JPS6222154B2 - - Google Patents
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- JPS6222154B2 JPS6222154B2 JP56198855A JP19885581A JPS6222154B2 JP S6222154 B2 JPS6222154 B2 JP S6222154B2 JP 56198855 A JP56198855 A JP 56198855A JP 19885581 A JP19885581 A JP 19885581A JP S6222154 B2 JPS6222154 B2 JP S6222154B2
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- liquid crystal
- forming
- substrate
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は反射型の液晶表示装置の製造方法に係
り、特に反射面となる表示電極部の改良に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a method for manufacturing a reflective liquid crystal display device, and particularly to improvement of a display electrode portion serving as a reflective surface.
近年、表示装置の進歩は目ざましいものがある
が、中でも液晶を用いた表示装置は低電力、薄
型、長寿命という点ですぐれており、最近では液
晶を用いたテレビも発表されている。現在、液晶
テレビには、消費電力が小さい、視角が広く取れ
る等の理由からネマチツク液晶に二色性色素を混
合した液晶を用いた、いわゆるゲスト・ホスト型
の液晶が用いられている。このゲスト・ホスト型
液晶において、高いコントラストを得るためには
下地の表示電極を白く、明るい散乱反射面にする
ことが必要である。このような反射面となる表示
電極を実現するため、従来はアルミニウムのよう
な白色金属の表面を化学的な処理を施し、表面に
微細な凹凸を作る方法、又は、同様な処理による
微細な凹凸を絶縁膜を介してその上の表示電極に
反映させる方法が行なわれていた。
In recent years, there have been remarkable advances in display devices, and display devices using liquid crystals are particularly superior in terms of low power consumption, thinness, and long life, and recently televisions using liquid crystals have also been announced. Currently, liquid crystal televisions use a so-called guest-host type liquid crystal, which uses a nematic liquid crystal mixed with a dichroic dye, for reasons such as low power consumption and a wide viewing angle. In order to obtain high contrast in this guest-host type liquid crystal, it is necessary to make the underlying display electrode a white, bright scattering-reflecting surface. In order to create display electrodes that serve as reflective surfaces, the conventional method is to chemically treat the surface of a white metal such as aluminum to create fine irregularities on the surface, or to create fine irregularities using a similar process. A method has been used in which this is reflected on the display electrodes on the insulating film via the insulating film.
しかし、従来の方法では、表示面積が大きい場
合にあつては、化学的な処理を行う際、基板内で
不均一が生ずるばかりでなく、ロツト間において
もバラツキが出る等の欠点を有している。
However, when the display area is large, conventional methods have the disadvantage that not only nonuniformity occurs within the substrate but also variations between lots when chemical processing is performed. There is.
本発明は、極めて均一性の優れた明るい散乱面
とした表示電極を備えた反射型の液晶表示装置の
製造方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a reflective liquid crystal display device having a display electrode having a bright scattering surface with extremely excellent uniformity.
本発明は、液晶セルの表示電極を散乱面とする
ために、シリリコンを含むアルミニウム膜をエツ
チングしたときに均一性よく、かつ再現性よく残
すことのできるシリコン残渣を凹凸を作るための
核として用い、この凹凸を反映するように絶縁膜
を介して表示電極を設けたことを特徴とする。
In order to make the display electrode of a liquid crystal cell a scattering surface, silicon residue, which can be left with good uniformity and good reproducibility when etching an aluminum film containing silicon, is used as a nucleus for creating unevenness. , a display electrode is provided via an insulating film so as to reflect this unevenness.
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は本発明をスイツチ/キヤパシタアレイ
を用いたマトリクス形液晶表示装置に適用した一
実施例を説明するための一画素部分の断面図、第
2図はその一画素部分の等価回路、第3図は同じ
くその表示電極部分の拡大図である。 FIG. 1 is a sectional view of one pixel portion for explaining an embodiment in which the present invention is applied to a matrix type liquid crystal display device using a switch/capacitor array, FIG. 2 is an equivalent circuit of the one pixel portion, and FIG. The figure is also an enlarged view of the display electrode portion.
1は単結晶シリコン基板(第1の基板)であ
り、この上にシリコンゲートMOS製造プロセス
によつてMOSFET2とMOSキヤパシタ3からな
るスイツチ/キヤパシタアレイが集積形成されて
いる。4はCVD等により被着された絶縁膜で、
所定の場所が開孔されていて、この上にシリコン
を含むアルミニウム膜をスパツタにより被着し、
これをエツチングして配線5が形されている。こ
のパターンをエツチングに依り形成する際、シリ
コン残渣6が絶縁膜4の表面に残る。こうして、
スイツチ/キヤパシタアレイおよびその配線が形
成された基板上に、更にCVD等により絶縁膜7
を被着し、これに開孔をあけて反射率の高い金属
例えばアルミニウム膜を被着し、このアルミニウ
ム膜をパターニングして表示電極8が形成されて
いる。このとき絶縁膜7は、上述のシリコン残渣
6が核となつて生長するため、第3図に示すごと
く、残渣6に対応した凹凸が表面に反映され、こ
の凹凸面が表示電極8の表面にも反映されて、表
示電極8は良好な散乱面となる。こうして得られ
た表示電極をもつスイツチ/キヤパシタアレイが
形成された基板と、全面に透明電極9が形成され
たガラス基板10(第2の基板)との間にゲス
ト・ホスト型液晶11を挾持して、マトリツクス
形液晶表示装置が構成されている。 Reference numeral 1 denotes a single crystal silicon substrate (first substrate), on which a switch/capacitor array consisting of a MOSFET 2 and a MOS capacitor 3 is integrated and formed by a silicon gate MOS manufacturing process. 4 is an insulating film deposited by CVD etc.
A hole is made at a predetermined location, and an aluminum film containing silicon is deposited on the hole by sputtering.
Wiring 5 is formed by etching this. When this pattern is formed by etching, silicon residue 6 remains on the surface of the insulating film 4. thus,
On the substrate on which the switch/capacitor array and its wiring are formed, an insulating film 7 is further formed by CVD, etc.
The display electrode 8 is formed by forming apertures thereon and depositing a metal film having a high reflectivity, such as an aluminum film, and patterning this aluminum film. At this time, the insulating film 7 grows with the silicon residue 6 as a nucleus, so as shown in FIG. As a result, the display electrode 8 becomes a good scattering surface. A guest-host type liquid crystal 11 is sandwiched between the substrate on which the switch/capacitor array with display electrodes thus obtained is formed and the glass substrate 10 (second substrate) on which the transparent electrode 9 is formed on the entire surface. , a matrix type liquid crystal display device is constructed.
この実施例によれば、表示電極8は、面積が比
較的大きい場合にも極めて均一な明るい白色散乱
面となり、コントラストの良い表示が可能とな
る。しかも表示電極8の散乱面の均一性は再現性
よく実現でき、ロツト間でのばらつきも少ない。 According to this embodiment, even if the display electrode 8 has a relatively large area, it becomes an extremely uniform bright white scattering surface, and a display with good contrast is possible. Moreover, the uniformity of the scattering surface of the display electrode 8 can be achieved with good reproducibility, and there is little variation between lots.
尚、実施例において、絶縁膜はCVDにより被
着したもの、反射型の表示電極はアルミニウムを
例として用いたがこれに限るものではなく目的を
満足する材料であれば良い。又スイツチ/キヤパ
シタアレイの基板として単結晶シリコン基板を用
いたがこれもSOS構造やガラス基板上にアモルフ
アスシリコンやポリシリコンを形成したような構
造のものであつても良い。更に実施例ではスイツ
チ/キヤパシタアレイを用いたマトリクス形液晶
表示装置を示したが、本発明は反射型の表示電極
を用いる他の液晶表示装置に同様に適用して効果
がある。 In the embodiment, the insulating film was deposited by CVD, and the reflective display electrode was made of aluminum, but the material is not limited to these, and any material may be used as long as it satisfies the purpose. Although a single crystal silicon substrate is used as the substrate of the switch/capacitor array, it may also have an SOS structure or a structure in which amorphous silicon or polysilicon is formed on a glass substrate. Further, although a matrix type liquid crystal display device using a switch/capacitor array is shown in the embodiment, the present invention can be similarly applied to other liquid crystal display devices using reflective display electrodes.
本発明によれば、表示電極面を均一性よく、か
つ再現性よく白色散乱面とした。コントラストの
高い反射型の液晶表示装置の製造方法を提供でき
る。
According to the present invention, the display electrode surface is made into a white scattering surface with good uniformity and good reproducibility. A method for manufacturing a reflective liquid crystal display device with high contrast can be provided.
第1図は、本発明の実施例を説明するための断
面図、第2図は、その等価回路図、第3図は、同
じくその表示電極部分の拡大図である。
1……単結晶シリコン基板(第1の基板)、2
……MOSFET、3……MOSキヤパシタ、4……
絶縁膜、5……配線(シリコンを含むアルミニウ
ム膜)、6……シリコン残渣、7……絶縁膜、8
……表示電極、9……透明電極、10……ガラス
基板(第2の基板)、11……ゲスト・ホスト型
液晶。
FIG. 1 is a sectional view for explaining an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram thereof, and FIG. 3 is an enlarged view of the display electrode portion thereof. 1... Single crystal silicon substrate (first substrate), 2
...MOSFET, 3...MOS capacitor, 4...
Insulating film, 5... Wiring (aluminum film containing silicon), 6... Silicon residue, 7... Insulating film, 8
... Display electrode, 9 ... Transparent electrode, 10 ... Glass substrate (second substrate), 11 ... Guest-host type liquid crystal.
Claims (1)
膜を形成する工程と、このアルミニウム膜を所定
のパターンにエツチングするとともにシリコン残
渣を残す工程と、このシリコン残渣による凹凸を
反映するように絶縁膜を形成する工程と、この絶
縁膜上に所定パターンの反射型の表示電極を形成
する工程と、透明材料からなる第2の基板上の全
面に透明電極を形成する工程と、前記第1及び第
2基板間に液晶を挾持する工程とを備えたことを
特徴とする液晶表示装置の製造方法。1 A step of forming an aluminum film containing silicon on a first substrate, a step of etching this aluminum film into a predetermined pattern and leaving a silicon residue, and forming an insulating film to reflect the unevenness caused by the silicon residue. a step of forming a reflective display electrode in a predetermined pattern on the insulating film, a step of forming a transparent electrode on the entire surface of a second substrate made of a transparent material, and a step of forming a transparent electrode on the first and second substrates. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising the step of sandwiching a liquid crystal between the liquid crystal display devices.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198855A JPS58100174A (en) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198855A JPS58100174A (en) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | Liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100174A JPS58100174A (en) | 1983-06-14 |
| JPS6222154B2 true JPS6222154B2 (en) | 1987-05-15 |
Family
ID=16398023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198855A Granted JPS58100174A (en) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | Liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100174A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256746U (en) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62240935A (en) * | 1986-04-14 | 1987-10-21 | Seiko Epson Corp | Space optical modulator |
| JP3066192B2 (en) * | 1992-07-10 | 2000-07-17 | シャープ株式会社 | Method for manufacturing reflective active matrix substrate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5694386A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-30 | Suwa Seikosha Kk | Liquiddcrystal display unit |
-
1981
- 1981-12-10 JP JP56198855A patent/JPS58100174A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256746U (en) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58100174A (en) | 1983-06-14 |
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