JPS6222264B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6222264B2 JPS6222264B2 JP60215088A JP21508885A JPS6222264B2 JP S6222264 B2 JPS6222264 B2 JP S6222264B2 JP 60215088 A JP60215088 A JP 60215088A JP 21508885 A JP21508885 A JP 21508885A JP S6222264 B2 JPS6222264 B2 JP S6222264B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- dust
- electron beam
- sample
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジスト膜中の塵埃検査方法に関する
ものである。
ものである。
電子ビームを用いて描画を行なう場合、発生す
るパターン欠陥はマスク製作の各工程に於て付着
する塵埃によるものが大部分である。
るパターン欠陥はマスク製作の各工程に於て付着
する塵埃によるものが大部分である。
特にレジスト塗布から電子ビーム露光に到るま
での工程で付着する塵埃はマスク欠陥の殆んど全
てを占める。パターン検査をパターン形成終了後
に行なうと、パターン欠陥の多いものを無駄にマ
スク製作工程中を流すことになり、挽回のための
対策も遅くなりがちになる。
での工程で付着する塵埃はマスク欠陥の殆んど全
てを占める。パターン検査をパターン形成終了後
に行なうと、パターン欠陥の多いものを無駄にマ
スク製作工程中を流すことになり、挽回のための
対策も遅くなりがちになる。
本発明はこのような欠点を無くし、パターン欠
陥を早期に検知することによつて無駄にマスクを
製作することを無くし、挽回のための早期対策を
可能とするとともにパターン検査時間を短縮する
ための方法を提供することなどを目的としてなさ
れたものである。
陥を早期に検知することによつて無駄にマスクを
製作することを無くし、挽回のための早期対策を
可能とするとともにパターン検査時間を短縮する
ための方法を提供することなどを目的としてなさ
れたものである。
本発明は上記したようにパターン欠陥の殆んど
全てが描画に到る間に付着する塵埃に基因するも
のであることに着目し、パターン描画と同時にパ
ターン検査を行なうことなどで上記目的を達成す
るものである。
全てが描画に到る間に付着する塵埃に基因するも
のであることに着目し、パターン描画と同時にパ
ターン検査を行なうことなどで上記目的を達成す
るものである。
以下、本発明の検査方法について一実施例をも
とに詳細に説明する。
とに詳細に説明する。
第１図はネガチブ型レジストを用いた場合の描
画時の概略図であり、これを用いてまず本発明の
原理を説明する。
画時の概略図であり、これを用いてまず本発明の
原理を説明する。
同図に於て、１が基板でありネガチブ型レジス
ト膜２が塗布されている。パターン描画はパター
ン部分に電子ビーム３が照射され、照射されたネ
ガチブ型レジスト２中でポリマー架橋が行われる
ことによつて実行される。
ト膜２が塗布されている。パターン描画はパター
ン部分に電子ビーム３が照射され、照射されたネ
ガチブ型レジスト２中でポリマー架橋が行われる
ことによつて実行される。
しかし、このネガチブ型レジスト２の膜中或い
は表面に塵埃が存在すると、この部分は電子ビー
ム３の照射を十分に受けることができずパターン
欠陥となる。即ち、電子ビーム３の照射部外に塵
埃４ａ，４ｂがある場合は、塵埃がパターン欠陥
の因となることはないが、電子ビーム３の照射部
分に存在する４ｃ，４ｄといつた塵埃はピンホー
ル欠陥となり、４ｅのように電子ビーム照射部分
が跨がる塵埃はパターン欠けとなる。
は表面に塵埃が存在すると、この部分は電子ビー
ム３の照射を十分に受けることができずパターン
欠陥となる。即ち、電子ビーム３の照射部外に塵
埃４ａ，４ｂがある場合は、塵埃がパターン欠陥
の因となることはないが、電子ビーム３の照射部
分に存在する４ｃ，４ｄといつた塵埃はピンホー
ル欠陥となり、４ｅのように電子ビーム照射部分
が跨がる塵埃はパターン欠けとなる。
一方、電子ビーム３で照射された部分からは反
射電子や二次電子、吸収電子、特性Ｘ線、カソー
ドルミネセンスといつた粒子線や電磁波が放出さ
れるが、これらの放出量はネガチブ型レジスト膜
２だけの場合と塵埃４がある場合とでは異なる。
射電子や二次電子、吸収電子、特性Ｘ線、カソー
ドルミネセンスといつた粒子線や電磁波が放出さ
れるが、これらの放出量はネガチブ型レジスト膜
２だけの場合と塵埃４がある場合とでは異なる。
従つて、パターン描画時にこれらの量を同時検
出し放出量を比較することによつて塵埃４、即ち
パターン欠陥の有無とその存在場所を知ることが
可能となる。
出し放出量を比較することによつて塵埃４、即ち
パターン欠陥の有無とその存在場所を知ることが
可能となる。
第２図は本発明の一実施例を電子線描画装置に
適用した場合について示したものである。同図に
於て５は試料移動台であり、被描画試料６が載せ
られている。パターンの描画はパターンデータ発
生回路７からのパターン信号を受けて、偏向及び
ブランキング制御回路８によつて制御された電子
ビーム３が被描画試料６上を走査すること及び又
は試料移動台５が移動することによつて行なわれ
る。
適用した場合について示したものである。同図に
於て５は試料移動台であり、被描画試料６が載せ
られている。パターンの描画はパターンデータ発
生回路７からのパターン信号を受けて、偏向及び
ブランキング制御回路８によつて制御された電子
ビーム３が被描画試料６上を走査すること及び又
は試料移動台５が移動することによつて行なわれ
る。
そして、電子ビーム３で照射された試料部分か
ら放出された反射電子９は反射電子検出器１０に
よつて検知され電気信号Ｂに変えられる。この電
気信号出力は比較回路１１に入力され、パターン
データ発生回路７から出力されるパターン信号Ａ
と比較される。
ら放出された反射電子９は反射電子検出器１０に
よつて検知され電気信号Ｂに変えられる。この電
気信号出力は比較回路１１に入力され、パターン
データ発生回路７から出力されるパターン信号Ａ
と比較される。
例えば、第３図の１２ａ，１２ｂに示すような
パターンをラスター方式で描画する場合を考える
と、パターン信号は第４ａ図、第４ｂ図に示すよ
うな偏向コイル１３を励磁するためのＸ、Ｙ方向
の電子ビーム走査信号と同期した、第４ｃ図に示
すようなパターン位置に対応した時系列的電気信
号となる。
パターンをラスター方式で描画する場合を考える
と、パターン信号は第４ａ図、第４ｂ図に示すよ
うな偏向コイル１３を励磁するためのＸ、Ｙ方向
の電子ビーム走査信号と同期した、第４ｃ図に示
すようなパターン位置に対応した時系列的電気信
号となる。
一方、反射電子検出器１０で検出された反射電
子９も同様にパターン位置に対応した時系列的電
気信号に変換されるが、もし被描画試料６上の位
置Ｘ３−Ｙ３、Ｘ６−Ｙ２，Ｘ７−Ｙ２に第３図
の４ｇ，４ｆで示す塵埃４がある場合は、この部
分の反射電子９は塵埃４がない部分の反射電子量
よりも多くなるか又は少なくなるかの変化をし、
反射検出器１０からの電気信号出力Ｂは位置Ｘ６
−Ｙ２、Ｘ３−Ｙ３に対応した部分で、第４ｄ図
で示すような変動を生じる。第４ｄ図において、
Ｐ，Ｑは塵埃存在部分を示している。
子９も同様にパターン位置に対応した時系列的電
気信号に変換されるが、もし被描画試料６上の位
置Ｘ３−Ｙ３、Ｘ６−Ｙ２，Ｘ７−Ｙ２に第３図
の４ｇ，４ｆで示す塵埃４がある場合は、この部
分の反射電子９は塵埃４がない部分の反射電子量
よりも多くなるか又は少なくなるかの変化をし、
反射検出器１０からの電気信号出力Ｂは位置Ｘ６
−Ｙ２、Ｘ３−Ｙ３に対応した部分で、第４ｄ図
で示すような変動を生じる。第４ｄ図において、
Ｐ，Ｑは塵埃存在部分を示している。
従つて、比較回路１１に於て上記パターン信号
Ａと反射電子検出信号Ｂを比較することによつ
て、第４ｅ図に示すようなパターン欠陥（塵埃存
在）位置に関する信号ｃを得ることができる。同
図において、Ｒ，Ｓは夫々Ｘ６−Ｙ２、Ｘ３−Ｙ
３の欠陥に対応している信号である。この欠陥位
置信号ｃとパターンデータ発生回路からの電子ビ
ーム位置に関する情報及び移動台位置制御・検出
回路１４からの移動台位置に関する情報とを位置
検出回路１５に入力することによつて欠陥位置が
判定されその出力信号によつて表示器１６に表示
される。
Ａと反射電子検出信号Ｂを比較することによつ
て、第４ｅ図に示すようなパターン欠陥（塵埃存
在）位置に関する信号ｃを得ることができる。同
図において、Ｒ，Ｓは夫々Ｘ６−Ｙ２、Ｘ３−Ｙ
３の欠陥に対応している信号である。この欠陥位
置信号ｃとパターンデータ発生回路からの電子ビ
ーム位置に関する情報及び移動台位置制御・検出
回路１４からの移動台位置に関する情報とを位置
検出回路１５に入力することによつて欠陥位置が
判定されその出力信号によつて表示器１６に表示
される。
本実施例では、パターン欠陥の主要因を塵埃に
あるとして説明したが、本発明によればレジスト
剥れや外乱によるパターン欠陥等の検出も可能で
ある。又、本実施例ではラスタ方式の場合につい
て説明したがベクタ方式についても同様である。
あるとして説明したが、本発明によればレジスト
剥れや外乱によるパターン欠陥等の検出も可能で
ある。又、本実施例ではラスタ方式の場合につい
て説明したがベクタ方式についても同様である。
尚、本実施例は円形或いは矩形ビームについて
の適用を示したものであるが、可変矩形ビームの
ように電子ビームの大きさが変る場合には、反射
電子検出信号を被描画試料に入射する電子ビーム
径で正規化した信号を比較回路に入力すればよ
い。このような正規化は電子ビームの走査速度や
電子ビーム量がパターンに応じて変えられる場合
にも適用できる。又、本実施例では反射電子を信
号として用いたが２次電子や特性Ｘ線等、電子ビ
ームと試料との相互作用の結果得られる情報は全
て用いることができる。
の適用を示したものであるが、可変矩形ビームの
ように電子ビームの大きさが変る場合には、反射
電子検出信号を被描画試料に入射する電子ビーム
径で正規化した信号を比較回路に入力すればよ
い。このような正規化は電子ビームの走査速度や
電子ビーム量がパターンに応じて変えられる場合
にも適用できる。又、本実施例では反射電子を信
号として用いたが２次電子や特性Ｘ線等、電子ビ
ームと試料との相互作用の結果得られる情報は全
て用いることができる。
尚、本発明は電子ビーム以外の光やＸ線の如き
刺激ビームを用いてパターン描画を行なう全ての
装置に適用できる。又、不必要に小さい欠陥を検
出する必要がない場合は、あるパルス幅以上のも
のだけを欠陥位置信号として位置検出すれば、欠
陥修正等が効率的に行なえる。
刺激ビームを用いてパターン描画を行なう全ての
装置に適用できる。又、不必要に小さい欠陥を検
出する必要がない場合は、あるパルス幅以上のも
のだけを欠陥位置信号として位置検出すれば、欠
陥修正等が効率的に行なえる。
上記のように本発明の一実施例の手段を用いる
ことにより、描画段階に於ける早期欠陥検査を可
能とし、不良発生時の早期対策と欠陥検査時間の
短縮などを可能とする。
ことにより、描画段階に於ける早期欠陥検査を可
能とし、不良発生時の早期対策と欠陥検査時間の
短縮などを可能とする。
第１図は本発明の一実施例の動作原理を説明す
るため描画機構図、第２図は本発明の一実施例に
係る描画装置の機構図、第３図はパターンの平面
図、第４ａ図乃至第４ｅ図は第３図のパターン描
画を第２図の描画装置で実施する場合の各種信号
波形図である。 １……基板、２……レジスト膜、３……電子ビ
ーム、４……塵埃、７……パターンデータ発生回
路、８……偏向及びブランキング制御回路、９…
…反射電子、１０……反射電子検出及び電気信号
変換回路、１１……比較回路、１２……パター
ン、１４……移動台位置制御検出回路、１５……
位置検出回路、１６……表示器。
るため描画機構図、第２図は本発明の一実施例に
係る描画装置の機構図、第３図はパターンの平面
図、第４ａ図乃至第４ｅ図は第３図のパターン描
画を第２図の描画装置で実施する場合の各種信号
波形図である。 １……基板、２……レジスト膜、３……電子ビ
ーム、４……塵埃、７……パターンデータ発生回
路、８……偏向及びブランキング制御回路、９…
…反射電子、１０……反射電子検出及び電気信号
変換回路、１１……比較回路、１２……パター
ン、１４……移動台位置制御検出回路、１５……
位置検出回路、１６……表示器。
Claims (1)
- １ 基体表面にレジストを塗布した試料に電子ビ
ーム又はＸ線を照射してパターン描画を行なう
際、前記試料のレジスト膜中に塵埃が存在する場
合に生ずる、前記電子ビーム又はＸ線の照射に基
づいて前記試料面から発生する粒子線あるいは電
磁波の変化を、電気信号の変化として検出するこ
とによつて、前記レジスト膜中の塵埃の有無を検
査することを特徴とするレジスト膜中の塵埃検査
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215088A JPS61116852A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | レジスト膜中の塵挨検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215088A JPS61116852A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | レジスト膜中の塵挨検査方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8134579A Division JPS567429A (en) | 1979-06-29 | 1979-06-29 | Patterning device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61116852A JPS61116852A (ja) | 1986-06-04 |
| JPS6222264B2 true JPS6222264B2 (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=16666551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60215088A Granted JPS61116852A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | レジスト膜中の塵挨検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61116852A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5012952B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2012-08-29 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの欠陥修正方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51108580A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Fujitsu Ltd |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60215088A patent/JPS61116852A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61116852A (ja) | 1986-06-04 |
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