JPS6222274B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6222274B2 JPS6222274B2 JP57075414A JP7541482A JPS6222274B2 JP S6222274 B2 JPS6222274 B2 JP S6222274B2 JP 57075414 A JP57075414 A JP 57075414A JP 7541482 A JP7541482 A JP 7541482A JP S6222274 B2 JPS6222274 B2 JP S6222274B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous silicon
- temperature
- heat
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明は薄膜太陽電池に関し、特に有機高分子
フイルムをベースとする薄膜太陽電池において特
定の有機高分子フイルムを用いた非晶質シリンか
らなる薄膜太陽電池に関する。 従来、太陽電池の光起電力発生層を構成する非
晶質シリコン膜は、特開昭52−16990号、同56−
104433号及び同56−104477号各公報にも開示され
ている如くプラズマグロー放電法、スパツタ蒸着
法又はイオンプレーテイング法によつて形成さ
れ、膜内に少なくとも10〜30原子％の水素原子を
含有し、その他に第三成分原子としてフツ素原
子、炭素原子若しくは窒素原子等を含有するもの
が代表的なものとして挙げられる。（ここで上記
「非晶質シリコン膜」なる語は粒径が約100Å以下
の微結晶からなるシリコン膜をも包含する意味で
用いられている。） 上記非晶質シリコン膜は、可視光に対する吸収
係数が単結晶シリコン膜に比べて１桁以上大き
く、従つて太陽光を有効に吸収利用するに必要な
膜厚は３μｍ以下でも可能である。このことは上
記非晶質シリコン膜からなる光起電力発生層を可
撓性基板上に設けることによつて任意に曲げうる
薄膜太陽電池を作成しうることを示唆している。 事実、可撓性に富んだプラスチツクフイルムを
ベースとした非晶質シリコン型薄膜太陽電池が、
既に特開昭54−149489号、同55−4994号及び同55
−154726号公報に記載されている。 しかるに太陽電池として良質な非晶質シリコン
膜を形成するためには可撓性プラスチツクフイル
ムとしては200〜300℃の耐熱性を必要とするとさ
れ、かかる見地から耐熱性のあるポリイミドフイ
ルムをベースとして用いることが提案されている
がこれらのフイルムは溶媒や吸着水を含有してい
るため非晶質シリコン膜を積層する温度領域に加
熱するとそれら溶媒や吸着水の放出がおこり形成
される非晶質シリコン膜を汚染して良質の非晶質
シリコン膜の形成を妨害する。更にこれらのフイ
ルムは一般に水分の吸収度が大きいため、高湿度
環境下での安定性に問題があつた。 そこで本発明者らは非晶質シリコン膜を積層す
る温度領域においても溶媒や吸着水の放出などと
いうトラブルがないプラスチツクフイルムとして
ポリエーテルエーテルケトン系フイルムを用いる
事を検討し、当該フイルムが薄層太陽電池のベー
スとして好適なることを見出し、本発明に到達し
た。 即ち本発明は、水素・シリコンを主成分とする
非晶質シリコンからなる光起電力発生層を、下記
式（） で表わされる構成単位を主として有し、且つ260
℃、１時間で測定した熱収縮率がすべての方向に
３％以下であるポリエーテルエーテルケトンフイ
ルム上に設けてなる薄膜太陽電池である。 本発明において用いられるポリエーテルエーテ
ルケトンフイルムの素材は上記した如く式（）
で表わされる構成単位を主として有するものであ
るが、当該構成単位のみからなるもの及び当該構
成単位を50モル％以上、好ましくは70モル％以上
含有するものが用いられる。当該構成単位以外の
代表的構成単位としては以下の如きものが挙げら
れる。 （式中Ａは直接結合、酸素、硫黄、−SO2−、−CO
−または二価の炭化水素基である） （式中、亜単位 の酸素原子は基ＱまたはQ′に対しオルト位また
はパラ位にあり、ＱおよびQ′は同一または異な
り−CO−または−SO2−であり、Ar′は二価の芳
香族基であり、そしてｎは０、１、２または３で
ある） かかるポリマーの詳細は特開昭54−90296号公
報に記載されている。 本発明においては、上記ポリマーからなるフイ
ルムは熱収縮率が260℃、好ましくは280℃、特に
好ましくは300℃、30秒間で３％以下であること
である。好ましくはそれら熱収縮率は２％以下で
あり特に好ましくは１％以下である。 熱収縮率が大きいと該フイルムにａ−Si膜を堆
積する際膜にクラツク・シワが入りやすく、これ
を回避する為に低温で堆積すると非晶質シリコン
膜の特性が低下し、太陽電池として好ましくな
い。 前記特性を有するフイルムは、例えば上記ポリ
マーを融点以上の温度で溶融押出ししてフイルム
化し、次いで二次転位温度〜結晶化温度で好まし
くは二軸延伸した後、熱処理することによつて得
られる。 好ましい熱処理条件は 延伸フイルムを260℃T1＜Tm（但しTmは
ポリマーの融点（℃））で示される温度T1
（℃）で伸長〜制限収縮下熱処理し、次いで 250℃＜T2T1で示される温度T2（℃）で該
フイルムの縦方向及び横方向にそれぞれＯ＜Ｓ
MＳΓＭ、Ｏ＜ＳTＳΓＴ、好ましくは0.2SΓＭ＜
ＳM＜ＳΓＭ、0.2SΓＴ＜ＳT＜ＳΓＴ、より好ましく
は0.5SΓＭ＜ＳM＜ＳΓＭ、0.5SΓＴ＜ＳT＜ＳΓＴ（但
しＳΓＭ、ＳΓＴはそれぞれ温度T2℃に於ける該
フイルムの縦及び横方向の収縮率（％）を示
す）で示される割合ＳM、ＳT（％）だけ収縮さ
せつつ熱処理する 方法である。 特に２段階目の熱処理方法としては、特定のＳ
M、ＳTまでフリー収縮させつつ熱処理する方法、
１段目の熱処理で得られるフイルムの２段目の熱
処理温度下での収縮応力より小さい応力で緊張さ
せつつ熱処理する方法、が好ましい。更には２段
熱処理した後、更に熱処理するいわゆる多段熱処
理方法も好ましく採用できる。 尚、本発明でいう熱収縮率とは、フイルムを長
さ約10cm、巾約１cmの短冊状に切りとり、所定温
度のシリコンオイル中に30秒間浸漬した場合の収
縮の割合を％で示したものである。また、フイル
ムの厚さは25μ〜500μ程度が好ましい。 上記した如きフイルムをベースとして、それに
必要に応じて片面又は両面に種々の下塗り層を設
け（場合によつては更に熱処理し）、光起電力発
生層を堆積する。 本発明においては、光起電力発生層は公知の手
段により、公知の構成の非晶質シリコン膜から本
質的になるものとして形成せしめることができ
る。 以下、実施例により本発明を更に説明する。 実施例１及び比較例 下記繰返し単位 よりなり、濃硫酸中Ｃ＝0.1ｇ／deで25℃で測定
した還元粘度が1.32であるポリエーテルエーテル
ケトンチツプを乾燥後390℃に溶融し、巾20cmの
Ｔダイを先端に設置したルーダーより押出し、急
冷することにより厚さ約250μｍの透明なフイル
ムを得た。次いで該フイルムを150℃で縦横それ
ぞれ３倍に同時二軸延伸し、定長下空気中300℃
で２分間熱処理を行つた。かくして得られたフイ
ルムの収縮率は260℃で縦方向7.6％、横方向7.3
％であつた。次に該フイルムを約50ｇ／cmの応力
で縦・横方向から緊張しつつ、300℃で２分間熱
処理した。このようにして得られたフイルムの収
縮率は260℃で縦方向0.3％、横方向0.2％；280℃
で縦方向0.4％、横方向0.3％；300℃で縦方向0.6
％、横方向0.6％であつた。 この様にして得たフイルムの上に金属層として
ステンレス（SUS340）をスパツタリングで厚さ
約4000Å設けた。これを、SUS304製の金枠に四
面固定して取付けた後、グロー放電反応装置内に
セツトし、基板温度250℃、圧力0.6torrのアルゴ
ン雰囲気中で15分間13.56MHzの高周波放電させ
て清浄化した。次に10-4torrまで排気した後、水
素希釈した10％シランガス（SiH4）と２％ホスフ
インガス（PH3）（SiH4に対し１％量のPH３）を
導入して約1torrにし、基板温度250℃で高周波放
電を行ない、ステンレス層上にｎ型シリコン層を
約350Åの厚さに設けた。次に装置内を排気して
から水素希釈したシランガスのみを供給し、約
0.5μｍのシリコン層を形成した。更にジボラン
（B2H6）をシラン中に約0.5％の温度に混合し、反
応装置内に導入して、高周波放電を用いて約100
ÅのＰ型シリコン層を設けた。 次にこのＰ型シリコン層上に、厚さ約700Åの
酸化インジウムを反応性蒸着法によつて設けた。
さらに酸化インジウム膜上に銀をくし型に蒸着し
て、収着電極とした。 比較のため、前記延伸フイルムを定長下、空気
中330℃で２分施したフイルム（260℃の熱収縮率
は、MD方向4.6％、TD方向4.4％）を用いて、同
様の条件で非晶質シリコン層を設けたところ、フ
イルム面に多数のクラツクが見られた。 酸化インジウム層を設ける時、マスクを用いて
３×３mm角型セルを同一フイルム上に30個設け、
その中の最大変換効率の85％までのセルを生存セ
ルとし、生存セル数を表−１に示した。
フイルムをベースとする薄膜太陽電池において特
定の有機高分子フイルムを用いた非晶質シリンか
らなる薄膜太陽電池に関する。 従来、太陽電池の光起電力発生層を構成する非
晶質シリコン膜は、特開昭52−16990号、同56−
104433号及び同56−104477号各公報にも開示され
ている如くプラズマグロー放電法、スパツタ蒸着
法又はイオンプレーテイング法によつて形成さ
れ、膜内に少なくとも10〜30原子％の水素原子を
含有し、その他に第三成分原子としてフツ素原
子、炭素原子若しくは窒素原子等を含有するもの
が代表的なものとして挙げられる。（ここで上記
「非晶質シリコン膜」なる語は粒径が約100Å以下
の微結晶からなるシリコン膜をも包含する意味で
用いられている。） 上記非晶質シリコン膜は、可視光に対する吸収
係数が単結晶シリコン膜に比べて１桁以上大き
く、従つて太陽光を有効に吸収利用するに必要な
膜厚は３μｍ以下でも可能である。このことは上
記非晶質シリコン膜からなる光起電力発生層を可
撓性基板上に設けることによつて任意に曲げうる
薄膜太陽電池を作成しうることを示唆している。 事実、可撓性に富んだプラスチツクフイルムを
ベースとした非晶質シリコン型薄膜太陽電池が、
既に特開昭54−149489号、同55−4994号及び同55
−154726号公報に記載されている。 しかるに太陽電池として良質な非晶質シリコン
膜を形成するためには可撓性プラスチツクフイル
ムとしては200〜300℃の耐熱性を必要とするとさ
れ、かかる見地から耐熱性のあるポリイミドフイ
ルムをベースとして用いることが提案されている
がこれらのフイルムは溶媒や吸着水を含有してい
るため非晶質シリコン膜を積層する温度領域に加
熱するとそれら溶媒や吸着水の放出がおこり形成
される非晶質シリコン膜を汚染して良質の非晶質
シリコン膜の形成を妨害する。更にこれらのフイ
ルムは一般に水分の吸収度が大きいため、高湿度
環境下での安定性に問題があつた。 そこで本発明者らは非晶質シリコン膜を積層す
る温度領域においても溶媒や吸着水の放出などと
いうトラブルがないプラスチツクフイルムとして
ポリエーテルエーテルケトン系フイルムを用いる
事を検討し、当該フイルムが薄層太陽電池のベー
スとして好適なることを見出し、本発明に到達し
た。 即ち本発明は、水素・シリコンを主成分とする
非晶質シリコンからなる光起電力発生層を、下記
式（） で表わされる構成単位を主として有し、且つ260
℃、１時間で測定した熱収縮率がすべての方向に
３％以下であるポリエーテルエーテルケトンフイ
ルム上に設けてなる薄膜太陽電池である。 本発明において用いられるポリエーテルエーテ
ルケトンフイルムの素材は上記した如く式（）
で表わされる構成単位を主として有するものであ
るが、当該構成単位のみからなるもの及び当該構
成単位を50モル％以上、好ましくは70モル％以上
含有するものが用いられる。当該構成単位以外の
代表的構成単位としては以下の如きものが挙げら
れる。 （式中Ａは直接結合、酸素、硫黄、−SO2−、−CO
−または二価の炭化水素基である） （式中、亜単位 の酸素原子は基ＱまたはQ′に対しオルト位また
はパラ位にあり、ＱおよびQ′は同一または異な
り−CO−または−SO2−であり、Ar′は二価の芳
香族基であり、そしてｎは０、１、２または３で
ある） かかるポリマーの詳細は特開昭54−90296号公
報に記載されている。 本発明においては、上記ポリマーからなるフイ
ルムは熱収縮率が260℃、好ましくは280℃、特に
好ましくは300℃、30秒間で３％以下であること
である。好ましくはそれら熱収縮率は２％以下で
あり特に好ましくは１％以下である。 熱収縮率が大きいと該フイルムにａ−Si膜を堆
積する際膜にクラツク・シワが入りやすく、これ
を回避する為に低温で堆積すると非晶質シリコン
膜の特性が低下し、太陽電池として好ましくな
い。 前記特性を有するフイルムは、例えば上記ポリ
マーを融点以上の温度で溶融押出ししてフイルム
化し、次いで二次転位温度〜結晶化温度で好まし
くは二軸延伸した後、熱処理することによつて得
られる。 好ましい熱処理条件は 延伸フイルムを260℃T1＜Tm（但しTmは
ポリマーの融点（℃））で示される温度T1
（℃）で伸長〜制限収縮下熱処理し、次いで 250℃＜T2T1で示される温度T2（℃）で該
フイルムの縦方向及び横方向にそれぞれＯ＜Ｓ
MＳΓＭ、Ｏ＜ＳTＳΓＴ、好ましくは0.2SΓＭ＜
ＳM＜ＳΓＭ、0.2SΓＴ＜ＳT＜ＳΓＴ、より好ましく
は0.5SΓＭ＜ＳM＜ＳΓＭ、0.5SΓＴ＜ＳT＜ＳΓＴ（但
しＳΓＭ、ＳΓＴはそれぞれ温度T2℃に於ける該
フイルムの縦及び横方向の収縮率（％）を示
す）で示される割合ＳM、ＳT（％）だけ収縮さ
せつつ熱処理する 方法である。 特に２段階目の熱処理方法としては、特定のＳ
M、ＳTまでフリー収縮させつつ熱処理する方法、
１段目の熱処理で得られるフイルムの２段目の熱
処理温度下での収縮応力より小さい応力で緊張さ
せつつ熱処理する方法、が好ましい。更には２段
熱処理した後、更に熱処理するいわゆる多段熱処
理方法も好ましく採用できる。 尚、本発明でいう熱収縮率とは、フイルムを長
さ約10cm、巾約１cmの短冊状に切りとり、所定温
度のシリコンオイル中に30秒間浸漬した場合の収
縮の割合を％で示したものである。また、フイル
ムの厚さは25μ〜500μ程度が好ましい。 上記した如きフイルムをベースとして、それに
必要に応じて片面又は両面に種々の下塗り層を設
け（場合によつては更に熱処理し）、光起電力発
生層を堆積する。 本発明においては、光起電力発生層は公知の手
段により、公知の構成の非晶質シリコン膜から本
質的になるものとして形成せしめることができ
る。 以下、実施例により本発明を更に説明する。 実施例１及び比較例 下記繰返し単位 よりなり、濃硫酸中Ｃ＝0.1ｇ／deで25℃で測定
した還元粘度が1.32であるポリエーテルエーテル
ケトンチツプを乾燥後390℃に溶融し、巾20cmの
Ｔダイを先端に設置したルーダーより押出し、急
冷することにより厚さ約250μｍの透明なフイル
ムを得た。次いで該フイルムを150℃で縦横それ
ぞれ３倍に同時二軸延伸し、定長下空気中300℃
で２分間熱処理を行つた。かくして得られたフイ
ルムの収縮率は260℃で縦方向7.6％、横方向7.3
％であつた。次に該フイルムを約50ｇ／cmの応力
で縦・横方向から緊張しつつ、300℃で２分間熱
処理した。このようにして得られたフイルムの収
縮率は260℃で縦方向0.3％、横方向0.2％；280℃
で縦方向0.4％、横方向0.3％；300℃で縦方向0.6
％、横方向0.6％であつた。 この様にして得たフイルムの上に金属層として
ステンレス（SUS340）をスパツタリングで厚さ
約4000Å設けた。これを、SUS304製の金枠に四
面固定して取付けた後、グロー放電反応装置内に
セツトし、基板温度250℃、圧力0.6torrのアルゴ
ン雰囲気中で15分間13.56MHzの高周波放電させ
て清浄化した。次に10-4torrまで排気した後、水
素希釈した10％シランガス（SiH4）と２％ホスフ
インガス（PH3）（SiH4に対し１％量のPH３）を
導入して約1torrにし、基板温度250℃で高周波放
電を行ない、ステンレス層上にｎ型シリコン層を
約350Åの厚さに設けた。次に装置内を排気して
から水素希釈したシランガスのみを供給し、約
0.5μｍのシリコン層を形成した。更にジボラン
（B2H6）をシラン中に約0.5％の温度に混合し、反
応装置内に導入して、高周波放電を用いて約100
ÅのＰ型シリコン層を設けた。 次にこのＰ型シリコン層上に、厚さ約700Åの
酸化インジウムを反応性蒸着法によつて設けた。
さらに酸化インジウム膜上に銀をくし型に蒸着し
て、収着電極とした。 比較のため、前記延伸フイルムを定長下、空気
中330℃で２分施したフイルム（260℃の熱収縮率
は、MD方向4.6％、TD方向4.4％）を用いて、同
様の条件で非晶質シリコン層を設けたところ、フ
イルム面に多数のクラツクが見られた。 酸化インジウム層を設ける時、マスクを用いて
３×３mm角型セルを同一フイルム上に30個設け、
その中の最大変換効率の85％までのセルを生存セ
ルとし、生存セル数を表−１に示した。
【表】
実施例 ２、３
実施例１と同様にして得た延伸フイルムを定長
下空気中330℃で２分間熱処理し、次いで下表２
に示す条件下で熱処理してフイルムを得た。該フ
イルムを用い、実施例１と同様に太陽電池を作製
した場合のフイルム面の状況、生存セル数を表２
に示した。
下空気中330℃で２分間熱処理し、次いで下表２
に示す条件下で熱処理してフイルムを得た。該フ
イルムを用い、実施例１と同様に太陽電池を作製
した場合のフイルム面の状況、生存セル数を表２
に示した。
【表】
実施例４、比較例２
実施例１と同様の方法で溶解、延伸、熱処理し
て得られたフイルム上に、金属層としてステンレ
ス（SUS304）をスパツタリングで約4000Å設け
た。これを金枠に取りつけた後、グロー放電反応
装置内にセツトし、基板温度250℃、圧力0.6torr
のアルコーン雰囲気中で15分間、13.56MHzの高
周波放電させて清浄化した。次に10-4torrまで排
気した後、水素希釈した10％シランガス
（SiH4）とジボランガス（シランに対し0.75％の
B2H6）を導入して約1torrにし、基板温度250℃で
高周波放電を行ない、ステンレス層上にＰ型シリ
コンを約400Åの厚さに設けた。次に装置内を排
気してから水素希釈したシランガスのみを供給
し、約0.5μｍのシリコン層を形成した。更にホ
スフインガス（SiH4に対し１％のPH3）を導入し
て高周波放電を行ない約100Åのｎ型シリコン層
を設けた。次に、この上に酸化インジウムAgを
実施例１と同様の方法で設けた。 比較のため、75μカプトンフイルム（Dupont
製Ｈ type）を有機溶媒、水洗浄後、100℃で乾
燥したフイルムを用い、ステンレス層、シリコン
層、酸化インジウム層、Ag層を実施例４と同じ
条件で、別のバツチで設けた。 これらのサンプルの変換効率の初期値を測定し
た後、80℃95％相対湿度の雰囲気に100hr放置
し、変換効率を再測定した。ポリエーテルエーテ
ルケトンを用いたセルでの初期変換効率を1.00と
した時の、各変換効率の比を表−３に示す。な
お、この場合には、３×３mmの角型セル30個の
内、それぞれのサンプルから変換効率の高いもの
を10個選びその平均値を求めた値である。
て得られたフイルム上に、金属層としてステンレ
ス（SUS304）をスパツタリングで約4000Å設け
た。これを金枠に取りつけた後、グロー放電反応
装置内にセツトし、基板温度250℃、圧力0.6torr
のアルコーン雰囲気中で15分間、13.56MHzの高
周波放電させて清浄化した。次に10-4torrまで排
気した後、水素希釈した10％シランガス
（SiH4）とジボランガス（シランに対し0.75％の
B2H6）を導入して約1torrにし、基板温度250℃で
高周波放電を行ない、ステンレス層上にＰ型シリ
コンを約400Åの厚さに設けた。次に装置内を排
気してから水素希釈したシランガスのみを供給
し、約0.5μｍのシリコン層を形成した。更にホ
スフインガス（SiH4に対し１％のPH3）を導入し
て高周波放電を行ない約100Åのｎ型シリコン層
を設けた。次に、この上に酸化インジウムAgを
実施例１と同様の方法で設けた。 比較のため、75μカプトンフイルム（Dupont
製Ｈ type）を有機溶媒、水洗浄後、100℃で乾
燥したフイルムを用い、ステンレス層、シリコン
層、酸化インジウム層、Ag層を実施例４と同じ
条件で、別のバツチで設けた。 これらのサンプルの変換効率の初期値を測定し
た後、80℃95％相対湿度の雰囲気に100hr放置
し、変換効率を再測定した。ポリエーテルエーテ
ルケトンを用いたセルでの初期変換効率を1.00と
した時の、各変換効率の比を表−３に示す。な
お、この場合には、３×３mmの角型セル30個の
内、それぞれのサンプルから変換効率の高いもの
を10個選びその平均値を求めた値である。
【表】
これより、ポリイミドフイルムであるカプトン
では、初期の変換効率が低いだけでなく、高湿度
下での熱安定性も欠けることがわかる。
では、初期の変換効率が低いだけでなく、高湿度
下での熱安定性も欠けることがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 水素・シリコンを主成分とする非晶質シリコ
ンからなる光起電力発生層を、下記式 で表わされる構成単位を主として有し、且つ260
℃、30秒間で測定した熱収縮率がすべての方向に
３％以下であるポリエーテル・エーテルケトンフ
イルム上に設けてなる薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075414A JPS58194376A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075414A JPS58194376A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 薄膜太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194376A JPS58194376A (ja) | 1983-11-12 |
| JPS6222274B2 true JPS6222274B2 (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=13575487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075414A Granted JPS58194376A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194376A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162750A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Sekisui Chem Co Ltd | Electrically-conductive resin composition |
| JPS5863417A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 等方性配向ポリエ−テルエ−テルケトンフイルムの製造方法 |
-
1982
- 1982-05-07 JP JP57075414A patent/JPS58194376A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58194376A (ja) | 1983-11-12 |
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