JPS6226185B2 - - Google Patents
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- JPS6226185B2 JPS6226185B2 JP53118215A JP11821578A JPS6226185B2 JP S6226185 B2 JPS6226185 B2 JP S6226185B2 JP 53118215 A JP53118215 A JP 53118215A JP 11821578 A JP11821578 A JP 11821578A JP S6226185 B2 JPS6226185 B2 JP S6226185B2
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- conductive wiring
- substrate
- plating
- lead
- external lead
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置実装用基板にかかり、とく
に表面に所要の導電性配線を設けた厚膜、若しく
は薄膜基板における外部リード導出部構造に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a substrate for mounting a semiconductor device, and more particularly to an external lead lead-out structure in a thick film or thin film substrate having required conductive wiring on its surface.
半導体装置実装用基板の素材には、その電気
的、機械的、熱的特性の良好なセラミツクが多用
され、この半導体装置の高信頼性を支えている。
そしてこの半導体装置実装用基板の表面には所定
の導電性配線が形成され、半導体装置やその他の
回路素子と接続すべき部分を除き、その上面に
は、この導電性配線を保護し、かつ電気絶縁性を
確保し、接合時のロー材の流れを防止すべく、ア
ルミナあるいはガラス等による表面絶縁層が設け
られている。外部リードをロー付して外部回路と
結合すべき導電性配線の外部リード導出部分には
アルミナあるいはガラス等による表面絶縁層を設
けない。そして、基板に外部リードがロー付けさ
れた後、所定のメツキを施し、ガラス等の表面絶
縁層で覆われない部分にはメツキ層が形成され
る。 Ceramics, which have good electrical, mechanical, and thermal properties, are often used as materials for semiconductor device mounting substrates, supporting the high reliability of these semiconductor devices.
Predetermined conductive wiring is formed on the surface of this substrate for mounting semiconductor devices, and except for the parts that should be connected to semiconductor devices and other circuit elements, the upper surface is used to protect the conductive wiring and provide electricity. A surface insulating layer made of alumina, glass, or the like is provided to ensure insulation and prevent the brazing material from flowing during bonding. A surface insulating layer of alumina, glass, or the like is not provided on the external lead lead-out portion of the conductive wiring to which the external lead is soldered and connected to an external circuit. After the external leads are brazed to the substrate, a predetermined plating is applied, and a plating layer is formed on the portions not covered with the surface insulating layer such as glass.
ところで、このような基板に外部リードを接続
したものは種々の環境にさらされるものであり、
高温高湿の環境もその一つである。かかる環境の
下においては、表面処理の施していない部分の水
分による侵食が問題とされる。この環境に対して
は試験方法が規定されており、通常65℃、95%相
対湿度の条件で試験が行なわれる。かかる環境下
において、通常Ni下地Auメツキのメツキ構成で
あれば1000時間経過後においても多少のサビの発
生は認められるものの、電気的導通を失うに至る
致命的欠陥を生ずることはない。前述の外部リー
ド導出構造においては、表面処理を施した部分と
メツキが施された部分との境界部分が選択的に侵
食され、他の部分にサビ等の異物生成が認められ
ないにもかかわらず、断線という致命的欠陥を生
ずるに至ることがわかつた。この現象は次の様に
理解することができる。すなわち、セラミツク基
体上の導電性配線は通常Mo、Mo―Mu、Wを焼
成して得るが、これらの金属配線層は焼成時の脱
ガス等もあつて多孔質であるから水分に対する耐
侵食性が低いことが知られている。通常はこの金
属の上にNiメツキを施し、さらにAuメツキを施
して保護するのであるが、表面処理を施した部分
すなわちアルミナ等の表面絶縁層を設けた部分と
メツキされた部分との境界においては、メツキが
表面処理した側にはのらず密着は悪いものとな
る。その結果、高温高湿環境下における水分は容
易に該境界部から侵入し、導電性配線に達するこ
とができ、該配線部分を侵食することになる。 By the way, such boards with external leads connected to them are exposed to various environments.
One example is a high temperature and high humidity environment. Under such an environment, corrosion of untreated portions by moisture becomes a problem. Test methods are specified for this environment, and tests are typically conducted at 65°C and 95% relative humidity. Under such an environment, if the plating structure is normally made of Ni plating and Au plating, some rust will occur even after 1000 hours have passed, but no fatal defects leading to loss of electrical continuity will occur. In the above-mentioned external lead lead-out structure, the boundary between the surface-treated part and the plated part is selectively eroded, even though no foreign matter such as rust is observed in other parts. It was found that this resulted in the fatal defect of wire breakage. This phenomenon can be understood as follows. In other words, conductive wiring on a ceramic substrate is usually obtained by firing Mo, Mo-Mu, and W, but these metal wiring layers are porous due to degassing during firing, so they have poor corrosion resistance against moisture. is known to be low. Normally, this metal is protected by Ni plating and then Au plating, but at the boundary between the surface-treated part, that is, the part with a surface insulating layer such as alumina, and the plated part. The plating will not adhere to the surface-treated side, resulting in poor adhesion. As a result, moisture in a high-temperature, high-humidity environment can easily infiltrate through the boundary portion, reach the conductive wiring, and corrode the wiring portion.
本発明はかかる従来技術の欠点を除去した有効
な基板すなわち高温高湿環境下においても導電性
配線における断線という致命的欠陥を生じぬ外部
リード導出構造を有する半導体装置実装用基板を
提供するものである。 The present invention provides an effective substrate that eliminates the drawbacks of the prior art, that is, a substrate for mounting semiconductor devices that has an external lead lead-out structure that does not cause fatal defects such as disconnections in conductive wiring even under high temperature and high humidity environments. be.
本発明の特徴は、表面処理を施した部分を延長
し選択的に侵食される部分を外部リードのロー付
部分の下に移動させることにある。 A feature of the present invention is that the surface-treated portion is extended and the selectively eroded portion is moved below the brazed portion of the external lead.
以下、本発明を実施例を用いて説明する。第1
図は従来の外部リード導出部分の断面図である。
即ち、アルミナ基板1上に導電性配線2を設け、
ロー付部分等を除いて表面処理、すなわちアルミ
ナコーテング3を施す。次にこの基板1を焼成
後、露出する導電性配線層上にはNiメツキ4を
施し、Ag―Cuロー材5を用いて外部リード6を
接続する。そして金属露出面全体にNiメツキ1
4を施し、その上とAuメツキ7を施していた。 The present invention will be explained below using examples. 1st
The figure is a sectional view of a conventional external lead lead-out portion.
That is, conductive wiring 2 is provided on an alumina substrate 1,
Surface treatment, that is, alumina coating 3 is applied except for the brazed parts. Next, after firing this substrate 1, Ni plating 4 is applied to the exposed conductive wiring layer, and external leads 6 are connected using Ag--Cu brazing material 5. And Ni plating 1 on the entire exposed metal surface.
4 was applied, and on top of that, Au plating 7 was applied.
ところが金属露出部分(この場合はAuメツキ
された表面7)とアルミナ・コーテング層3との
境界10においては高温高湿環境下において、選
択侵食されWによりメタライズされた導電性配線
2が溶出して断線事故を引き起すことになる。 However, at the boundary 10 between the exposed metal part (in this case, the Au-plated surface 7) and the alumina coating layer 3, in a high temperature and high humidity environment, the conductive wiring 2 metalized with W is selectively eroded and eluted. This will cause a disconnection accident.
第2図は本発明の一実施例を示す。本発明にお
いては、アルミナーコーテング層13を、外部リ
ード6直下に設ける貫通孔8及び所定の部分を除
いて全面に施し、さらに外部リード6をロー付す
べき上部導電性配線30をこの表面絶縁層13の
一部の上にも形成せしめる。このようにすれば、
外部リード6のロー付用上部導電性配線30の端
部20において、メタライズが多少侵食されても
断線には至らず致命的欠陥とはならない。 FIG. 2 shows an embodiment of the invention. In the present invention, the alumina coating layer 13 is applied to the entire surface except for the through hole 8 provided directly below the external lead 6 and a predetermined portion, and the upper conductive wiring 30 to which the external lead 6 is to be brazed is coated on this surface insulating layer. It is also formed on a part of 13. If you do this,
Even if the metallization is slightly eroded at the end portion 20 of the upper conductive wiring 30 for brazing of the external lead 6, it will not lead to disconnection and will not be a fatal defect.
第1図は従来の半導体装置実装用基板の外部リ
ード導出部の断面図である。第2図は本発明一実
施例における外部リード導出部の断面図である。
尚、図において、1……アルミナ基板、2……
導電性配線、3……アルミナコーテング層、4,
14……Niメツキ層、5……Ag―Cuロー材層、
6……外部リード、7……Auメツキ層、8……
貫通孔、10,20……金属露出部分とアルミナ
コーテング層との境界、30……上部導電性配線
である。
FIG. 1 is a sectional view of an external lead lead-out portion of a conventional semiconductor device mounting board. FIG. 2 is a sectional view of an external lead lead-out portion in one embodiment of the present invention. In addition, in the figure, 1... alumina substrate, 2...
conductive wiring, 3... alumina coating layer, 4,
14...Ni plating layer, 5...Ag-Cu brazing material layer,
6... External lead, 7... Au plating layer, 8...
Through holes 10, 20...boundary between exposed metal portion and alumina coating layer, 30...upper conductive wiring.
Claims (1)
設けられた導電性配線と前記導電性配線を被覆
し、かつ所定部分で該導電性配線を露出する貫通
孔を有する表面絶縁層と、前記導電性配線より前
記貫通孔を介して前記表面絶縁層上に延在する上
部導電性配線層と、前記貫通孔をおおつて前記上
部導電性配線層に取り付けられた外部リードとを
有することを特徴とする半導体装置実装用基板。1 a surface insulating substrate, a conductive wiring provided on the surface insulating substrate, a surface insulating layer covering the conductive wiring and having a through hole exposing the conductive wiring at a predetermined portion; It is characterized by having an upper conductive wiring layer that extends from the conductive wiring through the through hole onto the surface insulating layer, and an external lead that covers the through hole and is attached to the upper conductive wiring layer. A substrate for mounting semiconductor devices.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11821578A JPS5544749A (en) | 1978-09-25 | 1978-09-25 | Substrate for mounting semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11821578A JPS5544749A (en) | 1978-09-25 | 1978-09-25 | Substrate for mounting semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5544749A JPS5544749A (en) | 1980-03-29 |
| JPS6226185B2 true JPS6226185B2 (en) | 1987-06-08 |
Family
ID=14731056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11821578A Granted JPS5544749A (en) | 1978-09-25 | 1978-09-25 | Substrate for mounting semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5544749A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853853A (en) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Nec Corp | Structure for electronic circuits |
| JPS5961155A (en) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS59211253A (en) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Matsushita Electronics Corp | Electronic part package |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117066A (en) * | 1976-03-27 | 1977-10-01 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1978
- 1978-09-25 JP JP11821578A patent/JPS5544749A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5544749A (en) | 1980-03-29 |
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