JPS6231440B2 - - Google Patents
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- JPS6231440B2 JPS6231440B2 JP57222231A JP22223182A JPS6231440B2 JP S6231440 B2 JPS6231440 B2 JP S6231440B2 JP 57222231 A JP57222231 A JP 57222231A JP 22223182 A JP22223182 A JP 22223182A JP S6231440 B2 JPS6231440 B2 JP S6231440B2
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Classifications
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- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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- G01R31/3181—Functional testing
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Description
〔技術分野〕
この発明は一般に論理回路に関し、詳細にはメ
モリの機能を試験する装置と共に用いられて複数
のアドレス・シーケンスの内の如何なる1つをも
発生する論理回路に関する。
〔背景技術〕
大規模集積回路メモリがデータ処理装置内に装
備されていてメモリ機能のあるシーケンスを受け
持たらされている時、このメモリが断続的な不調
を生ずることが知られている。この不調はアプリ
ケーシヨンに敏感なため、製造ラインで経済的に
使用することのできるテスト・プロトコルの設計
を導く為に典型的なメモリ欠陥モードによる研究
がなされている。
このような研究の1つが、IEEE
Transactions on Manufacturing Technology、
Vol.MFT−6、No.3、September1977の51ペー
ジ以後に記載されたWayne E.Sohlによる論文
“4K Ramの為のテスト・パターンの選択
(Selecting Test Patterns for 4K Rams)”に報
告されている。
この論文中で論ぜられているように、超大規模
集積(VLSI)回路メモリは表で説明された種々
の欠陥モードに陥りやすく、これらの欠陥モード
は欠陥を試験するために設計された種々のテス
ト・プロトコルと相互に関係づけられている。こ
れらのプロトコルの内のいくつかは1以上の欠陥
を検出する。テスト・プロトコルの各々の試験時
間の相対的大きさは、試験時間のフアクタが2
(2N2+N)である最長のテストと比較した比に
より述べられている。ここでNはテスト・セルの
数である。4Kメモリに対して論文はテスト反復
の数を67117056サイクル・ポイントと計算してい
る。
大メモリ(例えば16Kメモリ)を試験するため
に必要なサイクル・ポイントの数は非常に大きく
(1.17×1019)なることが容易に理解されるであろ
う。もし、テスト周波数が遅すぎると、試験時間
は百パーセントの製造テストを行うには法外に長
くなる。したがつて、テスト・プロトコルは潜在
的な欠陥を検出するのに最小の数のサイクル・ポ
イントを使用するように選ばれなければならず、
又、試験装置の周波数はできる限り高くなければ
ならない。
上記の刊行物で論ぜられたプロトコルに係るメ
モリ試験の為の装置は、1973年8月7日に
Thomas William Hartに与えられた米国特許第
3751649号に記載されている。この装置は、種々
のメモリ配置やテスト・プロトコルに適用する
為、大きな融通性を与える内蔵プログラムにより
主として制御される。
しかしながら、メモリが大きくなるに従つて、
メモリ内の記憶容量に対する要求はマイクロプロ
セツサや小型コンピユータの使用を不可能にする
ほどに法外に大きくなる。また、頻繁に反復して
アクセスする必要があるインストラクシヨンの記
憶の為にメモリを使用すると、装置の有効周波数
が小さくなり、又、試験時間が製造の目的にはと
ても許容できない程に長びく。
今まではアドレス・シーケンスの発生は、メモ
リの内のどのセルが次に試験のためにアドレスさ
れるべきかを決定する為、頻繁に反復してアクセ
スされることが必要な主要な領域の1つである。
しかしながら種々のプロトコルのアドレス・シー
ケンスの調査から、シーケンスは定まつた等差数
列に従つていることが明らかになつた。即ち、シ
ーケンスは種々のテスト・プロトコルの間では異
なるけれども、1つのプロトコルの内では定まつ
た規則に従う等差数列に従う。このことは、制御
コンピユータのメモリから最少の入力と制御でも
つて、必要なアドレス・シーケンスを発生する為
に前もつて条件付けることのできる論理要素の組
合せの使用を示唆する。
〔発明の目的〕
前述の要望を達成するため、この発明は、所定
のデータを入力されて前もつて条件づけられると
共に試験中のメモリのアドレシングを制御するた
めに所望の数値シーケンスを発生するタイミン
グ・パルスのパターンに応答して作用するデジタ
ル論理回路の組合せを提供することを目的として
いる。
この発明の他の目的は、行列の全体又は選ばれ
たどんな領域へのアドレス・シーケンスを選択的
に発生する論理手段の同一の組合せを複数有する
アドレス発生装置を提供することである。
〔発明の概要〕
この発明は要約すると、行列メモリの試験され
るべきメモリ要素を表示するために可変のタイミ
ング・インパルス及び予め与えられた定数の関数
として予め選択されたアドレス・シーケンスを発
生する様に相互接続された論理要素の組合せから
成るメモリ・アドレス・シーケンス発生器であ
り、第1及び第2のX及びYアドレス発生器と、
XとYアドレスの対の第1又は第2を選択するた
めに制御された制御手段とを有し、アドレス発生
器の各々は増加又は減少する順序を持つ予め選択
されたシーケンスを発生するように制御されてお
り、さらに、シーケンス内の増分を設定でき、マ
スキングを設定でき、固定の基準原点からの変位
を設定できるようになつている。
以下、この発明の実施例の説明の前にいくつか
の語句を定義し、また所望のアドレス・シーケン
スの作製を支配する数学的規則を調べる。
この発明の装置で、試験の目的の為に特に用い
られるメモリは、2次元行列メモリである。従つ
て、各セル又はメモリ位置は、行列の位置座標に
より定義することができる。メモリ行列の大きさ
は普通2n×2mである。ここで、n及びmは整数
である。この次元ではX及びYアドレスは2n−
1及び2m−1の2進ビツトにより都合よく符号
化してもよい。行列の行内のセルのアドレスは0
から2n−1まで走り、列内のセルのアドレスは
0から2m−1まで走る。従つて、普通2K、
4K、16K等と呼ばれているメモリは実際は各々
211、212及び214セルを含んでいる。これらは両方
の次元が2の整数乗である限りは正方形又は長方
形の行列に組織されていてよい。
メモリの幾可学的形状及び行列の次元が、2の
整数乗に限定されるということは、メモリ・アド
レスのいかなる所望のシーケンスを作るために単
純な2進値論理要素の組合せを使用できるという
点で便利である。
これらのアドレスは、所望の固定された量だけ
増加又は減少されてもよい。これらはアドレスが
所定値を超えることを防ぐためにマスクされても
よい。また所望ならば、マスクの値まで値のシー
ケンスを反復してもよい。
テストを定数値により原点から変位されたメモ
リ領域に指示するために、定数値を基本アドレス
のシーケンスに加えることによりアドレスをオフ
セツトしてもよい。また、テストは1つのシーケ
ンスに従うセルと第2のシーケンスに従うセルと
の間を交替することにより制御してもよい。
〔減少(Decrementing)〕
増加する2進値のシーケンスを減少させるため
には、全て1の2進数と、増加する一続きの2進
値の内の各2進ビツトとの論理的EXCLUSIVE
ORを取ることを単に必要とする。これは得られ
た一続きの2進数の値を減少させる。例えば、増
加する数字の一続き、000(0);001(1);010
(2);………111(7)は全ての1の2進数111と
EXCLUSIVE ORを取ることにより減少する数字
の一続き、111(7);110(6);101(5);………000
(0)を生ずる。もし、これが全容量(16ビツ
ト)まで外挿されると、減少されるアドレスは16
ビツトの最大値から始まつて減少される。しかし
ながら、値の2進値的性質のため、減少シーケン
ス中で試験されるメモリの最大アドレスを超えて
得られた2進値は、マスキングにより無効にする
ことができる。
〔マスキング(Masking)〕
マスキングは、論理AND関数を用いて所望の
アドレスの2進ビツトの各々を、それ以上のアド
レシングが遮断されるべき値を超えた2進アドレ
スを表わす2進ビツトと共に結合することを意味
する。例えば、アドレスを111(7)より大きくなら
ないように限定することを所望するならば、000
から111までのアドレスは変化なしに複製される
だろう。しかしながら、次のカウント1000が0111
とビツト毎にアンド条件を取られると、得られた
アドレスは000となり、そして1000より大きい全
ての2進値に対して000から111までのシーケンス
が繰り返されるだろう。
〔ホーム・アドレス及びアウエイ・アドレス
(Home and Away Addresses)〕
利用される次の関係は、ホーム及びアウエイ・
アドレスと呼ばれている。これは1つのメモリ・
セル(ホーム・セル)が、アウエイ・セルの連続
と交互に繰返して質問(interrogate)される試
験シーケンスを行うことを可能にする。その後、
ホーム・セルは新しいセルに進み、アウエイ・セ
ルの新しい連続と交互に試験される。ホーム及び
アウエイ・セルの両方の連続は、如何なる整数量
によつて変化させられる増加又は減少の連続のう
ちのどちらであつてもよい。もし、ホーム・セル
がアレイの真中にあるならば、アウエイ・セルの
連続は時折メモリ容量より大きいセル・アドレス
を含むだろう。アウエイ・セルをマスキングする
ことにより、アドレスは最大値まで増加して零に
戻り、そして、より小さいアドレスの増加する連
続によりホーム・セルに近づく。例えば、もし64
セルの線型アレイがあつてホーム・セルが31のア
ドレスを有すると、アウエイ・セルの連続は32か
ら63まで走り、その後0から30まで走る。64での
マスキングは存在しないセルにアクセスするのを
防ぎ、連続を0に戻す。
〔オフセツト(offset)〕
最後の関係はオフセツトである。これはX及び
Yアドレスに定数を加えることにより、メモリの
いかなる所望の領域中を、相対的に同じセルの連
続で試験されることを可能にする。定数は、メモ
リ行列の原点(X=0、Y=0)に対する試験さ
れている領域のX及びY変位である。オフセツト
は、またメモリの2つの異なつた領域で相対的に
同様の幾可学的位置を占めるセルの連続の交互の
試験を可能にする。これは普通多数のメモリ・セ
ルにより共有されるセンス増幅器を試験するため
に用いられる。
〔実施例の説明〕
与えられたどんなメモリに対して選ばれた特定
なテスト・プロトコルは、検出されることが求め
られている潜在的な欠陥及びセンス増幅器の性質
を含むメモリの大きさ及び幾可学的形状で記述さ
れている。これから述べられるアドレス発生器
は、定数による必要なパラメータでもつてプリセ
ツトすることにより、アドレスを変え、実際に正
又は負(増加/減少)であるかどうかを変え、数
値連続に対する出発点(基本アドレス)を変え、
試験されるべき領域の選択を変える。これはX及
びYアドレスの各々に対して個々に影響を与え
る。アドレスが変化される相対的な時間は、所望
のテストに対して同様にプリセツトされる外部サ
イクル・カウンタにより制御される。
第1図に4つの同一のアドレス発生器A,B,
C及びDが概略的に示されている。それぞれのア
ドレス発生器は第2図に示される論理要素配置と
一致した構成を有する。A、B、C及びDユニツ
トへの入力はマルチ・ワイヤ・ケーブル90A,
90B,90C及び90Dであり、これらを構成
する個々のワイヤ又はマルチ・ビツトケーブルが
第2図に詳細に示されている。
第2図中に使用されている論理ユニツトの全て
は標準的で商業的に入手可能な部品であり、好実
施例に於てはテキサスインスツルメントインコー
ポレーテツドから得られている。各ユニツトは、
T1にそのタイプナンバーを加えた記号で例示さ
れている。同じ機機能を有する他社の製品を代用
してもよいことはもちろんである。
A及びBユニツトはXアドレスを発生するため
に用いられる第1アドレス発生手段であり、C及
びDユニツトはYアドレスを発生するために用い
られる第2アドレス発生手段である。A及びCユ
ニツトはホーム・アドレスを発生するアドレス発
生手段の一の対であり、B及びDユニツトはアウ
エイ・アドレスを発生するアドレス発生手段の他
の対である。ホーム又はアウエイ・アドレスの選
択は、適当にタイミング付けられた線55上の電
位の制御の下で選択手段としてのユニツト50
(Xに対して)及びユニツト60(Yに対して)
の選択により制御される。選択ユニツト50又は
60の各々は、X及びY方向にホーム又はアウエ
イアドレスの16ビツトを選択する能力を持つ16極
の双投リレイと同等な固体装置である。
この能力により、適当なプリセツト・データ及
びタイミング・パルスを与えることでメモリ内の
どんなセルも所望のシーケンスでアクセスするこ
とができることが直観的に認められるだろう。
第2図中のユニツト61,62,63及び64
は、4つの4ビツト・バツフア記憶ユニツトから
成つており、適当なタイミング・パルスでストロ
ーブされる時に16ビツトの2進値データの全てを
受け入れたり記憶したりすることが可能となり、
そして相当する合成された16ビツト出力を発生す
る。これらは典型的にはTIタイプS.N.74S175で
ある。ユニツト67及び68は、TIタイプS.
N.74S381の様な4つの算術論理ユニツト
(ALU)を含み、キヤリイ伝播と共に16ビツト容
量を供給するためカスケード接続されている。こ
れらALUは3つの入力線(例えば線69及び7
0)上の制御電位の組合せにより8つの論理関数
の内のどんな1つにも条件づけられるようになつ
ている。この発明においては、単に加算機能だけ
が使用される。
ユニツト71は、TIタイプ74S86のような4つ
の4ビツト・ユニツトが組合せられた
EXCLUSIVE OR論理回路である。個々のビツト
順位は、順位への非類似の入力がその順位に
“1”の出力を生じ、類似の入力が“0”の出力
を生ずるように個々に結合される。ANDの論理
を実行する為に、ゲート72は16出力を与えるた
め16対の入力の論理AND関数と同様に構成され
ている。これは普通、4つのTIタイプS.N.74S08
から構成されている。選択手段50及び51は4
つのTIタイプS.N.74S157から構成されている。
第1図に示すケーブル90Aから90Dまでは
第2図中の括弧90で示されるケーブル69,7
0,81,82,83,84とワイヤ65,66
とから構成される。各々のケーブルの丸で囲まれ
た数字は、各々のケーブル内のワイヤの数を意味
する。好実施例のアドレス発生器の容量は16X及
び16Yアドレス・ビツトであり、もし十分に利用
するならば、正方形であるとすると216×216ビツ
トのメモリをアドレスすることができる。マスキ
ングにより、より少ない容量を持つメモリや非正
方形行列配置のメモリもアドレスすることができ
る。例えば、ありそうもないことであるが1ビツ
ト・メモリによる64K(65536)は、X容量の全
体を利用するが、Yアドレスは単に1つだけ利用
する。
後の説明に於ては、アドレスが0から2n-1ま
で走ることに注意すべきである。ここで、nは整
数である。
大きな数で混乱を生じないように、以下の例で
は8×16の単純なメモリが使用される。2の累乗
でメモリ・サイズを拡大することにより、原理を
外挿することができる。
バツフア記憶63,64及び算術論理ユニツト
67は、メモリ・サイズに無関係に基本アドレス
のシーケンスを発生する計数手段である。本質的
にはそれは整数の増分をカウントするカウンタで
あり、クロツク・タイミング・パルスが入力を受
け入れるようにバツフア記憶63をストローブす
る為に入力される時はいつでも整数の増分がバツ
フア記憶63に定数としてセツトされる。例え
ば、もしバツフア記憶63が2進値1にプリセツ
トされるならば、ALU67は直ちに下の順位に
2進値1を表示し、15の上位の順位に全て0を表
示する。バツフア記憶63は初めは全て1にセツ
トされ、ALU67のたつた1つの1に加えられ
る時、全部0の合計を生ずる。ALU67からの
出力が利用されている時、線65上のクロツク・
パルスはALU67から全部0である合計を受け
とるためにバツフア記憶64をストローブし、そ
してバツフア記憶64の0にバツフア記憶63か
らの定数1を加えて1の基本アドレスを生ずる。
バツフア記憶64を活性化することにより、
ALU67内の数値はバツフア記憶63内に記憶
されている定数量だけ増加させられるだろう。増
加は、線65上のクロツク・パルスがALU67
からの出力をバツフア記憶64へ入力することを
可能にする時にのみ生ずる。このALU67とバ
ツフア記憶64との組合せは、所望の増分をカウ
ントする為にプリセツトすることができるカウン
タと等価である。
前述したように、第1図に示すように相互接続
された4つの第2図と全く同等のユニツトがあ
る。ケーブル90A,90B,90C又は90D
のワイヤ65A,65B,65C又は65Dに加
えられるタイミング・パルスは、その発生の周波
数がXホーム・アドレス、Xアウエイ・アドレ
ス、Yホーム・アドレス及びYアウエイ・アドレ
スが変えられる相対的速度の関数となるように異
なつている。
ALU67からの16ビツト出力は16−ポジシヨ
ンEXCLUSIVE ORゲート71へ1入力として加
えられる。ゲート71は、“減少”という題が付
けられた前述のセクシヨンで説明されたように、
ゲート71の出力を増加又は減少させる為、ケー
ブル83上の第2の16ビツト入力を受ける。この
EXCLUSIVE OR71は制御手段を構成してい
る。
制御手段71で増加された又は減少された2進
値は、AND72でA、B、C及びDユニツトの
各々に入力するケーブル82の入力によりプリセ
ツトされたバツフア記憶62からのマスキング・
ビツトと共にビツト毎(16ビツト)に結合され
る。マスキングの方法は、“マスキング”と題さ
れたセクシヨンに説明されている。これらバツフ
ア記憶62及びAND72はマスキング手段を構
成している。
最後に、AND72の出力は所望の値にプリセ
ツトされたバツフア記憶61内に記憶されたオフ
セツト値に加えられる。ALU68はケーブル7
0上の組合せられた電位の制御の下でこの加算を
実行する。選ばれたALUに対する加算の為の特
別な組合せは011である。これらバツフア記憶6
1及びALU68はオフセツト手段を構成してい
る。ALU68からの16ビツト出力はメモリにア
クセスするために用いられるX(ホーム/アウエ
イ)又はY(ホーム/アウエイ)アドレスであ
る。
〔使用例〕
〔ギヤロツピング・パターン(Galloping
Pattern)〕
この試験において、連続した各セルはホーム・
セルになる。アウエイ・セルは、アレイ中の最初
のセルで始りアレイ中の最後のセルで終るセルの
一続の連続である。ホーム及びアウエイ・セルは
交互の連続により試験され、試験されるホーム・
セルは実際には2度試験される。即ち、一度目は
ホーム・セルとして、二度目はアウエイ・セルと
してである。これは回路を簡潔にし、前述で参照
した刊行物に記載されたより複雑なホーム及びア
ウエイ・シーケンスと同程度の試験の完全さを供
給し、制御する。
アウエイ・セルの数は一定であり、アレイ中の
セルの数と同じである。簡潔な例示的な8×16メ
モリ(128セル)では、最初のアウエイ・アドレ
スは第1セル(X=0、Y=0)のアドレスであ
る。アウエイ・セルの連続は0から127までであ
る。この例では第1セル0は実際に2度試験され
る。
ホーム及びアウエイALU67A,67B,6
7C及び67Dは、最初にアドレシングを0−0
原点から開始するようにプリセツトされる。増加
が生ずるようにケーブル83Aから83Dまでは
全て“0”の電位に設定される。ケーブル69A
から69Dまで及び70Aから70Dまでは
ALUが加算を実行するように制御するように付
勢される。マスク・レジスタ62A及び62Bは
0111の値にセツトされる(Xの最大アドレス)。
レジスタ62C及び62Dは01111にセツトされ
る(Yの最大アドレス)。
Xホーム及びアウエイ・サイクルをカウントす
る図示しない外部カウンタ(Xホーム・カウンタ
及びXアウエイ・カウンタ)は0111にプリセツト
される。Yホーム及びアウエイをカウントする図
示しないカウンタ(Yホーム・カウンタ及びYア
ウエイ・カウンタ)は01111にプリセツトされ
る。各質問(interrogation)サイクルの度に、Y
アウエイ・カウンタは1カウントずつ減少させら
れる。これが0からプリセツト値の15にリサイク
ルされる時、Xアウエイ・カウンタを1カウント
ずつ減少する。これは質問(interrogation)を列
の下方、底の方へ進めて次にステツプし、X及び
Yアウエイ・カウンタの両方が零の値まで減少さ
れてしまつて最後の列の底に到達するまで、各連
続した列内を進む。この一致(X及びYアウエ
イ・カウンタが共に零になること)はYホーム・
カウンタを1カウントだけ減少させる。
X及びYアウエイ・カウンタは、新しいホー
ム・セルに対しての次の質問サイクルの追跡を開
始するため、0に復帰する。X及びYホーム又は
アウエイ・カウンタが減少する度毎に、相当する
ALU67は増加させられる。Yホーム・カウン
タは、その15から0までのサイクロを完了する
時、Yアウエイ・カウンタがXアウエイ・カウン
タをステツプしたのと同じ方法でXホーム・カウ
ンタを減少させる。
たとえ、Xホーム及びアウエイALUとYホー
ム及びアウエイALUとが何度かステツプされて
も、また可能なアドレスを越えた個々の値を表し
ても、マスク・レジスタ内のプリセツト値は出力
アドレスが可能なアドレスの値を越えることを防
ぐ。これらX/Yホーム・カウンタ及びX/Yア
ウエイ・カウンタは、単にコラム・ステツピング
及びサイクル・ポイント・カウンテイングを生ず
るための周波数分割を与えて、線55,65A,
65B,65C,65D上に加えられるタイミン
グ・パルスを発生するために用いられる。
実際、選ばれた例においては、128セルの各々
はホーム・セルとなる。各ホーム・セルは、総計
16384ステツプに対して128の相当するアウエイ・
セルを有し、各々16カウント1024回の反復サイク
ルを行う。したがつて、Xアウエイ・カウンタは
1024回減少される。即ち、128回反復サイクルを
経験する。
従つて、YアウエイALU67Dが16384(214)
の最大値をカウントする間、ALU68Dからの
出力は決して15(01111)を越えない。
Yアウエイ・カウンタが進んでXアウエイ・カ
ウンタをステツプさせ、又両方が(0−0)に於
て共同してYホーム・カウンタをステツプさせ、
さらに今度はそれがXホーム・カウンタをステツ
プさせる時で、Yホーム及びXホーム・カウンタ
の両方が0に減少する際、試験の終了の信号が生
ずる。この時点で、X=7、Y=15の最大アドレ
スに到達する。
〔ダイアゴナル・パターン(Diagonal Pattern)〕
メモリ・アドレス・シーケンスの別の例として
ダイアゴナル・パターンがある。すべてのダイア
ゴナルは、45度の斜線であり、1つのダイアゴナ
ル・シーケンス中のセルの数はどんな一つのメモ
リに対しても同じである。対角線上のセルは正方
形の主対角線と同様に一直線状に並べられるか、
又は2つの平行な斜線上に配置される。再び、例
示のために8×16メモリを使用すると、ダイアゴ
ナルの数は2つの次元の大きい方(16)に等しく
なり、各々のダイアゴナル上のセルの数は2つの
次元の小さい方(8)に等しい。9つの連続したダイ
アゴナルがあり、7つの不連続なダイアゴナルが
ある。その内不連続な2つのダイアゴナル上のセ
ルの数の和は8である。
初め、X及びYアドレス発生器はゼロ・オフセ
ツトでセツトされ、そして1の定数だけ増加され
る。Xアドレスに対するマスクは7の2進値にセ
ツトされ、Yのマスクは15の2進値にセツトされ
るだろう。両方のアドレス発生器は同時に1カウ
ントだけ増加される。これは、45゜の斜線に沿つ
た連続したアドレスを与える。Xアドレスのマス
キングの為、たとえALU67Aとバツフア記憶
64Aとにより作られる基本アドレスが0から
127へ進んだとしても、Xアドレスは0から7へ
の一続きを16回反復するだろう。マスキングは7
を越えるアドレスの使用を禁じている。
Yアドレス発生器はX発生器と同時に線65C
に加えられるクロツク・パルスにより零から上方
へ循環する。しかしながら、同じダイアゴナルに
沿つてYアドレスが反復されるのを防ぐため、ダ
イアゴナルを1つの行列位置に進める
(precess)ように毎16カウント後にYアドレス
に付加的なカウントを加える必要がある。この必
要性が行列位置の次の連続した表で示されてい
る。
TECHNICAL FIELD This invention relates generally to logic circuits, and more particularly to logic circuits for use with apparatus for testing the functionality of a memory to generate any one of a plurality of address sequences. BACKGROUND OF THE INVENTION When large scale integrated circuit memories are installed in data processing devices and are tasked with performing certain sequences of memory functions, it is known that the memories experience intermittent malfunctions. Because this failure is application sensitive, typical memory defect modes have been studied to guide the design of test protocols that can be used economically on manufacturing lines. One such study is the IEEE
Transactions on Manufacturing Technology;
Reported in the paper “Selecting Test Patterns for 4K Rams” by Wayne E. Sohl, published on page 51 of Vol.MFT-6, No.3, September 1977. . As discussed in this paper, very large scale integration (VLSI) circuit memories are susceptible to the various defect modes described in the table, and these defect modes are subject to various failure modes designed to test for defects. Correlated with test protocols. Some of these protocols detect one or more defects. The relative magnitude of the test time for each of the test protocols is such that the test time factor is 2.
It is stated by the ratio compared to the longest test which is (2N 2 +N). where N is the number of test cells. For 4K memory, the paper calculates the number of test iterations to be 67117056 cycle points. It will be readily appreciated that the number of cycle points required to test a large memory (eg, 16K memory) can be very large (1.17×10 19 ). If the test frequency is too slow, the test time becomes prohibitively long for 100% production testing. Therefore, the test protocol must be chosen to use the minimum number of cycle points to detect potential defects;
Also, the frequency of the test equipment must be as high as possible. Apparatus for memory testing according to the protocol discussed in the above publication was published on August 7, 1973.
U.S. Patent No. granted to Thomas William Hart
Described in No. 3751649. The device is primarily controlled by a built-in program that provides great flexibility for adapting to various memory configurations and test protocols. However, as memory becomes larger,
The demand for storage capacity in memory becomes prohibitive to the point that it precludes the use of microprocessors and small computers. Additionally, the use of memory for storing instructions that must be accessed frequently and repeatedly reduces the effective frequency of the device and lengthens test times to an extent that is highly unacceptable for manufacturing purposes. Until now, the generation of address sequences was one of the key areas that needed to be accessed frequently and repeatedly to determine which cell in memory should be addressed next for testing. It is one.
However, examination of the address sequences of various protocols has revealed that the sequences follow a fixed arithmetic progression. That is, although the sequence differs between different test protocols, within one protocol it follows an arithmetic progression that follows a set rule. This suggests the use of a combination of logic elements that can be preconditioned to generate the required address sequence with minimal input and control from the memory of the controlling computer. OBJECTS OF THE INVENTION In order to accomplish the foregoing needs, the present invention provides a timing system for generating a desired numerical sequence to control the addressing of a memory that is preconditioned with predetermined data and under test. - Aims to provide a combination of digital logic circuits that act in response to patterns of pulses. Another object of the invention is to provide an address generator having a plurality of identical combinations of logic means for selectively generating address sequences to the entire matrix or to any selected region. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention, in summary, provides a method for generating a preselected address sequence as a function of variable timing impulses and a pregiven constant to indicate a memory element to be tested of a matrix memory. a memory address sequence generator consisting of a combination of logic elements interconnected with first and second X and Y address generators;
control means controlled for selecting the first or second of the pair of X and Y addresses, each of the address generators generating a preselected sequence having an increasing or decreasing order; It is also controlled such that increments within the sequence can be set, masking can be set, and displacements from a fixed reference origin can be set. In the following, we define some terms and examine the mathematical rules governing the creation of desired address sequences before describing embodiments of the invention. The memory specifically used for testing purposes in the device of the invention is a two-dimensional matrix memory. Thus, each cell or memory location can be defined by a matrix of location coordinates. The size of the memory matrix is typically 2 n ×2 m . Here, n and m are integers. In this dimension, the X and Y addresses are 2 n −
It may conveniently be encoded with 1 and 2 m -1 binary bits. The address of a cell in a row of a matrix is 0
to 2 n -1, and the addresses of the cells within the column run from 0 to 2 m -1. Therefore, normally 2K,
Memory called 4K, 16K, etc. is actually different from each other.
Contains 2 11 , 2 12 and 2 14 cells. These may be organized into square or rectangular matrices as long as both dimensions are integer powers of two. The fact that the memory geometry and matrix dimensions are limited to integer powers of 2 means that combinations of simple binary-valued logic elements can be used to create any desired sequence of memory addresses. It is convenient in many ways. These addresses may be increased or decreased by a desired fixed amount. These may be masked to prevent addresses from exceeding a predetermined value. The sequence of values may also be repeated up to the value of the mask, if desired. To direct the test to a memory area displaced from the origin by a constant value, the address may be offset by adding the constant value to the sequence of base addresses. The test may also be controlled by alternating between cells following one sequence and cells following a second sequence. [Decrementing] To decrease a sequence of increasing binary values, use the logical EXCLUSIVE of an all-one binary digit and each binary bit in the increasing sequence of binary values.
You simply need to take the OR. This reduces the value of the resulting series of binary digits. For example, a sequence of increasing numbers, 000 (0); 001 (1); 010
(2);……111(7) is the binary number 111 of all 1s
Sequence of numbers decreasing by taking EXCLUSIVE OR, 111(7); 110(6); 101(5); ......000
(0) occurs. If this is extrapolated to the full capacity (16 bits), the reduced address is 16
Starting from the maximum value of bits, it is decremented. However, due to the binary nature of the values, binary values obtained beyond the maximum address of memory tested during the decreasing sequence can be invalidated by masking. Masking: Masking uses a logical AND function to combine each binary bit of the desired address with the binary bit representing the binary address beyond which further addressing is to be blocked. It means that. For example, if you wish to limit addresses to no greater than 111(7), 000
Addresses from to 111 will be replicated unchanged. However, the next count 1000 is 0111
If the AND condition is taken bit by bit, the resulting address will be 000, and the sequence from 000 to 111 will be repeated for all binary values greater than 1000. [Home and Away Addresses] The next relationship used is Home and Away Addresses.
It's called an address. This is one memory
It allows a test sequence in which a cell (home cell) is repeatedly interrogated with a succession of away cells. after that,
The home cell advances to a new cell and is tested alternately with a new series of away cells. Both the home and away cell sequences may be either increasing or decreasing sequences varied by any integer amount. If the home cell is in the middle of the array, a series of away cells will sometimes contain a cell address larger than the memory capacity. By masking the away cell, the address increases to a maximum value, returns to zero, and approaches the home cell with an increasing succession of smaller addresses. For example, if 64
If we have a linear array of cells and the home cell has an address of 31, the away cell sequence runs from 32 to 63 and then from 0 to 30. Masking at 64 prevents accessing non-existent cells and returns the sequence to zero. [Offset] The last relationship is offset. This allows a series of relatively identical cells to be tested in any desired region of memory by adding constants to the X and Y addresses. The constants are the X and Y displacements of the region being tested relative to the origin of the memory matrix (X=0, Y=0). Offset also allows for alternating testing of series of cells occupying relatively similar geometric locations in two different regions of the memory. This is commonly used to test sense amplifiers that are shared by multiple memory cells. DESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS The particular test protocol chosen for any given memory depends on the size and geometry of the memory, including the potential defects sought to be detected and the nature of the sense amplifiers. Described in terms of measurable shapes. The address generator that will be described will change the address by presetting it with the necessary parameters by constants, whether it is actually positive or negative (increase/decrease), and the starting point (basic address) for the numerical sequence. change the
Vary the selection of areas to be tested. This affects each of the X and Y addresses individually. The relative times at which addresses are changed are controlled by an external cycle counter that is also preset for the desired test. FIG. 1 shows four identical address generators A, B,
C and D are shown schematically. Each address generator has a configuration consistent with the logical element arrangement shown in FIG. Inputs to A, B, C and D units are multi-wire cables 90A,
90B, 90C and 90D, the individual wires or multi-bit cables that make up these are shown in detail in FIG. All of the logic units used in FIG. 2 are standard commercially available components, and in the preferred embodiment are obtained from Texas Instruments, Inc. Each unit is
It is illustrated by the symbol T1 plus its type number. Of course, other companies' products with the same functions may be substituted. The A and B units are first address generating means used to generate the X address, and the C and D units are the second address generating means used to generate the Y address. A and C units are one pair of address generating means for generating home addresses, and B and D units are another pair of address generating means for generating away addresses. Selection of the home or away address is carried out by the unit 50 as selection means under the control of a suitably timed potential on line 55.
(for X) and unit 60 (for Y)
controlled by the selection of Each selection unit 50 or 60 is a solid state device equivalent to a 16 pole double throw relay with the ability to select 16 bits of the home or away address in the X and Y directions. It will be intuitively appreciated that this ability allows any cell in the memory to be accessed in the desired sequence by providing the appropriate preset data and timing pulses. Units 61, 62, 63 and 64 in Figure 2
consists of four 4-bit buffer storage units that, when strobed with appropriate timing pulses, are capable of accepting and storing all 16-bit binary data.
and generates the corresponding synthesized 16-bit output. These are typically TI type SN74S175. Units 67 and 68 are TI type S.
It contains four arithmetic logic units (ALUs) such as N.74S381, cascaded to provide 16-bit capacity with carry propagation. These ALUs have three input lines (e.g. lines 69 and 7).
0) can be conditioned to any one of eight logic functions by the combination of control potentials above. In this invention, only the addition function is used. Unit 71 is a combination of four 4-bit units such as the TI type 74S86.
EXCLUSIVE OR logic circuit. Each bit rank is individually combined such that dissimilar inputs to a rank produce a "1" output for that rank, and similar inputs produce a "0" output. To implement AND logic, gate 72 is configured similar to a 16-pair input logical AND function to provide 16 outputs. This is usually 4 TI type SN74S08
It consists of The selection means 50 and 51 are 4
Consists of two TI type SN74S157. The cables 90A to 90D shown in FIG. 1 are the cables 69, 7 shown in parentheses 90 in FIG.
0, 81, 82, 83, 84 and wires 65, 66
It consists of The circled number on each cable means the number of wires in each cable. The capacity of the address generator of the preferred embodiment is 16X and 16Y address bits, which, if fully utilized, can address 2 16 x 2 16 bits of memory if it is square. By masking, memories with smaller capacities or non-square matrix arrangements can also be addressed. For example, an unlikely 64K (65536) with 1-bit memory would utilize the entire X capacity, but only one Y address. It should be noted in the following discussion that addresses run from 0 to 2 n-1 . Here, n is an integer. To avoid confusion with large numbers, a simple 8x16 memory is used in the following example. The principle can be extrapolated by increasing the memory size by a power of two. Buffer stores 63, 64 and arithmetic logic unit 67 are counting means that generate sequences of base addresses independent of memory size. Essentially it is a counter that counts integer increments, and whenever a clock timing pulse is input to strobe the buffer store 63 to accept the input, the integer increment is added to the buffer store 63 as a constant. is set. For example, if buffer store 63 is preset to a binary value of 1, ALU 67 will immediately display a binary value of 1 in the lower ranks and all 0s in the 15 higher ranks. Buffer store 63 is initially set to all ones and when added to the only one in ALU 67 produces a sum of all zeros. When the output from ALU 67 is utilized, the clock signal on line 65
The pulse strobes buffer store 64 to receive a sum of all zeros from ALU 67 and adds the constant one from buffer store 63 to the zero in buffer store 64 to produce a base address of one.
By activating buffer memory 64,
The number in ALU 67 will be increased by a constant amount stored in buffer memory 63. The increase is that the clock pulse on line 65
occurs only when the output from the buffer storage 64 is enabled. This combination of ALU 67 and buffer storage 64 is equivalent to a counter that can be preset to count in desired increments. As previously mentioned, there are four identical units of FIG. 2 interconnected as shown in FIG. Cable 90A, 90B, 90C or 90D
The timing pulses applied to the wires 65A, 65B, 65C, or 65D are such that the frequency of their occurrence is a function of the relative speed at which the X home address, the X away address, the Y home address, and the Y away address are varied. They are so different. The 16-bit output from ALU 67 is applied as one input to 16-position EXCLUSIVE OR gate 71. Gate 71, as explained in the section above entitled "Decrease",
A second 16-bit input on cable 83 is received to increase or decrease the output of gate 71. this
EXCLUSIVE OR71 constitutes a control means. The binary value incremented or decremented by the control means 71 is masked from the buffer store 62 preset by the input of the cable 82 to each of the A, B, C and D units at the AND 72.
The bits are combined together bit by bit (16 bits). Methods of masking are described in the section entitled "Masking". These buffer memory 62 and AND 72 constitute masking means. Finally, the output of AND 72 is added to the offset value stored in buffer store 61 which is preset to the desired value. ALU68 is cable 7
This addition is performed under the control of the combined potential on 0. The special combination for addition to the selected ALU is 011. These buffer memories 6
1 and ALU 68 constitute offset means. The 16 bit output from ALU 68 is an X (home/away) or Y (home/away) address used to access memory. [Usage example] [Galloping pattern
Pattern)] In this test, each consecutive cell
Become a cell. An away cell is a continuous series of cells starting with the first cell in the array and ending with the last cell in the array. The home and away cells are tested in an alternating series;
The cell is actually tested twice. That is, the first time is as a home cell, and the second time is as an away cell. This simplifies the circuit and provides the same degree of test completeness and control as the more complex home and away sequences described in the publications referenced above. The number of away cells is constant and equal to the number of cells in the array. In a simple exemplary 8x16 memory (128 cells), the first away address is the address of the first cell (X=0, Y=0). The away cell sequence is from 0 to 127. In this example, the first cell 0 is actually tested twice. Home and away ALU67A, 67B, 6
7C and 67D initially address 0-0
Preset to start from the origin. Cables 83A to 83D are all set to "0" potential so that the increase occurs. Cable 69A
to 69D and from 70A to 70D
The ALU is activated to control the addition. Mask registers 62A and 62B are
Set to a value of 0111 (maximum address of X).
Registers 62C and 62D are set to 01111 (maximum address of Y). External counters (not shown) that count X home and away cycles (X home counter and X away counter) are preset to 0111. Counters (not shown) that count Y home and away (Y home counter and Y away counter) are preset to 01111. At each interrogation cycle, Y
The away counter is decremented by one count. When this is recycled from 0 to the preset value of 15, it decrements the X-away counter by one count. This advances the interrogation down the column, towards the bottom, and then steps forward until the bottom of the last column is reached, when both the X and Y away counters have been decremented to a value of zero. Step within each successive column. This coincidence (both the X and Y away counters being zero) means that the Y home
Decrease the counter by 1 count. The X and Y away counters return to zero to begin tracking the next interrogation cycle for the new home cell. Each time the X and Y home or away counters are decremented, the corresponding
ALU67 is increased. When the Y home counter completes its cycle from 15 to 0, it decrements the X home counter in the same way that the Y away counter steps the X away counter. The preset values in the mask register allow output addresses even if the X home and away ALU and the Y home and away ALU are stepped several times and represent individual values beyond the possible addresses. prevent the address from exceeding the specified address value. These X/Y home counters and X/Y away counters simply provide the frequency division to produce column stepping and cycle point counting, allowing lines 55, 65A,
Used to generate timing pulses applied on 65B, 65C, and 65D. In fact, in the example chosen, each of the 128 cells will be a home cell. Each home cell is
128 equivalent away points for 16384 steps
cells and perform 1024 repetitive cycles of 16 counts each. Therefore, the X away counter is
Decreased 1024 times. That is, 128 repeat cycles are experienced. Therefore, Y away ALU67D is 16384 (2 14 )
While counting the maximum value of , the output from ALU68D never exceeds 15 (01111). The Y away counter advances and steps the X away counter, and both jointly step the Y home counter at (0-0);
This time it also steps the X home counter and when both the Y home and X home counters decrease to zero, the end of test signal is generated. At this point, the maximum address of X=7, Y=15 is reached. [Diagonal Pattern] Another example of a memory address sequence is a diagonal pattern. All diagonals are 45 degree diagonals and the number of cells in one diagonal sequence is the same for any one memory. Cells on the diagonal are aligned like the main diagonal of a square, or
Or arranged on two parallel diagonal lines. Again, using 8x16 memory for illustration, the number of diagonals is equal to the greater of the two dimensions (16), and the number of cells on each diagonal is equal to the lesser of the two dimensions (8). equal. There are nine consecutive diagonals and seven discontinuous diagonals. The sum of the numbers of cells on two discontinuous diagonals is eight. Initially, the X and Y address generators are set at zero offset and then incremented by a constant of one. The mask for the X address will be set to a binary value of 7 and the mask for Y will be set to a binary value of 15. Both address generators are incremented by one count at the same time. This gives consecutive addresses along a 45° diagonal. Due to masking of the X address, even if the basic address created by the ALU 67A and buffer memory 64A starts from 0
Even if we proceed to 127, the X address will repeat the sequence from 0 to 7 16 times. Masking is 7
It is prohibited to use addresses exceeding . The Y address generator is connected to line 65C at the same time as the X generator.
is cycled upward from zero by a clock pulse applied to However, to prevent the Y address from being repeated along the same diagonal, it is necessary to add an additional count to the Y address after every 16 counts to precess the diagonal one matrix position. This need is illustrated in the following sequential table of matrix positions.
【表】
もし、各々7及び15にプリセツトされて減少さ
れるX及びYサイクル・カウンタの連続した値が
同じような表の形で説明されると、それらは次の
様に表われるであろう。[TABLE] If the successive values of the X and Y cycle counters that are preset and decremented to 7 and 15, respectively, were described in the form of a similar table, they would appear as follows: .
【表】
選ばれた例においては、両カウンタは各ダイア
ゴナルの終り又は8回、同時に0をカウントする
ことが理解される。この出来事(両カウンタが0
を同時にカウントすること)は、ダイアゴナルを
Y位置に1つだけ進める(precess)ために付加
的なカウントをY−ALUへ入れることを持たら
す。残されたタイミング機能の1つは、試験の終
りを検出することである。これは、アクセス数を
カウントすることにより又はダイアゴナルの数を
カウントすることのどちらかの色々な方法により
行うことができる。前者に於ては、カウンタが
127にプリセツトされ減少される。零に減少され
る時、試験の終了の信号を発生する。後者はカウ
ンタを7にプリセツトしてX及びYカウンタが同
時に零になる度毎に減少する。このカウンタが零
の最後の対により最後の減少パルスを受けてプリ
セツト値7に循環される時、サイクルは終了す
る。
前述の例は、ダイアゴナルの数及びダイアゴナ
ル上のセルの数を支配している規則を考慮して、
パラメータを適当に調整することにより、より大
きなメモリにも外挿してもよい。又、大きなメモ
リの分離された小さな領域はX及びYアドレスに
オフセツトを加えて同じアドレシング原理とシー
ケンスを用いることにより、試験してもよい。
行列の幾可学的知識により、アドレス発生器と
サイクル・カウンタとにセツトされるプリセツ
ト・データをテストされるメモリの領域とテス
ト・パターンを定義するように調節することがで
きる。
ホーム及びアウエイの特徴は、個々のセルのシ
ーケンスにのみに限る必要はなく、センス増幅器
を共有するメモリの相当する領域を試験する場合
にも用いてよい。ホーム及びアウエイ・アドレス
は、オフセツトが単に異なるだけで同じ増加値、
マスキング及びサイクル・カウンテイング制御を
持つ同様のシーケンスに従う。交互のホーム及び
アウエイ・アドレツシングが、メモリの2つの異
なつた幾可学的領域に対して同じ相対的位置を占
めるセルの連続に対して試験を行うだろう。
前述の例について説明されたように、前述のよ
うに相互に接続された論理要素は、シーケンスを
供給するのに大きな外部メモリを必要とすること
なしに多種類のメモリ・アドレス・シーケンスを
提供する。外部メモリは、単にアドレス発生器と
サイクル・カウンタに入力データを供給するのに
必要である。そして、アドレス発生器は、外部メ
モリをさらに参照することなしにアドレス・シー
ケンスを発生するための機能を続ける。小さな外
部メモリの使用に加えて、固定結線された
(hard−wired)アドレス発生器は、外部メモリ
からさらにインストラクシヨンを受けるために必
要な定数を除去することにより、より速い試験を
行うことができるという効果を有する。It will be appreciated that in the example chosen, both counters count to zero at the end of each diagonal, or eight times, simultaneously. This event (both counters are 0)
simultaneously) causes an additional count to be placed in the Y-ALU to precess the diagonal to the Y position. One of the remaining timing functions is to detect the end of the test. This can be done in various ways, either by counting the number of accesses or by counting the number of diagonals. In the former case, the counter
Preset and reduced to 127. When reduced to zero, it signals the end of the test. The latter presets the counter to 7 and is decremented each time the X and Y counters reach zero simultaneously. The cycle ends when this counter receives the last decrement pulse by the last pair of zeros and is cycled to the preset value of seven. The above example, considering the rules governing the number of diagonals and the number of cells on the diagonals,
By adjusting the parameters appropriately, it may also be extrapolated to larger memories. Also, isolated small areas of a large memory may be tested by adding offsets to the X and Y addresses and using the same addressing principles and sequences. Knowledge of the matrix geometry allows the preset data set in the address generator and cycle counter to be adjusted to define the area of memory to be tested and the test pattern. The home and away features need not be limited to sequences of individual cells, but may also be used to test corresponding regions of memory that share sense amplifiers. Home and away addresses have the same increment value, just different offsets,
A similar sequence with masking and cycle counting control is followed. Alternating home and away addressing will test for a series of cells occupying the same relative position with respect to two different geometric regions of the memory. As described for the previous example, logic elements interconnected as described above provide a wide variety of memory address sequences without requiring large external memories to supply the sequences. . External memory is only needed to provide input data to the address generator and cycle counter. The address generator then continues its function to generate address sequences without further reference to external memory. In addition to using small external memory, hard-wired address generators allow for faster testing by eliminating the constants needed to receive further instructions from external memory. It has the effect of being able to.
第1図はこの発明の一実施例によるメモリ・ア
ドレス・シーケンス発生器を示すブロツク図、第
2図は第1図の1部を詳細に示すブロツク図であ
る。
A,C……第1アドレス発生手段、B,D……
第2アドレス発生手段、50,60……選択手
段、63,67,64……計数手段、71……制
御手段、62,72……マスキング手段、61,
68……オフセツト手段。
FIG. 1 is a block diagram showing a memory address sequence generator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing a portion of FIG. 1 in detail. A, C...first address generation means, B, D...
2nd address generation means, 50, 60... selection means, 63, 67, 64... counting means, 71... control means, 62, 72... masking means, 61,
68...Offset means.
Claims (1)
置にあつて、試験されるべき一連のメモリ要素を
表す数値シーケンスの多数の内から選択された1
つを発生するためのメモリ・アドレス・シーケン
ス発生器において、 所定の数値と第1のタイミング・パルスとに応
答して、試験されるメモリ要素の各々を表す数値
シーケンスを発生する第1及び第2アドレス発生
手段A,B,C,Dを含む複数のアドレス発生手
段の対と、 前記複数のアドレス発生手段の対の出力に接続
され、第2のタイミング・パルスに応答して前記
複数のアドレス発生手段の対の出力を選択する選
択手段50,60と、 を有し、 前記第1及び第2アドレス発生手段の各々が、 前記所定の数値と前記第1のタイミング・パル
スとに応答して、前記所定の数値だけ異なる数値
シーケンスを発生する計数手段63,64,67
と、 所定の制御に応答して、前記計数手段が発生し
た数値シーケンスを増加または減少させる制御手
段71と、 一定の値に応答して、前記制御手段が出力した
数値シーケンスの値が前記一定の値に達すると繰
返しを行うマスキング手段62,72と、 前記マスキング手段の出力に接続されて、数値
シーケンスの値の各々に定数を加えるオフセツト
手段61,68とを有し、 これらにより、前記一のアドレス発生手段の対
がメモリ・アドレスの一の固有のシーケンスを発
生し、前記他のアドレス発生手段の対がメモリ・
アドレスの他の固有のシーケンスを発生し、前記
選択手段が前記一及び他の固有のシーケンスの選
択を行うことができるようにしたことを特徴とす
るメモリ・アドレス・シーケンス発生器。Claims: 1. In an apparatus for testing the operation of a multidimensional data storage memory, one selected from among a large number of numerical sequences representing a series of memory elements to be tested.
a memory address sequence generator for generating a memory address sequence generator, responsive to a predetermined numerical value and a first timing pulse, first and second memory address sequence generators for generating a numerical sequence representing each of the memory elements to be tested; a plurality of address generation means pairs including address generation means A, B, C, and D; and a plurality of address generation means connected to outputs of the plurality of address generation means pairs, and generating the plurality of addresses in response to a second timing pulse. selecting means 50, 60 for selecting the output of the pair of means, each of said first and second address generating means being responsive to said predetermined value and said first timing pulse; counting means 63, 64, 67 for generating numerical sequences that differ by said predetermined numerical value;
and control means 71 for increasing or decreasing the numerical sequence generated by the counting means in response to a predetermined control, and in response to a constant value, the value of the numerical sequence output by the control means increases or decreases in response to the constant value. masking means 62, 72 for repeating when a value is reached; offset means 61, 68 connected to the output of said masking means for adding a constant to each of the values of the numerical sequence; A pair of address generating means generates a unique sequence of memory addresses, and said other pair of address generating means generates a unique sequence of memory addresses.
A memory address sequence generator, characterized in that it generates other unique sequences of addresses, and said selection means is capable of making a selection between said one and other unique sequences.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/354,971 US4442519A (en) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | Memory address sequence generator |
| US354971 | 1982-03-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153300A JPS58153300A (en) | 1983-09-12 |
| JPS6231440B2 true JPS6231440B2 (en) | 1987-07-08 |
Family
ID=23395685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222231A Granted JPS58153300A (en) | 1982-03-05 | 1982-12-20 | Memory/address/sequence generator |
Country Status (4)
| Country | Link |
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- 1983-01-04 EP EP83100018A patent/EP0088202B1/en not_active Expired
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|---|---|
| JPS58153300A (en) | 1983-09-12 |
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| DE3380080D1 (en) | 1989-07-20 |
| US4442519A (en) | 1984-04-10 |
| EP0088202A2 (en) | 1983-09-14 |
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