JPS6230268B2 - - Google Patents
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- JPS6230268B2 JPS6230268B2 JP56186260A JP18626081A JPS6230268B2 JP S6230268 B2 JPS6230268 B2 JP S6230268B2 JP 56186260 A JP56186260 A JP 56186260A JP 18626081 A JP18626081 A JP 18626081A JP S6230268 B2 JPS6230268 B2 JP S6230268B2
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- JP
- Japan
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- aluminum
- dry etching
- fluorocarbon
- film
- treatment method
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はドライエツチング後処理方法に関し、
特にアルミニウム等のドライエツチング後の腐食
を防止するドライエツチング後処理方法を提供す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a dry etching post-treatment method,
In particular, the present invention provides a dry etching post-treatment method for preventing corrosion after dry etching of aluminum or the like.
従来、半導体装置上に形成されるアルミニウム
膜あるいはアルミニウム合金膜のパターンエツチ
ングはリン酸系のエツチング液によるいわゆるウ
エツトケミカルエツチングが主として用いられて
いたが、この方法ではエツチングマスクに用いる
ホトレジストとアルミニウムとの密着性やウエツ
トエツチングの等方性などのためパターン幅が５
μｍ以下の微細なアルミニウム膜等のパターン形
成がなかなか困難であり、そのため近年はプラズ
マエツチングあるいはイオンエツチングなどのい
わゆるドライエツチング方法によるパターン形成
が主流的になされている。しかし、四塩化炭素、
三塩化ホウ素、四塩化ケイ素などのハロゲン化合
物ガスを用いたプラズマエツチングにより、アル
ミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜のパター
ンエツチングを行なつた後、そのまま空気中に取
り出すと、残されたパターン形状のアルミニウム
が腐食して断線する現象が起こる。これは一般に
エツチングガスとして用いたハロゲン化合物のハ
ロゲンのある種の重合物が基板表面に附着堆積さ
れていて、それが空気中の水分を吸収して反応し
てアルミニウムに対して活性なハロゲン化合物を
生成し、その結果アルミニウムを腐食させるとい
われている。 Conventionally, so-called wet chemical etching using a phosphoric acid-based etching solution has been mainly used for pattern etching of aluminum films or aluminum alloy films formed on semiconductor devices. The pattern width is 5 mm due to the adhesion and isotropy of wet etching.
It is quite difficult to form a fine pattern of aluminum film or the like with a size of less than .mu.m, and therefore, in recent years, pattern formation by so-called dry etching methods such as plasma etching or ion etching has become mainstream. However, carbon tetrachloride,
If an aluminum film or aluminum alloy film is pattern-etched by plasma etching using a halogen compound gas such as boron trichloride or silicon tetrachloride, and then taken out into the air, the remaining patterned aluminum will corrode. The phenomenon of disconnection occurs. This is because a certain kind of halogen polymer of the halogen compound used as etching gas is deposited on the surface of the substrate, which absorbs moisture in the air and reacts to form a halogen compound that is active against aluminum. It is said that it forms and corrodes aluminum as a result.
本発明は前記従来の問題に関して解決をはかつ
たもので、アルミニウム等のドライエツチングを
実施した後真空容器内から取り出すことなくフル
オロカーボンと酸素との混合ガスプラズマ処理を
行なうことにより、形成されたパターンが腐食し
て断線するという現象をなくするものである。 The present invention is an attempt to solve the above-mentioned conventional problem, and after performing dry etching of aluminum etc., a pattern is formed by performing a mixed gas plasma treatment of fluorocarbon and oxygen without taking it out of the vacuum container. This eliminates the phenomenon of wire breakage due to corrosion.
以下本発明のドライエツチング後処理方法を実
施例によつて説明する。 Hereinafter, the dry etching post-treatment method of the present invention will be explained with reference to Examples.
平行平板電極型の反応室を持つドライエツチン
グ装置を用い、第１図に示すように厚さ１μｍの
アルミニウム膜１上に電極配線用のフオトレジス
タパターン２を有した半導体ウエハ３を上記反応
室に入れ、四塩化炭素ガスを0.06Torrの圧力にな
るように調整し、平行平板電極に13.56MHzの高
周波電力を印加して第２図に示すようにアルミニ
ウム膜１のエツチングを行なう。エツチング速度
は高周波電力を0.5W／cm2とすると約0.18μｍ／
minである。 Using a dry etching apparatus having a parallel plate electrode type reaction chamber, a semiconductor wafer 3 having a photoresistor pattern 2 for electrode wiring on an aluminum film 1 having a thickness of 1 μm is placed in the reaction chamber as shown in FIG. The aluminum film 1 is etched as shown in FIG. 2 by adjusting the pressure of carbon tetrachloride gas to 0.06 Torr and applying high frequency power of 13.56 MHz to the parallel plate electrodes. The etching speed is approximately 0.18μm/ cm2 when the high frequency power is 0.5W/cm2.
It is min.
次に、半導体ウエハを外部に取り出すことなく
反応室内に１実施例として、フルオロカーボン
CF4＝５c.c.／minと酸素O2＝30c.c.／minの混合ガ
スを導入し圧力を0.1Torrに調整しつつ平行平板
電極に13.56MHzの高周波電力を印加する。印加
する時間は高周波電力を0.5W／cm2とすると約３
分である。この処理を行なうと半導体ウエハを空
気中に取り出しても、形成されたパターンのアル
ミニウムが腐食して断線することはない。導入す
るCF4とO2の流量比CF4／O2は実験によれば10％
から40％が最適であり、10％未満では目的とする
効果が得られず、また40％をこえても目的とする
所望の効果を得るために長時間を要し、そのため
に下地の二酸化ケイ素あるいはケイ素にプラズマ
イオンあるいは電子などによる損傷を与えるので
好ましくない。 Next, as an example, fluorocarbon was added to the reaction chamber without taking the semiconductor wafer outside.
A mixed gas of CF 4 =5 c.c./min and oxygen O 2 =30 c.c./min is introduced, and a high frequency power of 13.56 MHz is applied to the parallel plate electrodes while adjusting the pressure to 0.1 Torr. The application time is approximately 3 if the high frequency power is 0.5W/cm 2
It's a minute. By performing this treatment, even if the semiconductor wafer is taken out into the air, the aluminum of the formed pattern will not corrode and break. According to experiments, the flow rate ratio of introduced CF 4 and O 2 CF 4 /O 2 is 10%.
40% is optimal; if it is less than 10%, the desired effect cannot be obtained, and even if it exceeds 40%, it will take a long time to obtain the desired effect, so the silicon dioxide base Alternatively, silicon may be damaged by plasma ions or electrons, which is undesirable.
本発明の方法は純粋なアルミニウム膜の他、
Al―Si、Al―Cu、Al―Si―Cuなどのアルミニウ
ム合金膜に対しても同様の効果がある。 In addition to pure aluminum film, the method of the present invention
A similar effect can be obtained for aluminum alloy films such as Al-Si, Al-Cu, and Al-Si-Cu.
以上説明したように本発明は、容器中では活性
状態にあるハロゲン化合物ガスを用いてアルミニ
ウムまたはアルミニウム合金膜のドライエツチン
グを実施した後、前記容器内から取り出すことな
くフルオロカーボンと酸素との混合ガスプラズマ
処理を行なうドライエツチング後処理方法であ
り、形成されたアルミニウムまたはアルミニウム
合金の腐食を効果的に防止できるもので工業上の
利用価値が高い。 As explained above, the present invention dry-etches an aluminum or aluminum alloy film using a halogen compound gas that is in an active state in a container, and then performs dry etching using a mixed gas plasma of fluorocarbon and oxygen without taking the film out of the container. This is a dry etching post-treatment method that can effectively prevent corrosion of formed aluminum or aluminum alloy, and has high industrial value.
第１図、第２図は本発明の一実施例におけるド
ライエツチング後処理方法を説明するための工程
断面図である。
１…アルミニウム膜、２…フオトレジストパタ
ーン、３…半導体ウエハ。
FIGS. 1 and 2 are process cross-sectional views for explaining a dry etching post-treatment method in an embodiment of the present invention. 1... Aluminum film, 2... Photoresist pattern, 3... Semiconductor wafer.
Claims (1)
て、容器中でアルミニウム膜またはアルミニウム
合金膜のドライエツチングを実施したのち、前記
容器中から取り出すことなく、フルオロカーボン
と酸素とからなり、フルオロカーボンの酸素に対
する流量比が10〜40％に選定された混合ガスプラ
ズマ処理を施すことを特徴とするドライエツチン
グ後処理方法。 ２ フルオロカーボンがテトラフルオロメタンで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のドライエツチング後処理方法。[Scope of Claims] 1. After carrying out dry etching of an aluminum film or an aluminum alloy film in a container using a halogen compound gas in an activated state, a film consisting of fluorocarbon and oxygen is removed without being taken out of the container, A post-dry etching treatment method characterized by performing mixed gas plasma treatment in which the flow rate ratio of fluorocarbon to oxygen is selected to be 10 to 40%. 2. The dry etching post-treatment method according to claim 1, wherein the fluorocarbon is tetrafluoromethane.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18626081A JPS5887276A (en) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | Treatment after dry etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18626081A JPS5887276A (en) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | Treatment after dry etching |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887276A JPS5887276A (en) | 1983-05-25 |
| JPS6230268B2 true JPS6230268B2 (en) | 1987-07-01 |
Family
ID=16185159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18626081A Granted JPS5887276A (en) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | Treatment after dry etching |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887276A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3084910B2 (en) * | 1992-03-18 | 2000-09-04 | ヤマハ株式会社 | Wiring formation method |
| JP3129144B2 (en) * | 1995-04-21 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | Ashing method |
| US6325861B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-12-04 | Applied Materials, Inc. | Method for etching and cleaning a substrate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158343A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Hitachi Ltd | Dry etching method for al and al alloy |
-
1981
- 1981-11-19 JP JP18626081A patent/JPS5887276A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5887276A (en) | 1983-05-25 |
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