかし、入
力交流信号が大きい場合には、第4図bのように
入力信号の正半波時の電流増分が大きくなり、平
均の直流電流は、無入力状態より増加する。この
増加分が、前述したトランジスタ8、トランジス
タ10のコレクタ電流の差電流を越え、トランジ
スタ8よりトランジスタ10のコレクタ電流が十
分大きくなれば、無入力状態とは逆に出力端子2
はトランジスタ10のほぼエミツタ電位にまで達
する。 FIG. 4a shows a case where the input AC signal to FIG. 1 is small, and FIG. 4b shows a case where it is large. When the input AC signal is small, the influence of nonlinearity between the base and emitter of the transistor 10 is small, so the average DC current is approximately equal to that in the no-input state. However, when the input AC signal is large, the current increment during the positive half wave of the input signal becomes large as shown in FIG. 4b, and the average DC current increases compared to the state with no input. If this increase exceeds the difference current between the collector currents of transistor 8 and transistor 10 mentioned above, and the collector current of transistor 10 becomes sufficiently larger than that of transistor 8, then the output terminal 2
reaches almost the emitter potential of transistor 10.
第3図aは上記の入力交流信号と出力電位の関
係図である。 FIG. 3a is a diagram showing the relationship between the input AC signal and the output potential.
第1図によれば、前記したように高い整流電圧
利得が可能となると共にトランジスタ7と8、ト
ランジスタ9と10はそれぞれ温度に対して相補
関係にあり、このため温度に対して各トランジス
タのコレクタ電流間のバランスはほとんど一定に
保たれるので、たとえば第3図aでVkで示す整
流開始入力電圧等の温度変動をきわめて少くする
ことができる。 According to FIG. 1, as described above, a high rectified voltage gain is possible, and transistors 7 and 8 and transistors 9 and 10 have a complementary relationship with respect to temperature, so that the collector of each transistor with respect to temperature Since the balance between the currents is kept almost constant, temperature fluctuations, such as in the rectification start input voltage, indicated by Vk in FIG. 3a, can be minimized to a minimum.
第2図は、本発明を適用した場合の回路図であ
る。第1図の実施例では入力交流信号の増加と共
に出力端子2の直流電圧が降下するが、AGCに
適用する場合にそれと逆極性、すなわち入力交流
信号の増加と共に出力端子2の直流電圧が上昇す
る特性が必要な場合がある。これは、出力端子2
に接続される可変利得素子がいずれの極性で正規
の利得変化をするかによる。第2図はこの点を考
え、一つの簡単なスイツチを使うのみで上記のよ
うな両極性を容易に得られるようにしたものであ
る。 FIG. 2 is a circuit diagram when the present invention is applied. In the embodiment shown in Fig. 1, the DC voltage at the output terminal 2 drops as the input AC signal increases, but when applied to AGC, the polarity is reversed, that is, the DC voltage at the output terminal 2 increases as the input AC signal increases. characteristics may be required. This is output terminal 2
It depends on which polarity the variable gain element connected to changes the normal gain. In consideration of this point, Figure 2 is designed to easily obtain the above-mentioned bipolarity using just one simple switch.
第2図において、トランジスタ18,19,2
0,21抵抗30,32,33から成る回路はト
ランジスタ20,21のベース間に抵抗31が、
トランジスタ18のエミツタと接地間に抵抗34
が、トランジスタ19のエミツタと接地間に抵抗
35が接続されている以外は第1図と同一の回路
構成である。抵抗29、ダイオード接続された
pnpトランジスタ27はトランジスタ20,21
のベースバイアス回路で、抵抗28、トランジス
タ27の接続点にpnpトランジスタ24のコレク
タが接続されている。トランジスタ20,21の
エミツタにはそれぞれpnpトランジスタ25のコ
レクタ、トランジスタ26のコレクタが接続され
pnpトランジスタ24,25,26のエミツタは
いづれも電源にベースは抵抗38を介してスイツ
チ17の可動接点aに接続されている。 In FIG. 2, transistors 18, 19, 2
A circuit consisting of 0.0, 21 resistors 30, 32, and 33 has a resistor 31 between the bases of transistors 20 and 21.
A resistor 34 is connected between the emitter of the transistor 18 and ground.
However, the circuit configuration is the same as that in FIG. 1 except that a resistor 35 is connected between the emitter of the transistor 19 and the ground. Resistor 29, diode connected
pnp transistor 27 is transistor 20, 21
In the base bias circuit, the collector of the PNP transistor 24 is connected to the connection point between the resistor 28 and the transistor 27. The emitters of transistors 20 and 21 are connected to the collectors of a pnp transistor 25 and a transistor 26, respectively.
The emitters of the pnp transistors 24, 25, and 26 are all connected to the power source, and the bases are connected to the movable contact a of the switch 17 via a resistor 38.
一方、トランジスタ18,19のエミツタには
それぞれトランジスタ22のコレクタ、トランジ
スタ23のコレクタが接続され、トランジスタ2
2,23のエミツタは接地され、またベースは抵
抗39を介してスイツチ17の可動接点aに接続
されている。交流入力信号は端子15からコンデ
ンサ36を介してトランジスタ21のベースとコ
ンデンサ37を介してトランジスタ19のベース
に印加され、出力端子16から直流電圧が取り出
される。 On the other hand, the emitters of transistors 18 and 19 are connected to the collectors of transistor 22 and transistor 23, respectively.
The emitters 2 and 23 are grounded, and the base is connected to the movable contact a of the switch 17 via a resistor 39. The AC input signal is applied from the terminal 15 via the capacitor 36 to the base of the transistor 21 and the base of the transistor 19 via the capacitor 37, and a DC voltage is taken out from the output terminal 16.
いま、スイツチ17が第2図に示す接続状態に
あるとき、すなわち、スイツチ17の可動接点a
が固定接点bに接続され、抵抗38,39の接続
点が+B電源に接続されているとすると、トラン
ジスタ24,25,26は全てしや断状態とな
り、これらのトランジスタはいずれも回路上に無
いのと等しい。一方トランジスタ22,23は導
通状態になり、それぞれ抵抗34,35を短絡す
る。このような状態で交流入力信号が印加される
と、第1図と同様の動作でトランジスタ19のベ
ース・エミツタ間の整流作用で出力端子16に整
流出力が得られる。 Now, when the switch 17 is in the connected state shown in FIG.
Assuming that is connected to fixed contact b and the connection point of resistors 38 and 39 is connected to +B power supply, transistors 24, 25, and 26 are all turned off, and none of these transistors are on the circuit. is equal to On the other hand, transistors 22 and 23 become conductive and short-circuit resistors 34 and 35, respectively. When an AC input signal is applied in such a state, a rectified output is obtained at the output terminal 16 by the rectifying action between the base and emitter of the transistor 19 in the same manner as in FIG.
ところで、入力信号はトランジスタ21のベー
スにも加えられているが、トランジスタ21のエ
ミツタには抵抗32が挿入してあるため、トラン
ジスタ21は直線増幅器として動作し、整流作用
は起らず、増幅された信号はバイパスコンデンサ
40によつて完全に接地に落とされる。したがつ
て、トランジスタ21による電流出力への影響は
ない。もちろん抵抗32の抵抗値は所要の交流入
力信号の大きさに対してトランジスタ21が直線
増幅器として働くように決めてある。上記の動作
モードは第1図と同様に第3図aの特性となる。 By the way, the input signal is also applied to the base of the transistor 21, but since the resistor 32 is inserted into the emitter of the transistor 21, the transistor 21 operates as a linear amplifier, and no rectification occurs and the signal is amplified. The bypass capacitor 40 completely drops the signal to ground. Therefore, the current output by the transistor 21 is not affected. Of course, the resistance value of resistor 32 is determined so that transistor 21 functions as a linear amplifier for the required magnitude of AC input signal. The above operation mode has the characteristics shown in FIG. 3a, similar to FIG. 1.
次に、スイツチ17の可動接点aが固定接点c
に接続した場合は抵抗38,39の接続点は接地
され、トランジスタ24,25,26は全て導通
状態となつてそれぞれ抵抗29,30,32を短
絡し、トランジスタ20,21のベースバイアス
を前記のモードと同一に保持しつつトランジスタ
20,21のエミツタを+B電源に直結する。 Next, the movable contact a of the switch 17 is connected to the fixed contact c.
When the connection point between the resistors 38 and 39 is grounded, the transistors 24, 25, and 26 are all conductive, shorting the resistors 29, 30, and 32, respectively, and changing the base bias of the transistors 20 and 21 to the above-mentioned value. The emitters of transistors 20 and 21 are directly connected to the +B power supply while maintaining the same mode.
一方、トランジスタ22,23はしや断状態と
なり、トランジスタ18,19のエミツタ・接地
間はそれぞれ抵抗34,35が挿入されたと等価
になる。したがつてこの場合は前記のモードとは
逆にトランジスタ21で整流が行なわれ、トラン
ジスタ19は直線増幅器となる。もちろん、
R30>R32 R34>R35
に設定してあるため、このモードの場合には第3
図bのような所望の特性となる。 On the other hand, the transistors 22 and 23 are turned off, and it becomes equivalent to inserting resistors 34 and 35 between the emitters of the transistors 18 and 19 and the ground, respectively. Therefore, in this case, rectification is performed by transistor 21, contrary to the above-mentioned mode, and transistor 19 becomes a linear amplifier. Of course, since R 30 > R 32 R 34 > R 35 is set, in this mode, the third
The desired characteristics as shown in Figure b are obtained.
以上実施例によつて説明したように、本発明に
よれば整流用のトランジスタおよびそれに直流バ
イアス電流を流し、かつ整流開始電圧を規定する
バイアス用トランジスタとが温度補償の関係にあ
り、バイアス電流、整流開始電圧を安定に保持す
ると共に、バイアス用トランジスタの一つは整流
用トランジスタの高インピーダンス負荷ともなつ
ているため、大きな整流効率が得られるものであ
る。また、簡単なスイツチ操作により二種類の整
流モードが容易に得られるもので、その効果は大
である。 As explained above with reference to the embodiments, according to the present invention, the rectifying transistor and the biasing transistor that flows the DC bias current therein and that defines the rectification starting voltage are in a temperature-compensated relationship, so that the bias current, Since the rectification starting voltage is held stably and one of the bias transistors also serves as a high impedance load for the rectification transistor, a high rectification efficiency can be obtained. Moreover, two types of rectification modes can be easily obtained by a simple switch operation, which is very effective.
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2
図は本発明を適用した場合の回路図、第3図a、
bは出力電位の関係図、第4図a、bは整流動作
の説明図である。
1,15…入力端子、2,16…出力端子、
7,8,18,19,20,21,22,23,
24,25,26,27…トランジスタ。
Figure 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, Figure 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
The figure is a circuit diagram when the present invention is applied, Figure 3a,
4b is a relationship diagram of output potential, and FIGS. 4a and 4b are explanatory diagrams of rectification operation. 1, 15...input terminal, 2,16...output terminal,
7, 8, 18, 19, 20, 21, 22, 23,
24, 25, 26, 27...transistor.
Claims (1)
ランジスタと、互いのベースを抵抗を介して接続
した上記第1および第2のトランジスタに逆極性
の第3および第4のトランジスタと、上記第1お
よび第2のトランジスタのベースに直流バイアス
電圧を印加するバイアス回路とを具備し、上記第
2のトランジスタのコレクタと第3のトランジス
タのコレクタおよびベースとを接続し、上記第1
のトランジスタのコレクタと第4のトランジスタ
のコレクタとを接続し、上記第4のトランジスタ
のベースに交流信号を印加し、そのコレクタから
整流出力を取り出すことを特徴とする整流回路。1 first and second transistors whose bases are connected to each other; third and fourth transistors whose polarities are opposite to the first and second transistors whose bases are connected to each other via a resistor; and a bias circuit that applies a DC bias voltage to the base of the second transistor, the collector of the second transistor is connected to the collector and base of the third transistor, and the collector of the second transistor is connected to the collector and base of the third transistor.
A rectifier circuit, characterized in that a collector of the transistor is connected to a collector of a fourth transistor, an alternating current signal is applied to the base of the fourth transistor, and a rectified output is taken out from the collector.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10107878A JPS5527767A (en) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | Rectifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10107878A JPS5527767A (en) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | Rectifier circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5527767A JPS5527767A (en) | 1980-02-28 |
| JPS6221282B2 true JPS6221282B2 (en) | 1987-05-12 |
Family
ID=14291054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10107878A Granted JPS5527767A (en) | 1978-08-18 | 1978-08-18 | Rectifier circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5527767A (en) |
-
1978
- 1978-08-18 JP JP10107878A patent/JPS5527767A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5527767A (en) | 1980-02-28 |
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