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JPS622721B2 - - Google Patents
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JPS622721B2 - - Google Patents

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JPS622721B2
JPS622721B2 JP11506480A JP11506480A JPS622721B2 JP S622721 B2 JPS622721 B2 JP S622721B2 JP 11506480 A JP11506480 A JP 11506480A JP 11506480 A JP11506480 A JP 11506480A JP S622721 B2 JPS622721 B2 JP S622721B2
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JP
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transistor
terminal
base
emitter
preamplifier
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Shigeru Tomita
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/083Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明の前置増幅器に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a preamplifier.

例えば磁気記録再生装置等に於いては、再生信
号の増幅用として従来第1図及び第2図に示すよ
うな前置増幅器が用いられている。第1図、第2
図に於いて、11,12が前置増幅器の本体で例
えば集積回路(IC)化されている。,,
,はICの外付端子である。T11は変成器、
C11は共振コンデンサ、R11はダンピング抵抗、
C12は結合コンデンサ、Q11,Q12,Q13,Q14
Q15はトランジスタ、E11,R12はトランジスタQ11
のベースバイアス回路を構成する電圧源、抵抗、
E12はトランジスタQ12のベースバイアス電圧源、
E13はトランジスタQ11,Q14のベースバイアス電
圧源、R13は負荷抵抗、R14はトランジスタQ13
エミツタ抵抗、R15,R16,D11はトランジスタQ15
のベースバイアス回路を構成する抵抗、ダイオー
ド、R17はトランジスタQ15のエミツタ抵抗、V11
は電源である。
For example, in magnetic recording and reproducing apparatuses, preamplifiers as shown in FIGS. 1 and 2 are conventionally used for amplifying reproduced signals. Figures 1 and 2
In the figure, 11 and 12 are the main bodies of the preamplifier, which are formed into integrated circuits (ICs), for example. ,,
, are external terminals of the IC. T 11 is a transformer,
C11 is the resonant capacitor, R11 is the damping resistor,
C 12 is a coupling capacitor, Q 11 , Q 12 , Q 13 , Q 14 ,
Q 15 is a transistor, E 11 , R 12 is a transistor Q 11
The voltage source, resistor, and
E12 is the base bias voltage source of transistor Q12 ,
E 13 is the base bias voltage source of transistors Q 11 and Q 14 , R 13 is the load resistance, R 14 is the emitter resistance of transistor Q 13 , R 15 , R 16 , and D 11 are the transistor Q 15
The resistor, diode, R 17 that forms the base bias circuit of transistor Q 15 is the emitter resistance of V 11
is the power supply.

まず、第1図のものについて説明するに、図示
しない磁気ヘツドによつて再生された再生信号V
iは変成器T11の2次側より結合コンデンサC12
介してトランジスタQ11に供給される。そしてト
ランジスタQ11とQ12によつて増幅され、トラン
ジスタQ13のエミツタより出力される。V0が出力
信号であり、図示しない後段の信号処理回路に供
給される。
First, to explain what is shown in FIG. 1, the reproduced signal V reproduced by a magnetic head (not shown)
i is supplied from the secondary side of transformer T 11 to transistor Q 11 via coupling capacitor C 12 . It is then amplified by transistors Q11 and Q12 and output from the emitter of transistor Q13 . V 0 is an output signal and is supplied to a subsequent stage signal processing circuit (not shown).

ところで、上記構成に於いては接地端子と結
合コンデンサC11、ダンピング抵抗R11のアース側
及び変成器T11の2次巻線のアース側は誘導を避
ける為に一点接地としている。またIC周辺の再
生信号Viの入力電流ループの回路パターンはこ
の入力電流ループの面積が極力小さくなるように
設計されている。
By the way, in the above configuration, the grounding terminal, the coupling capacitor C 11 , the grounding side of the damping resistor R 11 and the grounding side of the secondary winding of the transformer T 11 are grounded at one point to avoid induction. Furthermore, the circuit pattern of the input current loop for the reproduced signal V i around the IC is designed so that the area of this input current loop is as small as possible.

しかしながら、このような構成の場合次のよう
な欠点がある。すなわち、前置増幅器本体11を
IC化する場合、この本体11の出力側に接続さ
れる信号処理回路もいつしよにIC化されること
が多く、この場合接地端子は両回路で共通に使
用される。したがつて接地端子には前述したよ
うな信号処理回路の動作電流も流れ、トランジス
タQ13のエミツタから接地端子までのラインが
前置増幅器本体11の動作電流及び信号処理回路
の動作電流に対して共通インピーダンスとなつて
しまう。この為、前述したような一点接地構成、
及び入力電流ループの面積を極力小さくするよう
な構成をとる場合、前置増幅器の周波数特性が悪
化したり、この蔵幅器が発振をしてしまう虞れが
ある。
However, such a configuration has the following drawbacks. That is, the preamplifier main body 11 is
When integrated into an IC, the signal processing circuit connected to the output side of the main body 11 is often also integrated into an IC, and in this case, the ground terminal is commonly used for both circuits. Therefore, the operating current of the signal processing circuit as described above also flows through the ground terminal, and the line from the emitter of the transistor Q 13 to the ground terminal is connected to the operating current of the preamplifier body 11 and the operating current of the signal processing circuit. It becomes a common impedance. For this reason, single point grounding configuration as mentioned above,
If a configuration is adopted in which the area of the input current loop is made as small as possible, there is a risk that the frequency characteristics of the preamplifier may deteriorate or the amplifier may oscillate.

第2図の回路は変成器T11からの信号の入力部
をトランジスタQ11,Q14を用いた差動入力型に
構成することにより、前述したような第1図の回
路の欠点を解決したものである。
The circuit shown in Figure 2 solves the above-mentioned drawbacks of the circuit shown in Figure 1 by configuring the input section of the signal from the transformer T 11 as a differential input type using transistors Q 11 and Q 14 . It is something.

しかしながらこのような構成の場合、トランジ
スタQ14のベース拡がり抵抗が再生信号Viの入力
電流ループに直列に入つてしまい、回路の雑音信
号が増え、NF(雑音指数)が悪化する欠点を有
す。
However, in such a configuration, the spread base resistance of the transistor Q14 enters the input current loop of the reproduced signal V i in series, which increases the noise signal in the circuit and deteriorates the NF (noise figure). .

この発明は上記の事情に対処すべくなされたも
ので、前置増幅器のアースラインとこの増幅器の
後段に設けられる信号処理回路のアースラインを
一体化することによる前置増幅器の周波数特性の
劣化や発振する危険性、信号入力部のベース拡が
り抵抗による前置増幅器のNFの悪化を防止する
ことができ、IC化に適した前置増幅器を提供す
ることを目的とする。
This invention was made in order to deal with the above-mentioned circumstances, and it is possible to reduce the deterioration of the frequency characteristics of the preamplifier by integrating the ground line of the preamplifier and the ground line of the signal processing circuit provided after the amplifier. The purpose of the present invention is to provide a preamplifier that can prevent the risk of oscillation and deterioration of the NF of the preamplifier due to the base spread resistance of the signal input section, and is suitable for IC implementation.

以下図面を参照してこの発明の一実施例を詳細
に説明する。第3図に於いて、T21は変成器で1
次巻線L1に図示しない磁気ヘツドより電圧Vi
再生信号が印加される。この変成器T21の2次巻
L2の一端はIC化された前置増幅器本体21の端
子に接続され、他端は結合コンデンサC21を介
して端子に接続されている。C22,R21はそれぞ
れ共振コンデンサ、ダンピング抵抗である。端子
はエミツタ接地接続のトランジスタQ21のベー
スに接続され、このトランジスタQ21のエミツタ
は端子に接続されるとともに、エミツタ抵抗
R22を介して接地端子に接続されている。E21
トランジスタQ21のベースバイアス電圧源で、接
地端子と端子間に挿入されており、この端子
はベースバイアス抵抗R23を介して例えば2次
巻線L2の他端に接続されている。Q22はベース接
地接続のトランジスタで、前記トランジスタQ21
とともにカスコードアンプを構成する。すなわ
ち、トランジスタQ22のエミツタはトランジスタ
Q21のコレクタに接続され、コレクタは負荷抵抗
R24を介して電源端子に接続されている。E22
トランジスタQ22のベースバイアス電源である。
トランジスタQ22のコレクタはまた、エミツタフ
オロア接続のトランジスタQ33のベースに接続さ
れている。このトランジスタQ23のエミツタより
前置増幅器の増幅出力V0が得られ、そのエミツ
タ抵抗R25は接地端子に接続されている。V21
電源である。
An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In Figure 3, T 21 is 1 in the transformer.
A reproduction signal of voltage V i is applied to the next winding L 1 from a magnetic head (not shown). Secondary winding of this transformer T 21
One end of L 2 is connected to a terminal of the preamplifier main body 21 formed into an IC, and the other end is connected to the terminal via a coupling capacitor C 21 . C 22 and R 21 are a resonant capacitor and a damping resistor, respectively. The terminal is connected to the base of a transistor Q 21 whose emitter is connected to ground, and the emitter of this transistor Q 21 is connected to the terminal and also connected to the emitter resistor.
Connected to the ground terminal via R 22 . E 21 is the base bias voltage source of the transistor Q 21 , which is inserted between the ground terminal and the terminal, and this terminal is connected to the other end of the secondary winding L 2 , for example, via the base bias resistor R 23 . . Q 22 is a transistor with a common base connection, and the transistor Q 21
Together, they form a cascode amplifier. In other words, the emitter of transistor Q 22 is
Connected to the collector of Q 21 , the collector is a load resistor
Connected to the power terminal via R24 . E 22 is the base bias power supply for transistor Q 22 .
The collector of transistor Q 22 is also connected to the base of transistor Q 33 with an emitter follower connection. The amplified output V 0 of the preamplifier is obtained from the emitter of this transistor Q 23 , and its emitter resistor R 25 is connected to the ground terminal. V 21 is the power supply.

なお、前記電圧源E21は例えば出力信号V0の直
流分に等しい定電圧源としても良いし、または電
圧利得の安定化の為にこの出力信号V0の直流分
の変動に追随して制御される電圧制御電圧源とし
ても良い。また、電圧源E22は電源Vc.c.の電圧に
等しい定電圧源としても良いし、または電圧利得
の安定化の為にこの電源Vc.c.の電圧の変動に追随
して制御される電圧制御電圧源としても良い。
Note that the voltage source E 21 may be, for example, a constant voltage source equal to the DC component of the output signal V 0 or may be controlled to follow fluctuations in the DC component of the output signal V 0 in order to stabilize the voltage gain. It may also be a voltage controlled voltage source. Further, the voltage source E 22 may be a constant voltage source equal to the voltage of the power supply Vc.c., or it may be controlled to follow fluctuations in the voltage of this power supply Vc.c. in order to stabilize the voltage gain. It may also be a voltage controlled voltage source.

上記構成に於いて動作を説明する。変成器T21
の2次巻線L2に誘起された再生信号Viはトラン
ジスタQ21のベース・エミツタ間に現われる。こ
れによりトランジスタQ21のベース電流が流れ、
このベース電流はこのトランジスタQ21で電流増
幅され、コレクタ電流となり、トランジスタQ22
を通り、負荷抵抗R24に流れ、トランジスタQ23
エミツタより出力信号V0として導出される。
The operation in the above configuration will be explained. Transformer T 21
The reproduced signal V i induced in the secondary winding L 2 appears between the base and emitter of the transistor Q 21 . This causes the base current of transistor Q 21 to flow,
This base current is amplified by this transistor Q 21 and becomes a collector current, which is then passed through the transistor Q 22
The signal flows through the load resistor R24 , and is derived from the emitter of the transistor Q23 as an output signal V0 .

ところで、トランジスタQ21とQ22で前述の如
くカスコードアンプが構成されることにより、ト
ランジスタのベースからコレクタまでの電圧利得
が減少し、トランジスタQ21のコレクタ・ベース
間容量によるこのトランジスタQ21のコレクタか
らベースへの帰還量が減少する。これに対し、ト
ランジスタQ23がない場合はミラー積分効果によ
り前置増幅器の高周波領域での利得が落ちてしま
うとともに、発振してしまう危険性があり、さら
にトランジスタQ21のベース・エミツタ間からみ
た入力容量を増加してしまう。
By the way, by forming a cascode amplifier with transistors Q 21 and Q 22 as described above, the voltage gain from the base to the collector of the transistor decreases, and the voltage gain from the collector to the collector of transistor Q 21 due to the capacitance between the collector and base of transistor Q 21 decreases. The amount returned to the base is reduced. On the other hand, if there is no transistor Q 23 , the gain in the high frequency range of the preamplifier will drop due to the Miller integration effect, and there is a risk of oscillation. This increases the input capacity.

ここで、以下詳述したこの実施例の効果を説明
する。先の説明から明らかなように、2次巻線
L2に誘起された再生信号Viが接地端子に流れ
ないので、前置増幅器の後段に接続される信号処
理回路の動作電流が端子に流れても、それが再
生信号Viに影響を与えることがなく、前置増幅
器の周波数特性が劣化したり、発振を起こしたり
する不具合が発生することはない。
Here, the effects of this embodiment, which will be described in detail below, will be explained. As is clear from the previous explanation, the secondary winding
Since the reproduced signal V i induced in L 2 does not flow to the ground terminal, even if the operating current of the signal processing circuit connected after the preamplifier flows to the terminal, it will not affect the reproduced signal V i Therefore, problems such as deterioration of the frequency characteristics of the preamplifier and oscillation do not occur.

また、トランジスタQ21のエミツタと接地端子
、つまり基準電位端間に抵抗R22が挿入されて
いる為、端子または端子から入力信号に対す
る電圧利得G1は略次の(1)式で表わされる。
Furthermore, since the resistor R 22 is inserted between the emitter of the transistor Q 21 and the ground terminal, that is, the reference potential terminal, the voltage gain G 1 for the terminal or the input signal from the terminal is approximately expressed by the following equation (1).

G1=αR/re1+R ……(1) 但し、α:トランジスタのベース接地時の電 流増率でα=hfe/1+hfe,IE=αIC, IE=hfeB (IB,IC,IEはトランジスタのベース、コ
レクタ、エミツタ電流 Ra,Rb:抵抗R22,R24の抵抗値 re1:kT/q|IE1| k…ボルツマン定数 T…絶対温度 q…電子の電荷 IE1…トランジスタQ21のエミツタ電流 また、端子との両端からみた電圧利得G2
は略次の式(2)で表わされる。
G 1 = αR b /r e1 +R a ...(1) However, α: Current increase rate when the base of the transistor is grounded, α = h fe /1 + h fe , I E = αI C , I E = h fe I B (I B , I C , I E are transistor base, collector, and emitter currents R a , R b : Resistance values of resistors R 22 and R 24 r e1 : kT/q | I E1 | k...Boltzmann constant T... Absolute temperature q...Electronic charge I E1 ...Emitter current of transistor Q 21 Also, voltage gain G 2 as seen from both ends with the terminal
is approximately expressed by the following equation (2).

G2=αR/re1=〔G1〕Ra=0 ……(2) したがつて式(1),(2)よりRa≫re1とすればG1
≪G2とすることがで。すなわち、第3図の回路
構成に於いてRa≫re1とすれば、この回路構成
は第1の回路構成に比でコモンモードの雑音信号
に強く、回路の周波数特性が劣化したり、発振を
起こしたりする危険物を避けることができる。
G 2 = αR b / r e1 = [G 1 ] R a = 0 ... (2) Therefore, from equations (1) and (2), if R a ≫ r e1 , then G 1
≪It can be G 2 . In other words, if R a ≫ r e1 in the circuit configuration shown in Fig. 3, this circuit configuration is more resistant to common mode noise signals than the first circuit configuration, and is susceptible to deterioration of the frequency characteristics of the circuit and oscillation. You can avoid dangerous objects that may cause injury.

また、先の第1図の回路更成では端子に過電
圧が印加された場合、トランジスタQ21のベース
に過電流が流れ、ベース・エミツタ接合が破壊さ
れてしまうという欠点がある。これに対し、第3
図の回路構成では、抵抗R22がトランジスタQ21
流れ込む電流を制限するので、このトランジスタ
Q21のベース・エミツタ接合が破壊されてしまう
ようなことはない。また、抵抗R22は電流帰還型
バイアス回路を形成しているので、トランジスタ
Q21のバイアスが安定化されるという利点を有す
る。
Further, in the circuit modification shown in FIG. 1, if an overvoltage is applied to the terminal, an overcurrent will flow to the base of the transistor Q21 , and the base-emitter junction will be destroyed. On the other hand, the third
In the circuit configuration shown, resistor R 22 limits the current flowing into transistor Q 21 , so this transistor
There is no possibility that the base-emitter junction of Q 21 will be destroyed. Also, resistor R22 forms a current feedback bias circuit, so the transistor
It has the advantage that the bias of Q 21 is stabilized.

また、先の第2図の回路構成に於いては、前述
したようにトランジスタQ14のベース拡がり抵抗
が再生信号Viの入力電流ループに直列に入つて
しまつて回路の雑音信号が増えNFが悪化する欠
点を有していたが、第3図の回路構成に於いて
は、抵抗R22の値Raと抵抗R24の値Rbを同程度に
設定すれば、雑音信号のレベルは問題ない。すな
わち、第2図に於いてトランジスタQ14のベース
拡がり抵抗rbの発する熱雑音による出力の雑音
信号レベルerb と抵抗R13(この抵抗R13の抵抗
値は抵抗R24のそれと等しいものとする)による
出力の雑音信号レベルeRb との比(erb /e
Rb )は略 erb /eRb =α rbRb/re2 ……(4
) 但し、re2:kT/q|IE2| IE2…トランジスタQ14のエミツタ電流 また、hfe≫1つまりα≒1 と表わされる。一方、第3図に於ける抵抗R22
発する熱雑音による出力の雑音信号レベルeRa
と、抵抗R24よる出力の雑音信号レベルとの比eR
/eRb は略 eRa /eRb =α RaRb/(re1+R
……(5) と表わされるから、re1=re2=reの時(4)式と(5)
式の比は erb /eRa =r/R(1+R/r
……(6) と表わされる。(6)式はRa=reのとき最小値4r
/reをとる。通常、4rb>reであるので、Ra
eに選んでも第2図の回路よりも雑音信号が増
えることはない。しかしも通常はRa=reにする
必要は全くないわけで、例えばRa=Rb、Ra
eとすれば(5)式からわかるように、抵抗R22によ
る雑音信号は抵抗R24による雑音信号と略同等の
値まで低減することができる。
In addition, in the circuit configuration shown in FIG. 2, as mentioned above, the base spread resistance of the transistor Q14 enters in series with the input current loop of the reproduced signal Vi , increasing the noise signal in the circuit and increasing the NF. However, in the circuit configuration shown in Fig. 3, if the value R a of the resistor R 22 and the value R b of the resistor R 24 are set to the same level, the level of the noise signal becomes a problem. do not have. That is, in Fig. 2, the output noise signal level e rb 2 due to thermal noise generated by the base spread resistance r b of the transistor Q 14 and the resistance R 13 (the resistance value of this resistance R 13 is equal to that of the resistance R 24 ) ) to the output noise signal level e Rb 2 (e rb 2 /e
Rb 2 ) is abbreviated e rb 2 /e Rb 2 = α 2 rbRb / r e2 2 ...(4
) However, r e2 : kT/q|I E2 | I E2 ...emitter current of transistor Q 14 Also, it is expressed as h fe ≫1, that is, α≒1. On the other hand, the output noise signal level e Ra 2 due to the thermal noise generated by the resistor R 22 in FIG.
and the noise signal level output by the resistor R 24 e R
a 2 /e Rb 2 is abbreviated e Ra 2 /e Rb 2 = α 2 RaRb / ( re1 + Ra
) 2 ...(5), so when r e1 = r e2 = r e, equation (4) and (5)
The ratio of the formula is e rb 2 /e Ra 2 = r b /R a (1+R a / re )
2 ...(6) It is expressed as. Equation (6) is the minimum value 4 r when R a = r e
b Take /re. Usually, 4 rb > re, so R a =
Even if r e is selected, the noise signal will not increase more than the circuit shown in FIG. However, normally there is no need to set R a = r e ; for example, R a = R b , R a
As can be seen from equation (5), if r e , the noise signal caused by the resistor R 22 can be reduced to a value approximately equal to the noise signal caused by the resistor R 24 .

このようにこの発明によれば、前置増幅器のア
ースラインとこの増幅器の後段に設けられる信号
処理回路のアースラインを一体化することによる
前置増幅器の周波数特性の劣化や発振する危険
性、信号入力部のトランジスタのベース拡がり抵
抗による前置増幅器のNFに悪化を防止すること
ができ、IC化に適した前置増幅器を提供するこ
とができる。
As described above, according to the present invention, by integrating the ground line of the preamplifier and the ground line of the signal processing circuit provided at the rear stage of this amplifier, there is a risk of deterioration of the frequency characteristics of the preamplifier, oscillation, and the risk of signal It is possible to prevent deterioration of the NF of the preamplifier due to the base spread resistance of the transistor in the input section, and it is possible to provide a preamplifier suitable for IC implementation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の前置増幅器の一例を示す回路
図、第2図は同じく他の例を示す回路図、第3図
はこの発明に係る前置増幅器の一実施例を示す回
路図である。 T21……変成器、C21……結合コンデンサ、Q21
……トランジスタ、E21……ベースバイアス電圧
源、R23……ベースバイアス抵抗。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional preamplifier, FIG. 2 is a circuit diagram showing another example, and FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of a preamplifier according to the present invention. . T 21 ...Transformer, C 21 ...Coupling capacitor, Q 21
……transistor, E 21 ……base bias voltage source, R 23 ……base bias resistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ベースに入力信号が誘起される誘導素子の一
方の端子が接続され該誘導素子の他方の端子がコ
ンデンサを介してエミツタに接続されるトランジ
スタと、このトランジスタのエミツタと基準電位
端間に挿入される抵抗と、前記誘導素子のどちら
か一方の端子と基準電位端間に挿入される前記ト
ランジスタのベースバイアス回路とを具備し、前
記トランジスタのコレクタ側より前記入力信号の
増幅出力を取り出すように構成したことを特徴と
する前置増幅器。
1 A transistor whose base is connected to one terminal of an inductive element to which an input signal is induced and whose other terminal is connected to its emitter via a capacitor, and which is inserted between the emitter of this transistor and a reference potential terminal. and a base bias circuit of the transistor inserted between either terminal of the inductive element and a reference potential terminal, and configured to extract an amplified output of the input signal from the collector side of the transistor. A preamplifier characterized by:
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