JPS6235232B2 - - Google Patents
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- JPS6235232B2 JPS6235232B2 JP57089873A JP8987382A JPS6235232B2 JP S6235232 B2 JPS6235232 B2 JP S6235232B2 JP 57089873 A JP57089873 A JP 57089873A JP 8987382 A JP8987382 A JP 8987382A JP S6235232 B2 JPS6235232 B2 JP S6235232B2
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- JP
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- yoke
- radio wave
- chiyoke
- cover
- groove
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/76—Prevention of microwave leakage, e.g. door sealings
- H05B6/763—Microwave radiation seals for doors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/6414—Aspects relating to the door of the microwave heating apparatus
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
(技術分野)
本発明は、電子レンジ等のマイクロ波加熱装置
における電波漏洩防止装置の改良に関する。 (背景技術) 従来、マイクロ波加熱装置(例えば電子レン
ジ)の本体と扉との隙間から電波が漏洩するのを
防止する手段として、シールドバネによるメタル
コンタクト方式、及びチヨーク結合方式あるいは
ゴムフエライト、カーボンゴム等の電波吸収部材
によるものが提案されている。 第1図は従来の電波漏洩防止装置の断面図で、
1はマイクロ波加熱装置の本体の壁、2は本体1
の前面開口部に開閉自在に取付けられた扉、3は
庫内を示す。扉2には本体1の前面開口部に対向
する面の周縁に金属仕切板4,5により庫内の励
振電波の波長の略1/4の長さに設定された電波減
衰溝(以下チヨーク溝という)6が設けられ、又
このチヨーク溝の外側にゴムフエライト、カーボ
ンゴム等の電波吸収部材7が配置され、前記チヨ
ーク溝6に塵埃等が留まるのを防止するためと前
記電波吸収部材7の押え付けを兼ね備えたチヨー
クカバー8が取付けられている。このチヨークカ
バー8はチヨーク溝6内への電波の進入を妨げな
い部材、例えばポリプロピレン等の低誘電率材料
により構成されている。9はプラスチツク製の化
粧カバー、10はガラス板、11は金網、12は
取付ネジ、13は本体1に取付けられたシールド
バネで本体1と扉2をメタルコンタクトにより電
波の漏洩を阻止する。シールドバネの弾性劣化あ
るいは金属酸化物の被膜ができたような場合、又
は本体と扉の間に、ゴミのような絶縁物質が入り
込んだ場合等にメタルコンタクトが不完全となる
ときは、この隙間を通して電波漏洩しようとする
が、この漏洩電波は前記チヨーク溝6による電気
的抑制と電波吸収部材7による電波吸収作用によ
つて外部へ漏洩するのを防止している。 しかしながら、従来の電波漏洩防止装置は、チ
ヨーク溝が体積に占める割合が大きいにもかかわ
らず充分な性能が出ないことも経験上明らかであ
るし、又部品点数が多いことからその取付作業性
が悪い為、最近、性能、価格、量産性の観点から
種々の改良方法がなされている。例えば、チヨー
クカバーを電波吸収機能を有する材料で構成した
とか、あるいはチヨーク溝の内部に電波吸収部材
を配置する方法の提案がなされている。例えば特
公昭50−1928、特公昭51−31982、実公昭56−
16068は従来の技術の例である。これらの方法は
チヨーク機能を著しく低下させるし、チヨーク溝
内部は電界・磁界強度が強いため電波吸収部材を
焼損させる惧れがあり実用に得ない。 (発明の課題) 本発明は、電波漏洩防止装置の改良に係り、上
述の如く従来の欠点を改良しなされたもので、チ
ヨークの機能を損なわせずにチヨーク結合の構造
を小型にし広帯域となし、且つ部品点数を減すこ
とにより安価で電波漏洩の抑制効果の高い装置を
提供する。本発明による装置の特徴は、開閉可能
な扉をふくみ閉じた構造の本体を有し、本体と扉
の間の電波漏洩通路からの電波漏洩を防止する装
置において、電波漏洩通路に面する側で、本体ま
たは扉の少なくとも一方にチヨーク溝を設け、該
チヨーク溝の入口をチヨークカバーにより塞ぐ構
造を有し、前記チヨークカバーは磁性体と絶縁体
の混合物で複素誘電率の実数項ε′が15以下であ
る磁性材料から構成され、前記チヨーク溝の外側
に前記チヨークカバーと同一材質で一体に形成さ
れた電波吸収部分を有するごとき電波漏洩防止装
置にある。 (発明の構成および作用) 図面は、本発明に係り、第2図はWRJ−2導
波管21の上壁の一部にスリツトをあけ、長さ1/
4波長のチヨーク溝22(キヤビテイ)を形成
し、かつマイクロ波加熱装置村の本体と扉の狭い
電波漏洩通路を人為的に構成するためにステツプ
変換器23を用いた測定装置の断面図である。d
は、電波漏洩通路に相当する通路24のギヤツプ
厚であり、22′はチヨーク溝入口を示す。又チ
ヨーク溝の長さを調整出来るように可変短絡板2
5を内装している。 第3図は、電波漏洩通路24内にあつてチヨー
ク溝6の入口22′を塞ぐ部材26の取付状態を
示し、平板状部材26(厚み2.5mm、長さ15mm)
は通路24内にあつて入口22′を塞ぐと共に、
漏洩電波方向に若干伸び、電波吸収部材の役割も
はたすようになつている。平板状部材として、表
1に示すε′を変えた材料を用いた。 表1において試料No.1〜3は、比較的誘電率が
小さく、磁気損失が大きい材料Ni−Mg−Zn系フ
エライトの粉末とクロロプレンゴムとの混合物か
らなるゴムフエライトであり、試料No.4〜7は誘
電率が大きく磁気損失が大きい材料Mn−Zn系フ
エライトの粉末クロロプレンゴムとの混合物から
なるゴムフエライトである。 表1に示す各種試料No.1〜7からなるチヨーク
カバーをチヨーク入口22′に取付けた場合の透
過特性を比較し評価する。測定方法は、周波数
2200〜2660MHzの範囲をスイープさせて、出力
レベルをLog変換し、較正した後波形をオシロス
コープで観測し、その波形および値からその特性
を評価した。
における電波漏洩防止装置の改良に関する。 (背景技術) 従来、マイクロ波加熱装置(例えば電子レン
ジ)の本体と扉との隙間から電波が漏洩するのを
防止する手段として、シールドバネによるメタル
コンタクト方式、及びチヨーク結合方式あるいは
ゴムフエライト、カーボンゴム等の電波吸収部材
によるものが提案されている。 第1図は従来の電波漏洩防止装置の断面図で、
1はマイクロ波加熱装置の本体の壁、2は本体1
の前面開口部に開閉自在に取付けられた扉、3は
庫内を示す。扉2には本体1の前面開口部に対向
する面の周縁に金属仕切板4,5により庫内の励
振電波の波長の略1/4の長さに設定された電波減
衰溝(以下チヨーク溝という)6が設けられ、又
このチヨーク溝の外側にゴムフエライト、カーボ
ンゴム等の電波吸収部材7が配置され、前記チヨ
ーク溝6に塵埃等が留まるのを防止するためと前
記電波吸収部材7の押え付けを兼ね備えたチヨー
クカバー8が取付けられている。このチヨークカ
バー8はチヨーク溝6内への電波の進入を妨げな
い部材、例えばポリプロピレン等の低誘電率材料
により構成されている。9はプラスチツク製の化
粧カバー、10はガラス板、11は金網、12は
取付ネジ、13は本体1に取付けられたシールド
バネで本体1と扉2をメタルコンタクトにより電
波の漏洩を阻止する。シールドバネの弾性劣化あ
るいは金属酸化物の被膜ができたような場合、又
は本体と扉の間に、ゴミのような絶縁物質が入り
込んだ場合等にメタルコンタクトが不完全となる
ときは、この隙間を通して電波漏洩しようとする
が、この漏洩電波は前記チヨーク溝6による電気
的抑制と電波吸収部材7による電波吸収作用によ
つて外部へ漏洩するのを防止している。 しかしながら、従来の電波漏洩防止装置は、チ
ヨーク溝が体積に占める割合が大きいにもかかわ
らず充分な性能が出ないことも経験上明らかであ
るし、又部品点数が多いことからその取付作業性
が悪い為、最近、性能、価格、量産性の観点から
種々の改良方法がなされている。例えば、チヨー
クカバーを電波吸収機能を有する材料で構成した
とか、あるいはチヨーク溝の内部に電波吸収部材
を配置する方法の提案がなされている。例えば特
公昭50−1928、特公昭51−31982、実公昭56−
16068は従来の技術の例である。これらの方法は
チヨーク機能を著しく低下させるし、チヨーク溝
内部は電界・磁界強度が強いため電波吸収部材を
焼損させる惧れがあり実用に得ない。 (発明の課題) 本発明は、電波漏洩防止装置の改良に係り、上
述の如く従来の欠点を改良しなされたもので、チ
ヨークの機能を損なわせずにチヨーク結合の構造
を小型にし広帯域となし、且つ部品点数を減すこ
とにより安価で電波漏洩の抑制効果の高い装置を
提供する。本発明による装置の特徴は、開閉可能
な扉をふくみ閉じた構造の本体を有し、本体と扉
の間の電波漏洩通路からの電波漏洩を防止する装
置において、電波漏洩通路に面する側で、本体ま
たは扉の少なくとも一方にチヨーク溝を設け、該
チヨーク溝の入口をチヨークカバーにより塞ぐ構
造を有し、前記チヨークカバーは磁性体と絶縁体
の混合物で複素誘電率の実数項ε′が15以下であ
る磁性材料から構成され、前記チヨーク溝の外側
に前記チヨークカバーと同一材質で一体に形成さ
れた電波吸収部分を有するごとき電波漏洩防止装
置にある。 (発明の構成および作用) 図面は、本発明に係り、第2図はWRJ−2導
波管21の上壁の一部にスリツトをあけ、長さ1/
4波長のチヨーク溝22(キヤビテイ)を形成
し、かつマイクロ波加熱装置村の本体と扉の狭い
電波漏洩通路を人為的に構成するためにステツプ
変換器23を用いた測定装置の断面図である。d
は、電波漏洩通路に相当する通路24のギヤツプ
厚であり、22′はチヨーク溝入口を示す。又チ
ヨーク溝の長さを調整出来るように可変短絡板2
5を内装している。 第3図は、電波漏洩通路24内にあつてチヨー
ク溝6の入口22′を塞ぐ部材26の取付状態を
示し、平板状部材26(厚み2.5mm、長さ15mm)
は通路24内にあつて入口22′を塞ぐと共に、
漏洩電波方向に若干伸び、電波吸収部材の役割も
はたすようになつている。平板状部材として、表
1に示すε′を変えた材料を用いた。 表1において試料No.1〜3は、比較的誘電率が
小さく、磁気損失が大きい材料Ni−Mg−Zn系フ
エライトの粉末とクロロプレンゴムとの混合物か
らなるゴムフエライトであり、試料No.4〜7は誘
電率が大きく磁気損失が大きい材料Mn−Zn系フ
エライトの粉末クロロプレンゴムとの混合物から
なるゴムフエライトである。 表1に示す各種試料No.1〜7からなるチヨーク
カバーをチヨーク入口22′に取付けた場合の透
過特性を比較し評価する。測定方法は、周波数
2200〜2660MHzの範囲をスイープさせて、出力
レベルをLog変換し、較正した後波形をオシロス
コープで観測し、その波形および値からその特性
を評価した。
【表】
【表】
第4図は、チヨーク入口を金属板で塞いだとき
すなわちチヨークなしとした場合の特性(曲線
)、チヨークのみの場合すなわちチヨークの特
性(曲線)および第2図に示す如く、試料No.1
〜7の材料26(形状が厚さ2.5mm電波進行方向
の寸法すなわち長さ15mm)の平板形状のチヨーク
カバーでチヨーク入口を塞いだ場合の特性(曲線
〜)を示した。試料No.1〜7の材料は、誘電
率ε′を4.5から41.4まで変化させたものである。
チヨークなしの場合、曲線のように透過量は、
ほとんど一定で0dB基準とした。チヨークのみの
場合、曲線のように2450MHzで40dBの透過量
となり漏洩電波は、この周波数で大部分減衰し、
チヨークなしの透過量の1/10000の電力しか透過
(漏洩)していない。チヨーク入口を電波吸収部
材試料No.1〜7で塞いだ場合の特性曲線〜か
ら、ε′が比較的小さい15以下のNo.1〜No.4にお
いて特性はピーク値をもち、チヨークのみの特性
と比較して広帯域となる。但し、最小透過量の値
は若干大きくなると共に、そのときの周波数は
2450MHzから低い方に推進していることがわか
る。又、ε′が大きく20以上のNo.5〜No.7におい
て特性は、ほとんどピーク値がみられなくチヨー
クの影響による多少の減衰はみられるが、ほとん
ど平坦な減衰を示している。特に、試料No.7ε′
=41.4の材料においては、チヨークの影響はなく
磁性体No.7の透過減衰のみの特性となつている。
このことは、ε′が大きい場合試料自体からの反
射が大きく、チヨーク内部に電波が入り込まない
ためと考えられる。 次に、第4図に示す如く材料により最小透過量
点が低周波の方にずれているが、チヨークの長さ
を短かくすれば、チヨークによる周波数特性はそ
の状態にもどす事ができ、2450MHzで最小の透
過量を得られると推進され第2図の可変短絡板2
5によりチヨーク寸法を調整(チヨーク寸法を小
さくする)することにより中心周波数2450MHz
に最小の透過量点を移動させて(0.5mm〜10mm程
度移動)チヨーク入口の磁性体を配置したときの
特性を測定した。その結果、第5図の特性が得ら
れた。第5図から分るように、ε′が約15以下の
試料No.1〜4においてチヨークの機能が生かさ
れ、かつチヨークのみの特性と比べ広帯域な特性
を得ることが出来ることが判明した。尚、ε′が
20以上の試料No.5〜7においては、やはり反射が
大きくチヨークの内部に充分電波が入らないため
チヨーク特性が生かされず、充分小さな透過量を
得ることが出来ない。 第5図の結果によりε′の影響が大きいことが
分つた為、試料No.1〜7のε′値と、最小の透過
量および透過量が20dBより少ない領域(帯域
巾)と、材料がもつ透過減衰量値を表2にまとめ
た。又、ε′と特性値の関係を第6図、第7図に
示す。第6図は、ε′と最小減衰量値の関係であ
り、第7図は、ε′と帯域巾の関係である。この
ことより、ε′がほぼ15以下の場合、チヨークの
みの最小透過量より多少悪くなるが、実用的に充
分な特性である25dB以上の特性が得られ且つ帯
域巾も240MHz以上の充分な特性が得られる。第
6図、第7図よりε′が15付近を境として急激な
特性劣化を示すことが分る。
すなわちチヨークなしとした場合の特性(曲線
)、チヨークのみの場合すなわちチヨークの特
性(曲線)および第2図に示す如く、試料No.1
〜7の材料26(形状が厚さ2.5mm電波進行方向
の寸法すなわち長さ15mm)の平板形状のチヨーク
カバーでチヨーク入口を塞いだ場合の特性(曲線
〜)を示した。試料No.1〜7の材料は、誘電
率ε′を4.5から41.4まで変化させたものである。
チヨークなしの場合、曲線のように透過量は、
ほとんど一定で0dB基準とした。チヨークのみの
場合、曲線のように2450MHzで40dBの透過量
となり漏洩電波は、この周波数で大部分減衰し、
チヨークなしの透過量の1/10000の電力しか透過
(漏洩)していない。チヨーク入口を電波吸収部
材試料No.1〜7で塞いだ場合の特性曲線〜か
ら、ε′が比較的小さい15以下のNo.1〜No.4にお
いて特性はピーク値をもち、チヨークのみの特性
と比較して広帯域となる。但し、最小透過量の値
は若干大きくなると共に、そのときの周波数は
2450MHzから低い方に推進していることがわか
る。又、ε′が大きく20以上のNo.5〜No.7におい
て特性は、ほとんどピーク値がみられなくチヨー
クの影響による多少の減衰はみられるが、ほとん
ど平坦な減衰を示している。特に、試料No.7ε′
=41.4の材料においては、チヨークの影響はなく
磁性体No.7の透過減衰のみの特性となつている。
このことは、ε′が大きい場合試料自体からの反
射が大きく、チヨーク内部に電波が入り込まない
ためと考えられる。 次に、第4図に示す如く材料により最小透過量
点が低周波の方にずれているが、チヨークの長さ
を短かくすれば、チヨークによる周波数特性はそ
の状態にもどす事ができ、2450MHzで最小の透
過量を得られると推進され第2図の可変短絡板2
5によりチヨーク寸法を調整(チヨーク寸法を小
さくする)することにより中心周波数2450MHz
に最小の透過量点を移動させて(0.5mm〜10mm程
度移動)チヨーク入口の磁性体を配置したときの
特性を測定した。その結果、第5図の特性が得ら
れた。第5図から分るように、ε′が約15以下の
試料No.1〜4においてチヨークの機能が生かさ
れ、かつチヨークのみの特性と比べ広帯域な特性
を得ることが出来ることが判明した。尚、ε′が
20以上の試料No.5〜7においては、やはり反射が
大きくチヨークの内部に充分電波が入らないため
チヨーク特性が生かされず、充分小さな透過量を
得ることが出来ない。 第5図の結果によりε′の影響が大きいことが
分つた為、試料No.1〜7のε′値と、最小の透過
量および透過量が20dBより少ない領域(帯域
巾)と、材料がもつ透過減衰量値を表2にまとめ
た。又、ε′と特性値の関係を第6図、第7図に
示す。第6図は、ε′と最小減衰量値の関係であ
り、第7図は、ε′と帯域巾の関係である。この
ことより、ε′がほぼ15以下の場合、チヨークの
みの最小透過量より多少悪くなるが、実用的に充
分な特性である25dB以上の特性が得られ且つ帯
域巾も240MHz以上の充分な特性が得られる。第
6図、第7図よりε′が15付近を境として急激な
特性劣化を示すことが分る。
【表】
尚、電波吸収特性も、この場合活用されてお
り、表1に示すように、透過減衰量2dB/cm以上
の特性を試料No.1〜7の材料は有しているため減
衰効果も十分生かされ帯域巾も広くなつている。 又、第2図の寸法dが大きくなつてチヨーク機
能が劣化したとしても材料の減衰特性により電波
漏洩防止効果を発揮する。表1の試料No.3とNo.4
のtanδμを比較すると、1.79と0.70であり透過
減衰量として9.42dB/cmと7.27dB/cmで大きな
差がある。すなわちフエライト材質によつて透過
減衰量が大きな変化を示すが、透過減衰量に大き
く寄与するtanδμ(μ″/μ′)は、表1の試料
No.1のtanδμが0.48のとき透過減衰量α(dB/
cm)は2.37dB/cmであることから少なくとも半
分以上の電波が減衰する3dBを得るには、ほぼ
0.5以上を必要とする。一般に、パワーを減衰さ
せる目的の場合、元のパワーの1/2以下にならな
いと減衰効果があつたとはいえない状況がある。
減衰効果は最初の3dBがその後の1000dBにも匹敵
しうるものである。すなわち、たとえば100mV
のパワーが漏洩している場合、3dBで50mWを減
衰させるが、残りの50mWを減衰させるには
1000dBでもまだ不足となる。この意味合いで
“3dB減衰(半減)”というのは減衰についてのシ
ンボル的な意味合いを有する。チヨークカバー形
状は、電波漏洩通路に面した表面を平面となし、
チヨーク内部に向つて突出するようにしたことに
よつて一種のアンテナ効果により電波のチヨーク
内部への進入が良くなり、そのチヨーク機能を損
なわず特性を改善できるとも云える。 試料No.3を用い、第8図イ,ロ,ハに示した如
く第2図のキヤビテイ22の入口22′を塞ぐ取
付け状態を変えた場合の特性を第9図に示す。第
8図イは平板であり、第8図ロは凸状で、第8図
ハはさらに凸を大きくチヨークキヤビテイ内に突
出した形状である。いずれも、チヨーク特性をあ
まり損なわず、広い帯域が得られている。 以上の如く、本発明によると、チヨークの機能
をそれほど損わせずに、かつチヨークの構造を小
型にでき、かつチヨーク内部への塵埃の進入阻止
と共に電波吸収機能を兼ね備えさせたことによ
り、電波漏洩防止の効果をより一層増大させるこ
とができる。又、部品点数を減すことにより安価
な装置を提供出来る。 以下に、本発明の実施例を示す。 実施例 1 第10図に、実施例1の電波漏洩防止装置の断
面図を示す。符号は第1図と同一であるので、同
一符号部分の説明は省略する。14は、チヨーク
カバーで、フエライト粉末とゴム又はプラスチツ
ク等の絶縁物との混合物試料No.3からなり、その
一端14aは、金属仕切板25と係合するように
カギ形に形成され、他端14bはチヨーク溝の入
口を塞いで外方に延長し、化粧カバー9の端部で
固定されている。すなわち、チヨークカバーはそ
の表面が本体1の対向壁1′に対し、ほぼ平行平
面とされ、チヨーク溝の入口および隣室6′の入
口部分を塞ぐように取付けられている。 実施例 2 第11図A及びBに、実施例2の電波漏洩防止
装置の断面図を示す。14はチヨークカバーで、
フエライト粉末とゴム又はプラスチツク等の絶縁
体との混合物からなり、その一端は金属仕切板2
5と係合するようにカギ形に形成され、他端はチ
ヨーク溝の入口を塞いで外方に延長し、化粧カバ
ー9の端部で固定されている。チヨークカバーの
表面は、本体1の対向壁1′に対してほぼ平行平
面とされ、裏面にはチヨーク溝6の内方に突出す
る突出部141が一体に形成されている。突出部
は第11図Bのごとく、適当な間隔でドアの周辺
部に複数個もうけられる。この突出部はアンテナ
として作用し電波をチヨーク溝内に放出するので
電波吸収特性が向上する。 実施例 3 第12図は実施例3の電波漏洩防止装置の断面
図である。14はチヨークカバーで、フエライト
粉末とゴム又はプラスチツク等の絶縁体との混合
物からなり、チヨークカバーの表面は本体1の対
向壁1′に対して平行平面とされ裏面には、チヨ
ーク溝6の外側にあつて、金属仕切板4と15で
囲まれた狭い空室内に挿入された電波吸収体14
2が一体に形成されている。この電波吸収体14
2は第12図Bのごとくドアのほぼ全周にもうけ
られる。 実施例 4 第13図はA及びB、実施例4の電波漏洩防止
装置の断面図である。14はチヨークカバーで、
フエライト粉末とゴム又はプラスチツク等の絶縁
体との混合物からなりチヨークカバーの表面は、
本体1の対向壁1′に対して平行平面とされ裏面
にはチヨーク溝6の内方に突出する突出部141
とチヨーク溝6の外側にあつて金属仕切板4と1
5で囲まれた狭い空室内に挿入された電波吸収部
材142とが一体に形成されている(第13図
B)。実施例1〜4共に、ドア周辺に額縁状に取
りつけられてもよいし、数本の棒状のものでドア
周辺を囲むように取りつけられてもよい。 上記各実施例の変形もしくは修飾は種々可能で
ある。第14図a及びbはチヨークカバー14の
固定構造の例で、aは化粧カバー9の端部でチヨ
ークカバー14を押えるものである。このとき電
波吸収部材142が存在する実施例ではこの部材
を空室の壁でおさえることにより支持してもよ
い。第14図bは支切板5にスナツプ動作のピン
5aを立て、チヨークカバー14にこれに対応す
る孔をもうけ、該ピンによりチヨークカバー14
を固定する構造を示す。なおピンをチヨークカバ
ーにもうけ、支切板にもうけた孔によりスナツプ
動作で固定させてもよい。第14図cは空室を除
去した構造で第10図、及び第11図の場合には
空室を除去してもさしつかえない。第14図dは
第11図A,B及び第13図A,Bにおける突起
141の3つ形状(台形、円柱、三角錐)を示
す。又チヨークカバーの材質はフエライトとゴム
の混合物の他、フエライトと合成樹脂の混合物と
することも可能である。なおチヨークカバーは細
長の4辺により構成される長方形の額縁状であ
り、4辺を一体構成とすることも可能であり、又
は4辺を別々に構成してチヨーク溝の壁に固定す
ることも可能である。 (発明の効果) 以上説明したごとく、本発明によるとチヨーク
カバーを磁性材で構成することにより広帯域で構
造が単純で吸収特性の優れた電波漏洩防止装置が
得られる。
り、表1に示すように、透過減衰量2dB/cm以上
の特性を試料No.1〜7の材料は有しているため減
衰効果も十分生かされ帯域巾も広くなつている。 又、第2図の寸法dが大きくなつてチヨーク機
能が劣化したとしても材料の減衰特性により電波
漏洩防止効果を発揮する。表1の試料No.3とNo.4
のtanδμを比較すると、1.79と0.70であり透過
減衰量として9.42dB/cmと7.27dB/cmで大きな
差がある。すなわちフエライト材質によつて透過
減衰量が大きな変化を示すが、透過減衰量に大き
く寄与するtanδμ(μ″/μ′)は、表1の試料
No.1のtanδμが0.48のとき透過減衰量α(dB/
cm)は2.37dB/cmであることから少なくとも半
分以上の電波が減衰する3dBを得るには、ほぼ
0.5以上を必要とする。一般に、パワーを減衰さ
せる目的の場合、元のパワーの1/2以下にならな
いと減衰効果があつたとはいえない状況がある。
減衰効果は最初の3dBがその後の1000dBにも匹敵
しうるものである。すなわち、たとえば100mV
のパワーが漏洩している場合、3dBで50mWを減
衰させるが、残りの50mWを減衰させるには
1000dBでもまだ不足となる。この意味合いで
“3dB減衰(半減)”というのは減衰についてのシ
ンボル的な意味合いを有する。チヨークカバー形
状は、電波漏洩通路に面した表面を平面となし、
チヨーク内部に向つて突出するようにしたことに
よつて一種のアンテナ効果により電波のチヨーク
内部への進入が良くなり、そのチヨーク機能を損
なわず特性を改善できるとも云える。 試料No.3を用い、第8図イ,ロ,ハに示した如
く第2図のキヤビテイ22の入口22′を塞ぐ取
付け状態を変えた場合の特性を第9図に示す。第
8図イは平板であり、第8図ロは凸状で、第8図
ハはさらに凸を大きくチヨークキヤビテイ内に突
出した形状である。いずれも、チヨーク特性をあ
まり損なわず、広い帯域が得られている。 以上の如く、本発明によると、チヨークの機能
をそれほど損わせずに、かつチヨークの構造を小
型にでき、かつチヨーク内部への塵埃の進入阻止
と共に電波吸収機能を兼ね備えさせたことによ
り、電波漏洩防止の効果をより一層増大させるこ
とができる。又、部品点数を減すことにより安価
な装置を提供出来る。 以下に、本発明の実施例を示す。 実施例 1 第10図に、実施例1の電波漏洩防止装置の断
面図を示す。符号は第1図と同一であるので、同
一符号部分の説明は省略する。14は、チヨーク
カバーで、フエライト粉末とゴム又はプラスチツ
ク等の絶縁物との混合物試料No.3からなり、その
一端14aは、金属仕切板25と係合するように
カギ形に形成され、他端14bはチヨーク溝の入
口を塞いで外方に延長し、化粧カバー9の端部で
固定されている。すなわち、チヨークカバーはそ
の表面が本体1の対向壁1′に対し、ほぼ平行平
面とされ、チヨーク溝の入口および隣室6′の入
口部分を塞ぐように取付けられている。 実施例 2 第11図A及びBに、実施例2の電波漏洩防止
装置の断面図を示す。14はチヨークカバーで、
フエライト粉末とゴム又はプラスチツク等の絶縁
体との混合物からなり、その一端は金属仕切板2
5と係合するようにカギ形に形成され、他端はチ
ヨーク溝の入口を塞いで外方に延長し、化粧カバ
ー9の端部で固定されている。チヨークカバーの
表面は、本体1の対向壁1′に対してほぼ平行平
面とされ、裏面にはチヨーク溝6の内方に突出す
る突出部141が一体に形成されている。突出部
は第11図Bのごとく、適当な間隔でドアの周辺
部に複数個もうけられる。この突出部はアンテナ
として作用し電波をチヨーク溝内に放出するので
電波吸収特性が向上する。 実施例 3 第12図は実施例3の電波漏洩防止装置の断面
図である。14はチヨークカバーで、フエライト
粉末とゴム又はプラスチツク等の絶縁体との混合
物からなり、チヨークカバーの表面は本体1の対
向壁1′に対して平行平面とされ裏面には、チヨ
ーク溝6の外側にあつて、金属仕切板4と15で
囲まれた狭い空室内に挿入された電波吸収体14
2が一体に形成されている。この電波吸収体14
2は第12図Bのごとくドアのほぼ全周にもうけ
られる。 実施例 4 第13図はA及びB、実施例4の電波漏洩防止
装置の断面図である。14はチヨークカバーで、
フエライト粉末とゴム又はプラスチツク等の絶縁
体との混合物からなりチヨークカバーの表面は、
本体1の対向壁1′に対して平行平面とされ裏面
にはチヨーク溝6の内方に突出する突出部141
とチヨーク溝6の外側にあつて金属仕切板4と1
5で囲まれた狭い空室内に挿入された電波吸収部
材142とが一体に形成されている(第13図
B)。実施例1〜4共に、ドア周辺に額縁状に取
りつけられてもよいし、数本の棒状のものでドア
周辺を囲むように取りつけられてもよい。 上記各実施例の変形もしくは修飾は種々可能で
ある。第14図a及びbはチヨークカバー14の
固定構造の例で、aは化粧カバー9の端部でチヨ
ークカバー14を押えるものである。このとき電
波吸収部材142が存在する実施例ではこの部材
を空室の壁でおさえることにより支持してもよ
い。第14図bは支切板5にスナツプ動作のピン
5aを立て、チヨークカバー14にこれに対応す
る孔をもうけ、該ピンによりチヨークカバー14
を固定する構造を示す。なおピンをチヨークカバ
ーにもうけ、支切板にもうけた孔によりスナツプ
動作で固定させてもよい。第14図cは空室を除
去した構造で第10図、及び第11図の場合には
空室を除去してもさしつかえない。第14図dは
第11図A,B及び第13図A,Bにおける突起
141の3つ形状(台形、円柱、三角錐)を示
す。又チヨークカバーの材質はフエライトとゴム
の混合物の他、フエライトと合成樹脂の混合物と
することも可能である。なおチヨークカバーは細
長の4辺により構成される長方形の額縁状であ
り、4辺を一体構成とすることも可能であり、又
は4辺を別々に構成してチヨーク溝の壁に固定す
ることも可能である。 (発明の効果) 以上説明したごとく、本発明によるとチヨーク
カバーを磁性材で構成することにより広帯域で構
造が単純で吸収特性の優れた電波漏洩防止装置が
得られる。
第1図は従来の電波漏洩防止装置の断面図、第
2図は測定装置の要部断面図、第3図はチヨーク
カバーを装着した状態図、第4図と第5図はチヨ
ークカバー試料No.1〜No.7を用いたときのチヨー
クありとチヨークなしのときの周波数特性図、第
6図と第7図はε′の違いによる透過量および帯
域巾特性図、第8図イ,ロ,ハは、種々形状チヨ
ークカバーを装着した状態図、第9図は第8図
イ,ロ,ハの形状にした試料No.3を用いたときの
周波数特性図、第10図、第11図A及びB、第
12図A及びB、及び第13図A及びBは、本発
明による構造例、第14図a〜dは本発明の各種
修飾例である。 (符号の説明;第12図A)、6;チヨーク
溝、14;チヨークカバー、142;電波吸収部
分。
2図は測定装置の要部断面図、第3図はチヨーク
カバーを装着した状態図、第4図と第5図はチヨ
ークカバー試料No.1〜No.7を用いたときのチヨー
クありとチヨークなしのときの周波数特性図、第
6図と第7図はε′の違いによる透過量および帯
域巾特性図、第8図イ,ロ,ハは、種々形状チヨ
ークカバーを装着した状態図、第9図は第8図
イ,ロ,ハの形状にした試料No.3を用いたときの
周波数特性図、第10図、第11図A及びB、第
12図A及びB、及び第13図A及びBは、本発
明による構造例、第14図a〜dは本発明の各種
修飾例である。 (符号の説明;第12図A)、6;チヨーク
溝、14;チヨークカバー、142;電波吸収部
分。
Claims (1)
- 1 開閉可能な扉をふくみ閉じた構造の本体を有
し、本体と扉の間の電波漏洩通路からの電波漏洩
を防止する装置において、電波漏洩通路に面する
側で、本体または扉の少なくとも一方にチヨーク
溝を設け、該チヨーク溝の入口をチヨークカバー
により塞ぐ構造を有し、前記チヨークカバーは磁
性体と絶縁体の混合物で複素誘電率の実数項ε′
が15以下である磁性材料から構成され、前記チヨ
ーク溝の外側に前記チヨークカバーと同一材質で
一体に形成された電波吸収部分を有することを特
徴とする電波漏洩防止装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089873A JPS58209089A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 電波漏洩防止装置 |
| GB08230255A GB2122059B (en) | 1982-05-28 | 1982-10-22 | An absorber device for microwave leakage |
| US06/438,256 US4525614A (en) | 1982-05-28 | 1982-11-01 | Absorber device for microwave leakage |
| IT8268285A IT1191223B (it) | 1982-05-28 | 1982-11-04 | Dispositivo assorbitore di onde elettromagnetiche per impedire le dispersioni di microonde |
| DE3242125A DE3242125C2 (de) | 1982-05-28 | 1982-11-13 | Wellenabsorbiereinrichtung für ein Mikrowellengerät |
| FR8219333A FR2527886A1 (fr) | 1982-05-28 | 1982-11-18 | Dispositif absorbeur pour fuites de micro-ondes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089873A JPS58209089A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 電波漏洩防止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209089A JPS58209089A (ja) | 1983-12-05 |
| JPS6235232B2 true JPS6235232B2 (ja) | 1987-07-31 |
Family
ID=13982881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57089873A Granted JPS58209089A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 電波漏洩防止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209089A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0338799Y2 (ja) * | 1987-11-24 | 1991-08-15 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5236809B2 (ja) * | 1973-08-16 | 1977-09-19 | ||
| JPS511556U (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-08 |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57089873A patent/JPS58209089A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58209089A (ja) | 1983-12-05 |
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