JPS6226347B2 - - Google Patents
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- JPS6226347B2 JPS6226347B2 JP3422379A JP3422379A JPS6226347B2 JP S6226347 B2 JPS6226347 B2 JP S6226347B2 JP 3422379 A JP3422379 A JP 3422379A JP 3422379 A JP3422379 A JP 3422379A JP S6226347 B2 JPS6226347 B2 JP S6226347B2
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- formula
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Description
本発明は、優れた耐水性、電気特性、特に吸水
率および誘電損失が共に小さい新規なポリアミド
樹脂組成物に関する。 ポリアミドは多くの用途に使用されているが、
吸水率および誘電損失が大きいため、電子材料と
してはほとんど用いられず、吸水率および誘電損
失の改善が望まれているにもかかわらず実現して
いないのが現状である。 本発明者らは、上記問題を解決すべく研究した
結果、特定の芳香族ポリアミドに特定量のフツ素
含有重合体を配合してなる組成物は、吸水率およ
び誘電損失が小さいことを見い出し、本発明を完
成するに至つた。 特定の芳香族ポリアミドに特定量のフツ素含有
重合体を配合してなる組成物は、驚くべき事に、
吸水率および誘電損失が共に特定の芳香族ポリア
ミド単独に比較して極めて小さい。これは単なる
混合物ではなく、特定の芳香族ポリアミドとフツ
素含有重合体との間に相互作用が存在するためと
考えられ、このことは、特定の芳香族ポリアミド
とフツ素含有重合体との配合比から計算した吸水
率および誘電損失よりも実際の組成物の吸水率お
よび誘電損失が極めて小さいことから明らかであ
る。 本発明の目的は、耐水性および電気特性に優れ
たポリアミド樹脂組成物を提供するにある。さら
に、他の目的は、所望の導電性、抵抗性または絶
縁性を有し、高精度且つ高信頼性を示す電子部品
材料として有用な組成物を提供する事である。 本発明はその一面において、ポリアミド40−99
重量％とフツ素含有モノエチレン系不飽和単量体
から導かれる単位を10モル％以上含有する重合体
１〜60重量％を含んでなり、上記ポリアミドと上
記フツ素含有重合体との合計量が50重量％以上を
占めるポリアミド樹脂組成物を提供する。 本発明はその一面において、下記一般式で表わ
される繰り返し単位を50モル％以上含有し、還元
粘度が0.3〜2.0である芳香族ポリアミド40−99重
量％とフツ素含有モノエチレン系不飽和単量体か
ら導かれる単位を10モル％以上含有する重合体１
−60重量％を含んでなり、上記芳香族ポリアミド
と上記フツ素含有重合体との合計量が50重量％以
上を占めるポリアミド樹脂組成物を提供する。
率および誘電損失が共に小さい新規なポリアミド
樹脂組成物に関する。 ポリアミドは多くの用途に使用されているが、
吸水率および誘電損失が大きいため、電子材料と
してはほとんど用いられず、吸水率および誘電損
失の改善が望まれているにもかかわらず実現して
いないのが現状である。 本発明者らは、上記問題を解決すべく研究した
結果、特定の芳香族ポリアミドに特定量のフツ素
含有重合体を配合してなる組成物は、吸水率およ
び誘電損失が小さいことを見い出し、本発明を完
成するに至つた。 特定の芳香族ポリアミドに特定量のフツ素含有
重合体を配合してなる組成物は、驚くべき事に、
吸水率および誘電損失が共に特定の芳香族ポリア
ミド単独に比較して極めて小さい。これは単なる
混合物ではなく、特定の芳香族ポリアミドとフツ
素含有重合体との間に相互作用が存在するためと
考えられ、このことは、特定の芳香族ポリアミド
とフツ素含有重合体との配合比から計算した吸水
率および誘電損失よりも実際の組成物の吸水率お
よび誘電損失が極めて小さいことから明らかであ
る。 本発明の目的は、耐水性および電気特性に優れ
たポリアミド樹脂組成物を提供するにある。さら
に、他の目的は、所望の導電性、抵抗性または絶
縁性を有し、高精度且つ高信頼性を示す電子部品
材料として有用な組成物を提供する事である。 本発明はその一面において、ポリアミド40−99
重量％とフツ素含有モノエチレン系不飽和単量体
から導かれる単位を10モル％以上含有する重合体
１〜60重量％を含んでなり、上記ポリアミドと上
記フツ素含有重合体との合計量が50重量％以上を
占めるポリアミド樹脂組成物を提供する。 本発明はその一面において、下記一般式で表わ
される繰り返し単位を50モル％以上含有し、還元
粘度が0.3〜2.0である芳香族ポリアミド40−99重
量％とフツ素含有モノエチレン系不飽和単量体か
ら導かれる単位を10モル％以上含有する重合体１
−60重量％を含んでなり、上記芳香族ポリアミド
と上記フツ素含有重合体との合計量が50重量％以
上を占めるポリアミド樹脂組成物を提供する。
【式】または
【式】
〔式中、A1、A2、A3は
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
または
（ただし、式中のＲは水素原子、ハロゲン原子又
は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは酸素原子、硫
黄原子、スルホニル基、カルボニル基、カルボニ
ルオキシ基、メチレン基、エチレン基またはジメ
チルメチレン基などであり、同一分子中の複数の
Ｒおよび複数のＸはそれぞれたがいに同一であつ
ても異なつていてもよい） で表わされる２価の残基である。〕 本発明に用いられる芳香族ポリアミドは下記繰
り返し単位を少くとも50モル％含有する。
は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは酸素原子、硫
黄原子、スルホニル基、カルボニル基、カルボニ
ルオキシ基、メチレン基、エチレン基またはジメ
チルメチレン基などであり、同一分子中の複数の
Ｒおよび複数のＸはそれぞれたがいに同一であつ
ても異なつていてもよい） で表わされる２価の残基である。〕 本発明に用いられる芳香族ポリアミドは下記繰
り返し単位を少くとも50モル％含有する。
【式】
（式中、A1、A2、A3は
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
または
（ただし、式中のＲは水素原子、ハロゲン原子又
は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは酸素原子、硫
黄原子、スルホニル基、カルボニル基、カルボニ
ルオキシ基、メチレン基、エチレン基またはジメ
チルメチレン基などであり、同一分子中の複数の
Ｒおよび複数のＸはたがいに同一であつても異な
つていてもよい）で表わされる）。 ポリアミドは上述のような繰返し単位のみから
なる重合体であつてもよいし、また、上述のよう
な繰返し単位を分子中に50モル％以上含有し、残
りの50モル％以下がエステル結合、エーテル結
合、スルホニル結合、カルボニル結合などをベー
スとする繰返し単位であるような重合体であつて
もよい。 上記ポリアミドの還元粘度は０〜３〜2.0であ
る。ここで還元粘度は、重合体濃度0.5重量％の
ジメチルアセトアミド溶液について30℃で測定し
た値を指す。還元粘度が0.3未満の場合は実用特
性が得難く、還元粘度が2.0を越える場合は作業
性が低下する。 本発明に用いられるフツ素含有重合体として
は、フツ素含有モノエチレン系不飽和単量体、テ
トラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチ
レン、ペンタフルオロプロピレン、ヘキサフルオ
ロプロピレン、フツ化ビニリデン、フツ化ビニル
などの単独重合体、およびこれら単量体相互の共
重合体、ならびに、これら単量体10モル％以上と
他のモノエチレン系不飽和単量体90モル％以下と
の共重合体が挙げられる。他のモノエチレン系不
飽和単量体としては、エチレン、プロピレン、フ
ツ素を含まない他のビニル単量体やビニリデン単
量体などが用いられる。これらのフツ素含有重合
体の中では、ポリクロロトリフルオロエチレン、
ポリフツ化ビニリデン、ポリフツ化ビニルならび
にフツ化ビニリデンから導かれる単位を10モル％
以上含有する共重合体（例えば、フツ化ビニリデ
ンとペンタフルオロプロピレン又はヘキサフルオ
ロプロピレンとの共重合体）が好ましく、中でも
ポリフツ化ビニリデンおよびフツ化ビニリデンか
ら導かれる単位を10モル％以上含有する共重合体
が特に好ましい。上記のフツ素含有重合体の好ま
しい分子量は、103〜107、特に104〜106である。 ポリアミドと、フツ素含有重合体の配合割合
は、前者40〜99重量％に対し後者１〜60重量％好
ましくは前者60〜95重量％に対し後者５〜40重量
％、特に前者70〜90重量％に対し後者10〜30重量
％である。フツ素含有重合体の配合量が１重量％
未満の場合は、ほとんど配合効果が表われず、60
重量％を越える場合は、機械強度および接着性が
低下する。 なお、ポリアミドとフツ素含有重合体とからな
る組成物に、その耐水性および所望の電気的特性
を損わない限度内において、他の重合体、例えば
ポリアミドイミド、ポリエステル、ポリエーテ
ル、ポリイミド、ポリスルホン、エポキシ樹脂を
配合してもよい。これらの重合体の配合量は、こ
れらの重合体を含む組成物合計重量に基づき50重
量％以内の範囲内で適宜選べばよい。 ポリアミドとフツ素含有重合体とを含む上記樹
脂組成物に、金属、金属酸化物、金属窒化物、金
属炭化物、金属ケイ化物、ケイ素、ケイ素酸化
物、ケイ素窒化物、ケイ素炭化物、ホウ素、ホウ
素窒化物および炭素の中から選ばれた少なくとも
一種の粒状体を配合する事により、導電性、抵抗
性、絶縁性、誘電性などの電気特性を自由に付与
する事が可能である。 本発明に使用される金属、金属酸化物、金属窒
化物、金属炭化物、金属ケイ化物、ケイ素、ケイ
素酸化物、ケイ素窒化物、ケイ素炭化物、ホウ
素、ホウ素窒化物、炭素は、一般に微粒子であれ
ばよく、その形状は、径状、角形状、針状、フレ
ーク状等なんでもよい。その粒径としては、通常
20Åないし500μの範囲で選ばれる。具体例とし
ては、Au、Ag、Pd、Ru、Pt、Rh、、Ir、Tl、
Mo、Zn、Mn、Mg、Cd、Cr、Nb、Ge、Zr、
Cu、Ni、Al、Sn、Pb、Bi、In、Fe、Co、Ti、
Ｗ、Ta、Hf、Zr、Ｙ、Ba、Be、Si、Ｃ、Ｂおよ
びこれらの合金またはこれらの酸化物、窒化物、
炭化物、ケイ化物でもよく、さらにこれらの混合
物であつてもよい。 これらのなかで、導電性付与粒状体としては、
Ai、Ag、Pd、Pt、Cu、Ni、Al、Sn、Mo、Mn、
Co、Ｗ、これらの合金及びこれらの混合物が好
ましく、Au、Ag、Pd、Pt、Cu、Ni、Al、Sn、
これらの合金およびこれらの混合物から選ばれる
ことがさらに好ましい。 抵抗性付与粒状体としては、SnO2−Ta2O5、
MoO3−Ｂ、ZnO、CdO−ZnO、Ag−PdO、Ag−
PdO−Pd、NiO2−Ag、Ｃ−Ｂ−Ag、Ag−PdO
−Sb2O3、Ｃ−Ｂ、Cu2O−CuO、In2O3、In2O3
−Sb2O3、Tl2O3、SnO2、SnO2−Sb2O3、IrO2、
RhO、RuO2、TaN、TiN、TiN−Ti、TaN−
Ta、WC、WC−Ｗ、Ｃ、CoSi、ZrSi、TaSi、
MnSi、MoSi、NiSi、TiSiおよびこれらの混合物
から選ばれるのが好ましい。 絶縁性または誘電性付与粒状体としては、
SiO、SiO2、Si3N4、SiC、Ta2O3、Al2O3、
TiO2、HfO2、ZrO2、Y2O3、BaTiO3、BN、
BeO、CoO、PdO、B2O3、Bi2O3、BaOおよびこ
れらの混合物が好ましく、SiO、SiO2、Si3N4、
SiC、Ta2O3、Al2O3、iO2、BaTiO3、BN、
BeO、CoO、PbO、B2O3、Bi2O3、BaOおよびこ
れらの混合物から選ばれることがさらに好まし
い。 これらの粒状体の配合量は、前述のポリアミド
ノフツ素含有重合体を含む組成物100重量部当
り、５〜4000重量部、好ましく100〜2000重量部
の範囲で選ばれる。配合量が５重量部未満では、
ほとんど配合効果が認められず、逆に4000重量部
を越えると、フイルム形成が困難になる。 本発明の組成物を製造する方法としては、ポリ
アミドを溶媒に溶解し、フツ素含有重合体を上記
ポリアミド溶液に直接溶解させるかまたは分散さ
せるか、或いはフツ素含有重合体を他の溶媒に溶
解して上記ポリアミド溶液に配合するかして、そ
の後溶媒を除外すればよい。この場合、フツ素含
有重合体をポリアミドと同一の溶媒に溶解させる
のが好ましい。 ポリアミドとフツ素含有重合体との相互作用を
形成させるためには、ポリアミドとフツ素含有重
合体とを配合した後、100℃位に加熱する事が好
ましく、溶媒を除去する場合も、100℃位に加熱
して除去するのが好ましい。 溶融配合することによつて、ポリアミドとフツ
素含有重合体との組成物を得ることもでき、ま
た、フツ素含有重合体存在下で、ポリアミドを重
合させることによつてポリアミドとフツ素含有重
合体との組成物を得ることも可能である。 ポリアミドを溶解する溶媒としては、Ｎ・Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ・Ｎ−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、ヘキサメチルホスホルアミド、ギ
酸、フエノール、トルエン、メタノール、イソプ
ロパノールなどがあり、またフツ素含有重合体を
溶解する溶媒としては、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン、酢酸メチル、ジエチルカーボネ
ート、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ・Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、ジメチルスルホキシド、１・１・３−トリフ
ルオロペンタクロロプロパン、２・５−ジクロロ
ベンゾトリフルオライド、Ｏ−クロロベンゾトリ
フルオライドなどがある。 粒状体含有組成物を製造する場合は、上記ポリ
アミドとフツ素含有重合体との組成物を製造する
際に、粒状体をいつしよに配合し、均一に分散す
ることにより、上記ポリアミドとフツ素含有重合
体との組成物を製造する方法と同様に調製するこ
とができる。 本発明の組成物は、優れた耐水性、電気特性を
有しており、回路配線用の導体、抵抗体、絶縁
体、誘電体、保護材、接着剤、ボンデイング用導
電性接着剤、コンデンサー用誘電体、集積回路、
能動素子、受動素子、変換素子などのエレクトリ
カルエレメントのエンカプシユレーシヨン剤とし
て好適である。本発明組成物の使用によつて、高
精度、高信頼性の導電回路基板、抵抗回路基板、
絶縁基板、回路用基板、多層回路基板、ハイブリ
ツト回路基板、実装回路基板、コンデンサーおよ
びその他の集積回路、能動素子、受動素子、変換
素子などのエレクトリカルエレメントを得ること
ができる。 本発明組成物はペースト形態での利用も可能で
ある。従来のペーストのベース重合体は耐湿性が
不充分であり、そのために得られるものの抵抗値
の安定性が良くなかつた。本発明のポリアミドと
フツ素含有重合体からなる組成物は、耐湿性が優
れており、上記組成物を用いたペーストから得ら
れるものの抵抗値の安定性は良好である。 本発明の組成物は、上記以外にも広汎な応用用
途を有するものである。 次に、本発明をより具体的に説明するために、
実施例を述べるが、本発明はこれら実施例に限定
されるものではない。 実施例 １〜５ 表１に示したポリアミド、フツ素含有重合体お
よび溶媒を用いて、テフロンシート上で100℃で
４時間、次いで200℃で２時間熱処理して、200μ
厚のフイルムを作成した。得られたフイルムの吸
水率をJIS−K6911−1962に準じて、20℃で24時
間浸漬して測定し、また、1MHzにおける誘電損
失をASTM−D150−70に準じて、銀電極を蒸着
して形成し、20℃、60％RH中でブリツジ法を用
いて測定した。結果を表１に示したが、優れた耐
水性および電気特性を有していた。 実施例 ６〜10 実施例１〜５と同一のポリアミド、フツ素含有
重合体および溶媒をそれぞれ実施例１〜５と同一
量用いて、表２に示した粒状体を加えてボールミ
ルで均一に分散した後、実施例１〜５と同様に処
理して粒状体含有フイルム（膜厚200μ）を得
た、吸水率を実施例１〜５と同様に測定した結果
を表２に示したが、優れた耐水性を有していた。 また、粒状体を加えて得たペースト状物を、セ
ラミツク基板上に幅１mm、長さ２cmのラインを20
本スクリーン印刷（約50μ厚）した後、100℃で
１時間熱処理した。得られたラインの１本の抵抗
値を表２に示したが、所望の導電性、抵抗性、絶
縁性と優れた電気特性の付与が可能である。
は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは酸素原子、硫
黄原子、スルホニル基、カルボニル基、カルボニ
ルオキシ基、メチレン基、エチレン基またはジメ
チルメチレン基などであり、同一分子中の複数の
Ｒおよび複数のＸはたがいに同一であつても異な
つていてもよい）で表わされる）。 ポリアミドは上述のような繰返し単位のみから
なる重合体であつてもよいし、また、上述のよう
な繰返し単位を分子中に50モル％以上含有し、残
りの50モル％以下がエステル結合、エーテル結
合、スルホニル結合、カルボニル結合などをベー
スとする繰返し単位であるような重合体であつて
もよい。 上記ポリアミドの還元粘度は０〜３〜2.0であ
る。ここで還元粘度は、重合体濃度0.5重量％の
ジメチルアセトアミド溶液について30℃で測定し
た値を指す。還元粘度が0.3未満の場合は実用特
性が得難く、還元粘度が2.0を越える場合は作業
性が低下する。 本発明に用いられるフツ素含有重合体として
は、フツ素含有モノエチレン系不飽和単量体、テ
トラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチ
レン、ペンタフルオロプロピレン、ヘキサフルオ
ロプロピレン、フツ化ビニリデン、フツ化ビニル
などの単独重合体、およびこれら単量体相互の共
重合体、ならびに、これら単量体10モル％以上と
他のモノエチレン系不飽和単量体90モル％以下と
の共重合体が挙げられる。他のモノエチレン系不
飽和単量体としては、エチレン、プロピレン、フ
ツ素を含まない他のビニル単量体やビニリデン単
量体などが用いられる。これらのフツ素含有重合
体の中では、ポリクロロトリフルオロエチレン、
ポリフツ化ビニリデン、ポリフツ化ビニルならび
にフツ化ビニリデンから導かれる単位を10モル％
以上含有する共重合体（例えば、フツ化ビニリデ
ンとペンタフルオロプロピレン又はヘキサフルオ
ロプロピレンとの共重合体）が好ましく、中でも
ポリフツ化ビニリデンおよびフツ化ビニリデンか
ら導かれる単位を10モル％以上含有する共重合体
が特に好ましい。上記のフツ素含有重合体の好ま
しい分子量は、103〜107、特に104〜106である。 ポリアミドと、フツ素含有重合体の配合割合
は、前者40〜99重量％に対し後者１〜60重量％好
ましくは前者60〜95重量％に対し後者５〜40重量
％、特に前者70〜90重量％に対し後者10〜30重量
％である。フツ素含有重合体の配合量が１重量％
未満の場合は、ほとんど配合効果が表われず、60
重量％を越える場合は、機械強度および接着性が
低下する。 なお、ポリアミドとフツ素含有重合体とからな
る組成物に、その耐水性および所望の電気的特性
を損わない限度内において、他の重合体、例えば
ポリアミドイミド、ポリエステル、ポリエーテ
ル、ポリイミド、ポリスルホン、エポキシ樹脂を
配合してもよい。これらの重合体の配合量は、こ
れらの重合体を含む組成物合計重量に基づき50重
量％以内の範囲内で適宜選べばよい。 ポリアミドとフツ素含有重合体とを含む上記樹
脂組成物に、金属、金属酸化物、金属窒化物、金
属炭化物、金属ケイ化物、ケイ素、ケイ素酸化
物、ケイ素窒化物、ケイ素炭化物、ホウ素、ホウ
素窒化物および炭素の中から選ばれた少なくとも
一種の粒状体を配合する事により、導電性、抵抗
性、絶縁性、誘電性などの電気特性を自由に付与
する事が可能である。 本発明に使用される金属、金属酸化物、金属窒
化物、金属炭化物、金属ケイ化物、ケイ素、ケイ
素酸化物、ケイ素窒化物、ケイ素炭化物、ホウ
素、ホウ素窒化物、炭素は、一般に微粒子であれ
ばよく、その形状は、径状、角形状、針状、フレ
ーク状等なんでもよい。その粒径としては、通常
20Åないし500μの範囲で選ばれる。具体例とし
ては、Au、Ag、Pd、Ru、Pt、Rh、、Ir、Tl、
Mo、Zn、Mn、Mg、Cd、Cr、Nb、Ge、Zr、
Cu、Ni、Al、Sn、Pb、Bi、In、Fe、Co、Ti、
Ｗ、Ta、Hf、Zr、Ｙ、Ba、Be、Si、Ｃ、Ｂおよ
びこれらの合金またはこれらの酸化物、窒化物、
炭化物、ケイ化物でもよく、さらにこれらの混合
物であつてもよい。 これらのなかで、導電性付与粒状体としては、
Ai、Ag、Pd、Pt、Cu、Ni、Al、Sn、Mo、Mn、
Co、Ｗ、これらの合金及びこれらの混合物が好
ましく、Au、Ag、Pd、Pt、Cu、Ni、Al、Sn、
これらの合金およびこれらの混合物から選ばれる
ことがさらに好ましい。 抵抗性付与粒状体としては、SnO2−Ta2O5、
MoO3−Ｂ、ZnO、CdO−ZnO、Ag−PdO、Ag−
PdO−Pd、NiO2−Ag、Ｃ−Ｂ−Ag、Ag−PdO
−Sb2O3、Ｃ−Ｂ、Cu2O−CuO、In2O3、In2O3
−Sb2O3、Tl2O3、SnO2、SnO2−Sb2O3、IrO2、
RhO、RuO2、TaN、TiN、TiN−Ti、TaN−
Ta、WC、WC−Ｗ、Ｃ、CoSi、ZrSi、TaSi、
MnSi、MoSi、NiSi、TiSiおよびこれらの混合物
から選ばれるのが好ましい。 絶縁性または誘電性付与粒状体としては、
SiO、SiO2、Si3N4、SiC、Ta2O3、Al2O3、
TiO2、HfO2、ZrO2、Y2O3、BaTiO3、BN、
BeO、CoO、PdO、B2O3、Bi2O3、BaOおよびこ
れらの混合物が好ましく、SiO、SiO2、Si3N4、
SiC、Ta2O3、Al2O3、iO2、BaTiO3、BN、
BeO、CoO、PbO、B2O3、Bi2O3、BaOおよびこ
れらの混合物から選ばれることがさらに好まし
い。 これらの粒状体の配合量は、前述のポリアミド
ノフツ素含有重合体を含む組成物100重量部当
り、５〜4000重量部、好ましく100〜2000重量部
の範囲で選ばれる。配合量が５重量部未満では、
ほとんど配合効果が認められず、逆に4000重量部
を越えると、フイルム形成が困難になる。 本発明の組成物を製造する方法としては、ポリ
アミドを溶媒に溶解し、フツ素含有重合体を上記
ポリアミド溶液に直接溶解させるかまたは分散さ
せるか、或いはフツ素含有重合体を他の溶媒に溶
解して上記ポリアミド溶液に配合するかして、そ
の後溶媒を除外すればよい。この場合、フツ素含
有重合体をポリアミドと同一の溶媒に溶解させる
のが好ましい。 ポリアミドとフツ素含有重合体との相互作用を
形成させるためには、ポリアミドとフツ素含有重
合体とを配合した後、100℃位に加熱する事が好
ましく、溶媒を除去する場合も、100℃位に加熱
して除去するのが好ましい。 溶融配合することによつて、ポリアミドとフツ
素含有重合体との組成物を得ることもでき、ま
た、フツ素含有重合体存在下で、ポリアミドを重
合させることによつてポリアミドとフツ素含有重
合体との組成物を得ることも可能である。 ポリアミドを溶解する溶媒としては、Ｎ・Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ・Ｎ−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、ヘキサメチルホスホルアミド、ギ
酸、フエノール、トルエン、メタノール、イソプ
ロパノールなどがあり、またフツ素含有重合体を
溶解する溶媒としては、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン、酢酸メチル、ジエチルカーボネ
ート、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ・Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、ジメチルスルホキシド、１・１・３−トリフ
ルオロペンタクロロプロパン、２・５−ジクロロ
ベンゾトリフルオライド、Ｏ−クロロベンゾトリ
フルオライドなどがある。 粒状体含有組成物を製造する場合は、上記ポリ
アミドとフツ素含有重合体との組成物を製造する
際に、粒状体をいつしよに配合し、均一に分散す
ることにより、上記ポリアミドとフツ素含有重合
体との組成物を製造する方法と同様に調製するこ
とができる。 本発明の組成物は、優れた耐水性、電気特性を
有しており、回路配線用の導体、抵抗体、絶縁
体、誘電体、保護材、接着剤、ボンデイング用導
電性接着剤、コンデンサー用誘電体、集積回路、
能動素子、受動素子、変換素子などのエレクトリ
カルエレメントのエンカプシユレーシヨン剤とし
て好適である。本発明組成物の使用によつて、高
精度、高信頼性の導電回路基板、抵抗回路基板、
絶縁基板、回路用基板、多層回路基板、ハイブリ
ツト回路基板、実装回路基板、コンデンサーおよ
びその他の集積回路、能動素子、受動素子、変換
素子などのエレクトリカルエレメントを得ること
ができる。 本発明組成物はペースト形態での利用も可能で
ある。従来のペーストのベース重合体は耐湿性が
不充分であり、そのために得られるものの抵抗値
の安定性が良くなかつた。本発明のポリアミドと
フツ素含有重合体からなる組成物は、耐湿性が優
れており、上記組成物を用いたペーストから得ら
れるものの抵抗値の安定性は良好である。 本発明の組成物は、上記以外にも広汎な応用用
途を有するものである。 次に、本発明をより具体的に説明するために、
実施例を述べるが、本発明はこれら実施例に限定
されるものではない。 実施例 １〜５ 表１に示したポリアミド、フツ素含有重合体お
よび溶媒を用いて、テフロンシート上で100℃で
４時間、次いで200℃で２時間熱処理して、200μ
厚のフイルムを作成した。得られたフイルムの吸
水率をJIS−K6911−1962に準じて、20℃で24時
間浸漬して測定し、また、1MHzにおける誘電損
失をASTM−D150−70に準じて、銀電極を蒸着
して形成し、20℃、60％RH中でブリツジ法を用
いて測定した。結果を表１に示したが、優れた耐
水性および電気特性を有していた。 実施例 ６〜10 実施例１〜５と同一のポリアミド、フツ素含有
重合体および溶媒をそれぞれ実施例１〜５と同一
量用いて、表２に示した粒状体を加えてボールミ
ルで均一に分散した後、実施例１〜５と同様に処
理して粒状体含有フイルム（膜厚200μ）を得
た、吸水率を実施例１〜５と同様に測定した結果
を表２に示したが、優れた耐水性を有していた。 また、粒状体を加えて得たペースト状物を、セ
ラミツク基板上に幅１mm、長さ２cmのラインを20
本スクリーン印刷（約50μ厚）した後、100℃で
１時間熱処理した。得られたラインの１本の抵抗
値を表２に示したが、所望の導電性、抵抗性、絶
縁性と優れた電気特性の付与が可能である。
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式で表わされる繰り返し単位を50モ
ル％以上含有し、還元粘度が0.3〜2.0である芳香
族ポリアミド40−99重量％とフツ素含有モノエチ
レン系不飽和単量体から導かれる単位を10モル％
以上含有する重合体１−60重量％を含んでなり、
上記芳香族ポリアミドと上記フツ素含有重合体と
の合計量が50重量％以上を占めるポリアミド樹脂
組成物。 【式】または 【式】 〔式中、A1、A2、A3は 【式】【式】【式】 【式】【式】 【式】【式】 【式】 【式】 【式】 【式】 または （ただし、式中のＲは水素原子、ハロゲン原子又
は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは酸素原子、硫
黄原子、スルホニル基、カルボニル基、カルボニ
ルオキシ基、メチレン基、エチレン基またはジメ
チルメチレン基などであり、同一分子中の複数の
Ｒおよび複数のＸはそれぞれたがいに同一であつ
ても異なつていてもよい） で表わされる２価の残基である。〕 ２ フツ素含有モノエチレン系不飽和単量体がフ
ツ化ビニリデンである特許請求の範囲第１項に記
載のポリアミド樹脂組成物。 ３ 下記一般式で表わされる繰り返し単位を50モ
ル％以上含有し、還元粘度が0.3〜2.0である芳香
族ポリアミド40−99重量％とフツ素含有モノエチ
レン系不飽和単量体から導かれる単位を10モル％
以上含有する重合体１−60重量％を含んでなり、
上記芳香族ポリアミドと上記フツ素含有重合体と
の合計量が50重量％以上を占める樹脂組成物100
重量部に対し、金属、金属酸化物、金属窒化物、
金属炭化物、金属ケイ化物、ケイ素、ケイ素酸化
物、ケイ素窒化物、ケイ素炭化物、ホウ素、ホウ
素窒化物および炭素からなる群から選ばれた少な
くとも１種の粒状体５〜4000重量部を配合してな
るポリアミド樹脂組成物。 【式】または 【式】 〔式中、A1、A2、A3は 【式】【式】【式】 【式】【式】 【式】【式】 【式】 【式】 【式】 【式】 または （ただし、式中のＲは水素原子、ハロゲン原子又
は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは酸素原子、硫
黄原子、スルホニル基、カルボニル基、カルボニ
ルオキシ基、メチレン基、エチレン基またはジメ
チルメチレン基などであり、同一分子中の複数の
Ｒおよび複数のＸはそれぞれたがいに同一であつ
ても異なつていてもよい） で表わされる２価の残基である。〕 ４ 粒状体がAu、Ag、Pb、Pt、Cu、Ni、Alお
よびSnならびにこれらの合金からなる群から選
ばれた少なくとも１種である特許請求の範囲第３
項に記載のポリアミド樹脂組成物。 ５ 粒状体が、SnO2−Ta2O5（SnO2とTa2O5と
の混合物を意味する。以下、同様。）、MoO3−
Ｂ、ZnO、CdO−ZnO、Ag−PdO、Ag−PdO−
Pd、NiO2−Ag、Ｃ−Ｂ−Ag、Ag−PdO−
Sb2O3、Ｃ−Ｂ、Cu2O−CuO、In2O3、In2O3−
Sb2O3、Tl2O3、SnO2、SnO2−Sb2O3、RuO2、
TaN、TiN、TiN−Ti、TaN−Ta、WC、WC−
Ｗ、Ｃ、CoSi、ZrSi、TaSi、MnSi、MoSi、
NiSi、およびTiSiからなる群から選ばれた少なく
とも一種である特許請求の範囲第３項に記載のポ
リアミド樹脂組成物。 ６ 粒状体が、CoO、PbO、B2O3、Bi2O3、
BaO、SiO、SiO2、Si3N4、SiC、Ta2O3、
Al2O3、TiO2、BaTiO3、BNおよびBeOからなる
群から選ばれた少なくとも一種である特許請求の
範囲第３項に記載のポリアミド樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3422379A JPS55127461A (en) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | Polyamide resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3422379A JPS55127461A (en) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | Polyamide resin composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55127461A JPS55127461A (en) | 1980-10-02 |
| JPS6226347B2 true JPS6226347B2 (ja) | 1987-06-08 |
Family
ID=12408137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3422379A Granted JPS55127461A (en) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | Polyamide resin composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55127461A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020933A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-02 | Toyota Motor Corp | 粒子分散高分子材料の製造方法 |
-
1979
- 1979-03-26 JP JP3422379A patent/JPS55127461A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55127461A (en) | 1980-10-02 |
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